本發(fā)明涉及一種玻璃轉(zhuǎn)接板的制作方法，尤其涉及一種超薄玻璃轉(zhuǎn)接板的制作方法。

背景技術(shù)：
在三維堆疊的芯片結(jié)構(gòu)中，玻璃轉(zhuǎn)接板因其優(yōu)良的電絕緣性、低廉的制作成本及良好工藝兼容性，越來越成為人們的研究熱點(diǎn)。但至玻璃上制作通孔并進(jìn)行可靠地金屬填充有一定的挑戰(zhàn)性。目前已經(jīng)提出了多種玻璃打孔方法，如激光打孔、干法刻蝕、濕法刻蝕和玻璃回流法等。激光打孔的缺點(diǎn)在于只能單個(gè)打孔，時(shí)間成本較高，且激光打孔過程中造成孔壁出現(xiàn)微裂紋等損傷會(huì)影響填充金屬的可靠性；干法刻蝕工藝刻蝕速率慢，一般不高于1um/min，且成本較高；濕法刻蝕屬于各相同性刻蝕，很難制作高密度、小尺寸的垂直通孔。另外，對(duì)于超薄玻璃轉(zhuǎn)接板制作也有多種方法提出，如采用超薄玻璃(<100um)、玻璃減薄等方法。采用超薄玻璃的難點(diǎn)在于工藝過程中對(duì)超薄玻璃的拿持，很容易讓玻璃碎掉。而是用玻璃減薄這種方法的難點(diǎn)在于玻璃的減薄速度很慢，且在減薄到一定程度后，減薄的過程會(huì)使得玻璃片碎掉，這就要求載片和玻璃之間的高鍵合質(zhì)量。公開號(hào)為US20130050226的美國(guó)專利中涉及到了多種制作玻璃通孔的方法。一、玻璃襯底上下兩面采用濕法刻蝕，并使上下孔位置對(duì)準(zhǔn)，該方法刻蝕速率高，但屬于各相同性刻蝕，無法制作高密度垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)；二、玻璃襯底上下兩面采用噴砂法，并使上下孔位置對(duì)準(zhǔn)，與濕法一樣，該方法無法制作高密度垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)，側(cè)壁及表面損傷較大；三、等離子體刻蝕，該方法可獲得垂直的高密度的互聯(lián)結(jié)構(gòu)，缺點(diǎn)是玻璃刻蝕速率非常低，沒有高選擇比的刻蝕掩膜材料。公開號(hào)為US20130034688的美國(guó)專利中涉及了一種采用準(zhǔn)分子激光器打孔的方法，該方法可在不同厚度(30-700um)的玻璃上制作高密度的玻璃通孔，缺點(diǎn)是玻璃通孔呈錐形，對(duì)于后續(xù)通孔無縫填充金屬可造成較大影響，激光法只能單個(gè)制作通孔，很難同時(shí)制作多通孔，增加了時(shí)間成本。公開號(hào)為US20110229687的美國(guó)專利中涉及了一種類似Bosch工藝制作TSV(硅片通道)的方法。首先在玻璃表面制作掩膜層并定義開口，然后通過刻蝕-制作鈍化層-去除底部鈍化層-刻蝕循環(huán)步驟進(jìn)行玻璃通孔制作。刻蝕步驟采用刻蝕溶液或者刻蝕劑蒸汽。采用濕法時(shí)，沉積鈍化層及刻蝕底部鈍化層增加了工藝步驟，且濕法刻蝕屬于各相同性刻蝕，扇貝結(jié)構(gòu)尺寸較大。采用蒸汽時(shí)，刻蝕速率會(huì)大大降低，影響了刻蝕效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種超薄玻璃轉(zhuǎn)接板的制作方法，其具有工藝步驟少、制作效率高和制作成本低的特點(diǎn)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中超薄玻璃轉(zhuǎn)接板的制作過程中存在的上述問題。為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下...