本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件，尤其是一種LED封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著LED 技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展不斷的發(fā)展，對散熱的要求也越來越高，如若封裝結(jié)構(gòu)的散熱不良將導(dǎo)致器件性能惡化、結(jié)構(gòu)損壞、分層乃至燒毀。在環(huán)境溫度和發(fā)熱功率相同的時(shí)候，系統(tǒng)的總的熱阻越高，芯片的溫度就越高，器件的散熱性能也就越差，為了使得LED器件具有良好的熱特性，就必須對器件的整體機(jī)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，目前的封裝結(jié)構(gòu)依然存在散熱性差，封裝結(jié)構(gòu)的總體熱阻高的缺陷，上述問題亟需解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型在于提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)，這種封裝結(jié)構(gòu)采用高散熱的封裝材料和封裝結(jié)構(gòu)解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的封裝結(jié)構(gòu)的散熱性效率低的關(guān)鍵問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：

一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括密封層和散熱裝置，所述密封層和散熱裝置13中設(shè)置有基板，所述基板下側(cè)設(shè)置有導(dǎo)熱樹脂層，所述密封層中間隔設(shè)置有LED芯片，所述LED芯片通過下端設(shè)置的固晶膠與所述基板相接觸，所述固晶膠厚度為0.05~0.1mm。進(jìn)一步地，所述基板包括第一金屬層、絕緣層和第二金屬層，所述絕緣層設(shè)置于第一金屬層與絕緣層之間。進(jìn)一步地，所述基板為陶瓷基板或金屬復(fù)合基板。進(jìn)一步地，所述固晶層厚度為0.08~0.1mm。進(jìn)一步地，所述密封層材料為環(huán)氧樹脂層或有機(jī)硅樹脂層。進(jìn)一步地，所述LED芯片為3~6個(gè)。進(jìn)一步地，所述LED芯片之間為等間距排布。

本實(shí)用新型的LED封裝結(jié)構(gòu)，包括密封層和散熱裝置，還在它們中設(shè)置有基板，基板下側(cè)設(shè)置有導(dǎo)熱樹脂層，密封層中間隔設(shè)置有LED芯片， LED芯片通過下端設(shè)置的固晶膠與所述基板相接觸，所述固晶膠厚度為0.05~0.1mm，器件的溫度與固晶膠厚度關(guān)系密切其厚度設(shè)置在此范圍內(nèi)有利于降低大功率的LED工作時(shí)候得溫度，而且降低了此類材質(zhì)的使用量，進(jìn)一步降低了成本?；逡彩侨龑咏Y(jié)構(gòu)，基板的熱導(dǎo)率越高，熱量的傳導(dǎo)才會(huì)越快，在封裝結(jié)構(gòu)工作過程中芯片底部的溫度變化幅度才會(huì)小，所以基板層為第一金屬層、第二金屬層和置于中間的絕緣層，其中優(yōu)選陶瓷基板或者金屬復(fù)合基板，兩者的熱導(dǎo)率較高。密封層材料優(yōu)選為環(huán)氧樹脂層或有機(jī)硅樹脂層，其中有機(jī)硅樹脂不僅導(dǎo)熱能力強(qiáng)，而且耐老化性能好折射率高。LED芯片為3~6個(gè)，等間距排布的模式有利于LED封裝結(jié)構(gòu)工作時(shí)候的散熱。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的LED封裝結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的基板材結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖標(biāo)記說明：11-密封層,12-基板，13-散熱裝置,14-導(dǎo)熱樹脂層，111-LED芯片，112-固晶膠層，121-第一金屬層， 122-絕緣層，123-第二金屬層，散熱裝置13。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步理解本實(shí)用新型，下面結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些描述只是為進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的特征和優(yōu)點(diǎn)，而不是對本實(shí)用新型權(quán)利要求的限制。

本實(shí)用新型提供了一種LED封裝結(jié)構(gòu)，如圖1~2所示，LED封裝結(jié)構(gòu)包括密封層11和散熱裝置13，密封層11和散熱裝置13中設(shè)置有基板12，基板12下側(cè)設(shè)置有導(dǎo)熱樹脂層14，密封層11中間隔設(shè)置有LED芯片111，LED芯片111通過下端設(shè)置的固晶膠112與基板12相接觸，所述固晶膠112厚度為0.05~0.1mm。此封裝器件的熱阻主要有兩部分，LED芯片111到基板12的熱阻和基板12到散熱裝置的熱阻，本實(shí)用新型采用固晶膠焊接工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)的固晶膠粘接工藝，此時(shí)LED芯片111與基板12之間的連接不僅機(jī)械性能好而且導(dǎo)熱性強(qiáng)，系統(tǒng)的總熱阻變下，器件的散熱性能也變好。固晶膠的厚度選擇0.05~0.1mm，能使在熱應(yīng)力適當(dāng)?shù)那闆r下，LED芯片處于最佳溫度。

基板12包括第一金屬層121、絕緣層122和第二金屬層123，絕緣層122設(shè)置于第一金屬層121與絕緣層122之間?；?2優(yōu)選為陶瓷基板或金屬復(fù)合基板，陶瓷基板或金屬復(fù)合基板兩者的熱導(dǎo)率較高，易于LED封裝結(jié)構(gòu)的散熱。

固晶膠厚112度為0.08~0.1mm，密封層11材料為環(huán)氧樹脂層或有機(jī)硅樹脂層，有機(jī)硅樹脂不僅導(dǎo)熱能力強(qiáng)，而且耐老化性能好折射率高。LED芯片111為3~6個(gè)，LED芯片111之間為等間距排布，等間距排布的模式有利于LED封裝結(jié)構(gòu)工作時(shí)候的散熱。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比LED封裝結(jié)構(gòu)的總體熱阻降低，散熱性能改善。

以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以對本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。