陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有的陣列基板的良率低的問(wèn)題。本發(fā)明的陣列基板，包括像素區(qū)域和周邊區(qū)域，在所述像素區(qū)域設(shè)有柵線，在所述周邊區(qū)域設(shè)有柵極驅(qū)動(dòng)電路，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)信號(hào)線與所述柵線連接；所述信號(hào)線包括第一金屬線、第二金屬線，以及用于將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接的連接層；所述陣列基板還包括覆蓋在所述連接層上方的保護(hù)層，所述保護(hù)層用于保護(hù)所述連接層。由于本發(fā)明中的連接層被保護(hù)層覆蓋，因此可以避免外界環(huán)境對(duì)連接層的破壞，以影響導(dǎo)電性。
【專利說(shuō)明】陣列基板及其制備方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯不裝置)實(shí)現(xiàn)一幀畫面顯示的基本原理是通過(guò)柵極(gate)驅(qū)動(dòng)從上到下依次對(duì)每一行像素輸入一定寬度的方波進(jìn)行選通，再通過(guò)源極(source)驅(qū)動(dòng)每一行像素所需的信號(hào)依次從上往下輸出。目前制造這樣一種結(jié)構(gòu)的顯示器件通常是柵極驅(qū)動(dòng)電路和源極驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)C0F(Chip On Film，覆晶薄膜)或COG (Chip On Glass，芯片直接固定在玻璃上)工藝制作在玻璃面板上的，但是當(dāng)分辨率較高時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路和源極驅(qū)動(dòng)電路的輸出均較多，驅(qū)動(dòng)電路的長(zhǎng)度也將增大，這將不利于模組驅(qū)動(dòng)電路的壓焊(Bonding)工藝。
[0003]為了克服以上問(wèn)題，現(xiàn)有顯示器件的制造采用G0A(Gate Drive On Array)電路的設(shè)計(jì)，相比現(xiàn)有的C0F或COG工藝，其不僅節(jié)約了成本，而且可以做到面板兩邊對(duì)稱的美觀設(shè)計(jì)，同時(shí)也可省去柵極驅(qū)動(dòng)電路的Bonding區(qū)域以及外圍布線空間，從而實(shí)現(xiàn)了顯示裝置窄邊框的設(shè)計(jì)，提高了顯示裝置的產(chǎn)能和良率。但是現(xiàn)有的G0A電路的設(shè)計(jì)也存在著一定的問(wèn)題，G0A電路是通過(guò)信號(hào)線將其所輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳遞給與其對(duì)應(yīng)的柵線的。其中，由于，柵線的數(shù)量較多，與其對(duì)應(yīng)的G0A電路也是相應(yīng)較多的，因此每個(gè)G0A電路均通過(guò)一根完整的信號(hào)線連接與其對(duì)應(yīng)的柵線時(shí)，必然會(huì)造成各信號(hào)線之間產(chǎn)生交叉，易導(dǎo)致信號(hào)傳輸不良。如圖1所示，為解決該問(wèn)題，信號(hào)線通常是由與柵金屬線1和源漏金屬線2電性連接組成的。具體的，在顯示器件的周邊區(qū)域Q2依次形成柵金屬線1、絕緣層、源漏金屬線、鈍化層，在柵金屬線1上方形成貫穿絕緣層和鈍化層的第一過(guò)孔10，在源漏金屬線2上方形成貫穿鈍化層的第二過(guò)孔20，最后在形成有過(guò)孔的鈍化層上方形成連接層3，以使得柵金屬線1和源漏金屬線2的電性連接，形成信號(hào)線。其中，連接層1的材料通常為氧化銦錫(ΙΤ0)，但是由于連接層1處于最外層，也就是說(shuō)ΙΤ0材料是裸露的，此時(shí)在外界環(huán)境的影響下(例如潮濕環(huán)境中)，很容易造成ΙΤ0的劣化，而且由于G0A電路輸出的電流較大給像素區(qū)域Q1的柵線(當(dāng)然像素區(qū)域Q1還包括像素電極7等)，很容易造成過(guò)孔處的ΙΤ0損壞。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題包括，針對(duì)現(xiàn)有的陣列基板存在的上述問(wèn)題，提供一種產(chǎn)品良率提高的陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
[0005]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括像素區(qū)域和將像素區(qū)域包圍的周邊區(qū)域，其中，在所述像素區(qū)域設(shè)有柵線，在所述周邊區(qū)域設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€的柵極驅(qū)動(dòng)電路，在其特征在于，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)形成在周邊區(qū)域的信號(hào)線與所述柵線連接；
[0006]所述信號(hào)線包括第一金屬線、第二金屬線，以及用于將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接的連接層；
[0007]所述陣列基板還包括覆蓋在所述連接層上方的保護(hù)層，所述保護(hù)層用于保護(hù)所述連接層。
[0008]本發(fā)明的陣列基板中，連接層上方設(shè)置保護(hù)層，以保護(hù)連接層受到外界環(huán)境以及通電等因素的干擾，從而提聞廣品的良率。
[0009]優(yōu)選的是，在第一屬線與第二金屬線之間設(shè)置有第一絕緣層，在第二金屬線上方設(shè)置有第二絕緣層，且在第一金屬線上方設(shè)置有至少一個(gè)貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的第一過(guò)孔，在第二金屬線上方設(shè)置有至少一個(gè)貫穿所述第二絕緣層的第二過(guò)孔，所述連接層通過(guò)所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接。
[0010]優(yōu)選的是，所述保護(hù)層與所述連接層的圖形相同。
[0011]優(yōu)選的是，在所述像素區(qū)域還設(shè)有像素電極，所述像素電極與所述周邊區(qū)域的連接層同層設(shè)置且材料相同。
[0012]優(yōu)選的是，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括薄膜晶體管；其中，
[0013]所述第一金屬線與所述薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置且材料相同；
[0014]所述第二金屬線與所述薄膜晶體管的源、漏極同層設(shè)置且材料相同。
[0015]優(yōu)選的是，在第一金屬線上方設(shè)置有多個(gè)貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的第一過(guò)孔，在第二金屬線上方設(shè)置有多個(gè)貫穿所述第二絕緣層的第二過(guò)孔。
[0016]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述連接層包括多個(gè)連接條，所述保護(hù)層包括多個(gè)保護(hù)條，每個(gè)所述連接條用于通過(guò)一個(gè)所述第一過(guò)孔和一個(gè)所述第二過(guò)孔將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接；每個(gè)所述保護(hù)條覆蓋一個(gè)所述連接條。
[0017]優(yōu)選的是，所述保護(hù)層的材料為金屬。
[0018]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述金屬為:鑰、鋁、鈦中任意一種。
[0019]優(yōu)選的是，所述保護(hù)層的材料為含硅的氮化物。
[0020]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板的制備方法，其包括在像素區(qū)域形成柵線的和在周邊區(qū)域形成柵極驅(qū)動(dòng)電路的步驟，以及
[0021]在周邊區(qū)域形成用于將柵極驅(qū)動(dòng)電路與柵線電性連接的信號(hào)線的步驟；其中，形成所述信號(hào)線包括:
[0022]在基底上形成第一金屬線、第二金屬線，以及將第一金屬線和第二金屬線電性連接的連接層的步驟；
[0023]所述陣列基板的制備方法還包括形成保護(hù)層的步驟，所述保護(hù)層覆蓋所述連接層。
[0024]優(yōu)選的是，所述在基底上形成第一金屬線、第二金屬線，以及將第一金屬線和第二金屬線電性連接的連接層的步驟具體包括:
[0025]在基底上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一金屬線的圖形；
[0026]在完成上述步驟的基底上，形成第一絕緣層；
[0027]在完成上述步驟的基底上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第二金屬線的圖形；
[0028]在完成上述步驟的基底上，形成第二絕緣層；
[0029]在完成上述步驟的基底上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括至少一個(gè)貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的第一過(guò)孔，形成至少一個(gè)貫穿所述第二絕緣層的第二過(guò)孔；
[0030]在完成上述步驟的基底上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括連接層的圖形。
[0031]優(yōu)選的是，所述連接層與所述保護(hù)層采用一次構(gòu)圖工藝形成。
[0032]優(yōu)選的是，所述陣列基板的制備方法還包括在像素區(qū)域形成像素電極的步驟，且所述像素電極與所述連接層采用一次構(gòu)圖工藝形成。
[0033]優(yōu)選的是，所述形成柵極驅(qū)動(dòng)電路的步驟包括形成薄膜晶體管的步驟，其中，所述薄膜晶體管的柵極與所述第一金屬線采用一次構(gòu)圖工藝形成；所述薄膜晶體管的源、漏極與所述第二金屬線采用一次構(gòu)圖工藝形成。
[0034]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的示意圖；
[0036]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1的陣列基板的一種示意圖；
[0037]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的陣列基板的另一種示意圖；
[0038]圖4為圖2和圖3的A-A剖視圖；
[0039]圖5為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板的制備方法流程圖；
[0040]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板的制備方法中步驟七的流程圖。
[0041]其中附圖標(biāo)記為:1、第一金屬線/柵金屬線；2、第二金屬線/源漏金屬線；3、連接層；4、保護(hù)層；4-1、保護(hù)條；5、第一絕緣層；6、第二絕緣層；7、像素電極；8、基底；9、光刻膠；9-1、第一厚度；9-2、第二厚度；9-3、第三厚度；10、第一過(guò)孔；20、第二過(guò)孔；30、透明導(dǎo)電薄膜；40、保護(hù)層薄膜；Q1、像素區(qū)域；Q2、周邊區(qū)域。

【具體實(shí)施方式】
[0042]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0043]實(shí)施例1:
[0044]結(jié)合圖2、3、4所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括像素區(qū)域Q1和將像素區(qū)域Q1包圍的周邊區(qū)域Q2，其中，在所述像素區(qū)域Q1設(shè)有柵線，在所述周邊區(qū)域Q2設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€的柵極驅(qū)動(dòng)電路，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)形成在周邊區(qū)域Q2的信號(hào)線與所述柵線連接；所述信號(hào)線包括第一金屬線1、第二金屬線2，以及用于將第一金屬線1、第二金屬線2電性連接的連接層3 ;所述陣列基板還包括覆蓋在所述連接層3上方的保護(hù)層4，所述保護(hù)層4用于保護(hù)所述連接層3。
[0045]在本實(shí)施例中，在連接層3上方設(shè)置保護(hù)層4，以保護(hù)連接層3受到外界環(huán)境以及通電等因素的干擾，從而提聞廣品的良率。
[0046]具體的，其中，在第一屬線與第二金屬線2之間設(shè)置有第一絕緣層5，在第二金屬線2上方形成第二絕緣層6，且在第一金屬線1上方設(shè)置有至少一個(gè)貫穿所述第一絕緣層5和第二絕緣層6的第一過(guò)孔10，在第二金屬線2上方設(shè)置有至少一個(gè)貫穿所述第二絕緣層6的第二過(guò)孔20，所述連接層3通過(guò)所述第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔20將所述第一金屬線1和第二金屬線2電性連接。
[0047]可以理解的是，連接層3的材料通常采用氧化銦錫(ΙΤ0)，該種材料在在長(zhǎng)期通電和潮濕的環(huán)境中，很容易發(fā)生劣化，從而導(dǎo)致在第一過(guò)孔10處與第一金屬線1接觸不良，在第二過(guò)孔20處與第二金屬線2接觸不良，進(jìn)而導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)電路所輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)不能很好的傳輸給柵線，使得顯示不良，特別是在柵極驅(qū)動(dòng)電路所輸出的電流過(guò)大時(shí)，ITO材料就更容易劣化。而在本實(shí)施例中，在連接層3上方設(shè)置保護(hù)層4，以保護(hù)連接層3受到外界環(huán)境以及通電等因素的干擾，從而提聞廣品的良率。
[0048]需要說(shuō)明的是，在實(shí)施例的下述內(nèi)容中所述的“同層”并非是在視覺(jué)上處于同一水平面上，而是指通過(guò)一次構(gòu)圖工藝所形成的圖形的位置，因此在視覺(jué)上有可能處于同一水平面，也有可能不處于同一水平面上。
[0049]優(yōu)選地，本實(shí)施例的保護(hù)層4與連接層3的圖形相同，此時(shí)可以將保護(hù)層4與連接層3采用一次構(gòu)圖工藝形成，因此在保護(hù)了連接層3的同時(shí)也并不增加光刻次數(shù)。
[0050]優(yōu)選地，在本實(shí)施例中在所述像素區(qū)域Q1還設(shè)有像素電極7，所述像素電極7與所述周邊區(qū)域Q2的連接層3同層設(shè)置且材料相同。因此，所述像素電極7與連接層3可以采用一次構(gòu)圖工藝形成，或者是像素電極7、連接層3以及保護(hù)層4三者采用一次構(gòu)圖工藝形成，因此不增加光刻工藝次數(shù)。
[0051]優(yōu)選地，可以理解的是柵極驅(qū)動(dòng)電路是由薄膜晶體管以及存儲(chǔ)電容等已知元件組成；其中所述第一金屬線1與所述薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置且材料相同；所述第二金屬線2與所述薄膜晶體管的源、漏極同層設(shè)置且材料相同。也就是說(shuō)，第一金屬線1與薄膜晶體管的柵極可以采用一次構(gòu)圖工藝形成，第二金屬線2與薄膜晶體管的源、漏極采用一次構(gòu)圖工藝形成，因此不增加光刻工藝次數(shù)，節(jié)約成本。
[0052]為了保證金屬層將第一金屬線1與第二金屬良好的電性連接，優(yōu)選地，在第一金屬線1上方設(shè)置有多個(gè)貫穿所述第一絕緣層5和第二絕緣層6的第一過(guò)孔10，在第二金屬線2上方設(shè)置有多個(gè)貫穿所述第二絕緣層6的第二過(guò)孔20。進(jìn)一步的，所述連接層3包括多個(gè)連接條，每個(gè)所述連接條用于通過(guò)一個(gè)所述第一過(guò)孔10和一個(gè)所述第二過(guò)孔20將所述第一金屬線1和第二金屬線2電性連接。之所以如此設(shè)置是為了提高陣列基板的開(kāi)口率。
[0053]需要說(shuō)明的是，設(shè)于像素區(qū)域Q1的柵線通常是與周邊區(qū)域Q2的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的薄膜晶體管的柵極同步形成的，此時(shí)柵線是延伸至第二金屬線2的中一個(gè)第二過(guò)孔20所在位置的下方的，以使得柵線與第二金屬線2電性連接，進(jìn)而使得柵極驅(qū)動(dòng)電路輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)與其對(duì)應(yīng)的柵線。
[0054]在本實(shí)施例中，保護(hù)層4的材料優(yōu)選為金屬，進(jìn)一步的優(yōu)選為鑰(Mo)、鋁(A1)。當(dāng)然，保護(hù)層4的材料還可以優(yōu)選為含硅的氮化物(SiNx)。
[0055]實(shí)施例2:
[0056]結(jié)合圖5所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，該陣列基板可以為實(shí)施例1中所述的陣列基板。其中，陣列基板包括像素區(qū)域Q1和周邊區(qū)域Q2，在像素區(qū)域Q1設(shè)置有薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極7等已知元件；在周邊區(qū)域Q2設(shè)置有柵極驅(qū)動(dòng)電路，柵極驅(qū)動(dòng)電路是由薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容等元件組成的。本實(shí)施例的制備方法具體包括:
[0057]步驟一、通過(guò)構(gòu)圖工藝，基底8的像素區(qū)域Q1上形成該區(qū)域的薄膜晶體管的柵極以及柵線，以及在周邊區(qū)域Q2形成柵極驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管的柵極以及第一金屬線1的圖形。
[0058]步驟二、在完成上述步驟的基底8上，形成柵極絕緣層，該柵極絕緣層布滿像素區(qū)域Q1和周邊區(qū)域Q2，該柵極絕緣層也就是上述中的第一絕緣層5。
[0059]步驟三、在完成上述步驟的基底8上，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括像素區(qū)域Q1中薄膜晶體管的有源層，以及柵極驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管的有源層的圖形。
[0060]步驟四、在完成上述步驟的基底8上，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括像素區(qū)域Q1中薄膜晶體管的源、漏極和數(shù)據(jù)線，以及柵極驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管的源、漏極和第二金屬線2的圖形。
[0061]步驟五、在完成上述步驟的基底8上，形成鈍化層，該鈍化層布滿像素區(qū)域Q1和周邊區(qū)域Q2，該鈍化層也就是上述中的第二絕緣層6。
[0062]步驟六、在完成上述步驟的基底8上，通過(guò)構(gòu)圖工藝包括至少一個(gè)貫穿所述第一絕緣層5和第二絕緣層6的第一過(guò)孔10，形成至少一個(gè)貫穿所述第二絕緣層6的第二過(guò)孔20。
[0063]步驟七、在完成上述步驟的基底8上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括連接層3的圖形，所述連接層3通過(guò)所述第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔20將所述第一金屬線1和第二金屬線2電性連接；形成包括保護(hù)層4的圖形，所述保護(hù)層4覆蓋所述連接層3 ；以及在像素區(qū)域Q1形成像素電極7的圖形。
[0064]如圖6所示，其中，步驟七具體可以包括:
[0065]S01、在形成有第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔20的基底8上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜30和保護(hù)層薄膜40，并在保護(hù)層薄膜40上形成光刻膠9。
[0066]S02、通過(guò)半色調(diào)掩膜板11和灰階掩膜板11對(duì)光刻膠9進(jìn)行曝光、顯影，使得像素區(qū)域Q1的光刻膠9為第一厚度9-1，周邊區(qū)域Q2的光刻膠9為第二厚度9_2，在像素區(qū)域Q1和周邊區(qū)域Q2之間的位置處無(wú)光刻膠9覆蓋，其中第一厚度9-1小于第二厚度9-2。
[0067]S03、通過(guò)濕法刻蝕將無(wú)光刻膠9覆蓋位置的保護(hù)層4和透明導(dǎo)電薄膜30去除；或者，當(dāng)保護(hù)層薄膜04的材料為金屬鑰(Mo)時(shí)，還可以采用干法刻蝕將無(wú)光刻膠9覆蓋位置的保護(hù)層薄膜40去除和通過(guò)濕法刻蝕將透明導(dǎo)電薄膜30去除。
[0068]S04、去除第一厚度9-1的光刻膠9，此時(shí)像素區(qū)域Q1無(wú)光刻膠9覆蓋，周邊區(qū)域Q2剩余第三厚度9-3的光刻膠9 ;通過(guò)干法刻蝕/濕法刻蝕去除像素區(qū)域Q1的保護(hù)層薄膜40。
[0069]S05、剝離去除剩余的光刻膠9以形成保護(hù)層4和連接層3。
[0070]當(dāng)然為了提高陣列基板的開(kāi)口率，此時(shí)還可以包括步驟S06、通過(guò)構(gòu)圖工藝，對(duì)保護(hù)層4和連接層3進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，形成多個(gè)保護(hù)條4-1和連接條，每個(gè)保護(hù)條4-1和連接條對(duì)應(yīng)一個(gè)第一過(guò)孔10和一個(gè)第二過(guò)孔20。
[0071]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其包括像素區(qū)域和將像素區(qū)域包圍的周邊區(qū)域，其中，在所述像素區(qū)域設(shè)有柵線，在所述周邊區(qū)域設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)形成在周邊區(qū)域的信號(hào)線與所述柵線連接； 所述信號(hào)線包括第一金屬線、第二金屬線，以及用于將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接的連接層； 所述陣列基板還包括覆蓋在所述連接層上方的保護(hù)層，所述保護(hù)層用于保護(hù)所述連接層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在第一屬線與第二金屬線之間設(shè)置有第一絕緣層，在第二金屬線上方設(shè)置有第二絕緣層，且在第一金屬線上方設(shè)置有至少一個(gè)貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的第一過(guò)孔，在第二金屬線上方設(shè)置有至少一個(gè)貫穿所述第二絕緣層的第二過(guò)孔，所述連接層通過(guò)所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述保護(hù)層與所述連接層的圖形相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，在所述像素區(qū)域還設(shè)有像素電極，所述像素電極與所述周邊區(qū)域的連接層同層設(shè)置且材料相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括薄膜晶體管;其中， 所述第一金屬線與所述薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置且材料相同； 所述第二金屬線與所述薄膜晶體管的源、漏極同層設(shè)置且材料相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，在第一金屬線上方設(shè)置有多個(gè)貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的第一過(guò)孔，在第二金屬線上方設(shè)置有多個(gè)貫穿所述第二絕緣層的第二過(guò)孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述連接層包括多個(gè)連接條，所述保護(hù)層包括多個(gè)保護(hù)條，每個(gè)所述連接條用于通過(guò)一個(gè)所述第一過(guò)孔和一個(gè)所述第二過(guò)孔將所述第一金屬線和第二金屬線電性連接；每個(gè)所述保護(hù)條覆蓋一個(gè)所述連接條。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬為:鑰、鋁、鈦中任意一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為含硅的氮化物。
11.一種陣列基板的制備方法，其包括在像素區(qū)域形成柵線的和在周邊區(qū)域形成柵極驅(qū)動(dòng)電路的步驟，其特征在于，所述制備方法還包括: 在周邊區(qū)域形成用于將柵極驅(qū)動(dòng)電路與柵線電性連接的信號(hào)線的步驟；其中，形成所述信號(hào)線包括: 在基底上形成第一金屬線、第二金屬線，以及將第一金屬線和第二金屬線電性連接的連接層的步驟； 所述陣列基板的制備方法還包括形成保護(hù)層的步驟，所述保護(hù)層覆蓋所述連接層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成第一金屬線、第二金屬線，以及將第一金屬線和第二金屬線電性連接的連接層的步驟具體包括: 在基底上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一金屬線的圖形； 在完成上述步驟的基底上，形成第一絕緣層； 在完成上述步驟的基底上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第二金屬線的圖形； 在完成上述步驟的基底上，形成第二絕緣層； 在完成上述步驟的基底上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括至少一個(gè)貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的第一過(guò)孔，形成至少一個(gè)貫穿所述第二絕緣層的第二過(guò)孔； 在完成上述步驟的基底上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括連接層的圖形。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述連接層與所述保護(hù)層采用一次構(gòu)圖工藝形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板的制備方法還包括在像素區(qū)域形成像素電極的步驟，且所述像素電極與所述連接層采用一次構(gòu)圖工藝形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述形成柵極驅(qū)動(dòng)電路的步驟包括形成薄膜晶體管的步驟，其中，所述薄膜晶體管的柵極與所述第一金屬線采用一次構(gòu)圖工藝形成；所述薄膜晶體管的源、漏極與所述第二金屬線采用一次構(gòu)圖工藝形成。
16.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK104460154SQ201410779251
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月15日
【發(fā)明者】王寶強(qiáng), 樸相鎮(zhèn), 王守坤, 郭會(huì)斌, 馮玉春, 李梁梁, 郭總杰 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司