Led結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種LED結(jié)構(gòu)，在發(fā)光半導(dǎo)體層的預(yù)定區(qū)域形成若干高阻態(tài)離子注入層，所述若干高阻態(tài)離子注入層將發(fā)光半導(dǎo)體層分割成若干絕緣分離的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層，后續(xù)芯片制造端無需再通過光刻刻蝕工藝進(jìn)行隔離槽的制作，更無須再用絕緣材料填充隔離槽，而這些正是芯片制造端成本昂貴的工藝步驟，也是其提高可靠性和良率的技術(shù)瓶頸，本實(shí)用新型有利于提高LED發(fā)光亮度、LED芯片可靠性及LED芯片良率，且可降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】LED結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體光電芯片制造領(lǐng)域，尤其涉及一種LED結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]自從20世紀(jì)90年代初商業(yè)化以來，經(jīng)過二十幾年的發(fā)展，GaN基LED已被廣泛應(yīng)用于戶內(nèi)外顯示屏、投影顯示用照明光源、背光源、景觀亮化照明、廣告、交通指示等領(lǐng)域，并被譽(yù)為二十一世紀(jì)最有競爭力的新一代固體光源。然而對(duì)于半導(dǎo)體發(fā)光器件LED來說，要代替?zhèn)鹘y(tǒng)光源，進(jìn)入高端照明領(lǐng)域，必須考慮三個(gè)因素:一是發(fā)光亮度的提升，二是可靠性的提升，三是生產(chǎn)成本的降低。
[0003]近年來，各種為提高LED發(fā)光亮度的技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，例如圖形化藍(lán)寶石襯底技術(shù)、側(cè)壁粗化技術(shù)、DBR技術(shù)、優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)、在藍(lán)寶石襯底或透明導(dǎo)電膜上制作二維光子晶體等。其中圖形化藍(lán)寶石襯底技術(shù)最具成效，在2010年到2012年間，前后出現(xiàn)的錐狀結(jié)構(gòu)的干法圖形化藍(lán)寶石襯底和金字塔形狀的濕法圖形化藍(lán)寶石襯底完全取代了表面平坦的藍(lán)寶石襯底成為LED芯片的主流藍(lán)寶石襯底，使LED的晶體結(jié)構(gòu)和發(fā)光亮度都得到了革命性的提高。但是圖形化的藍(lán)寶石襯底代替表面平坦的藍(lán)寶石襯底成為LED芯片的主流藍(lán)寶石襯底無疑增加了 LED的生產(chǎn)成本，雖然所增加的成本隨著圖形化藍(lán)寶石襯底制作技術(shù)水平的提高會(huì)慢慢降低，但卻無法完全消除。
[0004]隨著半導(dǎo)體集成技術(shù)的高速發(fā)展，一種稱為高壓芯片的LED結(jié)構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生，此種結(jié)構(gòu)的LED —般是在發(fā)光半導(dǎo)體層形成后，通過光刻刻蝕工藝在所述發(fā)光半導(dǎo)體層上形成隔離槽，再在隔離槽內(nèi)填充絕緣材料，最后在各絕緣分離的發(fā)光半導(dǎo)體層上制作電極并形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；雖然這種結(jié)構(gòu)可以在一定程度上提高LED的發(fā)光亮度，但此種結(jié)構(gòu)也會(huì)降低LED的可靠性，同時(shí)其提高LED發(fā)光亮度的空間也是有限的；這是因?yàn)榘l(fā)光半導(dǎo)體層的厚度要超過6 μ m，如果利用光刻膠作掩膜，在發(fā)光半導(dǎo)體層上形成隔離槽，則光刻膠的厚度一般要在10 μm以上，此種厚度的光刻膠勢必會(huì)影響光刻線寬，進(jìn)而增大隔離槽的寬度，減小LED的發(fā)光面積；如果利用二氧化硅作掩膜，在發(fā)光半導(dǎo)體層上形成隔離槽，則會(huì)由于選擇比的局限性，進(jìn)而導(dǎo)致隔離槽的側(cè)壁陡峭，這會(huì)影響后續(xù)串聯(lián)電極的爬坡效果，進(jìn)而降低LED芯片的良率和可靠性；不僅如此，由于現(xiàn)有刻蝕工藝均勻性的局限性，形成的隔離槽內(nèi)總有部分區(qū)域存在半導(dǎo)體材料殘留現(xiàn)象，此種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致串聯(lián)芯片因短路而失效；再者，無論采用哪種工藝形成隔離槽，都會(huì)在現(xiàn)有LED生產(chǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)上增加一部分生產(chǎn)成本。
[0005]總之，現(xiàn)有LED生產(chǎn)工藝技術(shù)要么提高LED發(fā)光亮度的空間有限，要么降低了 LED芯片的可靠性好良率，要么提高了 LED的生產(chǎn)成本，要么兩者或三者兼有之，不利于LED替代傳統(tǒng)光源進(jìn)入照明領(lǐng)域。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的在于提供一種提高LED發(fā)光亮度、LED芯片可靠性及LED芯片良率且能同時(shí)降低其生產(chǎn)成本的LED結(jié)構(gòu)。
[0007]為了解決上述問題，本實(shí)用新型還提供一種LED結(jié)構(gòu)，包括:
[0008]藍(lán)寶石襯底；
[0009]形成于所述藍(lán)寶石襯底上的發(fā)光半導(dǎo)體層；
[0010]形成于所述發(fā)光半導(dǎo)體層中的若干高阻態(tài)離子注入層，所述若干高阻態(tài)離子注入層將所述發(fā)光半導(dǎo)體層分割成若干絕緣分離的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層，每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層均包括依次層疊的N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層；
[0011]若干貫穿所述P型半導(dǎo)體層、有源層和至少部分N型半導(dǎo)體層的凹槽，每個(gè)所述凹槽暴露一高阻態(tài)離子注入層的一側(cè)壁；
[0012]形成于所述每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的P型半導(dǎo)體層上的第一電極以及形成于所述每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的凹槽中的第二電極，部分相鄰的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極和第一電極電連接，形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；以及
[0013]形成于所述發(fā)光半導(dǎo)體層所有暴露的表面上的鈍化保護(hù)層，所述鈍化保護(hù)層具有暴露所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)中為首的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第一電極和為尾的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極的引線孔。
[0014]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，還包括形成于所述P型半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上的阻擋層。
[0015]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，還包括形成于所述P型半導(dǎo)體層和阻擋層上的接觸層O
[0016]可選的，在所述的LED結(jié)構(gòu)中，所述阻擋層的材料為二氧化硅，所述接觸層的材料為 ITOo
[0017]本實(shí)用新型提供的LED結(jié)構(gòu)具有以下有益效果:
[0018]1、本實(shí)用新型的LED結(jié)構(gòu)制作方法利用離子注入技術(shù)，在發(fā)光半導(dǎo)體層形成的過程中或其形成之后，在預(yù)定區(qū)域上形成高阻態(tài)離子注入層，所述若干高阻態(tài)離子注入層將發(fā)光半導(dǎo)體層分割成若干絕緣分離的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層，后續(xù)芯片制造端無需再通過光刻刻蝕工藝進(jìn)行隔離槽的制作，更無須再用絕緣材料填充隔離槽，而這些正是芯片制造端成本昂貴的工藝步驟，也是其提高可靠性和良率的技術(shù)瓶頸，所以本實(shí)用新型提供的LED結(jié)構(gòu)解決了芯片制造端的技術(shù)難題；
[0019]2、各個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體的第一電極和第二電極可以根據(jù)需求在形成獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體第一電極和第二電極的同時(shí)形成金屬連接，即形成任意顆數(shù)的串聯(lián)結(jié)構(gòu)，形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)的發(fā)光半導(dǎo)體層無需再進(jìn)行單獨(dú)測試，節(jié)約了測試成本；無需再進(jìn)行單獨(dú)切割，節(jié)約了切割成本；也無需再進(jìn)行單獨(dú)封裝，節(jié)約了封裝成本；所以本實(shí)用新型提供的LED結(jié)構(gòu)將低了芯片制造端的測試成本、切割成本，同時(shí)還降低了下游封裝的成本；
[0020]3、由于所述各個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體層可以在形成電極的同時(shí)，形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所以本實(shí)用新型所提供的LED結(jié)構(gòu)能夠在較大電壓下工作；
[0021]4、由于串聯(lián)結(jié)構(gòu)可以和電極同步形成，處于中間位置的管芯可以不受光刻線寬的約束、可以不受打線要求的束縛，其所占據(jù)發(fā)光區(qū)的面積會(huì)更小，所以這又進(jìn)一步提高了LED的發(fā)光亮度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]參照附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)描述，可以更加清楚地理解本實(shí)用新型。為了清楚起見，圖中各個(gè)層的相對(duì)厚度以及特定區(qū)的相對(duì)尺寸并沒有按比例繪制。在附圖中:
[0023]圖1-7是本實(shí)用新型一實(shí)施例的LED結(jié)構(gòu)制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖8是本實(shí)用新型一實(shí)施例形成鈍化保護(hù)層時(shí)藍(lán)寶石襯底的轉(zhuǎn)動(dòng)示意圖。
[0025]圖9是本實(shí)用新型一實(shí)施例的LED結(jié)構(gòu)制作方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。
[0027]如圖9所示，本實(shí)用新型的LED結(jié)構(gòu)制作方法，包括如下步驟:
[0028]S1:提供一藍(lán)寶石襯底；
[0029]S2:在藍(lán)寶石襯底上形成發(fā)光半導(dǎo)體層，并通過離子注入工藝在發(fā)光半導(dǎo)體層的預(yù)定位置形成若干高阻態(tài)離子注入層，所述若干高阻態(tài)離子注入層將所述發(fā)光半導(dǎo)體層分割成若干絕緣分離的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層，每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層均包括依次層疊的N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層；
[0030]S3:在每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層中形成一凹槽，所述凹槽貫穿所述P型半導(dǎo)體層、有源層和至少部分N型半導(dǎo)體層，每個(gè)高阻態(tài)離子注入層的一側(cè)壁被一個(gè)凹槽暴露出來；
[0031]S4:在每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的P型半導(dǎo)體層上形成第一電極，在每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的凹槽內(nèi)形成第二電極，并將部分相鄰的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的第二電極和第一電極電連接形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；
[0032]S5:在所述獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層所有暴露的表面上形成鈍化保護(hù)層，所述鈍化保護(hù)層具有暴露所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)中為首的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第一電極和為尾的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極的引線孔。
[0033]下面結(jié)合圖1-8更詳細(xì)地說明本實(shí)用新型所提供的LED結(jié)構(gòu)。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0034]如圖1所示，提供一藍(lán)寶石襯底1。
[0035]如圖2所示，通過MOCVD工藝或分子束外延技術(shù)在所述藍(lán)寶石襯底1上形成發(fā)光半導(dǎo)體層2，所述發(fā)光半導(dǎo)體層2至少包括依次層疊的N型半導(dǎo)體層21、有源層22和P型半導(dǎo)體層23。
[0036]在此，通過MOCVD工藝或分子束外延技術(shù)在所述藍(lán)寶石襯底1上形成發(fā)光半導(dǎo)體層2之后，在所述發(fā)光半導(dǎo)體層2上形成掩膜層，并以所述掩膜層做遮擋進(jìn)行離子注入，從而在所述發(fā)光半導(dǎo)體層2的預(yù)定位置形成若干高阻態(tài)離子注入層3。或者，通過MOCVD工藝或分子束外延技術(shù)形成所述發(fā)光半導(dǎo)體層2的過程中，同時(shí)通過離子注入技術(shù)在所述發(fā)光半導(dǎo)體層2的預(yù)定位置形成若干高阻態(tài)離子注入層3，所述高阻態(tài)離子注入層3將所述發(fā)光半導(dǎo)體層2分割成若干絕緣分離的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層。
[0037]本實(shí)施例中，在所述發(fā)光半導(dǎo)體層2中注入氧離子形成高阻態(tài)離子注入層3?？梢岳斫獾氖牵诒緦?shí)用新型其他實(shí)施例中還可注入其他離子，只要實(shí)現(xiàn)形成高阻態(tài)離子注入層的目的進(jìn)而將所述發(fā)光半導(dǎo)體層2分割成若干絕緣分離的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層即可。
[0038]如圖3所示，通過光刻刻蝕工藝在所述發(fā)光半導(dǎo)體層2的預(yù)定區(qū)域形成若干凹槽2’，即在每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層中均形成一個(gè)凹槽2’，所述凹槽2’貫穿所述P型半導(dǎo)體層23、有源層22和至少部分N型半導(dǎo)體層21，并且所述高阻態(tài)離子注入層3的一側(cè)壁被所述凹槽2’暴露出來，換言之，凹槽2’內(nèi)的P型半導(dǎo)體層23和有源層22完全被去除，而N型半導(dǎo)體層21被去除一部分，并且每個(gè)高阻態(tài)離子注入層3緊鄰一個(gè)凹槽2’。
[0039]如圖4所示，通過沉積、光刻、刻蝕工藝在所述P型半導(dǎo)體層23的部分區(qū)域上形成阻擋層4，所述阻擋層4的材料例如為二氧化硅。
[0040]如圖5所示，通過蒸發(fā)工藝在所述P型半導(dǎo)體層23和阻擋層4上形成接觸層5，所述接觸層5的材料例如為ITO。
[0041 ] 如圖6所示，通過蒸發(fā)工藝，在每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的接觸層5上形成第一電極61，在每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的凹槽2 ’內(nèi)形成第二電極62，并有選擇地且同步地將部分相鄰的發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極62和第一電極61金屬連接，形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。
[0042]如圖7所示，通過PECVD工藝在所述獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層所有暴露的側(cè)壁上形成鈍化保護(hù)層7 ;并通過光刻刻蝕工藝對(duì)串聯(lián)結(jié)構(gòu)中為首的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第一電極61和為尾的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上第二電極62上的鈍化保護(hù)層7進(jìn)行開孔工藝形成引線孔，暴露出為首的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上第一電極61的部分區(qū)域和為尾的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層2上第二電極62的部分區(qū)域，以便于引線。所述鈍化保護(hù)層7的材料例如為二氧化硅。
[0043]優(yōu)選的，如圖8所示，為了在獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的上表面及其各側(cè)壁上形成表面平坦的鈍化保護(hù)層7，通過PECVD工藝形成鈍化保護(hù)層的過程中，所述藍(lán)寶石襯底在承載盤的帶動(dòng)下公轉(zhuǎn)的同時(shí)，所述藍(lán)寶石襯底還在進(jìn)行高速自轉(zhuǎn)(即發(fā)光半導(dǎo)體層在做兩種形式的公轉(zhuǎn))。
[0044]相應(yīng)的，本實(shí)用新型還提供一種LED結(jié)構(gòu)，如圖1-7所示，包括:
[0045]藍(lán)寶石襯底I ;
[0046]形成于所述藍(lán)寶石襯底I上的發(fā)光半導(dǎo)體層2 ；
[0047]形成于所述發(fā)光半導(dǎo)體層2中的若干高阻態(tài)離子注入層3，所述若干高阻態(tài)離子注入層3將所述發(fā)光半導(dǎo)體層2分割成若干絕緣分離的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層，每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層均包括依次層疊的N型半導(dǎo)體層21、有源層22和P型半導(dǎo)體層23 ;
[0048]貫穿所述P型半導(dǎo)體層23、有源層22和至少部分N型半導(dǎo)體層21的凹槽2’，所述凹槽2’暴露所述高阻態(tài)離子注入層3的一側(cè)壁；
[0049]形成于所述每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的P型半導(dǎo)體層23上的第一電極61以及形成于所述每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的凹槽2’中的第二電極62，部分相鄰的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極62和第一電極61金屬連接，形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；以及
[0050]形成于所述發(fā)光半導(dǎo)體層2所有暴露的表面上的鈍化保護(hù)層7，所述鈍化保護(hù)層7具有暴露所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)中為首的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第一電極和為尾的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極的引線孔。
[0051]其中，所述高阻態(tài)離子注入層3貫穿所述P型半導(dǎo)體層23、有源層22、N型半導(dǎo)體層21，與藍(lán)寶石襯底I表面無縫連接，其可通過在發(fā)光半導(dǎo)體層中注入氧離子形成。
[0052]較佳的，所述LED結(jié)構(gòu)還包括形成于所述P型半導(dǎo)體層23的部分區(qū)域上的阻擋層4，所述阻擋層4的材料為二氧化硅。在所述阻擋層4上及所述P半導(dǎo)體層23上還形成有接觸層5，所述接觸層5的材料為ITO，所述第一電極61位于接觸層5上。
[0053]綜上所述，本實(shí)用新型的LED結(jié)構(gòu)制作方法利用離子注入技術(shù)，在發(fā)光半導(dǎo)體層形成的過程中或其形成之后，在預(yù)定區(qū)域上形成高阻態(tài)離子注入層，所述若干高阻態(tài)離子注入層將所述發(fā)光半導(dǎo)體層分割成若干絕緣分離的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層，后續(xù)芯片制造端無需再通過光刻刻蝕工藝進(jìn)行隔離槽的制作，更無須再用絕緣材料填充隔離槽，而這些正是芯片制造端成本昂貴的工藝步驟，也是其提高可靠性和良率的技術(shù)瓶頸。
[0054]另外，各個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體的第一電極和第二電極可以根據(jù)需求在形成獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體第一電極和第二電極的同時(shí)形成金屬連接，即形成任意顆數(shù)的串聯(lián)結(jié)構(gòu)，形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)的發(fā)光半導(dǎo)體層無需再進(jìn)行單獨(dú)測試、切割、封裝，節(jié)約了測試、切割、封裝成本。
[0055]此外，由于所述各個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體層可以在形成電極的同時(shí)形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所以本實(shí)用新型所提供的LED結(jié)構(gòu)能夠在較大電壓下工作，并且，由于串聯(lián)結(jié)構(gòu)可以和電極同步形成，處于中間位置的管芯可以不受光刻線寬的約束、不受打線要求的束縛，其所占據(jù)發(fā)光區(qū)的面積會(huì)更小，所以這又進(jìn)一步提高了 LED的發(fā)光亮度。
[0056]雖然已經(jīng)通過示例性實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上示例性實(shí)施例僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本實(shí)用新型的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本實(shí)用新型的范圍和精神的情況下，對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 藍(lán)寶石襯底； 形成于所述藍(lán)寶石襯底上的發(fā)光半導(dǎo)體層； 形成于所述發(fā)光半導(dǎo)體層中的若干高阻態(tài)離子注入層，所述若干高阻態(tài)離子注入層將所述發(fā)光半導(dǎo)體層分割成若干絕緣分離的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層，每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層均包括依次層疊的N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層； 若干貫穿所述P型半導(dǎo)體層、有源層和至少部分N型半導(dǎo)體層的凹槽，每個(gè)所述凹槽暴露一高阻態(tài)離子注入層的一側(cè)壁； 形成于所述每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的P型半導(dǎo)體層上的第一電極以及形成于所述每個(gè)獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層的凹槽中的第二電極，部分相鄰的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極和第一電極電連接，形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；以及 形成于所述發(fā)光半導(dǎo)體層所有暴露的表面上的鈍化保護(hù)層，所述鈍化保護(hù)層具有暴露所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)中為首的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第一電極和為尾的獨(dú)立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極的引線孔。
2.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述P型半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上的阻擋層。
3.如權(quán)利要求2所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述P型半導(dǎo)體層和阻擋層上的接觸層。
4.如權(quán)利要求3所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋層的材料為二氧化硅，所述接觸層的材料為ITO。
【文檔編號(hào)】H01L33/38GK204216044SQ201420739438
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月28日
【發(fā)明者】丁海生, 馬新剛, 李東昇, 李芳芳, 江忠永 申請(qǐng)人:杭州士蘭明芯科技有限公司