晶圓刻蝕裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種晶圓刻蝕裝置，包括：載體，所述載體具有多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內轉動；位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓勻速轉動，使所述晶圓與所述載體內的刻蝕溶液均勻反應。由于傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉動，因此，就相當于將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應后的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產效率，縮短了生產周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，晶圓各個區(qū)域的反應速度趨于一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
【專利說明】晶圓刻蝕裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體工藝【技術領域】，更具體地說，涉及一種晶圓刻蝕裝置。

【背景技術】
[0002]晶圓是制作硅半導體集成電路所用的硅芯片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在采用晶圓制作半導體器件的過程中，為了滿足晶圓晶粒的分割以及半導體器件電特性的需求，人們對晶圓溝槽刻蝕均勻性的要求越來越高。
[0003]為了使刻蝕后的晶圓的溝槽深度和寬度都達到理想的要求，現(xiàn)有技術中通常采用減少一次蝕刻中晶圓數(shù)量的方式，來增加每個晶圓與刻蝕溶液的接觸面積，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性，但是，這種刻蝕方式往往會導致生產周期較長，生產效率較低。


【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明提供了一種晶圓刻蝕裝置，以解決現(xiàn)有技術中采用減少一次蝕刻中晶圓數(shù)量，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性的方式，生產周期較長，生產效率較低的問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術方案:
[0006]一種晶圓刻蝕裝置，包括:
[0007]載體，所述載體包括多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內轉動；
[0008]位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓轉動，使所述晶圓與所述載體內的刻蝕溶液均勻反應。
[0009]優(yōu)選的，所述傳動裝置包括:
[0010]位于所述晶圓底部且?guī)铀鼍A轉動的傳送帶；
[0011]帶動所述傳送帶勻速運行的傳動輪；
[0012]通過傳動軸與所述傳動輪相連的電機。
[0013]優(yōu)選的，所述電機按照預設速度運行，并帶動所述晶圓勻速轉動。
[0014]優(yōu)選的，所述傳送帶、傳動輪以及傳動軸均為耐酸性材質。
[0015]優(yōu)選的，所述載體為鐵氟龍舟。
[0016]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明所提供的技術方案至少具有以下優(yōu)點:
[0017]本發(fā)明所提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位于所述載體以及晶圓底部的傳動裝置，由于傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉動，因此，就相當于將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應后的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產效率，縮短了生產周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，晶圓各個區(qū)域的反應速度趨于一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為本發(fā)明的一個實施例提供的晶圓刻蝕裝置結構示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明的一個實施例提供的傳動裝置的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0021]正如【背景技術】所述，現(xiàn)有技術中通常采用減少一次蝕刻中晶圓數(shù)量的方式，來增加每個晶圓與刻蝕溶液的接觸面積，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性，但是，這種刻蝕方式往往會導致生產周期較長，生產效率較低。
[0022]基于此，本發(fā)明提供了一種晶圓刻蝕裝置，以克服現(xiàn)有技術存在的上述問題，包括:
[0023]載體，所述載體包括多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內轉動；
[0024]位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓勻速轉動，使所述晶圓與所述載體內的刻蝕溶液均勻反應。
[0025]本發(fā)明所提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位于所述載體以及晶圓底部的傳動裝置，由于傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉動，因此，就相當于將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應后的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產效率，縮短了生產周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，晶圓各個區(qū)域的反應速度趨于一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
[0026]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0027]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0028]其次，本發(fā)明結合示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示裝置結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0029]本實施例提供了一種晶圓刻蝕裝置，用于晶圓深槽的刻蝕，以制作集成電路及半導體器件。如圖1所示，本實施例中的晶圓刻蝕裝置包括:載體10和傳動裝置20，其中，所述載體10具有多個可承載晶圓的卡槽101，所述卡槽101可放置晶圓102，且晶圓102可在所述卡槽101內自由轉動；傳動裝置20位于所述載體10的底面以及所述晶圓102的底部，在所述晶圓102上刻蝕深槽時，所述傳動裝置20帶動所述晶圓102轉動，使所述晶圓102與所述載體10內的刻蝕溶液均勻反應。
[0030]本實施例中，載體10優(yōu)選為鐵氟龍舟，其材質是鐵氟龍，耐酸堿，不易被刻蝕溶液腐蝕，且其內部為弧形設計，且具有多個卡槽，在卡槽內放置晶圓后，晶圓可自由轉動。
[0031]并且，本實施例中的傳動裝置20,如圖2所示，包括:位于所述晶圓102底部且?guī)铀鼍A102轉動的傳送帶201 ;帶動所述傳送帶201勻速運行的傳動輪202 ;通過傳動軸203與所述傳動輪202相連的電機204。其中，傳送帶201可帶動晶圓102的邊緣沿某一方向轉動，當然，在其他實施例中，傳送帶也可帶動晶圓以其他方式轉動，本發(fā)明并不僅限于此。
[0032]由于載體10內承載有刻蝕溶液，因此，位于載體10底面的傳送帶201必須為耐酸性材質,并且,需要同樣耐酸性材質的傳動輪202以及傳動軸203與電機204相連。在電機204設置一定的轉速并啟動后，電機204通過傳動軸203的傳動使傳送帶201轉動起來，由于傳送帶102在轉動的同時也帶動了晶圓102的轉動，因此，就增加了刻蝕溶液在晶圓102表面的流動，使得刻蝕反應快速且均勻，最終達到了溝槽深寬度蝕刻均勻的效果。
[0033]本實施例提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位于所述載體以及晶圓底部的傳動裝置，由于傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉動，因此，就相當于將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應后的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產效率，縮短了生產周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，使得晶圓各個區(qū)域的反應速度趨于一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
[0034]雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。
【權利要求】
1.一種晶圓刻蝕裝置，其特征在于，包括: 載體，所述載體具有多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內轉動； 位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓勻速轉動，使所述晶圓與所述載體內的刻蝕溶液均勻反應。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述傳動裝置包括: 位于所述晶圓底部且?guī)铀鼍A轉動的傳送帶； 帶動所述傳送帶勻速運行的傳動輪； 通過傳動軸與所述傳動輪相連的電機。
3.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述電機按照預設速度運行，并帶動所述晶圓勻速轉動。
4.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述傳送帶、傳動輪以及傳動軸均為耐酸性材質。
5.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述載體為鐵氟龍舟。
【文檔編號】H01L21/67GK104299933SQ201410498767
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年9月25日 優(yōu)先權日:2014年9月25日
【發(fā)明者】汪良恩, 汪曦凌 申請人:安徽安芯電子科技有限公司