電路基板及光半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及電路基板及光半導(dǎo)體裝置。電路基板具備：用于將光半導(dǎo)體元件安裝在厚度方向的一側(cè)的含熒光體基板，和，層疊在含熒光體基板的厚度方向的一面、用于與光半導(dǎo)體元件電連接的電極布線。本實(shí)用新型的目的在于提供能夠以簡便的構(gòu)成低成本地制造厚度方向其他側(cè)的光束增強(qiáng)了的光半導(dǎo)體裝置的電路基板及光半導(dǎo)體裝置。
【專利說明】電路基板及光半導(dǎo)體裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電路基板、光半導(dǎo)體裝置及其制造方法，詳細(xì)而言，涉及光半導(dǎo)體裝置的制造方法、該方法中使用的電路基板、以及具備該電路基板的光半導(dǎo)體裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]光半導(dǎo)體裝置具備:在上表面層疊有電極的電路基板、以與電極電連接的方式安裝在電路基板上的光半導(dǎo)體元件以及以被覆光半導(dǎo)體元件的方式設(shè)置在電路基板上的熒光體層。光半導(dǎo)體裝置中，電流從電路基板的電極流向光半導(dǎo)體元件，通過熒光體層對(duì)由光半導(dǎo)體元件發(fā)出的光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換，向上方照射經(jīng)波長轉(zhuǎn)換的光。
[0003]而為了增強(qiáng)相對(duì)于光半導(dǎo)體裝置的下方的光束，例如提出了一種發(fā)光裝置，其具備透光性陶瓷基板、安裝在其上的LED以及設(shè)置在透光性陶瓷基板下的含有黃色熒光體顆粒的第3波長轉(zhuǎn)換材料(例如參見下述專利文獻(xiàn)I)。
[0004]專利文獻(xiàn)I中記載的發(fā)光裝置通過第3波長轉(zhuǎn)換材料對(duì)LED發(fā)出的光中透過透光性陶瓷基板且朝向下方的光的波長進(jìn)行轉(zhuǎn)換，向下方照射波長轉(zhuǎn)換后的光。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:國際公開W02012/090350號(hào)實(shí)用新型內(nèi)容
[0008]實(shí)用新型要解決的問題
[0009]然而，存在將光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成簡化、降低制造成本的要求。
[0010]但是，專利文獻(xiàn)I的發(fā)光裝置由于除了具備透光性陶瓷基板以外，還在透光性陶瓷基板的下側(cè)具備第3波長轉(zhuǎn)換材料，因此部件數(shù)多，與此相應(yīng)地光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成復(fù)雜化，此外，光半導(dǎo)體裝置的制造方法變繁雜，結(jié)果存在無法充分滿足上述要求的不利情況。
[0011]本實(shí)用新型的目的在于提供能夠以簡便的構(gòu)成低成本地制造厚度方向其他側(cè)的光束增強(qiáng)了的光半導(dǎo)體裝置的電路基板、光半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
[0012]用于解決問題的方案
[0013]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的電路基板的特征在于具備:用于將光半導(dǎo)體元件安裝在厚度方向的一側(cè)的含熒光體基板，和，層疊在前述含熒光體基板的厚度方向的一面、用于與前述光半導(dǎo)體元件電連接的電極布線。
[0014]由于該電路基板具備含熒光體基板，因此無需另行在含熒光體基板的另一面設(shè)置熒光體層即可以通過含熒光體基板對(duì)向厚度方向其他側(cè)發(fā)出的光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換。因此，可以在增強(qiáng)光半導(dǎo)體裝置的厚度方向其他側(cè)的光束的同時(shí)減少光半導(dǎo)體裝置中的部件數(shù)，將光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成簡化。結(jié)果，可以減少光半導(dǎo)體裝置的制造工序數(shù)，簡化制造方法，提高光半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率，降低制造成本。
[0015]此外，在本實(shí)用新型的電路基板中，優(yōu)選前述含熒光體基板是透光性的。
[0016]根據(jù)該電路基板，由于含熒光體基板是透光性的，因此由光半導(dǎo)體元件向厚度方向其他側(cè)發(fā)出的光會(huì)透過含熒光體基板并被波長轉(zhuǎn)換。因此，可以防止厚度方向其他側(cè)的發(fā)光量降低。
[0017]此外，在本實(shí)用新型的電路基板中，優(yōu)選前述含熒光體基板由陶瓷形成。
[0018]該電路基板由于含熒光體基板由陶瓷形成，因此散熱性優(yōu)異。
[0019]此外，在本實(shí)用新型的電路基板中，優(yōu)選前述含熒光體基板由含有熒光體和固化性樹脂的C階的熒光體樹脂組合物形成。
[0020]該電路基板由于含熒光體基板由C階的熒光體樹脂組合物形成，因此柔軟性優(yōu)巳
[0021]本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有下述的電路基板和下述的光半導(dǎo)體元件:所述電路基板具備:用于將光半導(dǎo)體元件安裝在厚度方向的一側(cè)的含熒光體基板，和，層疊在所述含熒光體基板的厚度方向的一面、用于與所述光半導(dǎo)體元件電連接的電極布線；以及，所述光半導(dǎo)體元件以與所述電極布線電連接的方式安裝在所述電路基板的所述含熒光體基板的厚度方向的一側(cè)。
[0022]該光半導(dǎo)體裝置由于電路基板具備含熒光體基板，因此無需設(shè)置熒光體層即可以通過含熒光體基板對(duì)由光半導(dǎo)體元件向厚度方向其他側(cè)發(fā)出的光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換。因此，可以在厚度方向其他側(cè)的光束優(yōu)異的同時(shí)減少部件數(shù)，簡化光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成。結(jié)果，可以提高光半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率。
[0023]此外，在本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選還具備設(shè)置在前述含熒光體基板的前述厚度方向的一側(cè)的封裝層、反射層和熒光體層中的至少一者。
[0024]該光半導(dǎo)體裝置可以通過封裝層對(duì)光半導(dǎo)體元件進(jìn)行封裝來提高可靠性，還可以通過反射層對(duì)由光半導(dǎo)體元件發(fā)出的光進(jìn)行反射來提高發(fā)光效率，進(jìn)而還可以通過熒光體層對(duì)由光半導(dǎo)體元件向厚度方向的一側(cè)發(fā)出的光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換來提高厚度方向的一側(cè)的光束。
[0025]本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括下述工序:準(zhǔn)備上述電路基板的準(zhǔn)備工序；以及，安裝工序，以與前述電極布線電連接的方式將光半導(dǎo)體元件安裝在前述電路基板的前述含熒光體基板的厚度方向的一側(cè)。
[0026]根據(jù)該方法，通過以與電極布線電連接的方式將光半導(dǎo)體元件安裝在電路基板的含熒光體基板的厚度方向的一側(cè)來制造光半導(dǎo)體裝置。因此，可以減少光半導(dǎo)體裝置中的部件數(shù)，并與此相應(yīng)地減少光半導(dǎo)體裝置的制造工序數(shù)，簡化制造方法，提高光半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率，降低制造成本。
[0027]實(shí)用新型的效果
[0028]本實(shí)用新型的電路基板可以減少光半導(dǎo)體裝置的制造工序數(shù)，簡化制造方法，提高光半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率，降低制造成本。
[0029]本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置可以減少光半導(dǎo)體裝置的制造工序數(shù)，簡化制造方法，提高光半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率，降低制造成本。
[0030]本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的制造方法可以減少光半導(dǎo)體裝置的制造工序數(shù)，簡化制造方法，提高光半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率，降低制造成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1A和圖1B是本實(shí)用新型的電路基板的一個(gè)實(shí)施方式的制造方法的工序圖，
[0032]圖1A示出準(zhǔn)備含熒光體基板的工序，
[0033]圖1B示出將電極布線層疊于含熒光體基板的工序。
[0034]圖2A和圖2B是通過圖1B的電路基板來制造作為本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的一個(gè)實(shí)施方式的LED裝置的方法的工序圖，
[0035]圖2A示出將LED安裝于電路基板的工序，
[0036]圖2B示出通過熒光封裝層封裝LED的工序。
[0037]圖3A、圖3B和圖3C是制造作為本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的第2實(shí)施方式的LED裝置的方法的工序圖，
[0038]圖3A示出準(zhǔn)備電路基板的工序，
[0039]圖3B示出將LED安裝于電路基板的工序，
[0040]圖3C示出通過封裝層封裝多個(gè)LED的工序。
[0041]圖4A、圖4B和圖4C是制造作為本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的第3實(shí)施方式的LED裝置的方法的工序圖，
[0042]圖4A示出準(zhǔn)備電路基板的工序、
[0043]圖4B示出將LED安裝于電路基板的工序，
[0044]圖4C示出通過封裝層封裝多個(gè)LED的工序。
[0045]圖5示出作為本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的第4實(shí)施方式的LED裝置的正剖視圖。
[0046]圖6示出作為本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的第5實(shí)施方式的LED裝置的立體圖。
[0047]圖7示出作為本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的第6實(shí)施方式的LED裝置的立體圖。
[0048]圖8A和圖8B是說明在作為本實(shí)用新型的光半導(dǎo)體裝置的第7實(shí)施方式的LED裝置中將LED安裝于電路基板的圖，
[0049]圖8A示出立體圖，
[0050]圖8B示出正剖視圖。
[0051]附圖標(biāo)記說明
[0052]I 電路基板
[0053]2 含熒光體基板
[0054]3 電極布線
[0055]4 LED
[0056]7 LED 裝置
[0057]9 熒光封裝層
[0058]10散熱構(gòu)件
[0059]19反射封裝層
[0060]29封裝層

【具體實(shí)施方式】
[0061]為了明確示出LED4(后述)與電極5 (后述)的相對(duì)配置，圖3A、圖3B和圖3C以及圖4A、圖4B和圖4C中省略了端子8 (后述)，圖6和圖7中省略了布線6 (后述)和粘接劑層15(后述)。
[0062]在圖1A中，以紙面上下方向?yàn)椤吧舷路较颉?第I方向或者厚度方向)，以紙面左右方向?yàn)椤白笥曳较颉?第2方向或者與第I方向正交的方向)，以紙張厚度方向?yàn)椤扒昂蠓较颉?第3方向或者與第I方向和第2方向正交的方向)，具體根據(jù)圖1A中記載的方向箭頭。對(duì)于圖1A以外的附圖，也以圖1A的方向?yàn)榛鶞?zhǔn)。
[0063][第I實(shí)施方式]
[0064]如圖1B所示，該電路基板I具備含熒光體基板2以及層疊在含熒光體基板2的上表面(厚度方向的一面)的電極布線3。
[0065]含熒光體基板2是用于將后述的LED4(參見圖2A)安裝在上側(cè)的安裝基板，以與電路基板I的外形形狀對(duì)應(yīng)的方式形成。此外，含熒光體基板2是含有熒光體的熒光基板，并且是具有透光性的透光基板。含熒光體基板2也是用于將由后述的LED4(參見圖2A)發(fā)出的一部分藍(lán)色光轉(zhuǎn)換成黃色光并且使其余藍(lán)色光透過的波長轉(zhuǎn)換基板。
[0066]含突光體基板2形成為沿面方向(相對(duì)于厚度方向的正交方向，即左右方向和前后方向)延伸的大致矩形的板狀或者片狀。含熒光體基板2例如由通過燒結(jié)熒光體所形成的陶瓷形成，或者由含有熒光體和固化性樹脂的C階的熒光體樹脂組合物形成。
[0067]熒光體吸收作為激發(fā)光的波長350?480nm的光的一部分或全部而被激發(fā)，發(fā)出波長比激發(fā)光長的、例如500?650nm的熒光。具體而言，作為熒光體，例如可列舉出能夠?qū)⑺{(lán)色光轉(zhuǎn)換成黃色光的黃色熒光體，能夠?qū)⑺{(lán)色光轉(zhuǎn)換成紅色光的紅色熒光體。優(yōu)選列舉出黃色熒光體。作為這種熒光體，例如可列舉出在復(fù)合金屬氧化物、金屬硫化物等中摻雜有例如鈰(Ce)、銪(Eu)等金屬原子的熒光體。
[0068]具體而言，作為黃色熒光體，可列舉出:例如Y3Al5O12 = Ce (YAG(釔.鋁.石榴石):Ce)、(Y, GcO3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2 (Si, Ge)3012:Ce 等具有石槽石型晶體結(jié)構(gòu)的石槽石型突光體；例如(Sr, Ba)2Si04:Eu、Ca3S14Cl2:Eu、Sr3S15:Eu、Li2SrS14:Eu> Ca3Si2O7:Eu 等娃酸鹽突光體；例如 CaAl12019:Mn、SrAl2O4:Eu 等招酸鹽突光體；例如 ZnS:Cu, Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu 等硫化物突光體；例如 CaSi2O2N2:Eu、SrSI2O2N2:Eu>BaSI2O2N2:Eu>Ca- a -SiAlON等氮氧化物突光體等。優(yōu)選列舉出石槽石型突光體，進(jìn)一步優(yōu)選列舉出Y3Al5O12: Ce (YAG)。
[0069]作為紅色熒光體，例如可列舉出CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Eu等氮化物熒光體等。
[0070]作為熒光體的形狀，例如可列舉出球狀、板狀、針狀等顆粒狀。從流動(dòng)性的角度來看，優(yōu)選列舉出球狀。
[0071]熒光體的最大長度的平均值(為球狀時(shí)是指平均粒徑)例如為0.Ιμπι以上，優(yōu)選為I μ m以上,并且例如為200 μ m以下,優(yōu)選為100 μ m以下。
[0072]熒光體的吸收峰波長例如為300nm以上，優(yōu)選為430nm以上，并且例如為550nm以下，優(yōu)選為470nm以下。
[0073]熒光體可以單獨(dú)使用或組合使用兩種以上。
[0074]為了由陶瓷形成含熒光體基板2，例如將用于熒光體的原料(熒光體前體材料)燒結(jié)直接得到陶瓷，或者制成以上述熒光體為主要成分的陶瓷材料，將該陶瓷材料燒結(jié)，從而以熒光體陶瓷的形式得到含熒光體基板2。
[0075]另外，在熒光體前體材料或陶瓷材料中，可以以適當(dāng)?shù)谋壤砑诱辰Y(jié)劑樹脂、分散齊U、增塑劑、燒結(jié)助劑等添加劑。
[0076]另一方面，為了由C階的熒光體樹脂組合物形成含熒光體基板2，首先通過配混熒光體和固化性樹脂來制備熒光體樹脂組合物。
[0077]固化性樹脂是分散熒光體的基體，例如可列舉出:有機(jī)硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等透明樹脂等。從耐久性的角度來看，優(yōu)選列舉出有機(jī)硅樹脂組合物。
[0078]有機(jī)硅樹脂組合物在分子內(nèi)主要具有由硅氧烷鍵(-S1-O-S1-)形成的主鏈和由與主鏈的硅素原子(Si)鍵合的烷基(例如甲基和/或苯基等)或烷氧基(例如甲氧基)等有機(jī)基團(tuán)形成的側(cè)鏈。
[0079]具體而言，作為有機(jī)硅樹脂組合物，例如可列舉出:脫水縮合型有機(jī)硅樹脂、加成反應(yīng)型有機(jī)硅樹脂、過氧化物固化型有機(jī)硅樹脂、濕氣固化型有機(jī)硅樹脂、固化型有機(jī)硅樹脂等。優(yōu)選舉出加成反應(yīng)型有機(jī)娃樹脂等。
[0080]固化性樹脂以A階制備，其在25°C下的運(yùn)動(dòng)粘度例如為10?30mm2/s。
[0081]對(duì)于各成分的配混比例，相對(duì)于熒光體樹脂組合物，熒光體的配混比例例如為I質(zhì)量％以上，優(yōu)選為5質(zhì)量％以上，并且例如為50質(zhì)量％以下，優(yōu)選為30質(zhì)量％以下。此夕卜，相對(duì)于100質(zhì)量份樹脂的突光體的配混比例例如為I質(zhì)量份以上,優(yōu)選為5質(zhì)量份以上,并且例如為100質(zhì)量份以下，優(yōu)選為40質(zhì)量份以下。
[0082]相對(duì)于熒光體樹脂組合物，固化性樹脂的配混比例例如為50質(zhì)量％以上，優(yōu)選為70質(zhì)量％以上，并且例如為99質(zhì)量％以下,優(yōu)選為95質(zhì)量％以下。
[0083]此外，在熒光體樹脂組合物中，可以根據(jù)需要而配混填充劑和/或溶劑。
[0084]作為填充劑，可列舉出例如有機(jī)硅顆粒(具體包括硅橡膠顆粒)等有機(jī)微粒，例如二氧化硅(例如氣相二氧化硅等)、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅等無機(jī)微粒。此外，填充劑的最大長度的平均值(為球狀時(shí)，是指平均粒徑)例如為0.1 μ m以上，優(yōu)選為I μ m以上，并且例如為200μπι以下，優(yōu)選為10ym以下。填充劑可以單獨(dú)使用或組合使用。相對(duì)于100質(zhì)量份固化性樹脂，填充劑的配混比例例如為0.1質(zhì)量份以上，優(yōu)選為0.5質(zhì)量份以上，并且例如為70質(zhì)量份以下，優(yōu)選為50質(zhì)量份以下。
[0085]作為溶劑，可列舉出:例如己烷等脂肪族烴，例如二甲苯等芳香族烴，例如乙烯基甲基環(huán)狀娃氧燒、兩末端乙稀基聚_■甲基娃氧燒等娃氧燒等。溶劑的配混比例可適當(dāng)設(shè)定。
[0086]熒光體樹脂組合物通過按上述配混比例配混熒光體和固化性樹脂(以及視需要而定的添加劑)并攪拌混合而以A階狀態(tài)制備。
[0087]然后，將A階的熒光體樹脂組合物涂布在未圖示的脫模片的表面，形成涂膜，之后，通過加熱使涂膜熱固化，和/或，通過活性能量射線(具體為紫外線)的照射進(jìn)行活性能量射線固化，由此制造由C階的熒光體樹脂組合物形成的含熒光體基板2。
[0088]含熒光體基板2的厚度例如為0.05mm以上，優(yōu)選為0.1mm以上，并且例如為3mm以下，優(yōu)選為Imm以下。如果含熒光體基板2的厚度不高于上述上限，即可以確保含熒光體基板2的優(yōu)異的透光性。此外，如果含熒光體基板2的厚度不低于上述下限，即可以確保含熒光體基板2的強(qiáng)度。
[0089]此外，含熒光體基板2在厚度0.1mm下相對(duì)于波長800nm的光的透射率例如為30%以上，優(yōu)選為40%以上，更優(yōu)選為55%以上，并且例如為75%以下。如果含熒光體基板2的透射率不低于上述下限，即可以提高含熒光體基板2的透光性。含熒光體基板2的透射率通過日本分光株式會(huì)社制造的分光光度計(jì)“V670”求出。
[0090]此外，對(duì)于含突光體基板2在25°C下的拉伸模量,在含突光體基板2由C階的突光體樹脂組合物形成時(shí)，例如為20MPa以下，優(yōu)選為1MPa以下，更優(yōu)選為7.5MPa以下，例如為0.2MPa以上。如果含熒光體基板2的拉伸模量不高于上述上限，即可以提高含熒光體基板2的柔軟性。含熒光體基板2的拉伸模量通過島津制作所的拉伸試驗(yàn)器“AGS-J”求出。
[0091]另一方面，對(duì)于含熒光體基板2的導(dǎo)熱率，在含熒光體基板2由陶瓷形成時(shí)，例如為lW/m.K以上，優(yōu)選為3W/m.K以上，更優(yōu)選為5W/m.K以上，并且例如為100W/m.K以下。含熒光體基板2的導(dǎo)熱率通過NETZSCH公司制造的“LFA 447”求出。
[0092]電極布線3形成為一體化地具備用于與后述的LED4(參見圖2A)的端子8電連接的電極5以及連接其的布線6的導(dǎo)體圖案。電極布線3例如由金、銅、銀、鎳等導(dǎo)體形成。
[0093]相對(duì)于I個(gè)LED4 (參見圖2A)，設(shè)置2個(gè)(I對(duì))電極5，具體而言，與在I個(gè)LED4上形成的2個(gè)端子8對(duì)應(yīng)地設(shè)置。
[0094]此外，也可以在電極布線3的表面(上表面和側(cè)面)形成未圖示的保護(hù)膜。從防止氧化或者引線鍵合(后述)的連接性的角度來看，保護(hù)膜例如以由Ni和/或Au制成的鍍覆層的形式形成。
[0095]電極布線3的尺寸可適當(dāng)設(shè)定，具體而言，電極5的最大長度例如為0.03mm以上，優(yōu)選為0.05mm以上，并且例如為50mm以下，優(yōu)選為5mm以下。此外，鄰接的電極5間的間隔例如為0.05mm以上,優(yōu)選為0.1mm以上，并且例如為3mm以下，優(yōu)選為Imm以下。此夕卜，布線6的寬度例如為20 μ m以上,優(yōu)選為30 μ m以上,并且例如為400 μ m以下,優(yōu)選為200 μ m以下。
[0096]電極布線3的厚度例如為10 μ m以上，優(yōu)選為25 μ m以上，并且例如為200 μ m以下，優(yōu)選為100 μ m以下。此外，未圖示的保護(hù)膜的厚度例如為10nm以上，優(yōu)選為300nm以上，并且例如為5μπι以下，優(yōu)選為Iym以下。
[0097]接著，參照?qǐng)D1A和圖1B對(duì)于該電路基板I的制造方法進(jìn)行說明。
[0098]在該方法中，首先如圖1A所示，準(zhǔn)備含熒光體基板2。
[0099]接著，該方法如圖1B所示，將電極布線3層疊在含熒光體基板2的上表面。
[0100]作為將電極布線3層疊在含熒光體基板2的上表面的方法，沒有特別限定，可使用公知的方法。
[0101]具體而言，在含熒光體基板2由陶瓷形成時(shí)，例如可舉出如下方法:使得用于形成電極布線3的導(dǎo)體片與含熒光體基板2的上表面整面接觸，接著，在例如Ar、N2等非活性氣氛中，在800?1200°C的溫度下加熱，形成由含熒光體基板2和導(dǎo)體片構(gòu)成的接合基板的方法(加熱接合法)。然后，通過對(duì)導(dǎo)體片進(jìn)行蝕刻等來形成電極布線3。
[0102]此外，在含熒光體基板2由陶瓷形成時(shí)，例如還可舉出如下方法:在含熒光體基板2的上表面將在導(dǎo)體的粉末中混合有機(jī)化合物等粘結(jié)劑和溶劑所制備的糊劑印刷成上述圖案，形成印刷圖案，通過點(diǎn)膠機(jī)沿著該印刷圖案配置導(dǎo)體片，在非活性氣氛或真空中，在上述溫度下加熱進(jìn)行接合(印刷-加熱接合法)。進(jìn)而，還可舉出Mo-Mn法、硫化銅法、銅金屬化法等。然后，通過對(duì)導(dǎo)體片進(jìn)行蝕刻等來形成導(dǎo)體圖案。
[0103]此外，作為將電極布線3層疊在含熒光體基板2的上表面的方法，還可列舉出將含有導(dǎo)體的導(dǎo)體糊劑印刷成上述圖案的印刷法。
[0104]或者，還可列舉出另行在支撐薄膜或者脫模薄膜等的上表面按上述導(dǎo)體圖案形成電極布線3，將電極布線3轉(zhuǎn)印至含熒光體基板2的轉(zhuǎn)印法。
[0105]在含熒光體基板2由C階的熒光體樹脂組合物形成時(shí)，由于熒光體樹脂組合物的耐熱性比陶瓷低，因此優(yōu)選采用印刷法、轉(zhuǎn)印法。
[0106]另一方面，在含突光體基板2由陶瓷形成時(shí),從提高含突光體基板2與電極布線3的接合強(qiáng)度的角度來看，優(yōu)選采用接合法、印刷-加熱接合法。
[0107]由此制造具備含熒光體基板2和電極布線3的電路基板I。
[0108]接著，參照?qǐng)D2A和圖2B對(duì)使用圖1B的電路基板I制造LED裝置7的方法進(jìn)行說明。
[0109]制造LED裝置7的方法包括準(zhǔn)備電路基板I的準(zhǔn)備工序以及以與電極布線3電連接的方式將作為光半導(dǎo)體元件的LED4安裝在電路基板I的含熒光體基板2上(厚度方向的一側(cè))的安裝工序。
[0110]在準(zhǔn)備工序中準(zhǔn)備圖1B所示的電路基板I。
[0111]安裝工序在準(zhǔn)備工序之后實(shí)施。
[0112]在安裝工序中，如圖2A的虛擬線所示，首先準(zhǔn)備LED4。
[0113]LED4采用用于后述的倒裝芯片安裝的倒裝芯片結(jié)構(gòu)(所謂的倒裝芯片)。LED4是將電能轉(zhuǎn)換成光能的光半導(dǎo)體元件，例如形成為厚度比面方向長度小的剖視大致矩形。
[0114]作為LED4，例如可舉出發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色LED (發(fā)光二極管元件)。LED4的尺寸根據(jù)用途和目的而適當(dāng)設(shè)定，具體而言，厚度例如為10 μ m以上、1000 μ m以下,最大長度例如為0.05mm以上，優(yōu)選為0.1mm以上，并且例如為5mm以下，優(yōu)選為2mm以下。
[0115]LED4的發(fā)光峰波長例如為400nm以上，優(yōu)選為430nm以上，并且例如為500nm以下，優(yōu)選為470nm以下。
[0116]此外，在LED4的下部形成有端子8。端子8在左右方向上隔開間隔地形成有2個(gè)，各端子8以與電極5對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置。
[0117]在安裝工序中，接著如圖2A的箭頭所示，相對(duì)于電路基板I倒裝芯片安裝LED4。具體而言，將LED4安裝于含熒光體基板2，并且將端子8與電極5電連接。
[0118]詳細(xì)而言，如圖2A的虛擬線所示，以端子8朝下的方式將LED4配置在電路基板I上，接著如圖2A的實(shí)線所示，根據(jù)需要而通過焊料(未圖示)等連接構(gòu)件將端子8與電極5連接。
[0119]由此制造具備電路基板I和安裝在電路基板I上的LED4的LED裝置7。
[0120]然后，根據(jù)需要而實(shí)施封裝工序。
[0121]在封裝工序中，如圖2B所示，通過由含有熒光體和封裝樹脂的熒光封裝樹脂組合物形成的熒光封裝層9對(duì)LED4進(jìn)行封裝。
[0122]熒光封裝層9是將自LED4向上方和側(cè)方發(fā)出的一部分藍(lán)色光轉(zhuǎn)換成黃色光、并且使其余藍(lán)色光透過的熒光體層，而且也是封裝LED4的封裝層。
[0123]對(duì)于突光體，可列舉出與在含突光體基板2中例不的突光體同樣的突光體。突光體在突光封裝層9中的含有比例與在含突光體基板2中例不的配混比例同樣。
[0124]作為封裝樹脂，例如可列舉出在含熒光體基板2中例示的透明樹脂，具體而言，可列舉出兩階段固化型樹脂、一階段固化型樹脂等固化性樹脂。
[0125]兩階段固化型樹脂具有兩階段的反應(yīng)機(jī)理，是在第一階段的反應(yīng)中B階化(半固化)、在第二階段的反應(yīng)中C階化(完全固化)的固化性樹脂。另一方面，一階段固化型有機(jī)硅樹脂具有一階段的反應(yīng)機(jī)理，是在第一階段的反應(yīng)中C階化(完全固化)的熱固化性樹脂。
[0126]另外，B階是兩階段固化型樹脂處于液態(tài)的A階與完全固化的C階之間的狀態(tài)，是固化和凝膠化僅稍微進(jìn)行、拉伸模量比C階的彈性模量小的狀態(tài)。
[0127]相對(duì)于熒光封裝樹脂組合物，封裝樹脂的配混比率例如為30質(zhì)量％以上，優(yōu)選為50質(zhì)量％以上，并且例如為99質(zhì)量％以下,優(yōu)選為95質(zhì)量％以下。
[0128]另外，在熒光封裝樹脂組合物中，可以根據(jù)需要而以適當(dāng)比例配混上述填充劑和/或溶劑。
[0129]為了通過熒光封裝層9封裝LED4，例如預(yù)先形成片狀的熒光封裝層9，接著通過該熒光封裝層9埋設(shè)LED4。
[0130]在封裝樹脂為兩階段固化型樹脂時(shí)，首先將上述各成分配混來制備A階的熒光封裝樹脂組合物。接著將A階的熒光封裝樹脂組合物涂布在未圖示的脫模片的表面，形成涂膜，接著將涂膜B階化，形成B階的熒光封裝層9。然后，將B階的熒光封裝層9轉(zhuǎn)印至安裝有LED4的電路基板I。
[0131]在轉(zhuǎn)印熒光封裝層9時(shí)，相對(duì)于電路基板I壓接涂膜。此外，根據(jù)需要而進(jìn)行熱壓接。由此，通過B階的熒光封裝層9埋設(shè)LED4，對(duì)LED4進(jìn)行封裝。
[0132]或者，也可以以被覆LED4的方式將A階的熒光封裝樹脂組合物涂布到電路基板I上，由此通過熒光封裝層9封裝LED4。
[0133]然后，對(duì)熒光封裝層9進(jìn)行C階化。
[0134]熒光封裝層9被覆LED4的上表面和側(cè)面。
[0135]由此具備電路基板1、安裝在電路基板I上的LED4以及在電路基板I上封裝LED4的熒光封裝層9。
[0136][作用效果]
[0137]該電路基板I由于具備含熒光體基板2，因此無需另行在含熒光體基板2的下表面設(shè)置如專利文獻(xiàn)I中記載的那種熒光體層，可以通過含熒光體基板2對(duì)向下方發(fā)出的光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換。因此，可以在增強(qiáng)LED裝置7的下方的光束的同時(shí)，減少LED裝置7中的部件數(shù)，簡化LED裝置7的構(gòu)成。結(jié)果，可以減少LED裝置7的制造工序數(shù)，簡化制造方法，提高LED裝置7的生產(chǎn)率，降低制造成本。
[0138]根據(jù)該電路基板I，由于含熒光體基板2是透光性的，因此由LED4向下側(cè)發(fā)出的光一邊透過含熒光體基板2—邊被波長轉(zhuǎn)換。因此，可以防止向下側(cè)的發(fā)光量降低。
[0139]如果該電路基板I的含熒光體基板2由陶瓷形成，則散熱性優(yōu)異。
[0140]如果該電路基板I的含熒光體基板2由C階的熒光體樹脂組合物形成，則柔軟性優(yōu)異。
[0141]此外，該LED裝置7由于電路基板I具備含熒光體基板2，因此無需另行在含熒光體基板2的下側(cè)設(shè)置如專利文獻(xiàn)I中記載的那種熒光體層，可以通過含熒光體基板2對(duì)由LED4向下方發(fā)出的光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換。因此，可以在下方的光束優(yōu)異的同時(shí)減少部件數(shù)，簡化LED裝置7的構(gòu)成。結(jié)果，可以提高LED裝置7的生產(chǎn)率。
[0142]進(jìn)而，在該LED裝置7中，通過熒光封裝層9封裝LED4，可以提高可靠性，并且通過熒光封裝層9對(duì)由LED4向上方和側(cè)方發(fā)出的光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換，可以增強(qiáng)這些光的光束。因此，可以將LED裝置7制成能夠自上下兩面發(fā)光的兩面發(fā)光類型。
[0143]此外，根據(jù)上述方法，通過以與電極布線3電連接的方式將LED4安裝在電路基板I的含熒光體基板2的厚度方向的一側(cè)來制造LED裝置7。因此，可以減少LED裝置7中的部件數(shù)，相應(yīng)地減少LED裝置7的制造工序數(shù)，簡化制造方法，提高LED裝置7的生產(chǎn)率，降低制造成本。
[0144]〈變形例〉
[0145]在圖3A之后的各附圖中，對(duì)于與上述各部對(duì)應(yīng)的構(gòu)件，標(biāo)以相同的附圖標(biāo)記，省略其詳細(xì)說明。
[0146]如圖2B的虛擬線所示，可以在第I實(shí)施方式的熒光封裝層9上進(jìn)一步設(shè)置散熱構(gòu)件10。
[0147]散熱構(gòu)件10例如由金屬、導(dǎo)熱性樹脂等導(dǎo)熱性材料形成為沿面方向延伸的大致矩形的板狀。散熱構(gòu)件10的下表面與熒光封裝層9的上表面的整面接觸，此外，散熱構(gòu)件10以在俯視下包括熒光封裝層9的方式配置，散熱構(gòu)件10形成得比熒光封裝層9大。
[0148]通過在LED裝置7中設(shè)置散熱構(gòu)件10，可以借助于熒光封裝層9使自LED4產(chǎn)生的熱量向散熱構(gòu)件10散熱。
[0149]如圖2B所示，可以代替第I實(shí)施方式的熒光封裝層9，通過作為反射層的反射封裝層19對(duì)LED4進(jìn)行封裝。
[0150]反射封裝層19由不含熒光體但含有光反射成分和封裝樹脂的反射封裝樹脂組合物所形成。
[0151 ] 光反射成分例如為白色的化合物，作為這種白色的化合物，具體可列舉出白色顏料。
[0152]對(duì)于白色顏料，例如可列舉出白色無機(jī)顏料、白色有機(jī)顏料(例如散射用珠等)，優(yōu)選列舉出白色無機(jī)顏料。
[0153]作為白色無機(jī)顏料，可列舉出:例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯等氧化物，例如鉛白(碳酸鉛)、碳酸I丐等碳酸鹽，例如聞嶺土(聞嶺石)等粘土礦物等。
[0154]作為白色無機(jī)顏料，優(yōu)選列舉出氧化物，進(jìn)一步優(yōu)選列舉出氧化鈦。
[0155]這種氧化鈦具體為T12、(氧化鈦(IV)、二氧化鈦)。
[0156]對(duì)氧化鈦的晶體結(jié)構(gòu)沒有特別限定，例如為金紅石、板鈦礦(板鈦石)、銳鈦礦(銳鈦石)等，優(yōu)選為金紅石。
[0157]此外，對(duì)氧化鈦的晶系沒有特別限定，例如為正方晶系、斜方晶系等，優(yōu)選為正方晶系。
[0158]光反射成分為顆粒狀，對(duì)其形狀沒有限定，例如可列舉出球狀、板狀、針狀等。光反射成分的最大長度的平均值(為球狀時(shí)，是指其平均粒徑)例如為Inm以上且100nm以下。
[0159]相對(duì)于100質(zhì)量份封裝樹脂,光反射成分的配混比例例如為0.5質(zhì)量份以上,優(yōu)選為1.5質(zhì)量份以上,并且例如為90質(zhì)量份以下,優(yōu)選為70質(zhì)量份以下。
[0160]此外，光反射成分也可以采用空孔(泡)?？湛淄ㄟ^與封裝樹脂的界面來反射由LED4發(fā)出的光。空孔的形狀例如為球狀，其平均直徑例如為Inm以上且100nm以下。按體積比計(jì)，相對(duì)于100體積份封裝樹脂，空孔的存在比例例如為3體積份以上，優(yōu)選為5體積份以上，并且例如為80體積份以下，優(yōu)選為60體積份以下。
[0161 ] 上述光反射成分在封裝樹脂中均勻分散混合。
[0162]此外，在反射樹脂組合物中，還可以添加上述的填充劑。即，可以將填充劑與光反射成分組合使用。
[0163]反射封裝層19通過與上述熒光封裝層9同樣的方法形成，對(duì)LED4進(jìn)行封裝。
[0164]接著，該LED裝置7通過反射封裝層19封裝LED4，可以提高可靠性，同時(shí)通過反射封裝層19將由LED4向上方和側(cè)方發(fā)出的光朝下方反射，可以提高下方的發(fā)光效率。
[0165]此外，如圖2B的虛擬線所示，可以在反射封裝層19上進(jìn)一步設(shè)置散熱構(gòu)件10。
[0166]通過在LED裝置7中設(shè)置散熱構(gòu)件10，可以借助于反射封裝層19使自LED4產(chǎn)生的熱量向散熱構(gòu)件10散熱。
[0167]此外，可以代替第I實(shí)施方式的熒光封裝層9，通過封裝層29對(duì)LED4進(jìn)行封裝。
[0168]封裝層29由不含熒光體和光反射成分但含有封裝樹脂的封裝樹脂組合物形成。
[0169]封裝層29通過與上述熒光封裝層9同樣的方法形成，對(duì)LED4進(jìn)行封裝。
[0170]接著，該LED裝置7通過封裝層29封裝LED4，可以提高可靠性。
[0171]此外，如圖2B的虛擬線所示，可以在封裝層29上進(jìn)一步設(shè)置散熱構(gòu)件10。
[0172]通過在LED裝置7中設(shè)置散熱構(gòu)件10，可以借助于封裝層29使自LED4產(chǎn)生的熱量向散熱構(gòu)件10散熱。
[0173][第2實(shí)施方式]
[0174]第I實(shí)施方式如圖1B所不,相對(duì)于I個(gè)含突光體基板2設(shè)置有I對(duì)電極5,而第2實(shí)施方式如圖3A所示，可以設(shè)置多對(duì)電極5 (具體為4對(duì))。多對(duì)電極5沿面方向相互隔開間隔地整列配置。
[0175]此外，電極布線3具備與各電極5電連接的輸入電極5a。輸入電極5a在左側(cè)端部的電極5的左側(cè)隔開間隔地設(shè)置。
[0176]布線6(參見圖1B)在圖3A中雖未圖示，但其形成為一端與電極5連接、另一端與輸入電極5a連接。
[0177]參照?qǐng)D3A、圖3B和圖3C對(duì)使用該電路基板I制造LED裝置7的方法進(jìn)行說明。
[0178]該方法具備準(zhǔn)備工序、安裝工序和封裝工序。
[0179]準(zhǔn)備工序如圖3A所示，準(zhǔn)備具備上述圖案的電極布線3的電路基板I。
[0180]安裝工序如圖3B所示，相對(duì)于電路基板I倒裝芯片安裝多個(gè)LED4。具體而言，將多個(gè)LED4的端子8 (參見圖2A)與多對(duì)電極5電連接。
[0181]封裝工序首先將封裝層29層疊在散熱構(gòu)件10下。
[0182]封裝層29以露出散熱構(gòu)件10的周端部的下表面的方式層疊在散熱構(gòu)件10的中央部的下表面。
[0183]封裝層29的厚度例如為100 μ m以上，優(yōu)選為400 μ m以上，并且例如為2mm以下，優(yōu)選為1.2mm以下。
[0184]此外，在散熱構(gòu)件10的下表面設(shè)置有輸入端子11。輸入端子11在封裝層29的外側(cè)隔開間隔地形成。輸入端子11與未圖示的電源電連接。此外，在輸入端子11的下表面設(shè)置有焊料13。
[0185]接著如圖3C所示，相對(duì)于安裝LED4的電路基板I，按壓層疊有封裝層29的散熱構(gòu)件10。由此，通過I個(gè)封裝層29對(duì)多個(gè)LED4 —起進(jìn)行埋設(shè)和封裝。另外，封裝層29被覆各LED4的上表面。由此，散熱構(gòu)件10與多個(gè)LED4在厚度方向上隔著封裝層29配置。
[0186]此外，在利用封裝層29封裝多個(gè)LED4的同時(shí)，使焊料13與輸入電極5a的上表面接觸。
[0187]接著，對(duì)封裝層29和焊料13進(jìn)行加熱。由此，在封裝層29含有熱固化性樹脂時(shí)使封裝層29固化，并且使焊料13熔融將輸入端子11與輸入電極5a電連接。
[0188]由此制造具備電路基板1、多個(gè)LED4、封裝層29和散熱構(gòu)件10的LED裝置7。
[0189]根據(jù)該LED裝置7，可以借助于封裝層29使自多個(gè)LED4產(chǎn)生的熱量向散熱構(gòu)件10散熱。
[0190][第3實(shí)施方式]
[0191]在第2實(shí)施方式中，如圖3C所示，散熱構(gòu)件10與多個(gè)LED4在上下方向(厚度方向)上隔開間隔，而第3實(shí)施方式如圖4C所示那樣使它們接觸。
[0192]如圖4B所示，在相對(duì)于散熱構(gòu)件10的電路基板I按壓封裝層29時(shí)，封裝層29調(diào)整為從散熱構(gòu)件10與多個(gè)LED4之間排除且不與輸入端子11接觸的厚度。具體而言，封裝層29的厚度例如為100 μ m以上，優(yōu)選為400 μ m以上，并且例如為2mm以下，優(yōu)選為1.2mm以下。
[0193]相對(duì)于安裝LED4的電路基板1，按壓層疊有封裝層29的散熱構(gòu)件10，使得封裝層29從散熱構(gòu)件10與多個(gè)LED4之間排除。
[0194]由此使得散熱構(gòu)件10與多個(gè)LED4接觸。
[0195]該LED裝置7可以無需借助于封裝層29而使自多個(gè)LED4產(chǎn)生的熱量直接向散熱構(gòu)件10散熱。
[0196]詳細(xì)而言，可以使自多個(gè)LED4產(chǎn)生的熱量朝著散熱構(gòu)件10向上方散熱，另一方面，使由LED4發(fā)出的光借助于含熒光體基板2向下方照射。進(jìn)而，由未圖示的電源借助輸入端子11、焊料13和電極布線3(輸入電極5a、布線6(參見圖1B)和電極5)將電流輸入LED4。即，電流向側(cè)方流動(dòng)。如此，熱量的通路自LED4向上方形成，光的通路自LED4向下方形成，電流的通路相對(duì)于LED4向側(cè)方形成。因此，可以將熱、光和電流各自的通路分離成3個(gè)方向。結(jié)果，可以簡化LED裝置7的設(shè)計(jì)，并且形成考慮了散熱性的設(shè)計(jì)。
[0197][第4實(shí)施方式]
[0198]第I實(shí)施方式如圖2A和圖2B所示，在LED4的下表面形成端子8，通過該端子8與電極5電連接，相對(duì)于電路基板I倒裝芯片安裝LED4，而第4實(shí)施方式如圖5所示，相對(duì)于電極5引線鍵合連接LED4。
[0199]電極布線3形成為可確保含熒光體基板2中的LED4所安裝的安裝區(qū)域14的圖案。即，電極布線3在安裝區(qū)域14的外側(cè)隔開間隔地形成。
[0200]此外，LED4相對(duì)于電極5采用用于引線鍵合連接的面朝上結(jié)構(gòu)(所謂的面朝上芯片)。LED4形成為在主視圖中左右方向的長度越往上越大的大致錐臺(tái)形狀。在LED4的上表面形成有I對(duì)端子8。
[0201]此外，LED裝置7在LED4與含熒光體基板2的安裝區(qū)域14之間設(shè)置有粘接劑層15。
[0202]粘接劑層15由透光性或透明的粘接劑形成。作為粘接劑，例如可列舉出有機(jī)硅類、環(huán)氧類、丙烯酸類、含有上述樹脂和填充劑的糊劑等。
[0203]粘接劑層15將LED4的下表面與含熒光體基板2的上表面粘接。
[0204]粘接劑層15的厚度例如為2 μ m以上，優(yōu)選為5 μ m以上，并且例如為500 μ m以下，優(yōu)選為100 μ m以下。
[0205]為了將LED4安裝在電路基板I上，借助粘接劑層15將LED4安裝在安裝區(qū)域14，并且通過引線12將端子8與電極5電連接。
[0206]引線12形成為線狀，其一端與LED4的端子8電連接，另一端與電極5電連接。
[0207]作為引線12的材料，例如可列舉出金、銀、銅等可用作LED4的引線鍵合材料的金屬材料，從耐腐蝕性的角度來看，優(yōu)選列舉出金。
[0208]引線12的線徑(粗細(xì))例如為10 μ m以上,優(yōu)選為20 μ m以上,并且例如為100 μ m以下，優(yōu)選為50 μ m以下。
[0209]此外，引線12為在端子8與電極5連接的狀態(tài)下彎曲或屈曲而形成為大致弧形(例如三角弧形、四角弧形、圓弧形等)。
[0210]根據(jù)第4實(shí)施方式，可以發(fā)揮與第I實(shí)施方式同樣的作用效果。
[0211]此外，如果是現(xiàn)有的引線鍵合連接，由LED4向上方和側(cè)方發(fā)出的光的一部分會(huì)被引線12遮擋而導(dǎo)致發(fā)光量減少。然而，在該第4實(shí)施方式中，如圖5所示，由于自LED4發(fā)出的光借助于含熒光體基板2而朝向下方，因此可以確實(shí)地防止上述發(fā)光量的減少。因此，可以在為能夠容易實(shí)現(xiàn)與布線6的電連接的引線鍵合連接的同時(shí)，確實(shí)地防止LED裝置7的發(fā)光量的減少。
[0212][第5實(shí)施方式]
[0213]第4實(shí)施方式如圖5所示，將LED4形成為前視大致錐臺(tái)形狀，但對(duì)LED4的主視形狀沒有特別限定，在第5實(shí)施方式中，也可以如圖6所示那樣形成為例如主視大致矩形。
[0214]通過第5實(shí)施方式也可以發(fā)揮與第4實(shí)施方式同樣的作用效果。
[0215][第6實(shí)施方式]
[0216]第4實(shí)施方式和第5實(shí)施方式如圖5和圖6所示，將用于引線鍵合連接的LED4 (所謂的面朝上芯片)安裝于電路基板1，但對(duì)LED4的結(jié)構(gòu)(類型)、安裝方法和連接方法沒有特別限定，第6實(shí)施方式如圖7所示，還可以相對(duì)于電路基板I，將用于第I實(shí)施方式?第3實(shí)施方式的倒裝芯片安裝的LED4(所謂的倒裝芯片、參見圖1A、圖1B、圖2A、圖2B、圖3A、圖3B和圖3C以及圖4A、圖4B和圖4C)引線鍵合連接。
[0217]S卩，使圖2A所示的LED4上下翻轉(zhuǎn)，如圖7所示，將該LED4借助于粘接劑層15安裝在含熒光體基板2上。
[0218]另一方面，在LED4的端子8電連接引線12。
[0219]根據(jù)第6實(shí)施方式，可以發(fā)揮與第I實(shí)施方式同樣的作用效果。
[0220]一方面，第I實(shí)施方式的LED裝置7如圖2B所示，由LED4向下方發(fā)出的光的一部分被端子8、電極5和在LED4的下側(cè)相對(duì)配置的布線6遮擋而導(dǎo)致發(fā)光量減少。
[0221]然而，另一方面，第6實(shí)施方式的LED裝置7如圖7所示，端子8設(shè)置在LED4的上表面，且電極布線3在LED4的外側(cè)隔開間隔地配置，因此可以確實(shí)地防止圖2B的LED裝置7這種發(fā)光量的減少。
[0222][第7實(shí)施方式]
[0223]第5實(shí)施方式如圖6所示，將LED4作為面朝上芯片，使端子8朝上側(cè)與電極5進(jìn)行引線鍵合連接，而在第7實(shí)施方式中，如圖8A的箭頭所示，也可以使圖6的LED4上下翻轉(zhuǎn)，使端子8朝下側(cè)，如圖SB的箭頭所示，直接或者借助于未圖示的焊料與布線6進(jìn)行電連接。
[0224]第7實(shí)施方式將圖8A所示的面朝上芯片的LED4上下翻轉(zhuǎn)而安裝于電路基板1，圖SB的端子8的平面面積設(shè)計(jì)得比圖2A的倒裝芯片的LED4的端子8的平面面積小。
[0225]因此，根據(jù)第7實(shí)施方式，與第I實(shí)施方式的圖2B的LED4相比，可以抑制由LED4向下方發(fā)出的光中被端子8遮擋的光量。
[0226][變形例]
[0227]上述各實(shí)施方式中，作為本實(shí)用新型中的光半導(dǎo)體元件和光半導(dǎo)體裝置，分別以LED4和LED裝置7作為一例進(jìn)行了說明，而例如也可以分別采用LD (激光二極管)4和激光二極管裝置7。
[0228]需要說明的是，雖然作為本實(shí)用新型的例示實(shí)施方式給出了上述技術(shù)方案，但這僅僅是單純的例示，不應(yīng)做限定性解釋。本領(lǐng)域技術(shù)人員所清楚的本實(shí)用新型的變形例是包括在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)的。
[0229]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0230]電路基板用于光半導(dǎo)體裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種電路基板，其特征在于，具備:用于將光半導(dǎo)體元件安裝在厚度方向的一側(cè)的含熒光體基板，和，層疊在所述含熒光體基板的厚度方向的一面、用于與所述光半導(dǎo)體元件電連接的電極布線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述含熒光體基板是透光性的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述含熒光體基板由陶瓷形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述含熒光體基板由含有熒光體和固化性樹脂的C階的熒光體樹脂組合物形成。
5.一種光半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有下述的電路基板和下述的光半導(dǎo)體元件: 所述電路基板具備:用于將光半導(dǎo)體元件安裝在厚度方向的一側(cè)的含熒光體基板，和，層疊在所述含熒光體基板的厚度方向的一面、用于與所述光半導(dǎo)體元件電連接的電極布線；以及， 所述光半導(dǎo)體元件以與所述電極布線電連接的方式安裝在所述電路基板的所述含熒光體基板的厚度方向的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備設(shè)置在所述含熒光體基板的厚度方向的一側(cè)的封裝層、反射層和熒光體層中的至少一者。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK204216083SQ201420238154
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月9日
【發(fā)明者】藤井宏中, 二宮明人 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社