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      高能電子注入式半導(dǎo)體激光器的制造方法

      文檔序號:7076950閱讀:320來源:國知局
      高能電子注入式半導(dǎo)體激光器的制造方法
      【專利摘要】本實用新型屬于儀器設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種高能電子注入式半導(dǎo)體激光器,所述套管內(nèi)設(shè)有諧振腔、回氣腔、放電腔,所述回氣腔內(nèi)部設(shè)有儲氣套管,所述儲氣套管上設(shè)有貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶、氣壓監(jiān)測器,所述貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶之間設(shè)有電磁真空充氣閥,所述鎮(zhèn)氣瓶、氣壓檢測器之間設(shè)有波紋管,所述氣壓檢測器部分位于所述回氣腔內(nèi),部分穿過回氣腔位于所述回氣腔外面,所述導(dǎo)體陽極由外及內(nèi)依次為上電極、上光限制層、上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層、下光限制層、背電極層,所述上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層之間設(shè)有有源層,所述下光限制層、背電極層之間設(shè)有襯底,所述上光限制層的截面形狀為脊波導(dǎo)。
      【專利說明】高能電子注入式半導(dǎo)體激光器

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型屬于儀器設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種高能電子注入半導(dǎo)體激光器。

      【背景技術(shù)】
      [0002]半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件,其工作原理是通過一定的激勵方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間,實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時,便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。半導(dǎo)體激光器的激勵方式主要有三種,即電注入式,光泵式和高能電子束激勵式。例如中國專利201310499966.X公開了一種半導(dǎo)體激光器,包括熱沉、芯片及設(shè)置在熱沉上的負(fù)極帶,在所述熱沉上焊接絕緣導(dǎo)熱層,所述芯片焊接在絕緣導(dǎo)熱層上,在絕緣導(dǎo)熱層上還焊接有焊片,該焊片連接有與負(fù)極帶對應(yīng)的正極帶,在芯片的一端設(shè)置有光纖。芯片發(fā)生激光,通過光纖傳出,兩極帶連接供電源供電,熱沉散熱。這種結(jié)構(gòu)的激光器出光率偏低、使用壽命短,實施效果非常不理想。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本實用新型提供一種高能電子注入式半導(dǎo)體激光器,以解決上述【背景技術(shù)】中提出的出光率低、使用壽命短的問題。
      [0004]本實用新型所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):本實用新型提供一種高能電子注入式半導(dǎo)體激光器,其特征在于:包括套管,所述套管內(nèi)設(shè)有諧振腔、回氣腔、放電腔,所述諧振腔、回氣腔、放電腔相通且所述回氣腔位于所述諧振腔與放電腔之間,所述諧振腔內(nèi)設(shè)有石英片,所述石英片外面套有石墨環(huán),所述石墨環(huán)上設(shè)有放電毛細(xì)管,所述放電毛細(xì)管成一水平直線,所述石英片一端設(shè)有導(dǎo)體陽極,所述導(dǎo)體陽極外面套有隔熱管,所述隔熱管外面套有布氏窗,所述布氏窗一端位于所述諧振腔內(nèi),另一端穿過所述套管位于套管外面,所述諧振腔外面設(shè)有空心圓筒,所述空心圓筒內(nèi)設(shè)有磁場線圈,所述放電腔內(nèi)設(shè)有導(dǎo)體陰極,所述導(dǎo)體陰極內(nèi)部對稱設(shè)有反射鏡A、反射鏡B,所述反射鏡A、反射鏡B之間設(shè)有保熱管,所述導(dǎo)體陰極一側(cè)設(shè)有加熱燈絲,所述加熱燈絲一端穿過套管位于套管外面,所述加熱燈絲水平設(shè)置,所述回氣腔內(nèi)壁設(shè)有冷水管道,所述冷水管道一側(cè)設(shè)有進水口,另一側(cè)設(shè)有出水口,所述回氣腔內(nèi)部設(shè)有儲氣套管,所述儲氣套管上設(shè)有貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶、氣壓監(jiān)測器,所述貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶之間設(shè)有電磁真空充氣閥,所述鎮(zhèn)氣瓶、氣壓檢測器之間設(shè)有波紋管,所述氣壓檢測器部分位于所述回氣腔內(nèi),部分穿過回氣腔位于所述回氣腔外面,所述導(dǎo)體陽極由外及內(nèi)依次為上電極、上光限制層、上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層、下光限制層、背電極層,所述上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層之間設(shè)有有源層,所述下光限制層、背電極層之間設(shè)有襯底,所述上光限制層的截面形狀為脊波導(dǎo)。
      [0005]所述石英片并列等距排列。
      [0006]所述保熱管的數(shù)量為3個,且為環(huán)形。
      [0007]本實用新型的有益效果為:
      [0008]I本專利結(jié)構(gòu)緊湊、結(jié)構(gòu)合理,通過增加貯氣和充氣的設(shè)置,可以使管內(nèi)氣體迅速清除,使管內(nèi)氣壓降低,增強整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
      [0009]2導(dǎo)體陽極采用本專利的分層結(jié)構(gòu),可以使電子注入后復(fù)合發(fā)光,且橫向范圍受到限制,形成光波導(dǎo),使發(fā)光率增強。
      [0010]3上光限制層經(jīng)過刻蝕工藝,形成脊波導(dǎo),可以限制電流的側(cè)向擴散,致使大量的電子涌入有源層,在有源層產(chǎn)生大量的光子,光子在波導(dǎo)的作用下投射到反光鏡上,使出光率達(dá)到最大值。
      [0011]4回氣腔的設(shè)置,可以平衡放電離子的平衡,有助于激光的功率轉(zhuǎn)換。
      [0012]5磁場線圈的設(shè)置,可以使激光譜線展寬,增強輸出功率。
      [0013]6導(dǎo)體陽極的工作溫度一般在1000°C左右,通過隔熱管的設(shè)置可以對布氏窗進行保護。
      [0014]7將冷水管道與回氣腔配合設(shè)置,可以通過對管內(nèi)氣體的溫控從而實現(xiàn)對導(dǎo)體的溫控,延長導(dǎo)體的使用壽命。
      [0015]8氣壓檢測器的設(shè)置可以對管內(nèi)壓力進行實時監(jiān)控,保證設(shè)備的正常工作。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0016]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0017]圖2是本實用新型的導(dǎo)體陽極結(jié)構(gòu)示意圖。

      【具體實施方式】
      [0018]以下結(jié)合附圖對本實用新型做進一步描述:
      [0019]圖中:1-布氏窗,2-隔熱管,3-導(dǎo)體陽極,4-石墨環(huán),5-石英片,6-放電毛細(xì)管,7-空心圓筒,8-磁場線圈,9-諧振腔,10-套管,11-放電腔,12-導(dǎo)體陰極,13-反射鏡A,14-反射鏡B,15-保熱管,16-加熱燈絲,17-回氣腔,18-貯氣瓶,19-電磁真空充氣閥,20-鎮(zhèn)氣瓶,21-波紋管,22-儲氣套管,23-氣壓檢測器,24-冷水管道,25-出水口,26-進水口,27-上電極,28-上光限制層,29-上波導(dǎo)層,30-有源層,31-下波導(dǎo)層,32-下光限制層,33-襯底,34-背電極層。
      [0020]實施例:
      [0021]本實施例包括套管10,套管10內(nèi)設(shè)有諧振腔9、回氣腔17、放電腔11,諧振腔9、回氣腔17、放電腔11相通且回氣腔17位于諧振腔9與放電腔11之間,諧振腔9內(nèi)設(shè)有石英片5,石英片5外面套有石墨環(huán)4,石墨環(huán)4上設(shè)有放電毛細(xì)管6,放電毛細(xì)管6成一水平直線,石英片5 —端設(shè)有導(dǎo)體陽極3,導(dǎo)體陽極3外面套有隔熱管2,隔熱管2外面套有布氏窗1,布氏窗I 一端位于諧振腔9內(nèi),另一端穿過套管10位于套管10外面,諧振腔9外面設(shè)有空心圓筒7,空心圓筒7內(nèi)設(shè)有磁場線圈8,放電腔11內(nèi)設(shè)有導(dǎo)體陰極12,導(dǎo)體陰極12內(nèi)部對稱設(shè)有反射鏡A13、反射鏡B14,反射鏡A13、反射鏡B14之間設(shè)有保熱管15,導(dǎo)體陰極12一側(cè)設(shè)有加熱燈絲16,加熱燈絲16—端穿過套管10位于套管10外面,加熱燈絲16水平設(shè)置,回氣腔17內(nèi)壁設(shè)有冷水管道24,冷水管道24 —側(cè)設(shè)有進水口 26,另一側(cè)設(shè)有出水口25,回氣腔17內(nèi)部設(shè)有儲氣套管22,儲氣套管22上設(shè)有貯氣瓶18、鎮(zhèn)氣瓶20、氣壓監(jiān)測器23,貯氣瓶18、鎮(zhèn)氣瓶20之間設(shè)有電磁真空充氣閥19,鎮(zhèn)氣瓶20、氣壓檢測器23之間設(shè)有波紋管21,氣壓檢測器23部分位于回氣腔17內(nèi),部分穿過回氣腔17位于回氣腔17外面,導(dǎo)體陽極12由外及內(nèi)依次為上電極27、上光限制層28、上波導(dǎo)層29、下波導(dǎo)層31、下光限制層32、背電極層34,上波導(dǎo)層29、下波導(dǎo)層31之間設(shè)有有源層30,下光限制層32、背電極層34之間設(shè)有襯底33,上光限制層28的截面形狀為脊波導(dǎo),石英片5并列等距排列,保熱管15的數(shù)量為3個,且為環(huán)形。
      [0022]利用本實用新型所述的技術(shù)方案,或本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型技術(shù)方案的啟發(fā)下,設(shè)計出類似的技術(shù)方案,而達(dá)到上述技術(shù)效果的,均是落入本實用新型的保護范圍。
      【權(quán)利要求】
      1.一種高能電子注入式半導(dǎo)體激光器,其特征在于:包括套管,所述套管內(nèi)設(shè)有諧振腔、回氣腔、放電腔,所述諧振腔、回氣腔、放電腔相通且所述回氣腔位于所述諧振腔與放電腔之間,所述諧振腔內(nèi)設(shè)有石英片,所述石英片外面套有石墨環(huán),所述石墨環(huán)上設(shè)有放電毛細(xì)管,所述放電毛細(xì)管成一水平直線,所述石英片一端設(shè)有導(dǎo)體陽極,所述導(dǎo)體陽極外面套有隔熱管,所述隔熱管外面套有布氏窗,所述布氏窗一端位于所述諧振腔內(nèi),另一端穿過所述套管位于套管外面,所述諧振腔外面設(shè)有空心圓筒,所述空心圓筒內(nèi)設(shè)有磁場線圈,所述放電腔內(nèi)設(shè)有導(dǎo)體陰極,所述導(dǎo)體陰極內(nèi)部對稱設(shè)有反射鏡A、反射鏡B,所述反射鏡A、反射鏡B之間設(shè)有保熱管,所述導(dǎo)體陰極一側(cè)設(shè)有加熱燈絲,所述加熱燈絲一端穿過套管位于套管外面,所述加熱燈絲水平設(shè)置,所述回氣腔內(nèi)壁設(shè)有冷水管道,所述冷水管道一側(cè)設(shè)有進水口,另一側(cè)設(shè)有出水口,所述回氣腔內(nèi)部設(shè)有儲氣套管,所述儲氣套管上設(shè)有貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶、氣壓監(jiān)測器,所述貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶之間設(shè)有電磁真空充氣閥,所述鎮(zhèn)氣瓶、氣壓檢測器之間設(shè)有波紋管,所述氣壓檢測器部分位于所述回氣腔內(nèi),部分穿過回氣腔位于所述回氣腔外面,所述導(dǎo)體陽極由外及內(nèi)依次為上電極、上光限制層、上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層、下光限制層、背電極層,所述上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層之間設(shè)有有源層,所述下光限制層、背電極層之間設(shè)有襯底,所述上光限制層的截面形狀為脊波導(dǎo)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高能電子注入式半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述石英片并列等距排列。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高能電子注入式半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述保熱管的數(shù)量為3個,且為環(huán)形。
      【文檔編號】H01S5/06GK203951034SQ201420254145
      【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年5月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月19日
      【發(fā)明者】蔡元學(xué), 姜春香 申請人:天津博霆科技有限公司
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