一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，由n個(gè)具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)構(gòu)成，其中，第一子級發(fā)光二極管上設(shè)置第一電極，第n子級發(fā)光二極管上設(shè)置第二電極。本實(shí)用新型可以增加有源區(qū)的出光面積，提高發(fā)光效率。
【專利說明】一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是指一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，作為主要的光源得到迅猛發(fā)展。近年來，發(fā)光二極管的應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速擴(kuò)展，應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大，而提高亮度和降低成本成為發(fā)光二極管領(lǐng)域發(fā)展目標(biāo)。
[0003]使用高壓發(fā)光二極管(HV-LED)可明顯降低發(fā)光二極管的應(yīng)用成本。HV-LED具有兩優(yōu)點(diǎn):一，有效降低發(fā)光二極管照明燈具成本和重量，可以大于270度發(fā)光；二，HV-LED高電壓、小電流工作，降低發(fā)熱，從而降低對散熱系統(tǒng)的要求，燈具結(jié)構(gòu)可以節(jié)省散熱材料。
[0004]HV-LED高電壓、小電流工作條件顛覆了傳統(tǒng)LED低電壓、大電流工作條件。同時(shí)，HV-LED只需高壓線性恒流源就能工作，高壓線性恒流電源無變壓器、無電解電容器，解決普通LED的驅(qū)動(dòng)電源和電解電容器的壽命問題。
[0005]然而，現(xiàn)有技術(shù)中，提高高壓發(fā)光二極管亮度主要在于提高單個(gè)發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率及外量子效率，主要通過改變單個(gè)發(fā)光二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，而所述提高高壓發(fā)光二極管發(fā)光效率的局限難以突破，本實(shí)用新型提供一種新型的提高發(fā)光二極管發(fā)光效率的高壓結(jié)構(gòu)，本案由此產(chǎn)生。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的在于提供一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，以增加有源區(qū)的出光面積，提高發(fā)光效率。
[0007]為達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型的解決方案為:
[0008]一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，由η個(gè)具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)構(gòu)成，其中，各子級發(fā)光二極管都包含獨(dú)立的有源區(qū)且通過外延絕緣層互相隔開；有源區(qū)第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層，有源區(qū)第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層；
[0009]第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置導(dǎo)電通道，介質(zhì)層上設(shè)置金屬反射層，且金屬反射層通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；
[0010]第二子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置ΙΤΟ導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置導(dǎo)電通道，介質(zhì)層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；
[0011]第二子級發(fā)光二極管與第一子級發(fā)光二極管之間設(shè)置外延絕緣層，且外延絕緣層中設(shè)置導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道與第一子級發(fā)光二極管的金屬反射層形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管的ΙΤΟ導(dǎo)電層形成連接；
[0012]第三子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置ΙΤΟ導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置導(dǎo)電通道，介質(zhì)層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；依次串聯(lián)連接至第η子級發(fā)光二極管第一型導(dǎo)電層上設(shè)置的ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二電極，且第二電極通過第二電極絕緣層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)側(cè)面區(qū)域分開。
[0013]一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，由η個(gè)具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)構(gòu)成，其中，各子級發(fā)光二極管都包含獨(dú)立的有源區(qū)且通過外延絕緣層互相隔開；有源區(qū)第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層，有源區(qū)第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層；
[0014]第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二ΙΤΟ導(dǎo)電層，第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；
[0015]第二子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層設(shè)置第一 ΙΤΟ導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層，第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；
[0016]第二子級發(fā)光二極管與第一子級發(fā)光二極管之間設(shè)置外延絕緣層，且外延絕緣層中設(shè)置導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道與第一子級發(fā)光二極管的第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管的第一 ΙΤΟ導(dǎo)電層形成連接；
[0017]第三子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一 ΙΤΟ導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層，第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層上設(shè)置金屬反射層，在金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；依次串聯(lián)連接至第η子級發(fā)光二極管第一型導(dǎo)電層上設(shè)置的第一 ΙΤΟ導(dǎo)電層；第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層上設(shè)置第二電極，且第二電極通過第二電極絕緣層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)側(cè)面區(qū)域分開。
[0018]進(jìn)一步，子級發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)η為2-220。串聯(lián)子級發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)為2-220，所串聯(lián)的發(fā)光二極管的整體工作電壓范圍在3-440V之間。采用此設(shè)計(jì)的高壓LED具有廣泛的應(yīng)用范圍，亦可直接應(yīng)用于民用的電壓區(qū)間，可節(jié)省封裝及應(yīng)用中的電路及器件的制作成本，也節(jié)約使用過程的電能消耗。
[0019]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管共用非導(dǎo)電鍵合層該同一層功能結(jié)構(gòu)，且各子級發(fā)光二極管共用基板該同一支撐體。
[0020]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層寬度d為2 μπι彡d ^ 100 μ mo外延絕緣層采用寬度的范圍符合普通LED切割道的寬度范圍；或窄于普通LED切割道的寬度范圍，但寬度不窄于制作外延絕緣層導(dǎo)電通孔的寬度；或?qū)捰谄胀↙ED切割道的寬度范圍，但太寬了會(huì)浪費(fèi)整個(gè)發(fā)光二級管高壓模塊的有效發(fā)光區(qū)間。
[0021]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管之間設(shè)置的外延絕緣層導(dǎo)電通道規(guī)則排列，且其排列密度 D 為 D < 800 個(gè) /mm2。
[0022]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層導(dǎo)電通道的圖形包括圓形、正方形、三角型、橢圓形、長方形或梯形，且單個(gè)外延絕緣層導(dǎo)電通道的邊長或直徑d為d
(200 μ--ο
[0023]外延絕緣層導(dǎo)電通道的尺寸、圖形、分布密度在合適的數(shù)值選取區(qū)間。尺寸、分布密度、圖形選取過小且不合適會(huì)導(dǎo)致各子級發(fā)光二極管之間無法形成有效的電流傳導(dǎo)，造成電流擁擠，高壓發(fā)光二極管模塊的內(nèi)阻增加且芯片過熱問題。尺寸、分布密度、圖形選取過大且不合適會(huì)造成各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層需要設(shè)計(jì)過寬，導(dǎo)致高壓發(fā)光二極管模塊的有效發(fā)光區(qū)變小，降低了高壓發(fā)光二極管模塊的發(fā)光效率。
[0024]進(jìn)一步，η個(gè)串聯(lián)的子級發(fā)光二極管排列圖形包括2* (η/2)矩陣、3* (η/3)矩陣、4* (η/4)矩陣、5* (η/5)矩陣；也包括非矩陣L型、Π型、III型。
[0025]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管的相鄰且非相連的各個(gè)獨(dú)立的金屬反射層之間隔著非導(dǎo)電鍵合材料。
[0026]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管的相鄰且非相連的各個(gè)獨(dú)立的第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層之間隔著非導(dǎo)電鍵合材料。
[0027]一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，包括以下步驟:
[0028]一，提供外延襯底，在外延襯底上依次設(shè)置第一型導(dǎo)電層、有源區(qū)、第二型導(dǎo)電層；
[0029]二，在第二型導(dǎo)電層表面采用掩膜，ICP刻蝕，形成外延隔離槽，且蝕刻深度至外延襯底，形成若干個(gè)獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管；
[0030]三，在外延隔離槽內(nèi)蒸鍍外延絕緣層，同時(shí)在第二型導(dǎo)電層表面蒸鍍介質(zhì)層；
[0031]四，在外延絕緣層以及介質(zhì)層中形成多個(gè)用于制作導(dǎo)電通道的通孔；
[0032]五，在通孔及介質(zhì)層表面蒸鍍金屬，形成導(dǎo)電通道及金屬反射層，金屬反射層上蒸鍍金屬導(dǎo)電層；
[0033]六，在金屬導(dǎo)電層表面掩膜、光刻及蝕刻金屬工藝，在金屬導(dǎo)電層表面形成金屬隔離槽，金屬隔離槽的深度至介質(zhì)層表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管之間的金屬隔離槽與外延隔離槽在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合；
[0034]七，采用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬導(dǎo)電層與基板鍵合在一起，且非導(dǎo)電鍵合材料充滿金屬隔離槽；
[0035]八，腐蝕去除外延襯底，裸露第一子級發(fā)光二極管至第η子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層，以及外延絕緣層中的導(dǎo)電通道；
[0036]九、在第一型導(dǎo)電層上采用掩膜、光刻工藝:同時(shí)露出第二發(fā)光二極管的表面，包含與第一發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面，依此直至同時(shí)露出第η發(fā)光二極管的表面，包含與第η-1發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面；
[0037]十，在各子級發(fā)光二極管的裸露表面上蒸鍍?chǔ)│肠瘜?dǎo)電層，使得各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層中導(dǎo)電通道和與之相鄰的子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層形成連接；
[0038]十一，在第η子級發(fā)光二極管的ΙΤΟ導(dǎo)電層采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極的制作區(qū)域，蝕刻深度至第二型導(dǎo)電層以下且未達(dá)到第二型導(dǎo)電層與介質(zhì)層的接觸面；在第η子級發(fā)光二極管的第二電極的制作區(qū)域上分別制作電極隔離層及第二電極；
[0039]十二，在第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上形成第一電極；
[0040]十三，把各子級發(fā)光二極管組成的一個(gè)大模塊的周圍切割裂片，形成所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
[0041]一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，包括以下步驟:
[0042]一，提供外延襯底，在外延襯底上依次設(shè)置第一型導(dǎo)電層、有源區(qū)、第二型導(dǎo)電層；
[0043]二，在第二型導(dǎo)電層表面采用掩膜，ICP刻蝕，形成外延隔離槽，且蝕刻深度至外延襯底，形成η個(gè)獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管；
[0044]三，在外延隔離槽內(nèi)蒸鍍外延絕緣層；
[0045]四，在外延絕緣層內(nèi)形成用于制作導(dǎo)電通道的通孔；
[0046]五，在通孔及第二型導(dǎo)電層表面蒸鍍?chǔ)│肠牧?，形成?dǎo)電通道及第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層；且在第二 ΙΤΟ導(dǎo)電層表面形成金屬反射層；
[0047]六，在金屬反射層表面掩膜、光刻及蝕刻金屬及ΙΤΟ的工藝，在金屬導(dǎo)電層表面形成金屬隔離槽，金屬隔離槽的深度至外延絕緣層表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管之間的金屬隔離槽與外延絕緣層的一側(cè)在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合；
[0048]七，采用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬導(dǎo)電層與基板鍵合在一起，且非導(dǎo)電鍵合材料充滿金屬隔離槽；
[0049]八，去除外延襯底，裸露第一子級發(fā)光二極管至第η子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層，以及外延絕緣層中的導(dǎo)電通道；
[0050]九，在第一型導(dǎo)電層上采用掩膜、光刻工藝，同時(shí)露出第二發(fā)光二極管的表面，包含與第一發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面，依此直至同時(shí)露出第η發(fā)光二極管的表面，包含與第η-1發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面；
[0051]十，在各子級發(fā)光二極管的裸露表面上蒸鍍?chǔ)│肠瘜?dǎo)電層，使得各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層中導(dǎo)電通道和與之相鄰的子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層形成連接；
[0052]十一，在第η子級發(fā)光二極管的ΙΤΟ導(dǎo)電層采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極的制作區(qū)域，蝕刻深度至第二型導(dǎo)電層以下且未達(dá)到第二型導(dǎo)電層與介質(zhì)層的接觸面；在第η子級發(fā)光二極管的第二電極的制作區(qū)域上分別制作電極隔離層及第二電極；
[0053]十二，在第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上形成第一電極；
[0054]十三，把各子級發(fā)光二極管組成的一個(gè)大模塊的周圍切割裂片，形成所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
[0055]采用上述方案后，本實(shí)用新型把各個(gè)獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)連接，形成一體的芯片模塊，明顯地增加有源區(qū)出光的面積，有效地提高串聯(lián)發(fā)光二極管模塊的整體發(fā)光效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0056]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一的外延結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管之間隔離槽示意圖；
[0058]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層和介質(zhì)層示意圖；
[0059]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一制作外延絕緣層和介質(zhì)層的通孔示意圖；
[0060]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管制作導(dǎo)電通道及金屬反射鏡示意圖；
[0061]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管制作金屬反射鏡隔離槽示意圖；
[0062]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管金屬反射鏡隔離槽及外延絕緣層導(dǎo)電通道的平面分布示意圖；
[0063]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例一的發(fā)光二極管鍵合基板示意圖；
[0064]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例一去除外延襯底的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖；
[0065]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管制作ITO導(dǎo)電層的示意圖；
[0066]圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管外延絕緣層導(dǎo)電通道及ITO導(dǎo)電層的平面分布示意圖；
[0067]圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例一的第二電極制作槽的蝕刻形狀的側(cè)面示意圖；
[0068]圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例一的第一電極與第二電極制作示意圖；
[0069]圖14為本實(shí)用新型實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管構(gòu)成的一個(gè)大模塊的平面分布示意圖；
[0070]圖15為本實(shí)用新型實(shí)施例二的外延結(jié)構(gòu)示意圖；
[0071]圖16為本實(shí)用新型實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管之間隔離槽的示意圖；
[0072]圖17為本實(shí)用新型實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層示意圖；
[0073]圖18為本實(shí)用新型實(shí)施例二制作外延絕緣層的通孔的示意圖；
[0074]圖19為本實(shí)用新型實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管制作導(dǎo)電通道、第二 ITO導(dǎo)電層及金屬反射層的示意圖；
[0075]圖20為本實(shí)用新型實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管制作第二 ITO導(dǎo)電層、金屬反射層的隔離槽的示意圖；
[0076]圖21為本實(shí)用新型實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管的第二 ITO導(dǎo)電層、金屬反射鏡的隔離槽及外延絕緣層的導(dǎo)電通道的平面分布示意圖；
[0077]圖22為本實(shí)用新型實(shí)施例二的發(fā)光二極管鍵合基板的示意圖；
[0078]圖23為本實(shí)用新型實(shí)施例二剝離外延襯底后的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖；
[0079]圖24為本實(shí)用新型實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管制作第一 ITO導(dǎo)電層的示意圖；
[0080]圖25為本實(shí)用新型實(shí)施例二的各子發(fā)光二極管外延絕緣層的導(dǎo)電通道及第一ITO導(dǎo)電層的平面分布不意圖；
[0081]圖26為本實(shí)用新型實(shí)施例二的第二電極制作槽的蝕刻形狀的側(cè)面示意圖；
[0082]圖27為本實(shí)用新型實(shí)施例二的第一電極及第二電極制作示意圖；
[0083]圖28為本實(shí)用新型實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管構(gòu)成的一個(gè)大模塊的平面分布示意圖。
[0084]標(biāo)號說明
[0085]子級發(fā)光二極管10第一電極20
[0086]第二電極30第二電極絕緣層301
[0087]外延襯底40緩沖層50
[0088]腐蝕截止層60外延隔離槽70
[0089]犧牲層80
[0090]有源區(qū)1
[0091]第一型導(dǎo)電層2第二型導(dǎo)電層3
[0092]介質(zhì)層4導(dǎo)電通道41
[0093]金屬反射層5金屬隔離槽51
[0094]非導(dǎo)電鍵合層6基板7
[0095]ITO導(dǎo)電層8第一 ITO導(dǎo)電層81
[0096]第二 ITO導(dǎo)電層82外延絕緣層9
[0097]導(dǎo)電通道91通孔92。
【具體實(shí)施方式】
[0098]以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本實(shí)用新型做詳細(xì)的說明。
[0099]實(shí)施例一
[0100]一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，由一百個(gè)具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管10串聯(lián)而成，且排列圖形為10*10的矩陣排列，如圖14所示，第一子級發(fā)光二極管10上設(shè)置第一電極20，第η子級發(fā)光二極管10上設(shè)置第二電極30。
[0101]如圖13所示，其中各個(gè)子級發(fā)光二極管10都包含獨(dú)立的有源區(qū)1，在有源區(qū)1第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層2，在有源區(qū)1第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層3。第一型導(dǎo)電層2由第一型電流擴(kuò)展層及第一型限制層組成。具體為第一型電流擴(kuò)展層由(AluPaaduInuP三五族化合物構(gòu)成，且厚度為4ym。第一型限制層由(AluGac.Ur^P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為800nm。有源層1由20組(Al0.8Ga0.2) 0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P三五族化合物交替構(gòu)成。第二型導(dǎo)電層3由第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層組成。第二型限制層由(AlMGaaUr^P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為800nm。第二型電流擴(kuò)展層由GaP三五族化合物構(gòu)成，且厚度為4 μ m。
[0102]第一子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上設(shè)置第一電極20，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置Si02介質(zhì)層4，S1 2介質(zhì)層4中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道41，Si02介質(zhì)層4上設(shè)置金屬反射層5，且金屬反射層5通過導(dǎo)電通道41與第二型電流擴(kuò)展層形成歐姆接觸，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0103]第二子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上設(shè)置IT0導(dǎo)電層8，第二型電流擴(kuò)展層上設(shè)置Si02介質(zhì)層4，S1 2介質(zhì)層4中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道41，S1 2介質(zhì)層4上設(shè)置金屬反射層5，且金屬反射層5通過導(dǎo)電通道41與第二型電流擴(kuò)展層形成歐姆接觸，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0104]第二子級發(fā)光二極管10與第一子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有Si02外延絕緣層9，且Si02外延絕緣層9中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第一子級發(fā)光二極管10的金屬反射層5形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管10的IT0導(dǎo)電層8形成連接。
[0105]第三子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上設(shè)置IT0導(dǎo)電層5，第二型電流擴(kuò)展層上設(shè)置Si02介質(zhì)層4，S1 2介質(zhì)層4中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道41，S1 2介質(zhì)層4上設(shè)置金屬反射層5，且金屬反射層5通過導(dǎo)電通道41與第二型電流擴(kuò)展層形成歐姆接觸，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0106]第三子級發(fā)光二極管10與第二子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有Si02外延絕緣層9，且Si02外延絕緣層9中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第二子級發(fā)光二極管10的金屬反射層5形成連接，且與第三子級發(fā)光二極管10的IT0導(dǎo)電層8形成連接。
[0107]循環(huán)所述的兩個(gè)子級發(fā)光二極管10的芯片結(jié)構(gòu)連接方式至第九十九子級發(fā)光二極管10。
[0108]第一百子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上設(shè)置ITO導(dǎo)電層8，第二型電流擴(kuò)展層上設(shè)置Si02介質(zhì)層4，S1 2介質(zhì)層4中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道41，3;102介質(zhì)層4上設(shè)置金屬反射層5，且金屬反射層5通過導(dǎo)電通道41與第二型電流擴(kuò)展層形成歐姆接觸，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7 ;第二型電流擴(kuò)展層與有源區(qū)1相鄰面設(shè)置有第二電極30，且第二電極30通過第二電極絕緣層301與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)分開。
[0109]第一百子級發(fā)光二極管10與第九十九子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有Si02外延絕緣層9，且Si02外延絕緣層9中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第九十九子級發(fā)光二極管10的金屬反射層5形成連接，且與第一百子級發(fā)光二極管10的IT0導(dǎo)電層8形成連接。
[0110]所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，主要包括以下步驟:
[0111]一，如圖1所示，在外延襯底40的上表面由下至上依次外延:緩沖層50、腐蝕截止層60、第一型導(dǎo)電層2、有源區(qū)1、第二型導(dǎo)電層3。
[0112]外延襯底40采用2英寸的GaAs襯底，厚度為270 μ m。緩沖層50由300nm的GaAs材料組成。腐蝕截止層60由300nm厚的材料組成。
[0113]二，如圖2所示，在2英寸的外延片表面的第二型導(dǎo)電層3上采用掩膜，ICP刻蝕，在非串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10形成寬度為4 μπι的外延隔離槽70，在串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10形成寬度為20 μ m外延隔離槽70，且蝕刻深度至腐蝕截止層60，形成幾萬個(gè)10mil*10mil尺寸的獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)。
[0114]三，如圖3所示，在外延隔離槽70內(nèi)蒸鍍Si02B成外延絕緣層9，同時(shí)在第二型導(dǎo)電層3表面蒸鍍Si02形成介質(zhì)層4。
[0115]四，如圖4所示，在串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10之間的20 μ m寬的外延絕緣層9形成密度為300個(gè)/ mm2、直徑為4 μπι的圓形的外延絕緣層通孔92 ;且同時(shí)在介質(zhì)層4中形成密度為150個(gè)/ mm2，直徑為10 μπι的圓形的介質(zhì)層通孔42。
[0116]五，如圖5所示，在外延絕緣層通孔92、介質(zhì)層通孔42及介質(zhì)層4表面蒸鍍金屬，金屬填充滿外延絕緣層通孔92、介質(zhì)層通孔42，形成導(dǎo)電通道(91、41)；以及形成400nm厚的金屬反射層5 ;再增厚金屬反射層5至1 μ m厚，使得金屬反射層5形成較好的導(dǎo)電效果。
[0117]六，如圖6所示，在金屬反射層5表面掩膜、光刻及蝕刻金屬工藝，在金屬反射層5表面形成規(guī)則的金屬隔離槽51，金屬隔離槽51的寬度大小為4 μπι，金屬隔離槽51的深度至介質(zhì)層4表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管10之間的金屬隔離槽51與外延絕緣層9在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合；在相鄰的串聯(lián)各子級發(fā)光二極管10之間的金屬隔離槽51與外延絕緣層9導(dǎo)電通道91錯(cuò)開，且與單邊的外延絕緣層9在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上，重合，形成如圖7所示的金屬隔離槽51分布情況。
[0118]七，如圖8所不，米用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬反射層5與娃基板7鍵合在一起，且形成非導(dǎo)電鍵合層6，非導(dǎo)電鍵合層6充滿金屬隔離槽51形成絕緣。
[0119]八，如圖9所示，分別腐蝕去除外延襯底40、緩沖層50與腐蝕截止層60，露出第一型導(dǎo)電層2。
[0120]九，在第一型導(dǎo)電層2上經(jīng)過掩膜、光刻工藝后，露出第二子級發(fā)光二極管10表面的第一型導(dǎo)電層2，包含與第一子級發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面；同時(shí)露出第三子級發(fā)光二極管10表面第一型導(dǎo)電層2，包含與第二子級發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面，依次直至同時(shí)露出第一百子級發(fā)光二極管10表面第一型導(dǎo)電層2，包含與第九十九子級發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，直至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面。
[0121]十，如圖10及圖11所不，在各子級發(fā)光二極管10裸露的第一型導(dǎo)電層2表面上蒸鍍ITO導(dǎo)電層8，使得各子級發(fā)光二極管10之間的外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91與與之相鄰的子級發(fā)光二極管10第一型導(dǎo)電層2形成連接。
[0122]^^一，如圖12所示，在第一百子級發(fā)光二極管10的ITO導(dǎo)電層8采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極30的制作區(qū)域，蝕刻深度至第二型電流擴(kuò)展層以下2 μπι。
[0123]十二，如圖13所示，在第一百子級發(fā)光二極管10的第二電極30制作區(qū)域上分別制作第二電極絕緣層301及第二電極30。
[0124]十三，如圖13所示，在第一子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上形成第一電極20。
[0125]十四，如圖14所示，把一百個(gè)子級發(fā)光二極管10組成的一個(gè)大模塊的周圍切割裂片，形成所述高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
[0126]實(shí)施例二
[0127]一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，由七十二個(gè)具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管10串聯(lián)而成，且排列圖形為8*9的矩陣排列，如圖28所示。
[0128]如圖27所示，其中各個(gè)子級發(fā)光二極管10都包含獨(dú)立的有源區(qū)1，有源區(qū)1第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層2，有源區(qū)1第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層3。第一型導(dǎo)電層2采用Si摻雜的GaN三五族化合物，厚度為2.5 μπι。有源層1采用5對量子阱和量子皇交叉生長的結(jié)構(gòu)。具體為量子皇由AlGaN三五族化合物構(gòu)成，厚度為12nm。量子阱由GalnN三五族化合物構(gòu)成，厚度為4nm。第二型導(dǎo)電層3采用Mg摻雜的GaN三五族化合物，厚度為200nmo
[0129]第一子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上設(shè)置第一電極20，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層82，第二 ITO導(dǎo)電層82上設(shè)置金屬反射層5，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0130]第二子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層81，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層82，第二 ITO導(dǎo)電層82上設(shè)置金屬反射層5，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0131]第二子級發(fā)光二極管10與第一子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有Si02外延絕緣層9，且Si02外延絕緣層9中設(shè)置有填充滿金屬的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第一子級發(fā)光二極管10的第二 ITO導(dǎo)電層82形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管10的第一 ITO導(dǎo)電層81形成連接。
[0132]第三子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層81，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層82，第二 ITO導(dǎo)電層82上設(shè)置金屬反射層5，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0133]第三子級發(fā)光二極管10與第二子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有Si02外延絕緣層9，且Si02外延絕緣層9中設(shè)置有填充滿金屬的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第二子級發(fā)光二極管10的第二 ITO導(dǎo)電層82形成連接，且與第三子級發(fā)光二極管10的第一 ITO導(dǎo)電層81形成連接。
[0134]循環(huán)所述子級發(fā)光二極管10的芯片結(jié)構(gòu)的連接方式至第七十一子級發(fā)光二極管10。
[0135]第七十二子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層81，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層82，第二 ITO導(dǎo)電層82上設(shè)置金屬反射層5，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7 ;第二 ITO導(dǎo)電層82與第二型導(dǎo)電層3的相接觸面上設(shè)置有第二電極30，且第二電極30通過3丨02第二電極絕緣層301與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)分開。
[0136]第七十二子級發(fā)光二極管10與第七十一子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有S1jF延絕緣層9，且Si02外延絕緣層9中設(shè)置有填充滿金屬的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第七十一子級發(fā)光二極管10的第二 IT0導(dǎo)電層82形成連接，且與第七十二子級發(fā)光二極管10的第一 IT0導(dǎo)電層81形成連接。
[0137]所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，主要包括以下步驟:
[0138]一，如圖15所示，在外延襯底40的上表面由下至上依次外延:緩沖層50、犧牲層80、第一型導(dǎo)電層2、有源區(qū)1、第二型導(dǎo)電層3。
[0139]具體為外延襯底40采用4英寸的藍(lán)寶石襯底，厚度為400 μπι。緩沖層50采用無摻雜的GaN三五族化合物，厚度為2 μ mo
[0140]二，如圖16所示，在4英寸的外延片表面的第二型導(dǎo)電層3上采用掩膜，ICP刻蝕，形成外延隔離槽70，外延隔離槽70在非串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10寬度為3 μ m，外延隔離槽70在串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10形成寬度為24 μ m，且蝕刻深度至犧牲層80，形成幾萬個(gè)10mil*10mil尺寸的獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)。
[0141]三，如圖17所示，在外延隔離槽70內(nèi)蒸鍍Si02材料，形成外延絕緣層9。
[0142]四，如圖18所示，在外延絕緣層9形成密度為200個(gè)/ mm2、直徑為8 μm的圓形的通孔92。
[0143]五，如圖19所示，在通孔92及第二型導(dǎo)電層3表面蒸鍍IT0材料，形成導(dǎo)電通道91及第二 IT0導(dǎo)電層82 ;且在第二 IT0導(dǎo)電層82表面形成金屬反射層5。
[0144]六，如圖20所示，在金屬反射層5表面經(jīng)過掩膜、光刻及蝕刻金屬、IT0的工藝，在金屬反射層5表面形成規(guī)則的金屬隔離槽51，金屬隔離槽51的寬度大小為4 μπι，金屬隔離槽51的深度至外延絕緣層9表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管10之間的金屬隔離槽51與外延絕緣層9在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合；在相鄰的串聯(lián)各子級發(fā)光二極管10之間的金屬隔離槽51與導(dǎo)電通道91錯(cuò)開，且與單邊的外延絕緣層9在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合，形成如圖21所示的金屬隔離槽51分布情況。
[0145]七，如圖22所不，米用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬反射層5與娃基板7鍵合在一起，且形成非導(dǎo)電鍵合層6，非導(dǎo)電鍵合層6充滿金屬隔離槽51形成絕緣。
[0146]八，如圖23所示，采用激光剝離技術(shù)去除外延襯底40、緩沖層50及犧牲層80，露出第一型導(dǎo)電層2。
[0147]九，在第一型導(dǎo)電層2上采用掩膜、光刻工藝，露出第二發(fā)光二極管10第一型導(dǎo)電層2的表面，包含與第一發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面；同時(shí)露出第三發(fā)光二極管10第一型導(dǎo)電層2的表面，包含與第二發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面，依次直至同時(shí)露出第七十二發(fā)光二極管10第一型導(dǎo)電層2的表面，包含與第七十一發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面。
[0148]十，如圖24及圖25所不，在各子級發(fā)光二極管10的裸露的第一型導(dǎo)電層2表面上蒸鍍第一 ITO導(dǎo)電層81，使得各子級發(fā)光二極管10之間的外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91與與之相鄰的單個(gè)第一型導(dǎo)電層2形成連接。
[0149]^^一，如圖26所示，在第七十二子級發(fā)光二極管10的第一 ITO導(dǎo)電層81采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極30制作區(qū)域，蝕刻深度至第二 ITO導(dǎo)電層82與第二型導(dǎo)電層3的接觸面。
[0150]十二，如圖27所示，在第七十二子級發(fā)光二極管10的第二電極30制作區(qū)域上分別制作第二電極絕緣層301及第二電極30。
[0151]十三，如圖27所示，在第一子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上形成第一電極
20 ο
[0152]十四，如圖28所示，把七十二個(gè)子級發(fā)光二極管10組成的一個(gè)大模塊的周圍切割裂片，形成所述的高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
[0153]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非對本案設(shè)計(jì)的限制，凡依本案的設(shè)計(jì)關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:由η個(gè)具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)構(gòu)成，其中，各子級發(fā)光二極管都包含獨(dú)立的有源區(qū)且通過外延絕緣層互相隔開；有源區(qū)第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層，有源區(qū)第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層； 第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置導(dǎo)電通道，介質(zhì)層上設(shè)置金屬反射層，且金屬反射層通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板； 第二子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置導(dǎo)電通道，介質(zhì)層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板； 第二子級發(fā)光二極管與第一子級發(fā)光二極管之間設(shè)置外延絕緣層，且外延絕緣層中設(shè)置導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道與第一子級發(fā)光二極管的金屬反射層形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管的ITO導(dǎo)電層形成連接； 第三子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置導(dǎo)電通道，介質(zhì)層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；依次串聯(lián)連接至第η子級發(fā)光二極管第一型導(dǎo)電層上設(shè)置的ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二電極，且第二電極通過第二電極絕緣層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)側(cè)面區(qū)域分開。
2.一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:由η個(gè)具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)構(gòu)成，其中，各子級發(fā)光二極管都包含獨(dú)立的有源區(qū)且通過外延絕緣層互相隔開；有源區(qū)第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層，有源區(qū)第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層； 第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層，第二 ITO導(dǎo)電層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板； 第二子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二ITO導(dǎo)電層，第二 ITO導(dǎo)電層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板； 第二子級發(fā)光二極管與第一子級發(fā)光二極管之間設(shè)置外延絕緣層，且外延絕緣層中設(shè)置導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道與第一子級發(fā)光二極管的第二 ITO導(dǎo)電層形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管的第一 ITO導(dǎo)電層形成連接； 第三子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層，第二 ITO導(dǎo)電層上設(shè)置金屬反射層，在金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；依次串聯(lián)連接至第η子級發(fā)光二極管第一型導(dǎo)電層上設(shè)置的第一 ITO導(dǎo)電層；第二 ITO導(dǎo)電層上設(shè)置第二電極，且第二電極通過第二電極絕緣層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)側(cè)面區(qū)域分開。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:子級發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)η為2-220。
4.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:各子級發(fā)光二極管共用非導(dǎo)電鍵合層為同一層功能結(jié)構(gòu)，且各子級發(fā)光二極管共用基板為同一支撐體。
5.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層寬度d為2 μ m < d ^ 10ymo
6.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:各子級發(fā)光二極管之間設(shè)置的外延絕緣層導(dǎo)電通道規(guī)則排列，且其排列密度D為I < D < 800個(gè)/ 2/mm ο
7.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層導(dǎo)電通道的圖形包括圓形、正方形、三角型、橢圓形、長方形或梯形，且單個(gè)外延絕緣層導(dǎo)電通道的邊長或直徑d為d ^ 200 μ mo
8.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:n個(gè)串聯(lián)的子級發(fā)光二極管排列圖形包括2* (n/2)矩陣、3* (n/3)矩陣、4* (n/4)矩陣、5* (n/5)矩陣；也包括非矩陣L型、Π型、III型。
9.如權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:各子級發(fā)光二極管的相鄰且非相連的各個(gè)獨(dú)立的金屬反射層之間隔著非導(dǎo)電鍵合材料。
10.如權(quán)利要求2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，其特征在于:各子級發(fā)光二極管的相鄰且非相連的各個(gè)獨(dú)立的第二 ITO導(dǎo)電層之間隔著非導(dǎo)電鍵合材料。
【文檔編號】H01L27/15GK204243043SQ201420699609
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】林志偉, 陳凱軒, 張永, 卓祥景, 姜偉, 楊凱, 白繼鋒, 蔡建九, 李俊承, 張銀橋, 黃尊祥, 王向武 申請人:廈門乾照光電股份有限公司