一種半導(dǎo)體器件及其封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其封裝方法，該封裝方法包括：提供導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線架包括芯片座、芯片管腳、第一管腳和第二管腳，所述芯片管腳與所述芯片座連接，所述第一管腳和所述第二管腳與所述芯片座斷開；在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏極與所述芯片座連接；焊接第一鋁箔，所述第一鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳；焊接導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述芯片的柵極和所述第二管腳。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法通過焊接連接芯片的源極和第一管腳的第一鋁箔，在有限的焊接區(qū)域內(nèi)增加了第一鋁箔與半導(dǎo)體器件的接觸面積，有效地降低了半導(dǎo)體器件的電流密度，進(jìn)而能夠延長半導(dǎo)體器件的壽命，并提高半導(dǎo)體器件的可靠性。
【專利說明】一種半導(dǎo)體器件及其封裝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其封裝方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，要求半導(dǎo)體器件的尺寸越來越小，但是處理速度和功率要求越來越高。但是，現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的小尺寸、高功率引起的高電流密度，即半導(dǎo)體器件的源極和漏極上的電流密度較高，成為阻礙半導(dǎo)體發(fā)展的主要問題。較高的電流密度大大減小了半導(dǎo)體器件的壽命，并降低了半導(dǎo)體器件的可靠性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足而完成的，本發(fā)明的目的在于提出一種半導(dǎo)體器件及其封裝方法，該半導(dǎo)體器件的封裝方法能夠減小封裝的半導(dǎo)體器件的電流密度。
[0004]為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0005]第一方面，本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的封裝方法，包括:
[0006]提供導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線架包括芯片座、芯片管腳、第一管腳和第二管腳，所述芯片管腳與所述芯片座連接，所述第一管腳和所述第二管腳與所述芯片座斷開；
[0007]在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏極與所述芯片座連接；
[0008]焊接第一鋁箔，所述第一鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳；
[0009]焊接導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述芯片的柵極和所述第二管腳。
[0010]進(jìn)一步地，所述焊接第一鋁箔之后，所述焊接導(dǎo)線之前還包括:
[0011]焊接第二鋁箔，所述第二鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳之上的第一鋁箔。
[0012]進(jìn)一步地，所述在所述芯片座之上焊接芯片包括:
[0013]在所述芯片座之上制備導(dǎo)電結(jié)合材；
[0014]采用回流焊技術(shù)在所述導(dǎo)電結(jié)合材上焊接芯片。
[0015]進(jìn)一步地，所述在所述芯片座之上焊接芯片之后，所述焊接第一鋁箔之前還包括:
[0016]對焊接芯片之后得到的半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗。
[0017]進(jìn)一步地，所述提供導(dǎo)線架具體包括:
[0018]提供引線框架，所述引線框架包括單排連接的多個導(dǎo)線架，
[0019]所述焊接導(dǎo)線之后還包括:
[0020]對焊接導(dǎo)線之后得到的半導(dǎo)體器件進(jìn)行注塑封裝和分離。
[0021]第二方面，本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，包括:
[0022]導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線架包括芯片座、芯片管腳、第一管腳和第二管腳，所述芯片管腳與所述芯片座連接，所述第一管腳和所述第二管腳與所述芯片座斷開；
[0023]導(dǎo)電結(jié)合材,所述導(dǎo)電結(jié)合材位于所述芯片座之上；
[0024]芯片，所述芯片位于所述導(dǎo)電結(jié)合材之上，所述芯片的漏極與所述芯片座連接；
[0025]第一鋁箔，所述第一鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳；
[0026]導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述芯片的柵極和所述第二管腳。
[0027]進(jìn)一步地，還包括:
[0028]第二鋁箔，所述第二鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳之上的第一鋁箔。
[0029]本發(fā)明所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法通過焊接連接芯片的源極和第一管腳的第一鋁箔，在有限的焊接區(qū)域內(nèi)增加了第一鋁箔與半導(dǎo)體器件的接觸面積，有效地降低了半導(dǎo)體器件的電流密度，進(jìn)而能夠延長半導(dǎo)體器件的壽命，并提高半導(dǎo)體器件的可靠性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]為了更加清楚地說明本發(fā)明示例性實施例的技術(shù)方案，下面對描述實施例中所需要用到的附圖做一簡單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本發(fā)明所要描述的一部分實施例的附圖，而不是全部的附圖，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖得到其他的附圖。
[0031]圖1是本發(fā)明實施例一提供的半導(dǎo)體器件的封裝方法的流程圖。
[0032]圖2是本發(fā)明實施例二提供的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)圖。

【具體實施方式】
[0033]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，通過【具體實施方式】，完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下獲得的所有其他實施例，均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0034]實施例一:
[0035]圖1是本發(fā)明實施例一提供的半導(dǎo)體器件的封裝方法的流程圖。如圖1所示，該方法包括:
[0036]步驟101、提供引線框架，引線框架包括單排連接的多個導(dǎo)線架，導(dǎo)線架包括芯片座、芯片管腳、第一管腳和第二管腳，芯片管腳與芯片座連接，第一管腳和第二管腳與芯片座斷開。
[0037]本步驟中，可以同時對包括多個導(dǎo)線架的引線框架進(jìn)行操作，可以一次同時制作多個半導(dǎo)體器件。
[0038]步驟102、在芯片座之上制備導(dǎo)電結(jié)合材。
[0039]本步驟中，導(dǎo)電結(jié)合材可以是導(dǎo)電膠或焊錫膏，可以通過點或刷的方式，將導(dǎo)電結(jié)合材涂在芯片座上。
[0040]步驟103、采用回流焊技術(shù)在導(dǎo)電結(jié)合材上焊接芯片，芯片的漏極與芯片座連接。
[0041]本步驟中，正裝芯片，芯片的漏極朝下。由于芯片管腳與芯片座連接，且結(jié)合材為導(dǎo)電的，所以，芯片管腳即為封裝后的半導(dǎo)體器件的漏極。
[0042]步驟104、對焊接芯片之后得到的半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗。
[0043]本步驟中，經(jīng)過清洗之后可以去掉粘附在半導(dǎo)體器件表面多余的結(jié)合材助焊劑，可以防止焊線不牢及填充注塑后的脫層現(xiàn)象。
[0044]步驟105、焊接第一鋁箔，第一鋁箔連接芯片的源極和第一管腳。
[0045]本步驟中，芯片的源極位于芯片的上表面，焊接的第一鋁箔在芯片的源極上可以有兩個焊點，焊接后，第一管腳與芯片的源極連接，所以，第一管腳即為封裝后的半導(dǎo)體器件的源極。
[0046]與現(xiàn)有技術(shù)中焊接導(dǎo)線將芯片的源極與源極管腳連接相比，通過焊接第一鋁箔，增大了第一鋁箔與芯片的源極的接觸面積，有效地降低了源極的電流密度。
[0047]步驟106、焊接第二鋁箔，第二鋁箔連接芯片的源極和第一管腳之上的第一鋁箔。
[0048]本步驟中，焊接的第二鋁箔在芯片的源極上可以有兩個焊點。通過焊接第二鋁箔，進(jìn)一步增大了第二鋁箔與芯片的源極的接觸面積，有效地降低了源極的電流密度。
[0049]步驟107、焊接導(dǎo)線，導(dǎo)線連接芯片的柵極和第二管腳。
[0050]本步驟中，芯片的柵極位于芯片的上表面，第二管腳與芯片的柵極連接，所以，第二管腳即為封裝后的半導(dǎo)體器件的柵極。因為柵極的電流密度較小，故用導(dǎo)線連接即可。
[0051]步驟108、對焊接導(dǎo)線之后得到的半導(dǎo)體器件進(jìn)行注塑封裝和分離。
[0052]本步驟中，經(jīng)過注塑封裝和分離之后，可以得到多個單獨的半導(dǎo)體器件。
[0053]本發(fā)明實施例一所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法通過焊接連接芯片的源極和第一管腳的第一鋁箔以及連接芯片的源極和第一管腳之上的第一鋁箔的第二鋁箔，在有限的焊接區(qū)域內(nèi)增加了第一鋁箔和第二鋁箔與半導(dǎo)體器件的接觸面積，有效地降低了半導(dǎo)體器件的電流密度，進(jìn)而能夠延長半導(dǎo)體器件的壽命，并提高半導(dǎo)體器件的可靠性。
[0054]實施例二:
[0055]圖2是本發(fā)明實施例二提供的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，該半導(dǎo)體器件包括:
[0056]導(dǎo)線架201，導(dǎo)線架201包括芯片座211、芯片管腳221、第一管腳231和第二管腳241，芯片管腳221與芯片座211連接，第一管腳231和第二管腳241與芯片座211斷開。
[0057]導(dǎo)電結(jié)合材202，位于芯片座210之上。
[0058]本實施例中，導(dǎo)電結(jié)合材可以是導(dǎo)電膠或焊錫膏。
[0059]芯片203，位于導(dǎo)電結(jié)合材202之上，芯片203的漏極與芯片座211連接。
[0060]本實施例中，芯片的下表面均為漏極，與芯片座連接，由于芯片管腳與芯片座連接，且結(jié)合材為導(dǎo)電的，所以，芯片管腳即為封裝后的半導(dǎo)體器件的漏極。
[0061]第一鋁箔204，連接芯片203的源極和第一管腳231。
[0062]本實施例中，芯片的源極位于芯片的上表面，第一鋁箔與芯片的源極可以有兩個接觸點，第一管腳與芯片的源極連接，第一管腳即為封裝后的半導(dǎo)體器件的源極。
[0063]與現(xiàn)有技術(shù)中采用導(dǎo)線將芯片的源極與源極管腳連接相比，通過第一鋁箔將芯片的源極和第一管腳相連，增大了第一鋁箔與芯片的源極的接觸面積，有效地降低了源極的電流密度。
[0064]第二鋁箔205，連接芯片203的源極和第一管腳231之上的第一鋁箔204。
[0065]本實施例中，第二鋁箔與芯片的源極可以有兩個接觸點。通過第二鋁箔將芯片的源極和第一管腳上的第一鋁箔進(jìn)行連接，進(jìn)一步增大了第二鋁箔與芯片的源極的接觸面積，有效地降低了源極的電流密度。
[0066]導(dǎo)線206，連接芯片203的柵極和第二管腳241。
[0067]本實施例中，芯片的柵極位于芯片的上表面，第二管腳與芯片的柵極連接，所以，第二管腳即為封裝后的半導(dǎo)體器件的柵極。因為柵極的電流密度較小，故用導(dǎo)線即可。
[0068]本實施例二提供的半導(dǎo)體器件通過第一鋁箔連接芯片的源極和第一管腳以及第二鋁箔連接芯片的源極和第一管腳之上的第一鋁箔，在有限的區(qū)域內(nèi)增加了第一鋁箔和第二鋁箔與半導(dǎo)體器件的接觸面積，有效地降低了半導(dǎo)體器件的電流密度，進(jìn)而能夠延長半導(dǎo)體器件的壽命，并提高半導(dǎo)體器件的可靠性。
[0069]上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用的技術(shù)原理。本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行的各種明顯變化、重新調(diào)整及替代均不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求的范圍決定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的封裝方法，其特征在于，包括: 提供導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線架包括芯片座、芯片管腳、第一管腳和第二管腳，所述芯片管腳與所述芯片座連接，所述第一管腳和所述第二管腳與所述芯片座斷開； 在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏極與所述芯片座連接； 焊接第一鋁箔，所述第一鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳； 焊接導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述芯片的柵極和所述第二管腳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法，其特征在于，所述焊接第一鋁箔之后，所述焊接導(dǎo)線之前還包括: 焊接第二鋁箔，所述第二鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳之上的第一鋁箔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法，其特征在于，所述在所述芯片座之上焊接芯片包括: 在所述芯片座之上制備導(dǎo)電結(jié)合材； 采用回流焊技術(shù)在所述導(dǎo)電結(jié)合材上焊接芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法，其特征在于，所述在所述芯片座之上焊接芯片之后，所述焊接第一鋁箔之前還包括: 對焊接芯片之后得到的半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法，其特征在于，所述提供導(dǎo)線架具體包括: 提供引線框架，所述引線框架包括單排連接的多個導(dǎo)線架， 所述焊接導(dǎo)線之后還包括: 對焊接導(dǎo)線之后得到的半導(dǎo)體器件進(jìn)行注塑封裝和分離。
6.—種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括: 導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線架包括芯片座、芯片管腳、第一管腳和第二管腳，所述芯片管腳與所述芯片座連接，所述第一管腳和所述第二管腳與所述芯片座斷開； 導(dǎo)電結(jié)合材，所述導(dǎo)電結(jié)合材位于所述芯片座之上； 芯片，所述芯片位于所述導(dǎo)電結(jié)合材之上，所述芯片的漏極與所述芯片座連接； 第一鋁箔，所述第一鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳； 導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述芯片的柵極和所述第二管腳。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括: 第二鋁箔，所述第二鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳之上的第一鋁箔。
【文檔編號】H01L21/60GK104409372SQ201410745939
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年12月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月8日
【發(fā)明者】江偉, 徐振杰, 黃源煒 申請人:杰群電子科技（東莞）有限公司