一種改善muf工藝基板外圍溢料的基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板及其制造方法，由基板和基板凹槽組成，所述基板凹槽在基板的外沿面的內(nèi)側(cè)。所述基板凹槽深度大于20um，寬度大于20um。所述制造方法：在基板的外沿面的內(nèi)側(cè)制作基板凹槽。本發(fā)明能顯著改善MUF工藝基板外圍溢料的問題。
【專利說明】一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著FlipChip封裝技術(shù)的日漸成熟，塑封采用MUF工藝對bump區(qū)域進行填充，由于MUF工藝采用填充顆粒很小的塑封料，一般小于20um，這樣不可避免的造成塑封過程中基板外圍產(chǎn)生溢料，影響塑封自動出料及后面工序的自動上下料，導(dǎo)致UPH低下。雖然現(xiàn)有一種通過改變模具設(shè)計，在垂直于外圍排氣槽設(shè)計一排緩沖區(qū)域來減少溢料，但不可避免的要投資新模具，并且模具設(shè)計的這個凹槽清模困難，很容易造成塑封料殘留，影響排氣效果，造成排氣不暢。在產(chǎn)品外形上模具的凹槽位置對應(yīng)的基板位置形成了一個條狀凸起，后面工序的進出料系統(tǒng)必須改造，需要資金投入。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明是基于基板設(shè)計來改善MUF工藝溢料問題，通過在基板外圍排氣槽位置設(shè)計一條垂直于排氣槽的凹槽，使得溢料部分留在基板凹槽內(nèi)，不擴散到基板外圍，并且凹槽內(nèi)的溢料與基板向平，從而不影響自動上下料，本發(fā)明無需投資，可以在基板設(shè)計之初設(shè)計這個凹槽，也可以利用激光對來料的基板進行凹槽處理。
[0004]一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板，由基板和基板凹槽組成，所述基板凹槽在基板的外沿面的內(nèi)側(cè)。
[0005]所述凹槽深度大于20um，寬度大于20um。
[0006]一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板的制造方法，在基板的外沿面的內(nèi)側(cè)制作基板凹槽。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為基板上帶有凹槽的主視圖；
[0008]圖2為基板上帶有凹槽的右視圖。
[0009]圖中，I為基板，2為基板凹槽。

【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的描述。
[0011]如圖1和圖2所示，一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板，由基板I和基板凹槽2組成，所述基板凹槽2在基板I的外沿面的內(nèi)側(cè)。
[0012]所述基板凹槽2深度大于20um，寬度大于20um。
[0013]一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板的制造方法，在基板I的外沿面的內(nèi)側(cè)制作基板凹槽2。
【權(quán)利要求】
1.一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板，其特征在于，由基板⑴和基板凹槽⑵組成，所述基板凹槽(2)在基板(I)的外沿面的內(nèi)側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板，其特征在于，所述基板凹槽⑵深度大于20um，寬度大于20um。
3.一種改善MUF工藝基板外圍溢料的基板的制造方法，其特征在于，在基板(I)的外沿面的內(nèi)側(cè)制作基板凹槽(2)。
【文檔編號】H01L23/13GK104485312SQ201410843756
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月30日
【發(fā)明者】陳文釗, 于大全, 諶世廣, 劉衛(wèi)東 申請人:華天科技（西安）有限公司