一種應(yīng)用于高頻聲表面波器件劃片工藝的靜電消除結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供的應(yīng)用于高頻聲表面波器件劃片工藝的靜電消除結(jié)構(gòu)，包括晶圓和若干個(gè)高頻聲表面波器件；高頻聲表面波器件包括正電荷匯流條和負(fù)電荷匯流條，高頻聲表面波器件并排相鄰設(shè)置在該晶圓上，相鄰的兩個(gè)高頻聲表面波器件中，一高頻聲表面波器件的正電荷匯流條與另一高頻聲表面波器件的負(fù)電荷匯流條相鄰設(shè)置，且該正電荷匯流條與該負(fù)電荷匯流條之間連接第一金屬導(dǎo)線；最左端和最優(yōu)端的兩個(gè)高頻聲表面波器件分別用第一金屬導(dǎo)線連接其高頻聲表面波器件內(nèi)的正電荷匯流條與負(fù)電荷匯流條。能有效地消除高頻聲表面波器件產(chǎn)生的靜電，解決現(xiàn)有技術(shù)中缺乏解決高頻聲表面波器件中靜電燒傷問題結(jié)構(gòu)的缺陷。
【專利說明】一種應(yīng)用于高頻聲表面波器件劃片工藝的靜電消除結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于聲表面波器件的封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于高頻聲表面波器件劃片工藝的靜電消除結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，高頻聲表面波器件的基體常采用壓電材料制成，這種特殊的聲表面波器件的基體材料，在溫度沖擊和壓力沖擊的情況下會產(chǎn)生很大的靜電積累。現(xiàn)有的高頻聲表面波器件是設(shè)置在晶圓上的，高頻聲表面波器件在金屬化以后(前工序完成)，由于運(yùn)輸存儲等原因會產(chǎn)生一定的靜電積累。同時(shí)，高頻聲表面波器件在劃片工序切割過程中產(chǎn)生了巨大的機(jī)械和熱沖擊，靜電無處釋放，會在高頻聲表器件的指條間形成電容效應(yīng)，一旦釋放則可以燒毀器件，也就是俗稱的靜電燒傷問題。目前根據(jù)統(tǒng)計(jì)，高頻聲表面波器件在生產(chǎn)過程中，由于靜電燒傷問題損壞的器件占所有損壞器件的30%以上，已成為高頻聲表面波器件生產(chǎn)過程中亟待解決的問題。但是目前還沒有解決高頻聲表面波器件中靜電燒傷問題的現(xiàn)有技術(shù)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題是怎樣提供一種應(yīng)用于高頻聲表面波器件劃片工藝的靜電消除結(jié)構(gòu)，能有效地消除高頻聲表面波器件產(chǎn)生的靜電，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中缺乏解決高頻聲表面波器件中靜電燒傷問題結(jié)構(gòu)的缺陷。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用了如下的技術(shù)方案:
[0005]一種應(yīng)用于高頻聲表面波器件劃片工藝的靜電消除結(jié)構(gòu)，包括晶圓和若干個(gè)高頻聲表面波器件；高頻聲表面波器件包括正電荷匯流條和負(fù)電荷匯流條，高頻聲表面波器件并排相鄰設(shè)置在該晶圓上，相鄰的兩個(gè)高頻聲表面波器件中，一高頻聲表面波器件的正電荷匯流條與另一高頻聲表面波器件的負(fù)電荷匯流條相鄰設(shè)置，且該正電荷匯流條與該負(fù)電荷匯流條之間連接第一金屬導(dǎo)線；最左端和最右端的兩個(gè)高頻聲表面波器件分別用第一金屬導(dǎo)線連接其高頻聲表面波器件內(nèi)的正電荷匯流條與負(fù)電荷匯流條。
[0006]進(jìn)一步，所述第一金屬導(dǎo)線設(shè)置在晶圓的表面，晶圓上劃片街區(qū)的劃片標(biāo)志的第二金屬導(dǎo)線匯集形成連接線，連接線延伸至與第一金屬導(dǎo)線連接。
[0007]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0008]本實(shí)用新型提供的靜電消除結(jié)構(gòu)，能有效地消除高頻聲表面波器件產(chǎn)生的靜電，解決現(xiàn)有技術(shù)中缺乏解決高頻聲表面波器件中靜電燒傷問題結(jié)構(gòu)的缺陷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型提供的靜電消除結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010]高頻聲表面波器件采用的壓電材料在受到機(jī)械和熱沖擊的情況下，其晶體結(jié)構(gòu)會發(fā)生變化，導(dǎo)致表面電荷的產(chǎn)生，這也正是聲表面波器件的工作原理之一。
[0011]在高頻聲表面波器件的劃片工藝中，常使用砂輪劃片機(jī)對晶圓進(jìn)行切割，這樣砂輪劃片機(jī)的刀片會與晶圓進(jìn)行接觸，產(chǎn)生了巨大的機(jī)械沖擊，同時(shí)也伴有熱沖擊。這樣一來，在芯片圖形的周圍就會產(chǎn)生靜電荷。由于高頻聲表面波器件是金屬圖形，則金屬圖形將會聚集這些電荷，在指條間出現(xiàn)類似于電容的電場分布，正負(fù)電荷成對出現(xiàn)。
[0012]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0013]實(shí)施例:
[0014]一種應(yīng)用于高頻聲表面波器件劃片工藝的靜電消除結(jié)構(gòu)，如圖1所示，包括晶圓和若干個(gè)高頻聲表面波器件；高頻聲表面波器件包括正電荷匯流條和負(fù)電荷匯流條，高頻聲表面波器件并排相鄰設(shè)置在該晶圓上，相鄰的兩個(gè)高頻聲表面波器件中，一高頻聲表面波器件的正電荷匯流條與另一高頻聲表面波器件的負(fù)電荷匯流條相鄰設(shè)置，且該正電荷匯流條與該負(fù)電荷匯流條之間連接第一金屬導(dǎo)線；最左端和最右端的兩個(gè)高頻聲表面波器件分別用第一金屬導(dǎo)線連接其高頻聲表面波器件內(nèi)的正電荷匯流條與負(fù)電荷匯流條。
[0015]本實(shí)用新型，在正電荷匯流條與負(fù)電荷匯流條之間連接的第一金屬導(dǎo)線可以很好的對高頻聲表面波器件由于靜電累計(jì)的正負(fù)電荷進(jìn)行中和，這樣就不會形成靜電積累，也不會形成靜電燒傷的情況。將相鄰的兩個(gè)高頻聲表面波器件中，一高頻聲表面波器件的正電荷匯流條與另一高頻聲表面波器件的負(fù)電荷匯流條相鄰設(shè)置，這樣，方便第一金屬導(dǎo)線走線，且使用到的金屬走線較短。
[0016]所述第一金屬導(dǎo)線設(shè)置在晶圓的表面，晶圓上劃片街區(qū)的劃片標(biāo)志的第二金屬導(dǎo)線匯集形成連接線，連接線延伸至與第一金屬導(dǎo)線連接。晶圓上劃片街區(qū)的劃片標(biāo)志是用來指示砂輪劃片機(jī)進(jìn)行劃片的，具體實(shí)施時(shí)，在器件設(shè)計(jì)版圖的同時(shí)，將劃片標(biāo)記進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，在通過涂膠，顯影，鍍膜，剝離等工藝，將第一金屬導(dǎo)線設(shè)置于晶圓的表面，將原來只作為劃片標(biāo)記的第二金屬線進(jìn)行延伸，全部匯集形成連接線，并與第一金屬導(dǎo)線連接連完全連接，在進(jìn)行劃片標(biāo)記的同時(shí)，也增加了靜電消除的功能。該圖形結(jié)構(gòu)可以通過單次光刻與器件光刻同時(shí)完成，也可以采用套刻的方式后添加在器件圖形上。
[0017]最后說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于高頻聲表面波器件劃片工藝的靜電消除結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括晶圓和若干個(gè)高頻聲表面波器件；高頻聲表面波器件包括正電荷匯流條和負(fù)電荷匯流條，高頻聲表面波器件并排相鄰設(shè)置在該晶圓上，相鄰的兩個(gè)高頻聲表面波器件中，一高頻聲表面波器件的正電荷匯流條與另一高頻聲表面波器件的負(fù)電荷匯流條相鄰設(shè)置，且該正電荷匯流條與該負(fù)電荷匯流條之間連接第一金屬導(dǎo)線；最左端和最右端的兩個(gè)高頻聲表面波器件分別用第一金屬導(dǎo)線連接其高頻聲表面波器件內(nèi)的正電荷匯流條與負(fù)電荷匯流條。
2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于高頻聲表面波器件劃片工藝的靜電消除結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬導(dǎo)線設(shè)置在晶圓的表面，晶圓上劃片街區(qū)的劃片標(biāo)志的第二金屬導(dǎo)線匯集形成連接線，連接線延伸至與第一金屬導(dǎo)線連接。
【文檔編號】H01L41/053GK204155930SQ201420700143
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】金中, 李磊, 李燕, 楊正兵, 劉婭, 何西良, 曾祥君, 唐代華, 曹亮 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所