表面安裝技術(shù)器件及相關(guān)方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求于2014年10月15日提交的、題為"SMT DEVICES"的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/ 064435號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其公開在此通過引用被明確地整體并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本公開設(shè)及表面安裝技術(shù)(SMT)器件。
【背景技術(shù)】
[0004] 在很多電子應(yīng)用中，諸如射頻(RF)電路之類的電子電路被實(shí)現(xiàn)為使得組件安裝在 諸如封裝基板或電路板之類的基板的表面上。此類組件通常被稱為表面安裝技術(shù)(SMT)器 件，或者被稱為表面安裝器件(SMD)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 根據(jù)一些教導(dǎo)，本公開設(shè)及包括電氣元件和連接到該電氣元件的多個(gè)端子的表面 安裝技術(shù)(SMT)器件。該SMT器件還包括被配置為支撐該電氣元件和多個(gè)端子的主體。該主 體含有具有長(zhǎng)度、寬度W及比該寬度大的高度的長(zhǎng)方體形狀。該主體包括被配置為允許SMT 器件的表面安裝的基準(zhǔn)平面。
[0006] 在一些實(shí)施例中，主體可包括多個(gè)層。在一些實(shí)施例中，電氣元件可包括電容元 件，使得SMT器件為電容器。電容元件可包括在各個(gè)層上形成的第一組導(dǎo)電板和第二組導(dǎo)電 板。第一組和第二組導(dǎo)電板可被布置成交錯(cuò)結(jié)構(gòu)，并且該第一組導(dǎo)電板可電連接到第一端 子，第二組導(dǎo)電板可電連接至第二端子。
[0007] 在一些實(shí)施例中，第一組和第二組導(dǎo)電板可大致與基準(zhǔn)平面平行。主體的高度大 于寬度可W允許實(shí)現(xiàn)W下的至少一個(gè):導(dǎo)電板之間更厚的介電層、更多數(shù)量的導(dǎo)電板、更厚 的導(dǎo)電板。更厚的介電層可致使電容的擊穿電壓增加。更多數(shù)量的導(dǎo)電板可致使電容器的 電容增加。更厚的導(dǎo)電板可致使品質(zhì)因數(shù)值如曽大。
[000引在一些實(shí)施例中，第一組和第二組導(dǎo)電板可大致與基準(zhǔn)平面垂直。主體的高度大 于寬度可W允許實(shí)現(xiàn)具有更大面積的導(dǎo)電板。導(dǎo)電板的更大面積可致使電容器的電容增 加。導(dǎo)電板的更大面積可致使導(dǎo)電板的制造產(chǎn)量增加。
[0009] 在一些實(shí)施例中，多個(gè)端子可包括第一和第二L形端子，每個(gè)L形端子均具有在基 準(zhǔn)平面上的導(dǎo)電墊，W及在電連接到該導(dǎo)電墊的端壁上的導(dǎo)電壁，從而形成L形。第一L形端 子的導(dǎo)電壁可電連接到第一組導(dǎo)電板，第二L形端子導(dǎo)電壁可電連接到第二組導(dǎo)電板。
[0010] 在一些實(shí)施例中，電氣元件可包括電感元件，使得SMT器件為具有繞組的電感。電 感元件可包括形成在各層上的多個(gè)導(dǎo)電跡線，使得繞組的第一端電連接到第一端子、繞組 的第二端電連接到第二端子。
[0011] 在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電跡線可大致與基準(zhǔn)平面平行。主體的高度大于寬度可W允 許實(shí)現(xiàn)W下中的至少一個(gè):導(dǎo)電跡線的增加的應(yīng)數(shù)、導(dǎo)電跡線的增加的厚度、W及繞組與基 準(zhǔn)平面之間增加的間隔。導(dǎo)電跡線的增加的應(yīng)數(shù)可致使電感器更大的電感。導(dǎo)電跡線的增 加的厚度可致使更強(qiáng)的電流處理能力或更高的品質(zhì)因數(shù)值Q或者兼而有之。繞組與基準(zhǔn)平 面之間增加的間隔可致使更高的品質(zhì)因數(shù)值Q。
[0012] 在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電跡線可大致與基準(zhǔn)平面垂直。主體的高度大于寬度可使得 導(dǎo)電跡線的應(yīng)具有更大的直徑。導(dǎo)電跡線的應(yīng)的更大直徑可致使更大的品質(zhì)因數(shù)值Q。
[0013] 在一些實(shí)施例中，多個(gè)端子可包括第一和第二L形端子，每個(gè)L形端子均具有在基 準(zhǔn)平面上的導(dǎo)電墊，W及在電連接到該導(dǎo)電墊的端壁上的導(dǎo)電壁，從而形成L形。第一L形端 子的導(dǎo)電壁可電連接到該繞組的第一端，第二L形端子導(dǎo)電壁可電連接到該繞組的第二端。 L形端子可致使繞組的寄生電容降低。
[0014] 在一些實(shí)施例中，電氣元件可包括電阻元件，使得SMT器件為電阻。電阻元件可在 主體的一個(gè)表面來實(shí)現(xiàn)。電阻元件可在主體的安裝側(cè)上實(shí)現(xiàn)。主體的高度大于寬度可允許 在作為面板處理時(shí)電阻W更高的產(chǎn)率制造。
[001引在一些實(shí)施例中，電氣元件可包括無源電路，使得SMT器件為無源組件。主體的高 度大于寬度可允許無源電路W距離基準(zhǔn)平面的更遠(yuǎn)距離來放置。
[0016] 在一些實(shí)施例中，長(zhǎng)度可具有大約250WI1的值。寬度可具有大約125皿的值。高度可 具有大于 125]im、130]im、1 SOum 或 200]im的值。
[0017] 在一些實(shí)施方式中，本公開設(shè)及電子模塊，該電子模塊包括被配置為容納多個(gè)組 件的封裝基板，W及被安裝在封裝基板上的半導(dǎo)體裸忍。該半導(dǎo)體裸忍包括集成電路。電子 模塊還包括在封裝基板上安裝的一個(gè)或多個(gè)表面安裝技術(shù)(SMT)器件。每個(gè)SMT器件包括電 氣元件和連接到該電氣元件的多個(gè)端子。SMT器件還包括被配置為支撐該電氣元件和多個(gè) 端子的主體。該主體具有長(zhǎng)度、寬度W及比該寬度大的高度的長(zhǎng)方體形狀。
[0018] 在一些實(shí)施例中，集成電路可被配置為提供射頻(RF)功能。
[0019] 根據(jù)一些實(shí)施方式，本公開設(shè)及一種無線裝置，其包括被配置為產(chǎn)生射頻(RF)信 號(hào)的收發(fā)機(jī)、與該收發(fā)機(jī)進(jìn)行通信并配置為處理RF信號(hào)的RF模塊。該RF模塊包括被配置為 容納多個(gè)組件的封裝基板W及在封裝基板上安裝的半導(dǎo)體裸忍。該半導(dǎo)體裸忍包括集成電 路。RF模塊還包括在封裝基板上安裝的一個(gè)或多個(gè)表面安裝技術(shù)(SMT)器件，每個(gè)SMT器件 包括電氣元件和連接到該電氣元件的多個(gè)端子。SMT器件還包括被配置為支撐該電氣元件 和多個(gè)端子的主體。該主體為具有長(zhǎng)度、寬度W及比該寬度大的高度的長(zhǎng)方體形狀。該無線 裝置還包括與該RF模塊通信的天線。該天線被配置為促進(jìn)已處理RF信號(hào)的傳送。
[0020] 為了概括本公開，已在本文中描述了本發(fā)明的某些方面、優(yōu)點(diǎn)和新穎性特征。但是 應(yīng)該理解，所有運(yùn)些優(yōu)點(diǎn)并不一定依據(jù)本發(fā)明的任何特定的實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)。因此，可W實(shí)現(xiàn) 或?qū)嵤┍疚乃虒?dǎo)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或一組優(yōu)點(diǎn)、而不必實(shí)踐如本文所教導(dǎo)或建議的其它優(yōu)點(diǎn)的 方式來體現(xiàn)或?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明。
【附圖說明】
[0021 ]圖1示出了在封裝基板上安裝的示例表面安裝技術(shù)(SMT)器件的平面圖。
[0022] 圖2示出圖1中示例的側(cè)視圖，其中減少尺寸的SMT器件的高度T與大型SMT器件的 高度TO保持大致相同。
[0023] 圖3示出了具有減小的占位面積的SMT器件可具有增加的高度T的示例配置。
[0024] 圖4示出了在一些實(shí)施例中，圖3中SMT器件的增加的高度T可W允許實(shí)現(xiàn)更多的特 征層，其中該特征層可大致與水平面平行。
[0025] 圖5示出了在一些實(shí)施例中，與SMT器件相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)電氣元件可被定向?yàn)?與水平面大致垂直。
[00%]圖6示出了在一些實(shí)施例中，SMT器件的增加的高度T可W在SMT器件內(nèi)放置一個(gè)或 多個(gè)電氣元件時(shí)提供更大的靈活性。
[0027]圖7A-7C示出了作為SMT器件實(shí)現(xiàn)的電容器的各種視圖，其中多個(gè)平行板被布置為 與水平面大致平行。
[00%]圖8A-8E示出了作為SMT器件實(shí)現(xiàn)的電容器的各種視圖，其中多個(gè)平行板被布置為 與水平面大致垂直。
[0029] 圖9示出了作為SMT器件實(shí)現(xiàn)的電感器的一個(gè)示例，其中在其各自平面上形成的多 個(gè)導(dǎo)電特征可進(jìn)行電連接從而形成繞組。
[0030] 圖10示出了作為SMT器件實(shí)現(xiàn)的電阻器的一個(gè)示例。
[0031] 圖11描述了可由射頻(RF)模塊實(shí)現(xiàn)的橫向尺寸的減少，該射頻(RF)模塊具有包含 如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的多個(gè)減少尺寸的SMT器件。
[0032] 圖12示意性地描繪了具有本文所述的一個(gè)或多個(gè)有利特征的示例無線裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0033] 本文所提供的標(biāo)題，如果有的話也僅是為了方便，并不必然影響所要求保護(hù)的發(fā) 明的范圍或含義。
[0034] 由于諸如智能手機(jī)之類的無線裝置在保持一定的器件尺寸的同時(shí)變得更為復(fù)雜 且功能更強(qiáng)，因此希望使得給定無線裝置的組件變得更小。例如，期望在保持一定性能水平 的同時(shí)，使得諸如功率放大器(PA)模塊、PA-雙工器(PAD)模塊、前端(FE)模塊、開關(guān)模塊、低 噪聲放大器(LNA)模塊、分集接收(DRx)模塊之類的射頻(RF)模塊更小。在運(yùn)種模塊中，可有 促進(jìn)與該模塊相關(guān)的各種功能的多達(dá)70個(gè)表面安裝技術(shù)(SMT)器件。因此，減小部分或全部 運(yùn)種SMT器件的占位面積可減小模塊的總面積。
[0035] 圖1示出了在封裝基板16上安裝的示例SMT器件10的平面圖。運(yùn)種封裝基板可被配 置為容納多個(gè)組件，包括SMT器件10和具有RF集成電路的半導(dǎo)體裸忍HdSMT器件10被示出 為具有橫向尺寸LO (長(zhǎng)度)和WO (寬度）。
[0036] 在圖1的示例中，減少尺寸的SMT器件12可替代SMT器件10。減少尺寸的SMT器件12 被示出為具有橫向尺寸L(長(zhǎng)度)和W(寬度）。因此，通過使用示例SMT器件12可實(shí)現(xiàn)占位面積 減少大約L0XW0-LXW。并且，運(yùn)種占位面積減少的部分或全部可有助于在給定的封裝基板 上實(shí)施多個(gè)SMT時(shí)所需的面積的整體減少。
[0037] 圖2示出了圖1中示例的側(cè)視圖，其中減少尺寸的SMT器件12的高度T可與SMT器件 10的高度TO保持大致相同。在運(yùn)種減少配置中，可能會(huì)犧牲性能和/或增加成本。例如，被實(shí) 施為運(yùn)種減少尺寸的SMT器件的電容器和電感器會(huì)遭受品質(zhì)因數(shù)(Q)的降低。
[0038] 在圖2的示例中，注意到半導(dǎo)體裸忍14或其它一些組件具有明顯大于SMT器件10、 12的高度的高度T1。在一些實(shí)施例中，SMT器件可被配置為包括減少的占位W減小橫向尺 寸，W及增加的高度W解決諸如那些與Q值相關(guān)的性能問題（例如，Q降低）。在一些實(shí)施例 中，不需要增加模塊的總高度即可實(shí)現(xiàn)運(yùn)種增加的高度。例如，該SMT器件的增加的高度可 W小于或等于在封裝基板上實(shí)現(xiàn)的各種組件的最高高度。如果具有最高高度的運(yùn)一組件是 示例半導(dǎo)體裸忍14,則SMT器件的增加的高度則可W小于或等于半導(dǎo)體裸忍14的高度(T1)。
[0039] 圖3示出了一種示例性配置，其中具有減小的占位尺寸(例如，LXW)的SMT器件100 也具有增加的高度T。在圖3中，SMT器件10和半導(dǎo)體裸忍14與圖2的示例大致相同。在一