一種用于hit太陽(yáng)電池織構(gòu)的處理技術(shù)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于HIT太陽(yáng)電池的織構(gòu)平坦化處理技術(shù)，可以在單晶硅片表面形成金字塔狀結(jié)構(gòu)，能夠有效降低硅片表面反射帶來(lái)的光損失，提高短路電流，進(jìn)而提高電池效率。對(duì)于HIT異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，由于對(duì)界面特性要求高，尖銳的金字塔結(jié)構(gòu)和交界處的小金字塔會(huì)產(chǎn)生較多的界面態(tài)。本發(fā)明公開(kāi)了一種用于HIT太陽(yáng)電池織構(gòu)的平坦化處理方法，包括單晶硅表面絨面的制備，以及對(duì)制備絨面后的單晶硅襯底進(jìn)行平坦化腐蝕處理。還公開(kāi)了平坦化腐蝕處理所采用的溶液組份、溫度和腐蝕時(shí)間。為HIT太陽(yáng)電池的制備提供界面良好的單晶硅襯底，有利于提高電池性能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】-種用于HIT太陽(yáng)電池織構(gòu)的處理技術(shù)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于微電子及光電子【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及一種用于 HIT (hetero junction with intrinsic thin-layer,具有本征非晶娃薄層的單晶娃異質(zhì)結(jié) 太陽(yáng)電池）太陽(yáng)電池單晶硅表面織構(gòu)的平坦化處理方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 單晶硅表面織構(gòu)技術(shù)，可以在單晶硅片表面形成金字塔狀結(jié)構(gòu)，能夠有效降低硅 片表面反射帶來(lái)的光損失，提高短路電流，進(jìn)而提高電池效率。通常情況下，單晶硅絨面是 由堿和醇的混合液，在高溫情況下對(duì)（100)晶向的單晶硅片進(jìn)行各向異性腐蝕獲得的。單 晶硅表面織構(gòu)技術(shù)也可以用于HIT太陽(yáng)能電池提高電池性能。常規(guī)織構(gòu)工藝產(chǎn)生許多尖銳 的金字塔結(jié)構(gòu)和交界處的小金字塔。HIT太陽(yáng)電池對(duì)界面特性要求高，尖銳的金字塔結(jié)構(gòu)和 交界處的小金字塔會(huì)產(chǎn)生較多界面態(tài)。這一問(wèn)題成為制約提高HIT太陽(yáng)電池效率的關(guān)鍵因 素。
[0003] 對(duì)織構(gòu)的單晶硅引入平坦化后處理工藝是解決以上問(wèn)題的一個(gè)很好方法。通過(guò)后 處理工藝可以降低襯底表面界面態(tài)?；诠に囘B續(xù)性和兼容性以及成本的綜合考慮，采用 化學(xué)溶液腐蝕是最好的選擇。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種用于HIT太陽(yáng)電池織構(gòu)的表面平坦化處 理方法，目的在于降低織構(gòu)后形成絨面的尖銳程度，使HIT太陽(yáng)電池獲得良好界面。
[0005] 本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)電池單晶硅表面織構(gòu)的平坦化處理方法，包括下述步驟：
[0006] (1)采用丙酮溶液對(duì)硅片進(jìn)行超聲清洗后去除硅片表面的有機(jī)污垢，并采用酒精 對(duì)所述硅片進(jìn)行超聲清洗后去除所述硅片表面的丙酮；
[0007] (2)采用氫氧化鈉溶液對(duì)清洗后的硅片進(jìn)行腐蝕處理，并去除硅片表面的機(jī)械損 傷層；其中氫氧化鈉溶液的濃度為5wt%?15wt%，腐蝕處理的溫度為60°C?KKTC，時(shí)間 為 80s ?240s ;
[0008] (3)采用氫氧化鉀和異丙醇的第一混合溶液對(duì)腐蝕處理過(guò)的單晶硅片進(jìn)行織構(gòu)化 處理，獲得表面成倒金字塔狀結(jié)構(gòu)的單晶硅片，其中織構(gòu)化處理的溫度為70°C?90°C，時(shí) 間為15分鐘?30分鐘；
[0009] (4)采用氫氟酸、氫氟酸、乙酸、丙二醇和雙氧水的第二混合溶液對(duì)織構(gòu)后的單晶 硅進(jìn)行平坦化處理后，形成具有表面分布均勻且塔尖圓潤(rùn)金字塔結(jié)構(gòu)的單晶硅片，其中平 坦化處理的溫度為KTC?40°C，時(shí)間為30s?70s。
[0010] 其中，所述第一混合溶液中氫氧化鉀KOH的濃度為16wt%?26wt%，異丙醇的濃 度為6wt%?16wt%，其余是去離子水。
[0011] 其中，所述第二混合溶液中氫氟酸、硝酸和乙酸的濃度依次為5wt%?15wt%、 35wt%--30wt%，其余是去離子水；丙二醇和雙氧水的體積百分比依次 為 Ivol % ?5vol %、0· 2vol % ?0· 5vol %。
[0012] 本發(fā)明還提供了一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，包括下述步驟：
[0013] (1)清洗雙面拋光單晶硅片A ;所述單晶硅片A的厚度為200微米?280微米，所 述單晶娃片的電阻率為1 Ω · cm?5 Ω · cm ;
[0014] (2)在所述單晶硅片A的背面通過(guò)絲網(wǎng)印刷鋁楽，并在通氧條件下進(jìn)行退火處理， 形成具有歐姆接觸的金屬Al背電極，附著有所述金屬Al背電極的單晶硅片A稱(chēng)為單晶硅 片B ;
[0015] 其中退火處理的溫度為700°C ±20°C，退火處理的時(shí)間為1分鐘?3分鐘；
[0016] (3)采用濃度為0.5wt %?2. 8wt %的HF溶液清洗所述單晶硅片B，經(jīng)去離子水沖 洗后，并采用Κ0Η、異丙醇和去離子水配成的腐蝕液進(jìn)行織構(gòu)化處理，形成倒金字塔結(jié)構(gòu)，并 腐蝕15分鐘?30分鐘后取出再用去離子水沖洗，形成絨面硅片C ;
[0017] 所述腐蝕液中KOH的濃度為16wt%?26wt%，異丙醇的濃度為6wt%?16wt%， 其余是去離子水；
[0018] (4)采用氫氟酸、硝酸、乙酸、丙二醇和雙氧水的混合液在對(duì)絨面硅片C表面進(jìn)行 平坦化處理后形成表面分布均勻且塔尖圓潤(rùn)的金字塔結(jié)構(gòu)，從而獲得圓滑硅片D。
[0019] (5)將圓滑硅片D放入真空室中，采用NH3對(duì)圓滑硅片D表面進(jìn)行等離子處理；其 中采用N、H離子鈍化D表面的懸掛鍵，可以降低界面態(tài)密度；其中，真空室本底真空度為 3X KT4Pa ?6X KT4Pa ;
[0020] (6)在硅片溫度為160°C?260°C條件下，以硅烷為反應(yīng)氣體，在進(jìn)行等離子處理 后的圓滑娃片D上沉積厚度為2nm?8nm的本征非晶娃薄膜；
[0021] (7)以硅烷和磷烷（或硼烷）為反應(yīng)氣體，在所述本征非晶硅薄膜上沉積非晶硅薄 膜，形成厚度為12nm?26nm的非晶娃薄膜；
[0022] (8)在所述非晶硅薄膜上沉積透明導(dǎo)電薄膜，形成厚度為80nm?IOOnm的透明導(dǎo) 電薄膜，其中透明導(dǎo)電薄膜的光透過(guò)率彡85 %，方塊電阻為每方30 Ω?50 Ω ;
[0023] (9)在所述透明導(dǎo)電薄膜上制備Ag柵極，形成異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池；其中柵極的厚 度為5微米?10微米，柵線寬度為100微米?150微米，間距為2mm?3mm。
[0024] 其中，所述單晶硅片A為p或η型單晶硅片，當(dāng)步驟（1)中的單晶硅片A為p型單 晶硅片時(shí)，步驟（7)中的非晶硅薄膜為η型非晶硅薄膜；當(dāng)步驟（1)中的單晶硅片A為η型 單晶硅片時(shí)，步驟（7)中的非晶硅薄膜為ρ型非晶硅薄膜。
[0025] 其中，步驟（4)中，平坦化處理的溫度為KTC?40°C，時(shí)間為30s?70s。
[0026] 其中，步驟⑷中，所述混合液中氫氟酸、硝酸和乙酸的濃度依次為5wt%? 15wt %、35wt %?65wt %、IOwt %?30wt % ;丙二醇和雙氧水的體積百分比依次為 lvol%?5vol%、0. 2vol%?0· 5vol%。
[0027] 本發(fā)明可以在單晶硅片表面形成金字塔狀結(jié)構(gòu)，能夠有效降低硅片表面反射帶來(lái) 的光損失，提1?短路電流，進(jìn)而提1?電池效率。
[0028] 本發(fā)明還提供了一種采用上述的制備方法獲得的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在 于，從下往上依次為Al背電極、ρ或η型單晶硅、本征非晶硅薄膜、η或ρ型非晶硅薄膜、透 明導(dǎo)電膜和Ag柵極。
[0029] 其中，所述金屬Al背電極厚度為80微米?100微米；ρ或η型單晶硅厚度為200微 米?280微米，本征非晶娃薄膜的厚度為2nm?8nm ;n或p型非晶娃薄膜的厚度為12nm? 26nm ;Ag柵極的厚度為5微米?10微米，柵線寬度為100微米?150微米，間距為2mm? 3mm 〇
[0030] 本發(fā)明提供的平坦化處理能夠明顯降低單晶硅襯底表面金字塔結(jié)構(gòu)尖銳程度，獲 得均勻分布的金字塔結(jié)構(gòu)，降低界面態(tài)，為后續(xù)HIT太陽(yáng)電池制備工藝提供良好界面。將其 應(yīng)用于HIT太陽(yáng)電池制備，可以有效降低HIT太陽(yáng)電池的接觸電阻，提高開(kāi)路電壓、光電轉(zhuǎn) 換效率和填充因子等電池參數(shù)。該方法簡(jiǎn)單易行，成本低，可控性強(qiáng)，適合工業(yè)化生產(chǎn)線使 用。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的HIT電池結(jié)構(gòu)示意圖。其中1為金屬柵極，2為透明導(dǎo) 電膜，3為摻雜η或p型非晶硅，4為本征非晶硅，5為p或η型單晶硅，6為Al背電極。

【具體實(shí)施方式】
[0032] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì) 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。
[0033] 本發(fā)明提供了一種織構(gòu)后單晶硅表面的平坦化處理技術(shù)，包括：平坦化處理所采 用的溶液組份；平坦化處理所采用的溫度；平坦化處理時(shí)間。
[0034] 本發(fā)明提供的平坦化處理能夠明顯降低單晶硅襯底表面金字塔結(jié)構(gòu)尖銳程度，獲 得均勻分布的金字塔結(jié)構(gòu)，降低界面態(tài)，為后續(xù)HIT太陽(yáng)電池制備工藝提供良好界面。將其 應(yīng)用于HIT太陽(yáng)電池制備，可以有效降低HIT太陽(yáng)電池的接觸電阻，提高開(kāi)路電壓、光電轉(zhuǎn) 換效率和填充因子等電池參數(shù)。該方法簡(jiǎn)單易行，成本低，可控性強(qiáng)，適合工業(yè)化生產(chǎn)線使 用。
[0035] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的HIT電池結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明提出的非晶硅/晶硅異 質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD)方法制備本征非晶硅薄膜和η或 P型摻雜非晶硅薄膜，極薄的本征非晶硅薄膜鈍化晶體硅表面，與傳統(tǒng)晶體硅電池不同的是 沒(méi)有高溫?cái)U(kuò)散摻雜工藝，電池制備工藝簡(jiǎn)單，光電轉(zhuǎn)換效率高。
[0036] 電池結(jié)構(gòu)如圖1所示，從下往上依次為Al背電極6、ρ或η型單晶硅5、本征非晶 娃薄膜4、η或ρ型非晶娃薄膜3、透明導(dǎo)電膜2和Ag柵極1 ;金屬Al背電極6厚度為80? 100微米；本征非晶娃薄膜的厚度為2?8nm ;n或ρ型摻雜非晶娃薄膜的厚度為12?26nm ; Ag柵極的厚度為5?10微米，柵線寬度為100?150微米，間距為2?3mm ;p或η型晶娃 厚度為200?280微米。
[0037] 本發(fā)明的非晶硅/晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟：
[0038] (1)用RCA方法清洗雙面拋光ρ或η型單晶硅片Α，單晶硅片的厚度為200?280 微米，單晶硅片的電阻率為1Ω · cm?5Ω · cm ;
[0039] (2)以鋁漿作為原料，在A的背面絲網(wǎng)印刷鋁楽，然后在通氧條件下，700°C ±20°C 快速熱退火1分鐘?3分鐘，形成具有歐姆接觸的金屬Al背電極6,附著有所述金屬Al背 電極6的單晶硅片A構(gòu)成了單晶硅片B。
[0040] 其中，采用絲網(wǎng)印刷鋁漿高溫還原鋁具有產(chǎn)量大，工藝簡(jiǎn)單，成本低，性能優(yōu)良的 特點(diǎn)，適合工業(yè)化大批量生產(chǎn)。
[0041] (3)用0. 5wt%?2. 8wt% HF溶液清洗單晶硅片B，經(jīng)去離子水沖洗后，采用Κ0Η、 異丙醇和去離子水配成的腐蝕液（Κ0Η的濃度為16wt %?26wt %，異丙醇的濃度為6wt %? 16wt %，其余是去離子水）進(jìn)行織構(gòu)化，形成倒金字塔結(jié)構(gòu)，腐蝕15?30分鐘后取出用去 離子水沖洗，形成絨面硅片C ;
[0042] (4)采用氫氟酸、硝酸、乙酸、丙二醇和雙氧水的混合液在KTC?40°C下對(duì)C表面 進(jìn)行平坦化處理后形成表面分布均勻且塔尖圓潤(rùn)的金字塔結(jié)構(gòu)，從而獲得圓滑硅片D。所 述混合液中氫氟酸、硝酸和乙酸的濃度依次為5wt%?lSwt^dSwt%?SSwt^^lOwt%? 30界七％;丙二醇和雙氧水的體積百分比依次為1 ￥〇1%?5￥〇1%、0.2￥〇1%?0.5￥〇1%。
[0043] 該工藝在C表面形成分布均勻、塔尖圓潤(rùn)的金字塔結(jié)構(gòu)，從而降低金字塔的尖銳 程度。在腐蝕過(guò)程中C表面的自然氧化層（Si02)和Si被HF和硝酸腐蝕，附著在C表面的 顆粒分散于清洗液中，從而去除表面的顆粒。在HNO 3腐蝕硅表面的同時(shí)，H2O2又形成新的氧 化膜，減緩腐蝕速度。丙二醇添加劑不參與反應(yīng)，但會(huì)影響堿腐蝕硅的形貌。輔助反應(yīng)過(guò) 程中產(chǎn)生的氫氣脫離單晶硅表面，起到消泡的作用；可以有效降低溶液表面張力，對(duì)疏水的 硅片表面起潤(rùn)濕作用，增加腐蝕均勻性；通過(guò)影響物質(zhì)在溶液中的輸運(yùn)來(lái)影響腐蝕的速率， 起到反應(yīng)緩沖劑作用。當(dāng)丙二醇的濃度低于Ivol %時(shí)，由于濃度過(guò)低，導(dǎo)致腐蝕均勻性不高 和反應(yīng)速率過(guò)快，造成較高的反射率。在丙二醇的濃度低于5vol %時(shí)，丙二醇可以起到上述 作用，硅片的反射率達(dá)到最低。當(dāng)丙二醇的濃度繼續(xù)增加時(shí)，其作用主要是影響溶液的反應(yīng) 速率，而過(guò)低的反應(yīng)速率導(dǎo)致硅片反射率較高。丙二醇的濃度在Ivol % -5vol %時(shí)，效果最 佳。
[0044] 乙酸的作用是混合液的潤(rùn)滑劑，同時(shí)降低硝酸的腐蝕速度，使混合液以合適速度 平穩(wěn)腐蝕。
[0045] 腐蝕速度過(guò)快，金字塔結(jié)構(gòu)表面尖銳，大小分布不均勻；過(guò)低的反應(yīng)速度使金字塔 結(jié)構(gòu)形成不夠完整，起不到降低反射的作用。乙酸、丙二醇和雙氧水的混合液配合作用，使 腐蝕以合適速度進(jìn)行，對(duì)C表面進(jìn)行平坦化處理，形成分布均勻、塔尖圓潤(rùn)的金字塔結(jié)構(gòu)， 從而降低金字塔的尖銳程度，提高C表面質(zhì)量和電池性能。
[0046] (5)將D放入真空室中，真空室本底真空度為3X KT4Pa?6X10_4Pa，用NH3等離 子處理D表面，采用N、H離子鈍化D表面的懸掛鍵，降低界面態(tài)密度。N離子的引入可以提 高鈍化界面的穩(wěn)定性。
[0047] 試驗(yàn)結(jié)果表明NH3等離子處理可以降低界面態(tài)密度1個(gè)數(shù)量級(jí)以上，比如從10的 12次方，降低到10的11次方。
[0048] (6)在硅片溫度為160°C?260°C條件下，以硅烷為反應(yīng)氣體，在D上沉積厚度為 2nm?8nm的本征非晶娃薄膜4 ;
[0049] (7)以硅烷和磷烷（或硼烷）為反應(yīng)氣體，在上述的本征非晶硅薄膜4上沉積η(或 Ρ)型非晶娃薄膜，形成厚度為12nm?26nm的η (或Ρ)型非晶娃薄膜3 ;
[0050] (8)在η (或ρ)型非晶硅薄膜3上沉積透明導(dǎo)電薄膜，形成厚度為80nm?IOOnm 的透明導(dǎo)電薄膜2,其中透明導(dǎo)電薄膜2的光透過(guò)率彡85%，方塊電阻為每方30Ω?50Ω ;
[0051] (9)在透明導(dǎo)電薄膜2上制備Ag柵極，形成非晶硅/晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池；其 中柵極的厚度為5微米?10微米，柵線寬度為100微米?150微米，間距為2mm?3mm。 [0052] 本發(fā)明的平坦化處理技術(shù)是指通過(guò)HF、HNO3、乙酸、丙二醇和雙氧水的混合液對(duì)織 構(gòu)后的單晶硅片進(jìn)行平坦化腐蝕處理。乙酸、丙二醇和雙氧水的混合液起緩沖劑作用，減緩 腐蝕速度，使反應(yīng)穩(wěn)定勻速進(jìn)行，形成分布均勻、塔尖圓潤(rùn)的金字塔結(jié)構(gòu)，降低金字塔的尖 銳程度，達(dá)到平坦化目的，從而提高表面質(zhì)量和電池性能。其效果對(duì)比如表1所示。

【權(quán)利要求】
1. 一種太陽(yáng)電池單晶硅表面織構(gòu)的平坦化處理方法，其特征在于，包括下述步驟： (1) 采用丙酮溶液對(duì)硅片進(jìn)行超聲清洗后去除硅片表面的有機(jī)污垢，并采用酒精對(duì)所 述硅片進(jìn)行超聲清洗后去除所述硅片表面的丙酮； (2) 采用氫氧化鈉溶液對(duì)清洗后的硅片進(jìn)行腐蝕處理，并去除硅片表面的機(jī)械損傷 層；其中氫氧化鈉溶液的濃度為5wt%?15wt%，腐蝕處理的溫度為60°C?100°C，時(shí)間為 80s ?240s ; (3) 采用氫氧化鉀和異丙醇的第一混合溶液對(duì)腐蝕處理過(guò)的單晶硅片進(jìn)行織構(gòu)化處 理，獲得表面成倒金字塔狀結(jié)構(gòu)的單晶硅片，其中織構(gòu)化處理的溫度為70°C?90°C，時(shí)間 為15?30分鐘； (4) 采用氫氟酸、氫氟酸、乙酸、丙二醇和雙氧水的第二混合溶液對(duì)織構(gòu)后的單晶硅進(jìn) 行平坦化處理后，形成具有表面分布均勻且塔尖圓潤(rùn)金字塔結(jié)構(gòu)的單晶硅片，其中平坦化 處理的溫度為l〇°C?40°C，時(shí)間為30s?70s。
2. 如權(quán)利要求1所述的平坦化處理方法，其特征在于，所述第一混合溶液中氫氧化鉀 KOH的濃度為16wt%?26wt%，異丙醇的濃度為6wt%?16wt%。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的平坦化處理方法，其特征在于，所述第二混合溶液中氫氟 酸、硝酸和乙酸的濃度依次為5wt%?lSwt^JSwt%?GSwt^UOwt%?30wt%，其余為 去離子水；丙二醇和雙氧水的體積百分比依次為lvol%?5vol%、0. 2vol%?0. 5vol%。
4. 一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括下述步驟： (1) 清洗雙面拋光單晶硅片A ;所述單晶硅片A的厚度為200微米?280微米，所述單 晶娃片的電阻率為1 Q ? cm?5 Q ? cm ; (2) 在所述單晶硅片A的背面通過(guò)絲網(wǎng)印刷鋁漿，并在通氧條件下進(jìn)行退火處理，形成 具有歐姆接觸的金屬A1背電極，附著有所述金屬A1背電極的單晶硅片A稱(chēng)為單晶硅片B ; 其中退火處理的溫度為700°C ±20°C，退火處理的時(shí)間為1分鐘?3分鐘； (3) 采用濃度為0. 5wt %?2. 8wt %的HF溶液清洗所述單晶硅片B，經(jīng)去離子水沖洗 后，并采用K0H、異丙醇和去離子水配成的腐蝕液進(jìn)行織構(gòu)化處理，形成倒金字塔結(jié)構(gòu)，并腐 蝕15分鐘?30分鐘后取出再用去離子水沖洗，形成絨面硅片C ; 所述腐蝕液中K0H的濃度為16wt%?26wt%，異丙醇的濃度為6wt%?16wt%，其余 是去離子水； (4) 采用氫氟酸、硝酸、乙酸、丙二醇和雙氧水的混合液在對(duì)絨面硅片C表面進(jìn)行平坦 化處理后形成表面分布均勻且塔尖圓潤(rùn)的金字塔結(jié)構(gòu)，從而獲得圓滑硅片D ; (5) 將圓滑硅片D放入真空室中，采用NH3對(duì)圓滑硅片D表面進(jìn)行等離子處理；其中，真 空室本底真空度為3X 10_4Pa?6X 10_4Pa ; (6) 在硅片溫度為160°C?260°C條件下，以硅烷為反應(yīng)氣體，在進(jìn)行等離子處理后的 圓滑娃片D上沉積厚度為2nm?8nm的本征非晶娃薄膜； (7) 以硅烷和磷烷（或硼烷）為反應(yīng)氣體，在所述本征非晶硅薄膜上沉積非晶硅摻雜薄 膜，形成厚度為12nm?26nm的摻雜非晶娃薄膜； (8) 在所述非晶娃薄膜上沉積透明導(dǎo)電薄膜，形成厚度為80nm?100nm的透明導(dǎo)電薄 膜，其中透明導(dǎo)電薄膜的光透過(guò)率彡85%，方塊電阻為每方30Q?50Q ; (9) 在所述透明導(dǎo)電薄膜上制備Ag柵極，形成異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池；其中柵極的厚度為5 微米?10微米，柵線寬度為100微米?150微米，間距為2mm?3mm。
5. 如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述單晶硅片A為p或n型單晶硅片， 當(dāng)步驟⑴中的單晶硅片A為p型單晶硅片時(shí)，步驟（7)中的非晶硅薄膜為n型非晶硅薄 膜；當(dāng)步驟（1)中的單晶硅片A為n型單晶硅片時(shí)，步驟（7)中的非晶硅薄膜為p型非晶硅 薄膜。
6. 如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟（4)中，平坦化處理的溫度為 10°C?40°C，時(shí)間為 30s ?70s。
7. 如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟（4)中，所述混合液中氫氟酸、硝 酸和乙酸的濃度依次為5wt%?lSwt^dSwt%?GSwt^^lOwt%?30wt%，其余是去離子 水；丙二醇和雙氧水的體積百分比依次為lvol%?5vol%、0. 2vol%?0? 5vol%。
8. -種采用權(quán)利要求4?7任一項(xiàng)所述的制備方法獲得的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征 在于，從下往上依次為A1背電極（6)、p或n型單晶硅（5)、本征非晶硅薄膜（4)、n或p型 非晶硅薄膜（3)、透明導(dǎo)電膜（2)和Ag柵極（1)。
9. 如權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述金屬A1背電極（6)厚度 為80微米?100微米；p或n型單晶硅（5)厚度為200微米?280微米，本征非晶硅薄膜 ⑷的厚度為2nm?8nm ;n或p型非晶娃薄膜（3)的厚度為12nm?26nm ;Ag柵極⑴的 厚度為5微米?10微米，柵線寬度為100微米?150微米，間距為2mm?3mm。
【文檔編號(hào)】H01L31/0236GK104393104SQ201410553178
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月17日
【發(fā)明者】曾祥斌, 姚巍 申請(qǐng)人:深圳華中科技大學(xué)研究院