激光結(jié)晶系統(tǒng)及其晶化能量控制方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種激光結(jié)晶系統(tǒng)及其晶化能量控制方法，所述激光結(jié)晶系統(tǒng)包括：Mura監(jiān)控設(shè)備，用于監(jiān)控晶化過程中的實(shí)時Mura狀況；主機(jī)臺，與所述Mura監(jiān)控設(shè)備相連接，用于判斷所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別，并根據(jù)所述實(shí)時級別生成晶化能量控制指令；結(jié)晶設(shè)備，與所述主機(jī)臺相連接，用于執(zhí)行所述主機(jī)臺生成的所述晶化能量控制指令以控制所輸出的晶化能量。本發(fā)明實(shí)施例利用Mura監(jiān)控設(shè)備實(shí)時地在線監(jiān)控Mura的狀況，根據(jù)實(shí)時Mura狀況控制結(jié)晶設(shè)備輸出的晶化能量。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)對產(chǎn)品的Mura狀況的有效監(jiān)控，進(jìn)而控制對應(yīng)的晶化能量，相比于人工的方式，有效地提高了工作效率，且能夠保證精確度和在線控制，保證產(chǎn)品的良率。
【專利說明】激光結(jié)晶系統(tǒng)及其晶化能量控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于結(jié)晶制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種激光結(jié)晶系統(tǒng)的晶化能量控制方法，還涉及一種采用該晶化能量控制方法的激光結(jié)晶系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，液晶顯示器具有外型輕薄、耗電量少、分辨率佳、無輻射以及抗電磁干擾等特性，故已被廣泛地應(yīng)用在手機(jī)、個人數(shù)字助理(PDA)、筆記型計(jì)算機(jī)、平面顯示器等信息家電產(chǎn)品上。然而隨著使用者對于顯示器視覺感受要求的提升，加上新技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不斷的擴(kuò)展，于是更高畫質(zhì)、高分辨率且具低價位的液晶顯示器變成未來顯示技術(shù)發(fā)展的趨勢，也造就了新的顯示技術(shù)發(fā)展的原動力，而其中低溫復(fù)晶硅薄膜晶體管(LTPSTFT)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)的一項(xiàng)重要量產(chǎn)技術(shù)。
[0003]一般低溫多晶娃制程大多利用準(zhǔn)分子激光退火(Excimer Laser Annealing，ELA)技術(shù)進(jìn)行，亦即利用準(zhǔn)分子激光作為熱源以將非晶硅結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為多晶硅結(jié)構(gòu)。當(dāng)準(zhǔn)分子激光經(jīng)過光學(xué)投射系統(tǒng)后，會產(chǎn)生能量均勻分布的激光束，并投射于沉積有非晶硅膜的基板上，以使吸收準(zhǔn)分子激光能量的非晶硅膜再結(jié)晶而轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu)。由于上述制程是在600°C以下完成，一般玻璃基板或是塑料基板等皆可適用，因此更擴(kuò)大了低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的應(yīng)用范圍。
[0004]目前在低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的制作上，是以一準(zhǔn)分子激光束照射掃瞄基板，藉此使基板上預(yù)先沉積的非晶硅轉(zhuǎn)換為多晶硅結(jié)構(gòu)?；灞砻娴亩嗑Ч杞Y(jié)構(gòu)的品質(zhì)會直接影響之后形成各式組件的特性，且多晶硅結(jié)晶狀態(tài)的好壞主要受到二項(xiàng)因素的影響，一為基板表面的非晶硅膜厚，一為準(zhǔn)分子激光光地能量密度。其中隨著低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的設(shè)計(jì)不同，或非晶硅鍍膜制程的反應(yīng)條件的差異，進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火制程的各批次基板表面的非晶硅膜厚或結(jié)晶狀態(tài)可能有所不同，因此于進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火制程時必須選用適當(dāng)能量密度的準(zhǔn)分子激光，否則會使基板表面的多晶硅結(jié)晶狀態(tài)不佳。另外，由于準(zhǔn)分子激光的原理是將氣體封存于一密閉腔室內(nèi)，并利用電力激發(fā)氣體產(chǎn)生準(zhǔn)分子激光，因此準(zhǔn)分子激光通常視使用狀況經(jīng)歷約十?dāng)?shù)小時即必須重新填充新氣體，且準(zhǔn)分子激光的能量密度會隨著使用時間而衰減，因此其能量密度不易控制?；谏鲜鰷?zhǔn)分子激光本身的限制，在進(jìn)行準(zhǔn)分子激光制程時即使預(yù)先設(shè)定了一最佳能量密度，準(zhǔn)分子激光的實(shí)際能量密度往往因衰減而與預(yù)先的設(shè)定值有所差異，而影響多晶硅的結(jié)晶狀態(tài)。
[0005]然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，結(jié)晶的過程需要對Mura(色不均)的狀況進(jìn)行控制，目前的做法通過是通過線下MAC/MIC (宏觀微觀缺陷檢查機(jī))檢查Mura的狀況，接著，在線下確認(rèn)最佳晶化能量范圍。其中，此種方式需要停機(jī)確認(rèn)，線下調(diào)整，對于主機(jī)臺工作影響較大，而且一次往往需要30分鐘左右，加上不能即時進(jìn)行更改，容易造成產(chǎn)品良率損失。進(jìn)一步而言，此種檢查方式為人眼檢查為主，容易產(chǎn)生誤判，且有人為因素影響判斷。
[0006]不難看出，使用上述檢測方法即使檢測基板表面的多晶硅的結(jié)晶狀態(tài)不佳，無法對產(chǎn)品的Mura狀況進(jìn)行有效監(jiān)控，進(jìn)而無法控制對應(yīng)的晶化能量，且工作效率低下，精確度低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種激光結(jié)晶系統(tǒng)的晶化能量控制方法，有效地解決現(xiàn)有技術(shù)中無法對產(chǎn)品的Mura狀況進(jìn)行有效監(jiān)控，進(jìn)而無法控制對應(yīng)的晶化能量，且工作效率低下，精確度低的技術(shù)問題。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種激光結(jié)晶系統(tǒng)，其中，所述激光結(jié)晶系統(tǒng)包括:Mura監(jiān)控設(shè)備，用于監(jiān)控晶化過程中的實(shí)時Mura狀況；主機(jī)臺，與所述Mura監(jiān)控設(shè)備相連接，用于判斷所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別，并根據(jù)所述實(shí)時級別生成晶化能量控制指令；結(jié)晶設(shè)備，與所述主機(jī)臺相連接，用于執(zhí)行所述主機(jī)臺生成的所述晶化能量控制指令以控制所輸出的晶化能量。
[0009]其中，所述主機(jī)臺包括:存儲模塊，用于存儲Mura狀況的實(shí)時級別與所述晶化能量控制指令的一一對應(yīng)關(guān)系的對應(yīng)表；判斷模塊，用于根據(jù)所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況從所述存儲模塊查找相對應(yīng)級別的晶化能量控制指令。
[0010]其中，所述判斷模塊，還用于判斷所述實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值，且在判斷到小于所述預(yù)設(shè)閾值時，不執(zhí)行生成晶化能量控制指令的過程，使得所述結(jié)晶設(shè)備保持原有的晶化能量輸出級別。
[0011]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種激光結(jié)晶系統(tǒng)的晶化能量控制方法，其中，所述晶化能量控制方法包括:通過Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控晶化過程中的實(shí)時Mura狀況；判斷所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別，并根據(jù)所述實(shí)時級別生成晶化能量控制指令；執(zhí)行所述晶化能量控制指令以控制所輸出的晶化能量。
[0012]其中，所述晶化能量控制方法還包括:存儲Mura狀況的實(shí)時級別與所述晶化能量控制指令的一一對應(yīng)關(guān)系的對應(yīng)表。述根據(jù)所述實(shí)時級別生成晶化能量控制指令的步驟，具體包括:根據(jù)所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況從所述對應(yīng)表中查找相對應(yīng)級別的晶化能量控制指令。
[0013]其中，所述判斷所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別的步驟，還包括:判斷所述實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值，且在判斷到小于所述預(yù)設(shè)閾值時，不執(zhí)行生成晶化能量控制指令的過程，使得保持原有的晶化能量輸出級別。
[0014]通過上述技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例的有益效果是:本發(fā)明實(shí)施例利用Mura監(jiān)控設(shè)備實(shí)時地在線監(jiān)控Mura的狀況，根據(jù)實(shí)時Mura狀況控制結(jié)晶設(shè)備輸出的晶化能量。不難看出，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)對產(chǎn)品的Mura狀況的有效監(jiān)控，進(jìn)而控制對應(yīng)的晶化能量，相比于人工的方式，有效地提高了工作效率，且能夠保證精確度和在線控制，保證產(chǎn)品的良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明激光結(jié)晶系統(tǒng)一實(shí)施例的功能模塊框圖；
[0016]圖2是圖1所示主機(jī)臺一實(shí)施例的功能模塊框圖；
[0017]圖3是本發(fā)明激光結(jié)晶系統(tǒng)的晶化能量控制方法一實(shí)施例的流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，本發(fā)明以下所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0019]請參閱圖1，圖1是本發(fā)明激光結(jié)晶系統(tǒng)一實(shí)施例的功能模塊框圖，本實(shí)施例激光結(jié)晶系統(tǒng)包括Mura監(jiān)控設(shè)備10、王機(jī)臺11和結(jié)晶設(shè)備12。
[0020]在本實(shí)施例中，Mura監(jiān)控設(shè)備10用于監(jiān)控晶化過程中的實(shí)時Mura狀況。
[0021]其中，主機(jī)臺11與Mura監(jiān)控設(shè)備10相連接，用于判斷Mura監(jiān)控設(shè)備10監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別，并根據(jù)實(shí)時級別生成晶化能量控制指令。
[0022]本實(shí)施例的結(jié)晶設(shè)備12與主機(jī)臺11相連接，用于執(zhí)行主機(jī)臺11生成的晶化能量控制指令以控制所輸出的晶化能量。
[0023]請進(jìn)一步參閱圖2，圖2是圖1所示主機(jī)臺一實(shí)施例的功能模塊框圖，其中，主機(jī)臺11可以包括存儲模塊111和判斷模塊112。
[0024]在本實(shí)施例中，存儲模塊111用于存儲Mura狀況的實(shí)時級別與晶化能量控制指令的一一對應(yīng)關(guān)系的對應(yīng)表。
[0025]對應(yīng)地，判斷模塊112用于根據(jù)Mura監(jiān)控設(shè)備10監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況從存儲模塊111查找相對應(yīng)級別的晶化能量控制指令。
[0026]不難理解的是，通過設(shè)置對應(yīng)表的方式，可以有效地提高主機(jī)臺11的工作效率和工作性能。
[0027]需要說明的是，判斷模塊112還用于判斷實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值，且在判斷到小于預(yù)設(shè)閾值時，不執(zhí)行生成晶化能量控制指令的過程，使得結(jié)晶設(shè)備保持原有的晶化能量輸出級別。其中，通過此種方式，本實(shí)施例可以避免頻繁反復(fù)地查詢對應(yīng)表，而預(yù)先將檢測的實(shí)時Mura狀況與預(yù)設(shè)閾值相比較，直接判斷是否需要控制晶化能量，提高工作效率。
[0028]此外，在其他實(shí)施例中，本實(shí)施例Mura監(jiān)控設(shè)備10可以包含有準(zhǔn)分子激光退火裝置、光源產(chǎn)生器、影像接收器等，其中，準(zhǔn)分子激光退火裝置可產(chǎn)生準(zhǔn)分子激光，并以線狀掃描方式照射基板，藉此將基板表面的一硅薄膜的結(jié)晶狀態(tài)由非晶硅結(jié)構(gòu)再結(jié)晶而轉(zhuǎn)換為多晶娃結(jié)構(gòu)等等。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例利用Mura監(jiān)控設(shè)備10實(shí)時地在線監(jiān)控Mura的狀況，根據(jù)實(shí)時Mura狀況控制結(jié)晶設(shè)備12輸出的晶化能量。不難看出，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)對產(chǎn)品的Mura狀況的有效監(jiān)控，進(jìn)而控制對應(yīng)的晶化能量，相比于人工的方式，有效地提高了工作效率，且能夠保證精確度和在線控制，保證產(chǎn)品的良率。
[0030]請結(jié)合圖1和圖2參閱圖3，圖3是本發(fā)明激光結(jié)晶系統(tǒng)的晶化能量控制方法一實(shí)施例的流程示意圖，本實(shí)施例晶化能量控制方法包括如下步驟。
[0031]步驟S200，通過Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控晶化過程中的實(shí)時Mura狀況。
[0032]在步驟S200中，本實(shí)施例可以采用在線監(jiān)控的Mura監(jiān)控設(shè)備，其可以與ELA機(jī)臺連接設(shè)置。
[0033]步驟S201，判斷Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別，并根據(jù)實(shí)時級別生成晶化能量控制指令。
[0034]在步驟S201中，本實(shí)施例還可以預(yù)先存儲Mura狀況的實(shí)時級別與晶化能量控制指令的一一對應(yīng)關(guān)系的對應(yīng)表，接著，在根據(jù)實(shí)時級別生成晶化能量控制指令時，可以根據(jù)Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況從對應(yīng)表中查找相對應(yīng)級別的晶化能量控制指令。不難理解的是，通過設(shè)置對應(yīng)表的方式，可以有效地提高主機(jī)臺11的工作效率和工作性能。
[0035]需要說明的是，在判斷Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別時，本實(shí)施例還可以判斷實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值，且在判斷到小于預(yù)設(shè)閾值時，不執(zhí)行生成晶化能量控制指令的過程，使得保持原有的晶化能量輸出級別。通過此種方式，本實(shí)施例可以避免頻繁反復(fù)地查詢對應(yīng)表，而預(yù)先將檢測的實(shí)時Mura狀況與預(yù)設(shè)閾值相比較，直接判斷是否需要控制晶化能量，提高工作效率。
[0036]步驟S202，執(zhí)行晶化能量控制指令以控制所輸出的晶化能量。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例利用Mura監(jiān)控設(shè)備實(shí)時地在線監(jiān)控Mura的狀況，根據(jù)實(shí)時Mura狀況控制結(jié)晶設(shè)備輸出的晶化能量。不難看出，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)對產(chǎn)品的Mura狀況的有效監(jiān)控，進(jìn)而控制對應(yīng)的晶化能量，相比于人工的方式，有效地提高了工作效率，且能夠保證精確度和在線控制，保證產(chǎn)品的良率。
[0038]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，例如各實(shí)施例之間技術(shù)特征的相互結(jié)合，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種激光結(jié)晶系統(tǒng)，其特征在于，所述激光結(jié)晶系統(tǒng)包括: Mura監(jiān)控設(shè)備，用于監(jiān)控晶化過程中的實(shí)時Mura狀況； 主機(jī)臺，與所述Mura監(jiān)控設(shè)備相連接，用于判斷所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別，并根據(jù)所述實(shí)時級別生成晶化能量控制指令； 結(jié)晶設(shè)備，與所述主機(jī)臺相連接，用于執(zhí)行所述主機(jī)臺生成的所述晶化能量控制指令以控制所輸出的晶化能量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光結(jié)晶系統(tǒng)，其特征在于，所述主機(jī)臺包括: 存儲模塊，用于存儲Mura狀況的實(shí)時級別與所述晶化能量控制指令的一一對應(yīng)關(guān)系的對應(yīng)表； 判斷模塊，用于根據(jù)所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況從所述存儲模塊查找相對應(yīng)級別的晶化能量控制指令。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光結(jié)晶系統(tǒng)，其特征在于，所述判斷模塊，還用于判斷所述實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值，且在判斷到小于所述預(yù)設(shè)閾值時，不執(zhí)行生成晶化能量控制指令的過程，使得所述結(jié)晶設(shè)備保持原有的晶化能量輸出級別。
4.一種激光結(jié)晶系統(tǒng)的晶化能量控制方法，其特征在于，所述晶化能量控制方法包括: 通過Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控晶化過程中的實(shí)時Mura狀況； 判斷所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別，并根據(jù)所述實(shí)時級別生成晶化能量控制指令； 執(zhí)行所述晶化能量控制指令以控制所輸出的晶化能量。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶化能量控制方法，其特征在于，所述晶化能量控制方法還包括: 存儲Mura狀況的實(shí)時級別與所述晶化能量控制指令的一一對應(yīng)關(guān)系的對應(yīng)表； 所述根據(jù)所述實(shí)時級別生成晶化能量控制指令的步驟，具體包括: 根據(jù)所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況從所述對應(yīng)表中查找相對應(yīng)級別的晶化能量控制指令。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶化能量控制方法，其特征在于，所述判斷所述Mura監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控得到的實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別的步驟，還包括: 判斷所述實(shí)時Mura狀況的實(shí)時級別是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值，且在判斷到小于所述預(yù)設(shè)閾值時，不執(zhí)行生成晶化能量控制指令的過程，使得保持原有的晶化能量輸出級別。
【文檔編號】H01L21/268GK104465345SQ201410837007
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月29日
【發(fā)明者】王志剛, 李子健, 唐麗娟, 李勇 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司