一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法
【專利摘要】本發(fā)明一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，通過芯片制作工藝把n個獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)連接，形成一體的芯片模塊，其中，第一子級發(fā)光二極管上設(shè)置第一電極，第n子級發(fā)光二極管上設(shè)置第二電極。本發(fā)明可以增加有源區(qū)的出光面積，提高發(fā)光效率。
【專利說明】一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是指一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，作為主要的光源得到迅猛發(fā)展。近年來，發(fā)光二極管的應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速擴(kuò)展，應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大，而提高亮度和降低成本成為發(fā)光二極管領(lǐng)域發(fā)展目標(biāo)。
[0003]使用高壓發(fā)光二極管(HV-LED)可明顯降低發(fā)光二極管的應(yīng)用成本。HV-LED具有兩優(yōu)點(diǎn):一，有效降低發(fā)光二極管照明燈具成本和重量，可以大于270度發(fā)光；二，HV-LED高電壓、小電流工作，降低發(fā)熱，從而降低對散熱系統(tǒng)的要求，燈具結(jié)構(gòu)可以節(jié)省散熱材料。
[0004]HV-LED高電壓、小電流工作條件顛覆了傳統(tǒng)LED低電壓、大電流工作條件。同時，HV-LED只需高壓線性恒流源就能工作，高壓線性恒流電源無變壓器、無電解電容器，解決普通LED的驅(qū)動電源和電解電容器的壽命問題。
[0005]然而，現(xiàn)有技術(shù)中，提高高壓發(fā)光二極管亮度主要在于提高單個發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率及外量子效率，主要通過改變單個發(fā)光二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，而所述提高高壓發(fā)光二極管發(fā)光效率的局限難以突破，本發(fā)明提供一種新型的提高發(fā)光二極管發(fā)光效率的高壓結(jié)構(gòu)，本案由此產(chǎn)生。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，以增加有源區(qū)的出光面積，提高發(fā)光效率。
[0007]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的解決方案為:
一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，包括以下步驟:
一，提供外延襯底，在外延襯底上依次設(shè)置第一型導(dǎo)電層、有源區(qū)、第二型導(dǎo)電層；
二，在第二型導(dǎo)電層表面采用掩膜，ICP刻蝕，形成外延隔離槽，且蝕刻深度至外延襯底，形成若干個獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管；
三，在外延隔離槽內(nèi)蒸鍍外延絕緣層，同時在第二型導(dǎo)電層表面蒸鍍介質(zhì)層；
四，在外延絕緣層以及介質(zhì)層中形成多個用于制作導(dǎo)電通道的通孔；
五，在通孔及介質(zhì)層表面蒸鍍金屬，形成導(dǎo)電通道及金屬反射層，金屬反射層上蒸鍍金屬導(dǎo)電層;
六，在金屬導(dǎo)電層表面掩膜、光刻及蝕刻金屬工藝，在金屬導(dǎo)電層表面形成金屬隔離槽，金屬隔離槽的深度至介質(zhì)層表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管之間的金屬隔離槽與外延隔離槽在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合；
七，采用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬導(dǎo)電層與基板鍵合在一起，且非導(dǎo)電鍵合材料充滿金屬隔離槽； 八，腐蝕去除外延襯底，裸露第一子級發(fā)光二極管至第η子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層，以及外延絕緣層中的導(dǎo)電通道；
九、在第一型導(dǎo)電層上采用掩膜、光刻工藝:同時露出第二發(fā)光二極管的表面，包含與第一發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面，依此直至同時露出第η發(fā)光二極管的表面，包含與第η-1發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面；
十，在各子級發(fā)光二極管的裸露表面上蒸鍍ITO導(dǎo)電層，使得各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層中導(dǎo)電通道和與之相鄰的子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層形成連接；
十一，在第η子級發(fā)光二極管的ITO導(dǎo)電層采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極的制作區(qū)域，蝕刻深度至第二型導(dǎo)電層以下且未達(dá)到第二型導(dǎo)電層與介質(zhì)層的接觸面；在第η子級發(fā)光二極管的第二電極的制作區(qū)域上分別制作電極隔離層及第二電極；
十二，在第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上形成第一電極；
十三，把各子級發(fā)光二極管組成的一個大模塊的周圍切割裂片，形成所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
[0008]一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，包括以下步驟:
一，提供外延襯底，在外延襯底上依次設(shè)置第一型導(dǎo)電層、有源區(qū)、第二型導(dǎo)電層；
二，在第二型導(dǎo)電層表面采用掩膜，ICP刻蝕，形成外延隔離槽，且蝕刻深度至外延襯底，形成若干個獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管；
三，在外延隔離槽內(nèi)蒸鍍外延絕緣層；
四，在外延絕緣層內(nèi)形成用于制作導(dǎo)電通道的通孔；
五，在通孔及第二型導(dǎo)電層表面蒸鍍ITO材料，形成導(dǎo)電通道及第二 ITO導(dǎo)電層；且在第二 ITO導(dǎo)電層表面形成金屬反射層；
六，在金屬反射層表面掩膜、光刻及蝕刻金屬及ITO的工藝,在金屬導(dǎo)電層表面形成金屬隔離槽，金屬隔離槽的深度至外延絕緣層表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管之間的金屬隔離槽與外延絕緣層的一側(cè)在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合；
七，采用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬導(dǎo)電層與基板鍵合在一起，且非導(dǎo)電鍵合材料充滿金屬隔離槽；
八，去除外延襯底，裸露第一子級發(fā)光二極管至第η子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層，以及外延絕緣層中的導(dǎo)電通道；
九，在第一型導(dǎo)電層上采用掩膜、光刻工藝，同時露出第二發(fā)光二極管的表面，包含與第一發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面，依此直至同時露出第η發(fā)光二極管的表面，包含與第η-1發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面；
十，在各子級發(fā)光二極管的裸露表面上蒸鍍ITO導(dǎo)電層，使得各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層中導(dǎo)電通道和與之相鄰的子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層形成連接；
十一，在第η子級發(fā)光二極管的ITO導(dǎo)電層采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極的制作區(qū)域，蝕刻深度至第二型導(dǎo)電層以下且未達(dá)到第二型導(dǎo)電層與介質(zhì)層的接觸面；在第η子級發(fā)光二極管的第二電極的制作區(qū)域上分別制作電極隔離層及第二電極；
十二，在第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上形成第一電極； 十三，把各子級發(fā)光二極管組成的一個大模塊的周圍切割裂片，形成所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
[0009]一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，由η個具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)構(gòu)成，其中，各子級發(fā)光二極管都包含獨(dú)立的有源區(qū)且通過外延絕緣層互相隔開；有源區(qū)第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層，有源區(qū)第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層；
第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置導(dǎo)電通道，介質(zhì)層上設(shè)置金屬反射層，且金屬反射層通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；
第二子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置導(dǎo)電通道，介質(zhì)層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；
第二子級發(fā)光二極管與第一子級發(fā)光二極管之間設(shè)置外延絕緣層，且外延絕緣層中設(shè)置導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道與第一子級發(fā)光二極管的金屬反射層形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管的ITO導(dǎo)電層形成連接；
第三子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置導(dǎo)電通道，介質(zhì)層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；依次串聯(lián)連接至第η子級發(fā)光二極管第一型導(dǎo)電層上設(shè)置的ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二電極，且第二電極通過第二電極絕緣層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)側(cè)面區(qū)域分開。
[0010]一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，由η個具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)構(gòu)成，其中，各子級發(fā)光二極管都包含獨(dú)立的有源區(qū)且通過外延絕緣層互相隔開；有源區(qū)第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層，有源區(qū)第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層；
第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層，第二 ITO導(dǎo)電層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；
第二子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二ITO導(dǎo)電層，第二 ITO導(dǎo)電層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；
第二子級發(fā)光二極管與第一子級發(fā)光二極管之間設(shè)置外延絕緣層，且外延絕緣層中設(shè)置導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道與第一子級發(fā)光二極管的第二 ITO導(dǎo)電層形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管的第一 ITO導(dǎo)電層形成連接；
第三子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置第二ITO導(dǎo)電層，第二 ITO導(dǎo)電層上設(shè)置金屬反射層，在金屬反射層上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層，在非導(dǎo)電鍵合層上設(shè)置基板；依次串聯(lián)連接至第η子級發(fā)光二極管第一型導(dǎo)電層上設(shè)置的第一 ITO導(dǎo)電層；第二 ITO導(dǎo)電層上設(shè)置第二電極，且第二電極通過第二電極絕緣層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)側(cè)面區(qū)域分開。
[0011]進(jìn)一步，子級發(fā)光二極管的個數(shù)η為2-220。串聯(lián)子級發(fā)光二極管的個數(shù)為2-220，所串聯(lián)的發(fā)光二極管的整體工作電壓范圍在3-440V之間。采用此設(shè)計(jì)的高壓LED具有廣泛的應(yīng)用范圍，亦可直接應(yīng)用于民用的電壓區(qū)間，可節(jié)省封裝及應(yīng)用中的電路及器件的制作成本，也節(jié)約使用過程的電能消耗。
[0012]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管共用非導(dǎo)電鍵合層該同一層功能結(jié)構(gòu)，且各子級發(fā)光二極管共用基板該同一支撐體。
[0013]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層寬度d為2μπι< d ^ 10um0外延絕緣層采用寬度的范圍符合普通LED切割道的寬度范圍；或窄于普通LED切割道的寬度范圍，但寬度不窄于制作外延絕緣層導(dǎo)電通孔的寬度；或?qū)捰谄胀↙ED切割道的寬度范圍，但太寬了會浪費(fèi)整個發(fā)光二級管高壓模塊的有效發(fā)光區(qū)間。
[0014]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管之間設(shè)置的外延絕緣層導(dǎo)電通道規(guī)則排列，且其排列密度D為I彡D彡800個/mm2。
[0015]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層導(dǎo)電通道的圖形包括圓形、正方形、三角型、橢圓形、長方形或梯形，且單個外延絕緣層導(dǎo)電通道的邊長或直徑d為d(200 μ m。
[0016]外延絕緣層導(dǎo)電通道的尺寸、圖形、分布密度在合適的數(shù)值選取區(qū)間。尺寸、分布密度、圖形選取過小且不合適會導(dǎo)致各子級發(fā)光二極管之間無法形成有效的電流傳導(dǎo)，造成電流擁擠，高壓發(fā)光二極管模塊的內(nèi)阻增加且芯片過熱問題。尺寸、分布密度、圖形選取過大且不合適會造成各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層需要設(shè)計(jì)過寬，導(dǎo)致高壓發(fā)光二極管模塊的有效發(fā)光區(qū)變小，降低了高壓發(fā)光二極管模塊的發(fā)光效率。
[0017]進(jìn)一步，η個串聯(lián)的子級發(fā)光二極管排列圖形包括2* (η/2)矩陣、3* (η/3)矩陣、4* (η/4)矩陣、5* (η/5)矩陣；也包括非矩陣L型、Π型、III型。
[0018]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管的相鄰且非相連的各個獨(dú)立的金屬反射層之間隔著非導(dǎo)電鍵合材料。
[0019]進(jìn)一步，各子級發(fā)光二極管的相鄰且非相連的各個獨(dú)立的第二 ITO導(dǎo)電層之間隔著非導(dǎo)電鍵合材料。
[0020]采用上述方案后，本發(fā)明把各個獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)連接，形成一體的芯片模塊，明顯地增加有源區(qū)出光的面積，有效地提高串聯(lián)發(fā)光二極管模塊的整體發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的外延結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管之間隔離槽示意圖；
圖3為本發(fā)明實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層和介質(zhì)層示意圖；
圖4為本發(fā)明實(shí)施例一制作外延絕緣層和介質(zhì)層的通孔示意圖；
圖5為本發(fā)明實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管制作導(dǎo)電通道及金屬反射鏡示意圖；
圖6為本發(fā)明實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管制作金屬反射鏡隔離槽示意圖；
圖7為本發(fā)明實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管金屬反射鏡隔離槽及外延絕緣層導(dǎo)電通道的平面分布示意圖；
圖8為本發(fā)明實(shí)施例一的發(fā)光二極管鍵合基板示意圖；
圖9為本發(fā)明實(shí)施例一去除外延襯底的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖；
圖10為本發(fā)明實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管制作ITO導(dǎo)電層的示意圖； 圖11為本發(fā)明實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管外延絕緣層導(dǎo)電通道及ITO導(dǎo)電層的平面分布示意圖；
圖12為本發(fā)明實(shí)施例一的第二電極制作槽的蝕刻形狀的側(cè)面示意圖；
圖13為本發(fā)明實(shí)施例一的第一電極與第二電極制作不意圖；
圖14為本發(fā)明實(shí)施例一的各子級發(fā)光二極管構(gòu)成的一個大模塊的平面分布不意圖； 圖15為本發(fā)明實(shí)施例二的外延結(jié)構(gòu)示意圖；
圖16為本發(fā)明實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管之間隔離槽的示意圖；
圖17為本發(fā)明實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層示意圖；
圖18為本發(fā)明實(shí)施例二制作外延絕緣層的通孔的示意圖；
圖19為本發(fā)明實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管制作導(dǎo)電通道、第二 ITO導(dǎo)電層及金屬反射層的示意圖；
圖20為本發(fā)明實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管制作第二 ITO導(dǎo)電層、金屬反射層的隔離槽的不意圖；
圖21為本發(fā)明實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管的第二 ITO導(dǎo)電層、金屬反射鏡的隔離槽及外延絕緣層的導(dǎo)電通道的平面分布示意圖；
圖22為本發(fā)明實(shí)施例二的發(fā)光二極管鍵合基板的示意圖；
圖23為本發(fā)明實(shí)施例二剝離外延襯底后的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖；
圖24為本發(fā)明實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管制作第一 ITO導(dǎo)電層的示意圖；
圖25為本發(fā)明實(shí)施例二的各子發(fā)光二極管外延絕緣層的導(dǎo)電通道及第一 ITO導(dǎo)電層的平面分布示意圖；
圖26為本發(fā)明實(shí)施例二的第二電極制作槽的蝕刻形狀的側(cè)面示意圖；
圖27為本發(fā)明實(shí)施例二的第一電極及第二電極制作示意圖；
圖28為本發(fā)明實(shí)施例二的各子級發(fā)光二極管構(gòu)成的一個大模塊的平面分布示意圖。
[0022]標(biāo)號說明
子級發(fā)光二極管10第一電極20
第二電極30第二電極絕緣層301
外延襯底40緩沖層50
腐蝕截止層60外延隔離槽70
犧牲層80 有源區(qū)I
第一型導(dǎo)電層2第二型導(dǎo)電層3
介質(zhì)層4導(dǎo)電通道41
金屬反射層5金屬隔離槽51
非導(dǎo)電鍵合層6基板7
ITO導(dǎo)電層8第一 ITO導(dǎo)電層81
第二 ITO導(dǎo)電層82外延絕緣層9
導(dǎo)電通道91通孔92。

【具體實(shí)施方式】
[0023]以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明做詳細(xì)的說明。
[0024]實(shí)施例一
一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，由一百個具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管10串聯(lián)而成，且排列圖形為10*10的矩陣排列，如圖14所示，第一子級發(fā)光二極管10上設(shè)置第一電極20，第η子級發(fā)光二極管10上設(shè)置第二電極30。
[0025]如圖13所示，其中各個子級發(fā)光二極管10都包含獨(dú)立的有源區(qū)1，在有源區(qū)I第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層2，在有源區(qū)I第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層3。第一型導(dǎo)電層2由第一型電流擴(kuò)展層及第一型限制層組成。具體為第一型電流擴(kuò)展層由(Ala35Gaa65)a5Ina5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為4 μ m。第一型限制層由(Ala8Gaa2)a5Ina5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為800nm。有源層I由20組(Ala8Gaa2)a5Ina5PziGaa5Ina5P三五族化合物交替構(gòu)成。第二型導(dǎo)電層3由第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層組成。第二型限制層由(Ala8Gaa2)a5Ina5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為800nm。第二型電流擴(kuò)展層由GaP三五族化合物構(gòu)成,且厚度為4 μ m。
[0026]第一子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上設(shè)置第一電極20，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置S12介質(zhì)層4，S12介質(zhì)層4中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道41，S12介質(zhì)層4上設(shè)置金屬反射層5，且金屬反射層5通過導(dǎo)電通道41與第二型電流擴(kuò)展層形成歐姆接觸，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0027]第二子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上設(shè)置ITO導(dǎo)電層8，第二型電流擴(kuò)展層上設(shè)置S12介質(zhì)層4，S12介質(zhì)層4中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道41，S12介質(zhì)層4上設(shè)置金屬反射層5，且金屬反射層5通過導(dǎo)電通道41與第二型電流擴(kuò)展層形成歐姆接觸，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0028]第二子級發(fā)光二極管10與第一子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有S12外延絕緣層9，且S12外延絕緣層9中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第一子級發(fā)光二極管10的金屬反射層5形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管10的ITO導(dǎo)電層8形成連接。
[0029]第三子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上設(shè)置ITO導(dǎo)電層5，第二型電流擴(kuò)展層上設(shè)置S12介質(zhì)層4，S12介質(zhì)層4中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道41，S12介質(zhì)層4上設(shè)置金屬反射層5，且金屬反射層5通過導(dǎo)電通道41與第二型電流擴(kuò)展層形成歐姆接觸，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0030]第三子級發(fā)光二極管10與第二子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有S12外延絕緣層9，且S12外延絕緣層9中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第二子級發(fā)光二極管10的金屬反射層5形成連接，且與第三子級發(fā)光二極管10的ITO導(dǎo)電層8形成連接。
[0031]循環(huán)所述的兩個子級發(fā)光二極管10的芯片結(jié)構(gòu)連接方式至第九十九子級發(fā)光二極管10。
[0032]第一百子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上設(shè)置ITO導(dǎo)電層8，第二型電流擴(kuò)展層上設(shè)置S12介質(zhì)層4，S12介質(zhì)層4中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道41，S12介質(zhì)層4上設(shè)置金屬反射層5，且金屬反射層5通過導(dǎo)電通道41與第二型電流擴(kuò)展層形成歐姆接觸，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7 ;第二型電流擴(kuò)展層與有源區(qū)I相鄰面設(shè)置有第二電極30，且第二電極30通過第二電極絕緣層301與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)分開。
[0033]第一百子級發(fā)光二極管10與第九十九子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有S12外延絕緣層9，且S12外延絕緣層9中設(shè)置有填充金屬材料的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第九十九子級發(fā)光二極管10的金屬反射層5形成連接，且與第一百子級發(fā)光二極管10的ITO導(dǎo)電層8形成連接。
[0034]所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，主要包括以下步驟:
一，如圖1所示,在外延襯底40的上表面由下至上依次外延:緩沖層50、腐蝕截止層60、第一型導(dǎo)電層2、有源區(qū)1、第二型導(dǎo)電層3。
[0035]外延襯底40采用2英寸的GaAs襯底,厚度為270 μ m。緩沖層50由300nm的GaAs材料組成。腐蝕截止層60由300nm厚的(41(|.和(|.3)(|.5111(|.丨材料組成。
[0036]二，如圖2所示，在2英寸的外延片表面的第二型導(dǎo)電層3上采用掩膜，ICP刻蝕，在非串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10形成寬度為4 μ m的外延隔離槽70，在串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10形成寬度為20 μ m外延隔離槽70，且蝕刻深度至腐蝕截止層60，形成幾萬個10mil*10mil尺寸的獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)。
[0037]三，如圖3所示，在外延隔離槽70內(nèi)蒸鍍S12形成外延絕緣層9，同時在第二型導(dǎo)電層3表面蒸鍍S12形成介質(zhì)層4。
[0038]四，如圖4所示，在串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10之間的20 μ m寬的外延絕緣層9形成密度為300個/ mm2、直徑為4μπι的圓形的外延絕緣層通孔92 ;且同時在介質(zhì)層4中形成密度為150個/ mm2,直徑為10 μ m的圓形的介質(zhì)層通孔42。
[0039]五,如圖5所示,在外延絕緣層通孔92、介質(zhì)層通孔42及介質(zhì)層4表面蒸鍍金屬，金屬填充滿外延絕緣層通孔92、介質(zhì)層通孔42，形成導(dǎo)電通道(91、41);以及形成400nm厚的金屬反射層5 ;再增厚金屬反射層5至I μ m厚，使得金屬反射層5形成較好的導(dǎo)電效果。
[0040]六,如圖6所不,在金屬反射層5表面掩膜、光刻及蝕刻金屬工藝,在金屬反射層5表面形成規(guī)則的金屬隔離槽51，金屬隔離槽51的寬度大小為4 μ m，金屬隔離槽51的深度至介質(zhì)層4表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管10之間的金屬隔離槽51與外延絕緣層9在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合；在相鄰的串聯(lián)各子級發(fā)光二極管10之間的金屬隔離槽51與外延絕緣層9導(dǎo)電通道91錯開，且與單邊的外延絕緣層9在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上，重合，形成如圖7所示的金屬隔離槽51分布情況。
[0041]七，如圖8所示，采用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬反射層5與硅基板7鍵合在一起，且形成非導(dǎo)電鍵合層6，非導(dǎo)電鍵合層6充滿金屬隔離槽51形成絕緣。
[0042]八，如圖9所示，分別腐蝕去除外延襯底40、緩沖層50與腐蝕截止層60，露出第一型導(dǎo)電層2。
[0043]九，在第一型導(dǎo)電層2上經(jīng)過掩膜、光刻工藝后，露出第二子級發(fā)光二極管10表面的第一型導(dǎo)電層2，包含與第一子級發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面；同時露出第三子級發(fā)光二極管10表面第一型導(dǎo)電層2，包含與第二子級發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面，依次直至同時露出第一百子級發(fā)光二極管10表面第一型導(dǎo)電層2，包含與第九十九子級發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，直至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面。
[0044]十，如圖10及圖11所示，在各子級發(fā)光二極管10裸露的第一型導(dǎo)電層2表面上蒸鍍ITO導(dǎo)電層8，使得各子級發(fā)光二極管10之間的外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91與與之相鄰的子級發(fā)光二極管10第一型導(dǎo)電層2形成連接。
[0045]十一，如圖12所示，在第一百子級發(fā)光二極管10的ITO導(dǎo)電層8采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極30的制作區(qū)域，蝕刻深度至第二型電流擴(kuò)展層以下2 μ m。
[0046]十二，如圖13所示，在第一百子級發(fā)光二極管10的第二電極30制作區(qū)域上分別制作第二電極絕緣層301及第二電極30。
[0047]十三，如圖13所示，在第一子級發(fā)光二極管10的第一型電流擴(kuò)展層上形成第一電極20。
[0048]十四，如圖14所示，把一百個子級發(fā)光二極管10組成的一個大模塊的周圍切割裂片，形成所述高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
[0049]實(shí)施例二
一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管，由七十二個具有獨(dú)立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管10串聯(lián)而成,且排列圖形為8*9的矩陣排列，如圖28所示。
[0050]如圖27所示，其中各個子級發(fā)光二極管10都包含獨(dú)立的有源區(qū)1，有源區(qū)I第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層2，有源區(qū)I第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層3。第一型導(dǎo)電層2采用Si摻雜的GaN三五族化合物，厚度為2.5 μ m。有源層I采用5對量子阱和量子壘交叉生長的結(jié)構(gòu)。具體為量子壘由AlGaN三五族化合物構(gòu)成，厚度為12nm。量子阱由GaInN三五族化合物構(gòu)成，厚度為4nm。第二型導(dǎo)電層3采用Mg摻雜的GaN三五族化合物，厚度為200nmo
[0051 ] 第一子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上設(shè)置第一電極20，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層82，第二 ITO導(dǎo)電層82上設(shè)置金屬反射層5，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0052]第二子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層81，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層82，第二 ITO導(dǎo)電層82上設(shè)置金屬反射層5，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0053]第二子級發(fā)光二極管10與第一子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有S12外延絕緣層9，且S12外延絕緣層9中設(shè)置有填充滿金屬的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第一子級發(fā)光二極管10的第二 ITO導(dǎo)電層82形成連接，且與第二子級發(fā)光二極管10的第一 ITO導(dǎo)電層81形成連接。
[0054]第三子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層81，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層82，第二 ITO導(dǎo)電層82上設(shè)置金屬反射層5，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7。
[0055]第三子級發(fā)光二極管10與第二子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有S12外延絕緣層9，且S12外延絕緣層9中設(shè)置有填充滿金屬的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第二子級發(fā)光二極管10的第二 ITO導(dǎo)電層82形成連接，且與第三子級發(fā)光二極管10的第一 ITO導(dǎo)電層81形成連接。
[0056]循環(huán)所述子級發(fā)光二極管10的芯片結(jié)構(gòu)的連接方式至第七十一子級發(fā)光二極管10
[0057]第七十二子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上設(shè)置第一 ITO導(dǎo)電層81，第二型導(dǎo)電層3上設(shè)置第二 ITO導(dǎo)電層82，第二 ITO導(dǎo)電層82上設(shè)置金屬反射層5，在金屬反射層5上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層6，在非導(dǎo)電鍵合層6上設(shè)置硅基板7 ;第二 ITO導(dǎo)電層82與第二型導(dǎo)電層3的相接觸面上設(shè)置有第二電極30，且第二電極30通過S12第二電極絕緣層301與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)分開。
[0058]第七十二子級發(fā)光二極管10與第七十一子級發(fā)光二極管10之間設(shè)置有S12外延絕緣層9，且S12外延絕緣層9中設(shè)置有填充滿金屬的導(dǎo)電通道91，導(dǎo)電通道91與第七十一子級發(fā)光二極管10的第二 ITO導(dǎo)電層82形成連接，且與第七十二子級發(fā)光二極管10的第一 ITO導(dǎo)電層81形成連接。
[0059]所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，主要包括以下步驟:
一，如圖15所示，在外延襯底40的上表面由下至上依次外延:緩沖層50、犧牲層80、第一型導(dǎo)電層2、有源區(qū)1、第二型導(dǎo)電層3。
[0060]具體為外延襯底40采用4英寸的藍(lán)寶石襯底，厚度為400 μ m。緩沖層50采用無摻雜的GaN三五族化合物，厚度為2 μ m。
[0061]二，如圖16所示，在4英寸的外延片表面的第二型導(dǎo)電層3上采用掩膜，ICP刻蝕，形成外延隔離槽70，外延隔離槽70在非串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10寬度為3 μ m，外延隔離槽70在串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管10形成寬度為24 μ m,且蝕刻深度至犧牲層80，形成幾萬個10mil*10mil尺寸的獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)。
[0062]三,如圖17所示,在外延隔離槽70內(nèi)蒸鍍S12材料,形成外延絕緣層9。
[0063]四，如圖18所示，在外延絕緣層9形成密度為200個/ mm2、直徑為8 μ m的圓形的通孔92。
[0064]五，如圖19所示，在通孔92及第二型導(dǎo)電層3表面蒸鍍ITO材料，形成導(dǎo)電通道91及第二 ITO導(dǎo)電層82 ;且在第二 ITO導(dǎo)電層82表面形成金屬反射層5。
[0065]六，如圖20所示，在金屬反射層5表面經(jīng)過掩膜、光刻及蝕刻金屬、ITO的工藝，在金屬反射層5表面形成規(guī)則的金屬隔離槽51,金屬隔離槽51的寬度大小為4 μ m,金屬隔離槽51的深度至外延絕緣層9表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管10之間的金屬隔離槽51與外延絕緣層9在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合；在相鄰的串聯(lián)各子級發(fā)光二極管10之間的金屬隔離槽51與導(dǎo)電通道91錯開，且與單邊的外延絕緣層9在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合，形成如圖21所示的金屬隔離槽51分布情況。
[0066]七,如圖22所不,米用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬反射層5與娃基板7鍵合在一起,且形成非導(dǎo)電鍵合層6，非導(dǎo)電鍵合層6充滿金屬隔離槽51形成絕緣。
[0067]八，如圖23所示，采用激光剝離技術(shù)去除外延襯底40、緩沖層50及犧牲層80，露出第一型導(dǎo)電層2。
[0068]九，在第一型導(dǎo)電層2上采用掩膜、光刻工藝，露出第二發(fā)光二極管10第一型導(dǎo)電層2的表面，包含與第一發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面；同時露出第三發(fā)光二極管10第一型導(dǎo)電層2的表面，包含與第二發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面，依次直至同時露出第七十二發(fā)光二極管10第一型導(dǎo)電層2的表面，包含與第七十一發(fā)光二極管10相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91區(qū)域，且與導(dǎo)電通道91邊緣持平的表面。
[0069]十,如圖24及圖25所不,在各子級發(fā)光二極管10的裸露的第一型導(dǎo)電層2表面上蒸鍍第一 ITO導(dǎo)電層81，使得各子級發(fā)光二極管10之間的外延絕緣層9中導(dǎo)電通道91與與之相鄰的單個第一型導(dǎo)電層2形成連接。
[0070]i^一，如圖26所示，在第七十二子級發(fā)光二極管10的第一 ITO導(dǎo)電層81采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極30制作區(qū)域，蝕刻深度至第二 ITO導(dǎo)電層82與第二型導(dǎo)電層3的接觸面。
[0071]十二，如圖27所示，在第七十二子級發(fā)光二極管10的第二電極30制作區(qū)域上分別制作第二電極絕緣層301及第二電極30。
[0072]十三，如圖27所示，在第一子級發(fā)光二極管10的第一型導(dǎo)電層2上形成第一電極20。
[0073]十四，如圖28所示，把七十二個子級發(fā)光二極管10組成的一個大模塊的周圍切割裂片，形成所述的高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
[0074]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非對本案設(shè)計(jì)的限制，凡依本案的設(shè)計(jì)關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 一，提供外延襯底，在外延襯底上依次設(shè)置第一型導(dǎo)電層、有源區(qū)、第二型導(dǎo)電層； 二，在第二型導(dǎo)電層表面采用掩膜，ICP刻蝕，形成外延隔離槽，且蝕刻深度至外延襯底，形成若干個獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管； 三，在外延隔離槽內(nèi)蒸鍍外延絕緣層，同時在第二型導(dǎo)電層表面蒸鍍介質(zhì)層； 四，在外延絕緣層以及介質(zhì)層中形成多個用于制作導(dǎo)電通道的通孔； 五，在通孔及介質(zhì)層表面蒸鍍金屬，形成導(dǎo)電通道及金屬反射層，金屬反射層上蒸鍍金屬導(dǎo)電層; 六，在金屬導(dǎo)電層表面掩膜、光刻及蝕刻金屬工藝，在金屬導(dǎo)電層表面形成金屬隔離槽，金屬隔離槽的深度至介質(zhì)層表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管之間的金屬隔離槽與外延隔離槽在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合； 七，采用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬導(dǎo)電層與基板鍵合在一起，且非導(dǎo)電鍵合材料充滿金屬隔離槽； 八，腐蝕去除外延襯底，裸露第一子級發(fā)光二極管至第η子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層，以及外延絕緣層中的導(dǎo)電通道； 九、在第一型導(dǎo)電層上采用掩膜、光刻工藝:同時露出第二發(fā)光二極管的表面，包含與第一發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面，依此直至同時露出第η發(fā)光二極管的表面，包含與第η-1發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面； 十，在各子級發(fā)光二極管的裸露表面上蒸鍍ITO導(dǎo)電層，使得各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層中導(dǎo)電通道和與之相鄰的子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層形成連接； 十一，在第η子級發(fā)光二極管的ITO導(dǎo)電層采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極的制作區(qū)域，蝕刻深度至第二型導(dǎo)電層以下且未達(dá)到第二型導(dǎo)電層與介質(zhì)層的接觸面；在第η子級發(fā)光二極管的第二電極的制作區(qū)域上分別制作電極隔離層及第二電極； 十二，在第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上形成第一電極； 十三，把各子級發(fā)光二極管組成的一個大模塊的周圍切割裂片，形成所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
2.一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 一，提供外延襯底，在外延襯底上依次設(shè)置第一型導(dǎo)電層、有源區(qū)、第二型導(dǎo)電層； 二，在第二型導(dǎo)電層表面采用掩膜，ICP刻蝕，形成外延隔離槽，且蝕刻深度至外延襯底，形成若干個獨(dú)立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管； 三，在外延隔離槽內(nèi)蒸鍍外延絕緣層； 四，在外延絕緣層內(nèi)形成用于制作導(dǎo)電通道的通孔； 五，在通孔及第二型導(dǎo)電層表面蒸鍍ITO材料，形成導(dǎo)電通道及第二 ITO導(dǎo)電層；且在第二 ITO導(dǎo)電層表面形成金屬反射層； 六，在金屬反射層表面掩膜、光刻及蝕刻金屬及ITO的工藝,在金屬導(dǎo)電層表面形成金屬隔離槽，金屬隔離槽的深度至外延絕緣層表面；在相鄰的非串聯(lián)各子級發(fā)光二極管之間的金屬隔離槽與外延絕緣層的一側(cè)在發(fā)光結(jié)構(gòu)的垂直方向上重合； 七，采用非導(dǎo)電鍵合材料把金屬導(dǎo)電層與基板鍵合在一起，且非導(dǎo)電鍵合材料充滿金屬隔離槽； 八，去除外延襯底，裸露第一子級發(fā)光二極管至第η子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層，以及外延絕緣層中的導(dǎo)電通道； 九，在第一型導(dǎo)電層上采用掩膜、光刻工藝，同時露出第二發(fā)光二極管的表面，包含與第一發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面，依此直至同時露出第η發(fā)光二極管的表面，包含與第η-1發(fā)光二極管相鄰的區(qū)域，范圍直至包含外延絕緣層中導(dǎo)電通道區(qū)域且與導(dǎo)電通道邊緣持平的表面； 十，在各子級發(fā)光二極管的裸露表面上蒸鍍ITO導(dǎo)電層，使得各子級發(fā)光二極管之間的外延絕緣層中導(dǎo)電通道和與之相鄰的子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層形成連接； 十一，在第η子級發(fā)光二極管的ITO導(dǎo)電層采用掩膜、光刻、ICP蝕刻，形成第二電極的制作區(qū)域，蝕刻深度至第二型導(dǎo)電層以下且未達(dá)到第二型導(dǎo)電層與介質(zhì)層的接觸面；在第η子級發(fā)光二極管的第二電極的制作區(qū)域上分別制作電極隔離層及第二電極； 十二，在第一子級發(fā)光二極管的第一型導(dǎo)電層上形成第一電極； 十三，把各子級發(fā)光二極管組成的一個大模塊的周圍切割裂片，形成所述一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，子級發(fā)光二極管的個數(shù)η為2-220。
4.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，各子級發(fā)光二極管共用非導(dǎo)電鍵合層該同一層功能結(jié)構(gòu)，且各子級發(fā)光二極管共用基板該同一支撐體。
5.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層寬度d為2 μ m < d < 100 μ m。
6.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，各子級發(fā)光二極管之間設(shè)置的外延絕緣層導(dǎo)電通道規(guī)則排列，且其排列密度D為I ( D(800 個/W。
7.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，各子級發(fā)光二極管之間外延絕緣層導(dǎo)電通道的圖形包括圓形、正方形、三角型、橢圓形、長方形或梯形，且單個外延絕緣層導(dǎo)電通道的邊長或直徑d為d ^ 200 μ m0
8.如權(quán)利要求1或2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，η個串聯(lián)的子級發(fā)光二極管排列圖形包括2* (η/2)矩陣、3* (η/3)矩陣、4* (η/4)矩陣、5*(η/5)矩陣；也包括非矩陣L型、Π型、III型。
9.如權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，各子級發(fā)光二極管的相鄰且非相連的各個獨(dú)立的金屬反射層之間隔著非導(dǎo)電鍵合材料。
10.如權(quán)利要求2所述的一種高發(fā)光效率的高壓發(fā)光二極管制作方法，其特征在于:各子級發(fā)光二極管的相鄰且非相連的各個獨(dú)立的第二 ITO導(dǎo)電層之間隔著非導(dǎo)電鍵合材料。
【文檔編號】H01L33/62GK104409465SQ201410666659
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】林志偉, 陳凱軒, 張永, 卓祥景, 姜偉, 楊凱, 白繼鋒, 蔡建九, 李俊承, 張銀橋, 黃尊祥, 王向武 申請人:廈門乾照光電股份有限公司