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      太陽電池的制備方法

      文檔序號:9580818閱讀:676來源:國知局
      太陽電池的制備方法
      【技術領域】
      [0001] 本發(fā)明屬于太陽電池工藝技術領域,尤其是設及一種太陽電池的制備方法。
      【背景技術】
      [0002] 重量輕,轉(zhuǎn)換效率高,抗福照性能好一直是神化嫁太陽電池追求的目標。通過結(jié)構(gòu) 設計可W提高轉(zhuǎn)換效率和抗福照性能,采用化學或機械方法減薄襯底可W降低電池重量, 提高太陽電池陣質(zhì)量比功率,大大減少發(fā)射重量,降低發(fā)射成本。
      [0003] 目前空間用神化嫁太陽電池下電極普遍采用全覆蓋式,該形式下電極雖然可W與 太陽電池背面形成良好的接觸,但對于全覆蓋式下電極反而使翅曲問題更加嚴重,而且不 能完全滿足目前太陽電池越來越薄,重量輕,和可靠性高的發(fā)展趨勢。
      [0004] 所W,現(xiàn)有技術急需一種結(jié)構(gòu)簡單、工藝快捷、薄型且翅曲小的太陽電池,而運種 電池的關鍵技術難點是如何在下電極功能的有效改進,也就是說,如何優(yōu)化設計出一種有 關太陽電池下電極的制作工藝,使得下電極結(jié)構(gòu)簡單,制造工作流程效率高、且杜絕翅曲帶 來的負面效果。運成為本領域技術人員攻關難題。

      【發(fā)明內(nèi)容】
      陽〇化]有鑒于此,本發(fā)明旨在提供工藝簡單、減少薄型電池翅曲太陽電池的制作工藝,其 應用在太陽能電池上實現(xiàn)重量輕、抗翅曲的好效果。
      [0006] 為達到上述目的,本發(fā)明的技術方案是運樣實現(xiàn)的:
      [0007] 一種太陽電池的制備方法,所述太陽電池包括有上電極、外延片和下電極,所述 上電極和下電極分別緊密貼合設置在所述外延片的上、下端面上,其制備方法包括如下步 驟: 陽00引 Sl:光刻上電極
      [0009] 在所述外延片的入光面涂光刻膠,涂完膠后將電池烘烤,后采用光刻機對外延片 涂膠面進行曝光、顯影、沖洗和干燥;
      [0010] S2:蒸鍛上電極
      [0011] 將所述外延片光刻面朝向蒸發(fā)源裝入鍛膜機中,進行真空蒸鍛,然后將蒸鍛好上 電極的外延片進行去膠處理; 陽〇1引 S3:光刻下電極
      [0013] 在蒸鍛完上電極的外延片背面涂光刻膠,涂完膠后將電池烘烤,后采用光刻機對 外延片涂膠面進行曝光、顯影、沖洗和干燥;
      [0014] S4:蒸鍛下電極
      [0015] 將外延片光刻面朝向蒸發(fā)源裝入鍛膜機中,進行真空蒸鍛,將蒸鍛好下電極的外 延片進行去膠處理后,得到若干網(wǎng)狀金屬條,所述金屬條的寬度大于8 y m。 陽016] 其附加的技術方案還包括:
      [0017] 在步驟S4之后還包括:步驟S5 :劃片、蒸鍛減反射膜
      [0018] 將蒸鍛完下電極的外延片放入自動劃片機中,上電極面朝上,將外延片劃成各規(guī) 格的電池,然后腐蝕CAP層,在電池入光面蒸鍛Ti〇yAl2〇3膜系。
      [0019] 其附加的技術方案還包括:
      [0020] 所述Sl步驟和S3步驟中,曝光、顯影、沖洗和干燥過程為:在烘箱中烘烤,烘烤溫 度范圍為80 °C~90 °C,烘烤時間為IOmin ±3min ;曝光時間為8s~IOs ;顯影時間60s~ 90s,待顯影完全后用清洗機沖洗6~8次,最后甩干機甩干或氮氣吹干。
      [0021] 其附加的技術方案還包括:
      [0022] 在所述S2步驟和S4步驟中,進行去膠處理具體過程為:將外延片放入丙酬中浸泡 不少于20min,取出后義用自動去化機去化,去在義用自動清洗機沖洗6~8次,再用甩干機 甩干,完成去掉光刻膠的過程。
      [0023] 其附加的技術方案還包括:
      [0024] 所述S2步驟中,進行真空蒸鍛的次序和順序和各層金屬厚度為:Au, SOnmdz 7. 5nm ;Ge,IOOnmdz 15nm ;Ag,5Umdi750nm ;Au,SOnmdz 7. Snm。
      [0025] 其附加的技術方案還包括:
      [002糾所述S4步驟中,進行真空蒸饌程序,蒸饌順序和各層金屬厚度為:Au, 50nm + 7. 5nm ;Ge, IOOnm+ 15nm ;Ag, 5 u m + 750nm0
      [0027] 其附加的技術方案還包括:
      [0028] 所述S4步驟中,得到網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)金屬條包括外輪廓寬條狀和內(nèi)填充細條狀,所述內(nèi) 填充細條紋設置在所述外輪廓寬條紋圍成的區(qū)域內(nèi)。
      [0029] 其附加的技術方案還包括:
      [0030] 所述細填充條狀部分設置在所述外輪廓條狀部分圍成的區(qū)域內(nèi),所述內(nèi)填充細條 紋的寬度和所述外輪廓寬條紋的寬度比值小于等于1 : (4-5)。
      [0031] 其附加的技術方案還包括:
      [0032] 所述外輪廓條狀寬條紋有斷開口;所述內(nèi)填充細條紋中包括有帶斷開口的細條紋 和連續(xù)的細條紋,所述帶斷開口的細條紋和連續(xù)的細條紋間隔交錯設置;所述寬條紋和細 條紋的斷開口寬度均相同,且斷開口的寬度小于所述外輪廓條狀寬條紋的寬度。
      [0033] 其附加的技術方案還包括:
      [0034] 所述外輪廓寬條紋的位置與所述下電極主焊點、上電極主焊點位置相重疊;所述 內(nèi)填充條紋位置與所述下電極的輔助電極和連接電極位置相重疊。
      [0035] 后續(xù)工序可W包括:
      [0036] 步驟S5 :劃片、蒸鍛減反射膜,
      [0037] 將蒸鍛完下電極的外延片放入自動劃片機中,上電極面朝上,將外延片劃成各規(guī) 格的電池,然后腐蝕CAP層,在電池入光面蒸鍛Ti〇yAl2〇3膜系。
      [003引相對于現(xiàn)有技術,本發(fā)明所述的太陽電池的制備方法具有W下優(yōu)勢:
      [0039] 1、本發(fā)明通過先光刻再蒸鍛的工藝,制造出一種在下具有網(wǎng)狀金屬層下電極,再 安裝應用在太陽能電池上,最終既能保證下電極與太陽電池背表面的歐姆接觸,使電池重 量減輕,保證電極牢固度,又能有效降低本發(fā)明太陽電池的翅曲。
      [0040] 2、本發(fā)明采用光刻法工藝下,制備出下電極圖形,光刻法可W準確控制下電極圖 形和位置,且可W實現(xiàn)工藝的自動化,同時有利于工藝圖案的靈活調(diào)整。
      [0041] 3、同時本發(fā)明制得太陽電池中網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)金屬條包括外輪廓寬條狀和內(nèi)填充細條 狀,運種結(jié)構(gòu)能夠既保證良好的電接觸性能,又能有效減少金屬層的有效面積,不但節(jié)約材 料、而且有助于提高太陽電池抗扭曲性。 陽042] 4、同時本發(fā)明制得的外輪廓寬條紋和內(nèi)填充細條紋的斷口設計,W及內(nèi)填充細條 紋中帶斷口和連讀的間隔設置,運二種結(jié)構(gòu)進一步,減少金屬層的有效面積,同時不降低電 接觸性能,有助于提高太陽電池的綜合性能。
      [0043] 5、在本發(fā)明采用Au-Ge-Ag-Au和Au-Ge-Ag作為收集光生電流的上、下電極材料, 與電池半導體材料形成良好的歐姆電阻接觸。
      【附圖說明】:
      [0044] 圖1是本發(fā)明的下電極結(jié)構(gòu)示意圖; W45] 圖2是本發(fā)明的太陽電池示意圖;
      [0046] 圖3是本發(fā)明的制備方法流程不意圖;
      [0047] 圖4是內(nèi)輪廓細條紋的屯種實施例結(jié)構(gòu)示意圖
      [0048] 圖中:
      [0049] 1-上電極、2-外延片、3-下電極、101-下電極主焊點;102(103)-上電極主焊 點對應點置、104---輔助電極、105---連接電極、IA-細條紋、IB-寬條紋、1C-斷開口、 IA-(I)到IA-(7)是細條紋IA的7種示意圖。
      【具體實施方式】
      [0050] 需要說明的是,在不沖突的情況下,本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可W相 互組合。
      [0051] 下面列舉實施例來詳細說明本發(fā)明。
      [0052] 見附圖1-3, 一種太陽電池的制備方法,所述太陽電池包括有上電極1、外延片2和 下電極3,所述上電極1和下電極3分別緊密貼合設置在所述外延片2的上、下端面上,其制 備方法包括如下步驟: 陽05引 Sl :光刻上電極
      [0054] 采用自動涂膠機在外延片2入光面涂光刻膠(可W采用BP218),涂完膠后將電池 放入烘箱中烘烤,烘烤溫度范圍為80°C~90°C,烘烤時間為10min±3min。然后采用光刻機 對涂膠面進行曝光,曝光時間為8s~10s。再將光刻好的外延片放入顯影液中顯影60s~ 90s,待顯影完全后用清洗機沖洗6~8次。最后用甩干機甩干或氮氣吹干。 陽05引 S2:蒸鍛上電極
      [0056] 將外延片2光刻面朝下即朝向蒸發(fā)源裝入鍛膜機中,設置蒸鍛程序,蒸鍛順序和 各層金屬厚度為:Au,50nm±7. Snm ;Ge,100nm±15nm ;A邑,5 ]im±750nm ;Au,50nm±7. 5nm。 抽真空運行,然后將蒸鍛好上電極的外延片放入丙酬中浸泡不少于20min,取出后采用自 動去膠機去膠,光刻膠去除干凈后,采用自動清洗機沖洗6~8次,再用甩干機甩干,完成去 掉光刻膠的過程。 陽化7] S3:光刻下電極
      [005引在蒸鍛完上電極的外延片2背面涂光刻膠,涂完膠后將電池放入烘箱中烘烤,烘 烤溫度范圍為80°C~90°C,烘烤時間為10min±3min。然后采用光刻機對涂膠面進行曝光, 曝光時間為8s~IOs,再將光刻好的外延片放入顯影液中顯影60s~90s,待顯影完全后用 清洗機沖洗6~8次。最后用甩干機甩干或氮氣吹干。本發(fā)明采用光刻下電極工藝制備下 電極圖形,可W準確控制下電極圖形和位置,且可W實現(xiàn)工藝的自動化,同時有利于工藝圖 案的靈活調(diào)整。
      [0059] S4:蒸鍛下
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