本發(fā)明涉及在處理諸如半導(dǎo)體晶片(例如，si晶片)這樣的半導(dǎo)體尺寸晶片中使用的諸如保護(hù)帶這樣的保護(hù)片(protectivesheeting)。而且，本發(fā)明涉及利用這種保護(hù)片的半導(dǎo)體尺寸(semiconductor-sized)晶片處理方法。

背景技術(shù)：

在常規(guī)半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法中，要處理的晶片通常經(jīng)由帶附接至環(huán)形框。將晶片附接至環(huán)形框有助于在隨后的處理步驟中處理晶片，如研磨、切割、切片(例如，刀片切片或激光切片)、或拋光。

諸如半導(dǎo)體晶片這樣的晶片可以具有在其前側(cè)上形成的多個器件，如ic(集成電路)、lsi(“大規(guī)模集成”)或mems(微機電系統(tǒng))。這些器件布置在晶片的前側(cè)上的、由多個交叉或相交的分割線(也稱作“劃片道(street)”)分隔開的分離區(qū)域中。沿著這些分割線分割晶片，以便獲得多個單獨器件芯片。

為了保護(hù)形成在晶片上的器件，例如，不受碎屑或切割水的污染，在切割或切片工序之前，可以將保護(hù)帶或片施加至晶片的前側(cè)。然而，特別是對于諸如mems這樣的敏感器件的情況來說，存在的問題在于，晶片上的器件結(jié)構(gòu)可能受到在保護(hù)帶或片上形成的粘合劑層(adhesivelayer)的粘合力破壞，或者當(dāng)將帶或片從晶片剝離時，可能被器件上的粘合劑殘留物污染。

為了克服上述問題，在us8815644b2中已經(jīng)提出了一種晶片處理方法，其中，將僅在其周圍區(qū)域具有環(huán)形粘合劑層的環(huán)形粘合帶附接至晶片的前側(cè)。環(huán)形粘合帶的環(huán)形粘合劑層被定位成，對應(yīng)于晶片的、未形成器件的周圍邊際區(qū)域。以這種方式，可以防止因粘合劑層而損壞或污染在晶片的器件區(qū)域中形成的器件。

根據(jù)us8815644b2中公開的晶片處理方法，使具有附接至其的環(huán)形粘合帶的晶片經(jīng)受背側(cè)研磨步驟，同時將晶片保持在卡盤上。隨后，將附接至晶片前側(cè)的環(huán)形粘合帶附接至由環(huán)形框保持的支承帶上。借助于該支承帶，將晶片保持在另一個卡盤上，并且通過從其背側(cè)施加合適的激光束，而在晶片內(nèi)部形成改性層(modifiedlayer)。

由此，上述晶片處理方法需要使用至少兩個不同的帶，即，環(huán)形粘合帶和支承帶。在第一步驟中，環(huán)形粘合帶必須與要處理的晶片對準(zhǔn)，而在第二步驟中，具有附附接至其的環(huán)形粘合帶的晶片必須與支承帶對準(zhǔn)。

因此，仍然需要在半導(dǎo)體尺寸晶片處理中使用的保護(hù)片或保護(hù)帶，其允許簡化處理操作，減少所需的處理設(shè)備組件數(shù)和處理步驟數(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個目的是，提供一種在處理半導(dǎo)體尺寸晶片中使用的保護(hù)片，該保護(hù)片允許減少處理設(shè)備組件數(shù)和處理步驟數(shù)，由此簡化晶片處理操作。而且，本發(fā)明旨在提供利用這種保護(hù)片的半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法。通過具有權(quán)利要求1的技術(shù)特征的保護(hù)片和具有權(quán)利要求12的特征的半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法來實現(xiàn)這些目標(biāo)。本發(fā)明的優(yōu)選實施方式根據(jù)附屬權(quán)利要求得出。

本發(fā)明提供了一種在處理例如半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體尺寸晶片中使用的諸如保護(hù)帶的保護(hù)片。所述保護(hù)片包括：大致圓形或圓形基片，和大致環(huán)形或環(huán)形的粘合劑層，該大致環(huán)形或環(huán)形的粘合劑層涂敷至所述基片的第一表面的周圍部分或周邊部分。所述大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層具有內(nèi)徑和外徑。所述粘合劑層的內(nèi)徑小于所述半導(dǎo)體尺寸晶片的直徑。所述粘合劑層的外徑大于用于保持所述半導(dǎo)體尺寸晶片的半導(dǎo)體尺寸環(huán)形框的內(nèi)徑。

用于保持所述半導(dǎo)體尺寸晶片的所述半導(dǎo)體尺寸環(huán)形框具有內(nèi)徑和外徑。用于保持所述晶片的所述框可以是大致環(huán)形框。

所述大致圓形或圓形基片是連續(xù)基片。所述基片由基片材料在沒有任何中斷的情況下連續(xù)形成。

在所述粘合劑層的內(nèi)徑內(nèi)部，未將粘合劑設(shè)置在所述基片的第一表面上。而且，在所述粘合劑層的外徑外側(cè)，未將粘合劑設(shè)置在所述基片的第一表面上。

在此，術(shù)語“大致圓形”限定了周圍或周邊形式可能偏離正圓的形狀，例如,由于設(shè)置了一個或更多個平坦或筆直部分、凹口和/或凹槽。所述基片的大致圓形形狀可以對應(yīng)于所述半導(dǎo)體尺寸晶片的周圍或周邊形狀。所述半導(dǎo)體尺寸晶片的外周可以具有一個或更多個平坦或筆直部分。所述晶片的外周具有例如用于指示所述晶片的晶體取向的凹口或凹槽。

在此，術(shù)語“大致環(huán)形”限定了所述粘合劑層的形狀可能偏離正環(huán)形，例如,由于存在一個或更多個平坦或筆直部分、凹口和/或凹槽。所述粘合劑層的內(nèi)周或內(nèi)周邊形狀可以對應(yīng)于所述半導(dǎo)體尺寸晶片的外周或外周邊形狀。

所述大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑大于所述半導(dǎo)體尺寸晶片的直徑。所述大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以小于所述環(huán)形框的外徑。

在此，術(shù)語“半導(dǎo)體尺寸(semiconductor-sized)”晶片是指，具有半導(dǎo)體晶片的尺寸(標(biāo)準(zhǔn)化尺寸)的晶片，特別是直徑(標(biāo)準(zhǔn)化直徑)，即，外徑。

半導(dǎo)體晶片的尺寸，特別是直徑(即，外徑)按semi標(biāo)準(zhǔn)定義。例如，該半導(dǎo)體尺寸晶片可以是si晶片。拋光單晶si晶片的尺寸在semi標(biāo)準(zhǔn)m1和m76中定義。該半導(dǎo)體尺寸晶片可以是3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸或18英寸晶片。

在此，術(shù)語“半導(dǎo)體尺寸”環(huán)形框是指，具有用于保持半導(dǎo)體晶片的環(huán)形框的尺寸(標(biāo)準(zhǔn)化尺寸)的環(huán)形框，特別是內(nèi)徑(標(biāo)準(zhǔn)化內(nèi)徑)。

用于保持半導(dǎo)體晶片的環(huán)形的尺寸，特別是內(nèi)徑也按semi標(biāo)準(zhǔn)定義。例如，用于300mm晶片的帶框的尺寸在semi標(biāo)準(zhǔn)semig74中定義，而用于300mm晶片的塑料帶框的尺寸在semi標(biāo)準(zhǔn)semig87中定義。環(huán)形框可以具有用于保持半導(dǎo)體尺寸晶片的框尺寸，其具有例如以下尺寸：3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸或18英寸。

該半導(dǎo)體尺寸晶片例如可以是半導(dǎo)體晶片、玻璃晶片、藍(lán)寶石晶片、陶瓷晶片(如氧化鋁(al2o3)陶瓷晶片)、石英晶片、氧化鋯晶片、pzt(鋯鈦酸鉛)晶片、聚碳酸酯晶片、金屬(例如，銅、鐵、不銹鋼、鋁等)或金屬化材料晶片、鐵氧體晶片、光學(xué)晶體材料晶片、樹脂(例如，環(huán)氧樹脂)、涂敷或模制晶片等。

具體來說，該半導(dǎo)體尺寸晶片例如可以是si晶片、gaas晶片、gan晶片、gap晶片、inas晶片、inp晶片、sic晶片、sin晶片、lt(鉭酸鋰)晶片、ln(鈮酸鋰)晶片等。

該半導(dǎo)體尺寸的晶片可以由單一材料或不同材料的組合制成，例如，兩種或更多種上述材料。例如，該半導(dǎo)體尺寸晶片可以是si和玻璃粘結(jié)晶片，其中，將由si制成的晶片元件粘結(jié)至由玻璃制成的晶片元件。

基片可以具有處于20μm至300μm范圍中的厚度?；牡谝槐砻嫔系恼澈蟿涌梢跃哂刑幱?μm至200μm范圍中的厚度。

所述大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑小于半導(dǎo)體尺寸晶片的直徑。由此，可以經(jīng)由粘合劑層將保護(hù)片附接至晶片的前側(cè)或背側(cè)，使得粘合劑層的內(nèi)周部分粘合至晶片的前側(cè)或背側(cè)的外圍部分。這樣，晶片可以通過保護(hù)片而牢固地保持。粘合劑層是大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層，即，在粘合劑層的內(nèi)徑內(nèi)的基片的第一表面上沒有設(shè)置粘合劑。因此，由于粘合劑層的粘合力或器件上的粘合劑殘留物而對形成在晶片上的器件的任何可能損壞或污染都可以被最小化。

而且，粘合劑層的外徑大于用于保持半導(dǎo)體尺寸晶片的半導(dǎo)體尺寸環(huán)形框的內(nèi)徑。由此，可以經(jīng)由粘合劑層將保護(hù)片附接至環(huán)形框，使得粘合劑層的外圍部分粘合至環(huán)形框的內(nèi)周部分。這樣，環(huán)形框的中心開口，即，環(huán)形框的內(nèi)徑內(nèi)的區(qū)域可以被保護(hù)片封閉。由此，保護(hù)片可以牢固地附接至環(huán)形框。

因此，可以將單一保護(hù)片用于保持且保護(hù)晶片，并將晶片附接至環(huán)形框，由此，減少必需設(shè)備組件數(shù)和處理步驟數(shù)。

如上所述，諸如半導(dǎo)體晶片這樣的晶片可以具有形成在晶片前側(cè)上的多個器件，如ic、lsi和/或mems。這些器件可以被布置在器件區(qū)域中，例如，這些器件可以分別形成在通過相交或交叉分割線分隔的多個區(qū)域中。晶片還可以具有圍繞該器件區(qū)域的周圍邊際區(qū)域(peripheralmarginalarea)或邊緣排除區(qū)域，其中沒有形成器件。

基片的第一表面上的粘合劑層可以布置成，使得其不延伸到晶片前側(cè)上的器件區(qū)域中。粘合劑層的內(nèi)徑可以與晶片的器件區(qū)域的外徑大致相同或者更大。

這樣，可以特別可靠地防止對形成在器件區(qū)域中的器件的任何損壞或污染。

基片的直徑可以和粘合劑層的外徑大致相同。這樣，可以確保資源的特別有效使用。

粘合劑層的內(nèi)徑可以比晶片的直徑小0.5mm至3.5mm，優(yōu)選為小1.0mm至3.0mm，并且更優(yōu)選為小1.5mm至2.5mm。晶片的周圍邊際區(qū)域或邊緣排除區(qū)域(其中沒有形成器件)通常具有距晶片邊緣大約2mm至3mm的寬度。因此，通過如上所述選擇粘合劑層的內(nèi)徑，可以確保粘合劑層不會干擾形成在晶片上的器件。

粘合劑層的外徑可以處于105mm至575mm的范圍中。粘合劑層的內(nèi)徑可以處于45mm至445mm的范圍中。

粘合劑層的外徑可以比粘合劑層的內(nèi)徑大30mm至100mm，優(yōu)選為大40mm至70mm。這樣，保護(hù)片可以特別可靠地附接至晶片和環(huán)形框兩者。

基片可以由單一材料或不同材料的組合形成。例如，基片可以由聚氯乙烯(pvc)、聚烯烴(po)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、kapton等或者這些材料中的兩種或更多種的組合來形成。這些材料允許以堅固且輕便的形式來提供保護(hù)片。

可以將附加的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層涂敷至基片的、與第一表面相反的第二表面的周圍部分?；牡诙砻嫔系恼澈蟿涌梢杂膳c基片的第一表面上的粘合劑層相同的粘合劑或者由不同的粘合劑形成。

另選的是，與基片的第一表面相反的該基片的第二表面可以被另一粘合劑層完全涂覆。基片的第二表面上的粘合劑層可以由與基片的第一表面上的粘合劑層相同的粘合劑或者由不同的粘合劑形成。

基片的第二表面上的粘合劑層可以具有處于5μm至200μm范圍中的厚度。

在基片的第二表面上具有另一大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層或完全涂覆的粘合劑層的這種保護(hù)片，可以被包括在具有兩個防粘襯墊(releaseliner)的保護(hù)片布置中，如下將進(jìn)一步詳細(xì)說明的。在這種情況下，保護(hù)片經(jīng)由基片的第一表面上的粘合劑層而附接至一個防粘襯墊，并且經(jīng)由基片的第二表面上的粘合劑層附接至另一防粘襯墊。

在基片的第二表面上設(shè)置另一大致環(huán)形或環(huán)形的粘合劑層或完全涂覆的粘合劑層，允許將保護(hù)片也附接至承載體，如剛性襯底，例如，玻璃或硅襯底。

基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以與承載體的直徑(即，外徑)大致相同。基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以與晶片的、保護(hù)片附接至的器件區(qū)域的直徑(即，外徑)大致相同或更大。

基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以與基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑大致相同?；牡谝槐砻嫔系拇笾颅h(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以大于或小于基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑。

基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以與基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑大致相同?；牡谝槐砻嫔系拇笾颅h(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以大于或小于基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑。

例如，可以使用在基片的第一表面和第二表面上具有大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的保護(hù)片，以將半導(dǎo)體尺寸晶片附接至玻璃或硅襯底，以提供對該晶片的進(jìn)一步支承，例如，在通過研磨、切割、切片等來處理該晶片時。

基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的直徑(即，外徑)可以與承載體的直徑(即，外徑)大致相同。

基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以與基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的外徑大致相同?；牡谝槐砻嫔系拇笾颅h(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以大于或小于基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的外徑。

基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以與基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的外徑大致相同?；牡谝槐砻嫔系拇笾颅h(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以大于或小于基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的外徑。

基片的第一表面和/或第二表面上的粘合劑層的粘合劑可通過諸如熱、uv輻射、電場和/或化學(xué)反應(yīng)這樣的外部刺激來固化。這樣，保護(hù)片可以在處理后容易地從晶片上去除。具體來說，可以通過將外部刺激施加到粘合劑層來固化粘合劑，由此，降低粘合劑的粘合力并且允許容易去除保護(hù)片。而且，粘合劑材料可以是例如水溶性樹脂。

特別地，粘合劑材料可以是丙烯酸樹脂或環(huán)氧樹脂。用于粘合劑材料的uv可固化型樹脂的優(yōu)選示例是，例如氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。

本發(fā)明人還提供了諸如保護(hù)帶這樣的保護(hù)片，以在處理晶片中使用，保護(hù)片包括：大致圓形或圓形基片，涂敷至基片的第一表面的周圍部分的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層，以及涂敷至基片的第二表面的周圍部分的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層。

基片的第二表面與基片的第一表面相反。在粘合劑層的內(nèi)徑內(nèi)的基片的第一表面上或粘合劑層的內(nèi)徑內(nèi)的基片的第二面上未設(shè)置粘合劑。

基片的直徑可以與基片的第一表面和/或基片的第二表面上的粘合劑層的外徑大致相同。基片的直徑可以與半導(dǎo)體尺寸晶片的直徑大致相同。

在基片的第二表面上具有另一大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的這種保護(hù)片，可以被包括在具有兩個防粘襯墊的保護(hù)片布置中，如下將進(jìn)一步詳細(xì)說明的。在這種情況下，保護(hù)片經(jīng)由基片的第一表面上的粘合劑層而附接至一個防粘襯墊，并且經(jīng)由基片的第二表面上的粘合劑層而附接至另一防粘襯墊。

基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層允許保護(hù)片附接至承載體，如剛性襯底(例如，玻璃或硅襯底)。

基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以與承載體的直徑(即，外徑)大致相同?；牡诙砻嫔系拇笾颅h(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以與晶片(如半導(dǎo)體尺寸晶片)的、保護(hù)片附接至的器件區(qū)域的直徑(即，外徑)大致相同或更大。

例如，可以使用保護(hù)片，以將半導(dǎo)體尺寸晶片附接至玻璃或硅襯底，以提供對該晶片的進(jìn)一步支承，例如，當(dāng)通過研磨、切割、切片等來處理該晶片時。

基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以與基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑大致相同。基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以大于或小于基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑。

基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以與基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑大致相同。基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以大于或小于基片的第二表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑。

本發(fā)明人還提供了諸如保護(hù)帶這樣的保護(hù)片，以在處理晶片中使用，保護(hù)片包括：大致圓形或圓形基片，涂敷至基片的第一表面的周圍部分的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層，以及涂敷至基片的第二表面的另一粘合劑層，其中，基片的第二表面完全被所述另一粘合劑層涂覆。

基片的第二表面與基片的第一表面反。在粘合劑層的內(nèi)徑內(nèi)的基片的第一表面上沒有設(shè)置粘合劑。

基片的直徑可以與基片的第一表面和/或基片的第二表面上的粘合劑層的外徑大致相同?；闹睆娇梢耘c半導(dǎo)體尺寸晶片的直徑大致相同。

在基片的第二表面上具有完全涂覆的粘合劑層的這種保護(hù)片，可以被包括在具有兩個防粘襯墊的保護(hù)片布置中，如下將進(jìn)一步詳細(xì)說明的。在這種情況下，保護(hù)片經(jīng)由基片的第一表面上的粘合劑層而附接至一個防粘襯墊，并且經(jīng)由基片的第二表面上的粘合劑層而附接至另一防粘襯墊。

基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層允許將保護(hù)片附接至承載體，如剛性襯底，例如，玻璃或硅襯底。

基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的直徑(即，外徑)可以與承載體的直徑(即，外徑)大致相同。

例如，可以使用保護(hù)片，以將半導(dǎo)體尺寸晶片附接至玻璃或硅襯底，以提供對該晶片的進(jìn)一步支承，例如，當(dāng)通過研磨、切割、切片等來處理該晶片時。

基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以與基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的外徑大致相同?；牡谝槐砻嫔系拇笾颅h(huán)形或環(huán)形粘合劑層的外徑可以大于或小于基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的外徑。

基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以與基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的外徑大致相同。基片的第一表面上的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層的內(nèi)徑可以大于或小于基片的第二表面上的完全涂覆的粘合劑層的外徑。

本發(fā)明人還提供了在處理晶片中使用的諸如保護(hù)帶這樣的保護(hù)片和諸如剛性襯底(例如，玻璃或硅襯底)這樣的承載體的組合。保護(hù)片包括：大致圓形或圓形基片，和涂敷至基片的第一表面的周圍部分的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層。承載體經(jīng)由另一粘合劑層附接至基片的第二表面。

所述另一粘合劑層可以是涂敷至承載體的周圍部分和/或基片的第二表面的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層。另選的是，附接至基片和/或基片的第二表面的承載體的表面可以被所述另一粘合劑層完全涂覆。

基片的第二表面與基片的第一表面相反。在粘合劑層的內(nèi)徑內(nèi)的基片的第一表面上沒有設(shè)置粘合劑。

基片的直徑可以與基片的第一表面和/或基片的第二表面上的粘合劑層的外徑大致相同。基片的直徑可以與半導(dǎo)體尺寸晶片的直徑大致相同。

承載體可以是大致圓形或圓形承載體?；闹睆娇梢耘c承載體的直徑(即，外徑)大致相同。承載體與基片的第二表面之間的粘合劑層的外徑可以與承載體的直徑大致相同。

承載體可以具有2mm或更小的厚度，優(yōu)選為1mm或以下。

承載體可以具有沿著承載體的外周邊形成的大致環(huán)形階狀部分，如大致環(huán)形凹狀部分。所述另一粘合劑層可以至少部分地布置在大致環(huán)形階狀部分上。

保護(hù)片和承載體的組合可以用于保持晶片(如半導(dǎo)體尺寸晶片)，例如，在處理期間，如研磨、切割、切片等，由此為晶片提供特別穩(wěn)定的支承。

基片的第一表面上的粘合劑層可以布置成，使得其不延伸到晶片前側(cè)上的器件區(qū)域中?；牡谝槐砻嫔系恼澈蟿拥膬?nèi)徑可以與晶片的器件區(qū)域的外徑大致相同或者更大。

這樣，可以特別可靠地防止對形成在器件區(qū)域中的器件的任何損壞或污染。

本發(fā)明還提供一種保護(hù)片布置，其包括根據(jù)本發(fā)明的防粘襯墊和多個保護(hù)片。保護(hù)片經(jīng)由基片的第一表面上的粘合劑層附接至單一防粘襯墊。

這樣，可以以特別有效的方式儲存和運輸多個保護(hù)片。

可以將超過100個的保護(hù)片、優(yōu)選超過200個的保護(hù)片、更優(yōu)選為超過300個的保護(hù)片、甚至更優(yōu)選為超過400個的保護(hù)片附接至防粘襯墊。

具有附接到其上的多個保護(hù)片的防粘襯墊可以被設(shè)置成卷，即，采用卷攏(rolledup)形式。

根據(jù)需要，單個保護(hù)片可以從防粘襯墊剝離并用于半導(dǎo)體晶片處理。

如上所述，在本發(fā)明的保護(hù)片中，可以將附加的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層涂敷至基片的、與第一表面相反的第二表面的周圍部分。另選的是，與基片的第一表面相反的基片的第二表面可以被另一粘合劑層完全涂覆。本發(fā)明的保護(hù)片布置可以包括多個這樣的保護(hù)片。

在這種情況下，保護(hù)片布置包括附加的防粘襯墊。保護(hù)片經(jīng)由基片的第一表面上的粘合劑層附接至一個防粘襯墊上，并且經(jīng)由基片的第二表面上的粘合劑層附接至另一防粘襯墊。

而且，本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體尺寸晶片的處理系統(tǒng)，其包括根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體尺寸環(huán)形框和保護(hù)片。保護(hù)片經(jīng)由基片)的第一表面上的粘合劑層附接至環(huán)形框，使得環(huán)形框的中心開口被保護(hù)片封閉。

保護(hù)片附接至環(huán)形框，使得粘合劑層的外圍部分粘合至環(huán)形框的內(nèi)周部分。

根據(jù)本發(fā)明的處理系統(tǒng)提供了上面已經(jīng)針對本發(fā)明的保護(hù)片描述的有利效果。

而且，本發(fā)明提供了利用本發(fā)明的保護(hù)片的半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法。半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法包括以下步驟：經(jīng)由基片的第一表面上的粘合劑層將本發(fā)明的保護(hù)片附接至半導(dǎo)體尺寸晶片的前側(cè)或背側(cè)，使得粘合劑層的內(nèi)周部分粘合至晶片的前側(cè)或背側(cè)的外圍部分，并且在保護(hù)片已經(jīng)附接至晶片的前側(cè)或背側(cè)之后，處理晶片。

半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法提供了上面已經(jīng)針對本發(fā)明的保護(hù)片詳細(xì)描述的有利效果。

處理晶片的步驟可以在晶片的、將保護(hù)片未附接至的一側(cè)上執(zhí)行。例如，可以將保護(hù)片附接至晶片的前側(cè)，并且可以在晶片的背側(cè)上執(zhí)行處理，如研磨、切割、切片、拋光等。

處理晶片的步驟可以在晶片的、保護(hù)片附接至的一側(cè)上執(zhí)行。例如，可以將保護(hù)片附接至晶片的前側(cè)，并且可以在晶片的前側(cè)上執(zhí)行處理步驟，如邊緣修整步驟。在這種情況下，貫穿保護(hù)片切割晶片的前側(cè)的外圍部分的至少一部分，以獲取沿著晶片的外周邊的大致環(huán)形或環(huán)形階狀部分。

半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法還可以包括以下步驟：經(jīng)由基片的第一表面上的粘合劑層將保護(hù)片附接至環(huán)形框，使得環(huán)形框的中心開口被保護(hù)片封閉。保護(hù)片可以附接至環(huán)形框，使得粘合劑層的外圍部分粘合至環(huán)形框的內(nèi)周部分。將保護(hù)片附接至環(huán)形框的步驟可以在將保護(hù)片附接至晶片的前側(cè)或背側(cè)的步驟之前或之后執(zhí)行。

處理晶片的步驟可以包括以下步驟：對晶片進(jìn)行研磨和/或切割和/或切片和/或拋光和/或檢查和/或邊緣修整。切割晶片的步驟可以通過利用具有諸如旋轉(zhuǎn)刀片這樣的切割刀片的切割裝置，或者通過利用用于將激光束施加至晶片的激光處理裝置來執(zhí)行。激光束可以用于通過激光燒蝕將凹槽切割到晶片中，或者在晶片內(nèi)形成改性層，如下將進(jìn)一步詳細(xì)說明的。

半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法可以利用具有另一大致環(huán)形粘合劑層或者涂敷至基片的第二表面的周圍部分的完全涂覆的粘合劑層的保護(hù)片來執(zhí)行。在這種情況下，半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法還可以包括以下步驟：經(jīng)由基片的第二表面上的粘合劑層將保護(hù)片附接至承載體，如剛性基底(例如，玻璃或硅基底)。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法的實施方式，保護(hù)片可以附接至晶片的前側(cè)，并且晶片的背側(cè)可以被研磨以將晶片的厚度例如縮減至一預(yù)定厚度。

半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法還可以包括以下步驟：在研磨步驟之后從晶片的背側(cè)向該晶片施加激光束，以在晶片內(nèi)形成多個改性層，并且沿著該改性層分割晶片。

術(shù)語“改性層”限定了晶片中的這樣的區(qū)域，即，由于施加激光束而造成區(qū)域與其四周或周圍區(qū)域在密度和/或折射率和/或機械強度和/或該晶片中的任何其它物理特性方面不同，從而導(dǎo)致與四周或周圍區(qū)域相比，改性層的強度降低。改性層的示例包括熔化并再硬化的區(qū)域、破裂區(qū)域、擊穿區(qū)域以及具有改變的折射率的區(qū)域。而且，這些區(qū)域的組合可以存在于改性層中。

改性層可以沿著晶片的相交或交叉分割線形成。因為改性層展現(xiàn)了降低的強度，所以可以沿著這些層(即，沿著分割線)，在隨后的分割步驟中通過向晶片施加外力來容易地分割晶片。外力可以通過沿徑向擴展保護(hù)片(例如，通過使用膨脹鼓)，或者通過將另一個保護(hù)帶或片附接至晶片并且沿徑向擴展該另一帶或片(例如，通過使用膨脹鼓)來施加至晶片。

這樣，獲得多個分開的獨立器件芯片。在另一隨后步驟中，這些單獨的芯片可以從保護(hù)片拾取，例如，利用具有夾頭的拾取裝置。

半導(dǎo)體尺寸晶片處理方法還可以包括以下步驟：從半導(dǎo)體晶片去除(例如，剝離)保護(hù)片。該步驟可以例如在處理之后和在分割晶片之前執(zhí)行。

如果基片的第一表面上的粘合劑層可通過諸如熱、uv輻射、電場和/或化學(xué)反應(yīng)的外部刺激來固化，則可以通過將外部刺激施加至粘合劑層來促進(jìn)從晶片去除保護(hù)片，由此，降低粘合劑的粘合力。

附圖說明

下面，參照附圖，對本發(fā)明的非限制例進(jìn)行說明，其中：

圖1是附接至環(huán)形框的本發(fā)明的保護(hù)片的實施方式的示意性平面圖；

圖2是圖1所示的保護(hù)片和環(huán)形框的示意性截面圖；

圖3是圖1所示的保護(hù)片和環(huán)形框的示意性平面圖，其具有附接至保護(hù)片的半導(dǎo)體晶片；

圖4是圖3所示的保護(hù)片、環(huán)形框以及半導(dǎo)體晶片的示意性截面圖；

圖5是本發(fā)明的保護(hù)片布置的實施方式的示意性平面圖；

圖6的(a)至(c)是本發(fā)明的保護(hù)片布置的不同實施方式的示意性截面圖，其中，圖6的(a)示出了如圖5所示的保護(hù)片布置的第一實施方式，圖6的(b)示出了該保護(hù)片布置的第二實施方式，其具有帶兩個環(huán)形粘合劑層的保護(hù)片，而圖6的(c)示出了該保護(hù)片布置的第三實施方式，其具有帶環(huán)形粘合劑層和完全涂覆的粘合劑層的保護(hù)片；

圖7的(a)至(d)是例示根據(jù)本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體晶片處理方法的示意性截面圖；

圖8是圖3和圖4所示的保護(hù)片、環(huán)形框以及半導(dǎo)體晶片的示意性截面圖，其還包括附接至該保護(hù)片的承載體；

圖9是保護(hù)片、承載體以及晶片的布置的另一實施方式的示意性截面圖；

圖10的(a)至(d)是例示根據(jù)本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體晶片處理方法的示意性截面圖；以及

圖11的(a)至(c)是例示根據(jù)本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體晶片處理方法的示意性截面圖。

具體實施方式

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的保護(hù)片10的示意性平面圖，其中，保護(hù)片10附接至環(huán)形框20。

保護(hù)片10包括：圓形基片12，和涂敷至基片12的第一表面的周圍部分的環(huán)形粘合劑層14。保護(hù)片10經(jīng)由粘合劑層14附接至環(huán)形框20，使得環(huán)形框20的中心開口22被保護(hù)片10封閉。

如圖2所示，粘合劑層14的外徑大于環(huán)形框20的內(nèi)徑。保護(hù)片10附接至環(huán)形框20，使得粘合劑層14的外圍部分粘合至環(huán)形框20的內(nèi)周部分。如圖2中進(jìn)一步示出，在粘合劑層14的內(nèi)徑內(nèi)的基片12的第一表面上沒有設(shè)置粘合劑?；?2的直徑和粘合劑層14的外徑大致相同。

基片12具有處于20μm至300μm的范圍中的厚度，而粘合劑層14具有處于5μm至200μm的范圍中的厚度。

基片12由聚氯乙烯制成，而粘合劑層14由諸如聚氨酯丙烯酸酯低聚物(urethaneacrylateoligomer)這樣的uv可固化型樹脂制成。

圖1和圖2所示的保護(hù)片10和環(huán)形框20的組合形成了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于半導(dǎo)體晶片的處理系統(tǒng)。

圖3和圖4分別是示出了圖1和圖2的具有附接至其的晶片w的處理系統(tǒng)的示意性平面圖和示意性截面圖。在圖3和圖4所示的本發(fā)明的實施方式中，晶片w是諸如si晶片這樣的半導(dǎo)體晶片。

如圖4中示意性地示出，半導(dǎo)體晶片w具有前側(cè)50和背側(cè)52。在晶片w的前側(cè)50上，形成諸如ic、lsi或mems的多個器件30。器件30形成在這樣的分隔區(qū)域中，即，其通過以格子或柵格圖案交叉設(shè)置在半導(dǎo)體晶片w的前側(cè)50上的分割線而隔開。特別地，器件30形成在晶片w的器件區(qū)域54中。晶片w的器件區(qū)域54由其中未形成器件的環(huán)形周圍邊際區(qū)域或邊緣排除區(qū)域56圍繞。

如圖4所示，粘合劑層14不延伸到晶片w的器件區(qū)域54中。粘合劑層14的內(nèi)徑小于半導(dǎo)體晶片w的直徑，但大于晶片w的器件區(qū)域54的直徑。由此，可以可靠地防止因粘合劑層14而對裝置30造成任何損壞或污染。

而且，如圖4中還示意性示出，粘合劑層14的厚度與在晶片w的器件區(qū)域54中形成的器件30的高度大致相同。因此，當(dāng)經(jīng)由粘合劑層14將保護(hù)片10附接至晶片w的前側(cè)50，使得粘合劑層14的內(nèi)周部分粘合至半導(dǎo)體晶片w的前側(cè)50的外圍部分(即，周圍邊際區(qū)域或邊緣排除區(qū)域56)時，器件30沒有被基片12按壓。因此，還可靠地避免了由基片12對器件30造成的任何損壞。

一旦半導(dǎo)體晶片w已經(jīng)附接至保護(hù)片10，如圖3和圖4所示，其就可以經(jīng)受一個或更多個處理步驟，如研磨、拋光、切片和/或切割，如下面將參照圖7的(a)至(d)詳細(xì)說明的。

圖5和圖6分別示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的保護(hù)片布置的示意性平面圖和示意性截面圖。

根據(jù)圖5和圖6的(a)中示意性地示出的第一實施方式的保護(hù)片布置包括防粘襯墊40和如圖1至圖4所示的多個保護(hù)片10。保護(hù)片10經(jīng)由粘合劑層14附接至防粘襯墊40，如圖6的(a)所示。

防粘襯墊40可以由任何合適的塑料材料制成，如聚氯乙烯、聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二醇酯等。

以細(xì)長網(wǎng)或片的形式提供防粘襯墊40，在防粘襯墊40上保護(hù)片10一個挨著一個布置。盡管在圖5和圖6的(a)至(c)中，示意性地示出了三個保護(hù)片10，但可以將超過100個、超過200個、超過300個或者超過400個的保護(hù)片10設(shè)置在防粘襯墊40上。具有附接至其的保護(hù)片10的防粘襯墊40可以卷攏，并以卷的形式儲存，由此，節(jié)省儲存空間并促進(jìn)保護(hù)片布置的運輸。

可以將單個保護(hù)片10從防粘襯墊40剝離，并根據(jù)需要用于處理諸如半導(dǎo)體晶片這樣的晶片。

圖6的(b)中示意性地示出了根據(jù)第二實施方式的保護(hù)片布置。根據(jù)第二實施方式的保護(hù)片布置與根據(jù)第一實施方式的保護(hù)片布置的不同之處在于其包括多個保護(hù)片10'和附加的防粘襯墊40'。在這些保護(hù)片10'中，將附加的環(huán)形粘合劑層14'涂敷至基片12的、與第一表面相反的第二表面的周圍部分。基片12的第二表面上的粘合劑層14'的內(nèi)徑和外徑與基片12的第一表面上的粘合劑層14的內(nèi)徑和外徑相同。

保護(hù)片10'經(jīng)由基片12的第一表面上的粘合劑層14附接至所述一個防粘襯墊40，并且經(jīng)由基片12的第二表面上的粘合劑層14'附接至所述另一防粘襯墊40’。

可以將單個保護(hù)片10'從防粘襯墊40和40'剝離，并根據(jù)需要用于處理諸如半導(dǎo)體晶片的晶片。

圖6的(c)中示意性地示出了根據(jù)第三實施方式的保護(hù)片布置。根據(jù)第三實施方式的保護(hù)片布置與根據(jù)第二實施方式的保護(hù)片布置的不同之處在于，其包括多個保護(hù)片10"。在這些保護(hù)片10"中，基片12的、與基片12的第一表面相反的第二表面被另一粘合劑層14'完全涂覆。

保護(hù)片10"經(jīng)由基片12的第一表面上的粘合劑層14附接至所述一個防粘襯墊40，并且經(jīng)由基片12的第二表面上的粘合劑層14'附接至所述另一防粘襯墊40’。

可以將單個保護(hù)片10"從防粘襯墊40和40'剝離，并根據(jù)需要用于處理諸如半導(dǎo)體晶片這樣的晶片。

如上所述，經(jīng)由保護(hù)片10附接至環(huán)形框20的半導(dǎo)體晶片w(如圖3和圖4所示)可以經(jīng)受諸如研磨步驟和/或切割步驟這樣的處理步驟。特別地，晶片w的背側(cè)52可以被研磨，以便將晶片w的厚度減小到一預(yù)定厚度。該研磨步驟可以以us8815644b2中描述的方式執(zhí)行。

特別地，可以利用研磨裝置(未示出)執(zhí)行對半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52的研磨。該研磨裝置可以包括主軸殼體、可旋轉(zhuǎn)地容納在主軸殼體中的主軸、以及安裝至主軸的下端的研磨輪。可以將多個磨料構(gòu)件(abrasivemember)固定至研磨輪的下表面，其中，每個磨料構(gòu)件可以由金剛石磨料構(gòu)件形成，該金剛石磨料構(gòu)件通過利用諸如金屬粘結(jié)劑或樹脂粘結(jié)劑這樣的粘結(jié)劑固定金剛石磨料顆粒而構(gòu)成。具有磨料構(gòu)件的研磨輪通過驅(qū)動主軸而以高速旋轉(zhuǎn)。

在該研磨步驟中，圖3和圖4所示半導(dǎo)體晶片布置由卡盤(未示出)保持。卡盤和研磨裝置的研磨輪兩者都旋轉(zhuǎn)，并且研磨輪下降，使磨料構(gòu)件與半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52接觸，由此研磨背側(cè)52。

在晶片w的背側(cè)52已被研磨之后，使晶片w經(jīng)受改性層形成的步驟。如圖7的(a)中示意性地示出，針對該步驟，可以將半導(dǎo)體晶片w、保護(hù)片10以及環(huán)形框20的相同布置用于該研磨步驟。不需要重新布置晶片w或更換保護(hù)片10和/或環(huán)形框20，由此，極大簡化了處理操作。

改性層形成的步驟可以以us8815644b2中描述的方式執(zhí)行。

在改性層形成步驟中，激光處理裝置(未示出)用于從半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52向半導(dǎo)體晶片w施加激光束100，同時經(jīng)由保護(hù)片10將晶片w保持在卡盤60上(參見圖7的(a))。激光束100具有針對晶片w的透射波長，即，透過晶片w的波長，并且激光束100的焦點設(shè)定在晶片w的內(nèi)部。通過這樣施加激光束100，在晶片w內(nèi)部，激光束100的焦點區(qū)域內(nèi)形成改性層80。激光束100的焦點和半導(dǎo)體晶片w沿著晶片w的分割線彼此相對移動，以使沿著所有分割線在晶片w內(nèi)部形成改性層80。這些修改層80在隨后將晶片w分割成多個器件芯片中用作分割起始點。

圖7的(b)至(d)例示了沿著形成在晶片w內(nèi)部的改性層80分割半導(dǎo)體晶片w的后續(xù)步驟。

具體來說，如圖7的(b)所示，一旦沿著所有分割線形成了改性層80，就將半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52附接至保持在環(huán)形框96上的分割帶90上。具體來說，該步驟通過借助于輥70將分割帶按壓至半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52，并使輥70在晶片w的背側(cè)52上移動(如圖7的(b)中的水平箭頭所示))來執(zhí)行，同時夾緊環(huán)形框20(如圖7的(b)中的垂直箭頭所示))。另選的是，半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52可以在真空環(huán)境中(例如，利用真空安裝器(未示出))附接至分割帶90。

然后，將保護(hù)片10從半導(dǎo)體晶片w的前側(cè)50剝離。該步驟通過將uv輻射貫穿卡盤60施加至粘合劑層14的uv可固化型樹脂來促進(jìn)，由此，固化樹脂并降低其粘合力?？ūP60可以被配置成僅在對應(yīng)于粘合劑層14的區(qū)域中透射uv輻射?？梢允褂醚谀?未示出)來避免分割帶90上的粘合劑層的無意的uv固化。

因為保護(hù)片10的粘合劑層14未粘合至晶片w的器件區(qū)域54，而僅粘合至其周圍邊際區(qū)域或邊緣排除區(qū)域56，所以在保護(hù)片10的去除過程中，不存在損壞或污染器件30的風(fēng)險。

經(jīng)由分割帶90保持半導(dǎo)體晶片w的環(huán)形框96例如通過夾具(未示出)而固定在其位置中。隨后，將膨脹鼓120(參見圖7的(d))相對于環(huán)形框96升高，從而使分割帶90膨脹，并由此對形成在晶片w內(nèi)部的改性層80施加外力。因此，晶片w沿著用作分割起始點的改性層80而被分割，以獲取多個單獨的器件芯片150。

在以這種方式分割半導(dǎo)體晶片w之后，分割帶90可以進(jìn)一步膨脹，例如，借助于膨脹鼓120，以增加器件芯片150之間的距離，由此，易于從分割帶90拾取每個器件芯片150的處理。具體來說，每個器件芯片150可以從分割帶90剝離，并且通過利用拾取夾頭(未示出)在抽吸下被拾取。

在另一實施方式中，本發(fā)明的半導(dǎo)體尺寸晶片處理系統(tǒng)除了保護(hù)片10和環(huán)形框20之外，還可以包括承載體110，如圖8中示意性地示出。圖8所示的晶片處理系統(tǒng)與圖3和圖4所示的晶片處理系統(tǒng)的不同之處僅在于，存在承載體110。因此，省略了對該系統(tǒng)其它部件的詳細(xì)描述。

承載體110經(jīng)由另一粘合劑層(未示出)附接至保護(hù)片10的基片12的第二表面。所述另一粘合劑層可以是涂敷至承載體110的周圍部分的大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層。

在一個實施方式中，附接至基片12的承載體110的表面是沒有任何凹部的平坦或均勻表面，并且所述另一大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層被涂敷至該平坦或均勻表面的周圍部分。在這種布置中，粘合劑層優(yōu)選地具有20μm或以下的厚度。在另一實施方式中，承載體110具有沿著其外周邊形成的環(huán)形階狀部分，即，環(huán)形凹狀部分。在這種情況下，所述另一大致環(huán)形或環(huán)形粘合劑層布置在環(huán)形階狀部分上。

另選的是，附接至基片12的承載體110的表面可以被所述另一粘合劑層完全涂覆。在這種布置中，粘合劑層優(yōu)選地具有20μm或以下的厚度。

承載體110是剛性襯底，如玻璃或硅襯底。承載體110具有其直徑與晶片w的直徑大致相同的圓形形狀。承載體110的厚度大約為1mm。

圖7的(a)至(d)中示意性地示出的并且上面針對圖3和圖4所示的處理系統(tǒng)詳細(xì)描述的晶片處理方法可以按大致相同的方式在圖8所示處理系統(tǒng)上執(zhí)行。在這種情況下，承載體110在研磨和改性層形成步驟中布置在卡盤上。當(dāng)執(zhí)行這些處理步驟時，承載體110向晶片w提供額外的支承，從而特別可靠地防止在晶片w的處理期間對器件30的任何損壞。

圖9示意性地示出了保護(hù)片10"'、承載體110'以及晶片w的另一布置。該布置的保護(hù)片10"'與上述保護(hù)片10的不同之處在于，基片12'的直徑和粘合劑層14”的外徑與晶片w的直徑大致相同。承載體110'與承載體110的不同之處在于，其具有沿著其外周邊形成的環(huán)形階狀部分112，即，環(huán)形凹狀部分。在環(huán)形階狀部分112上設(shè)有一個附加的環(huán)形粘合劑層14"'。保護(hù)片10"'經(jīng)由環(huán)形粘合劑層14"'附接至承載體110'。

另選的是，附接至基片12'的承載體110'的表面可以是沒有任何凹部的平坦或均勻表面，并且可以將附加的環(huán)形粘合劑層14"'涂敷至該平坦或均勻表面的周圍部分。在這種布置中，粘合劑層14"'優(yōu)選具有20μm或更小的厚度。

在另一實施方式中，附接至基片12'的承載體110'的表面可以被所述另一粘合劑層14"'完全涂覆。在這種布置中，粘合劑層14"'優(yōu)選具有20μm或更小的厚度。

粘合劑層14"和粘合劑層14"'由諸如氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的uv可固化型樹脂制成。

與圖7的(a)至(d)示意性地示出的晶片處理方法類似的晶片處理方法可以在圖9所示布置上執(zhí)行。如下面將參照圖10的(a)至(d)和11的(a)至(c)詳細(xì)說明的。

首先，研磨晶片w的背側(cè)52以便將晶片w的厚度減小到一預(yù)定厚度。特別地，可以利用如上所述的研磨裝置(未示出)來執(zhí)行對半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52的研磨。在該研磨步驟中，圖9所示半導(dǎo)體晶片布置由卡盤(未示出)保持，其中，承載體110'布置在卡盤上?？ūP和研磨裝置的研磨輪都旋轉(zhuǎn)，并且研磨輪下降，使磨料構(gòu)件與半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52接觸，由此研磨背側(cè)52。

在晶片w的背側(cè)52已被研磨之后，使晶片w經(jīng)受進(jìn)行改性層形成步驟。如圖10的(a)中示意性地示出，針對該步驟，可以將半導(dǎo)體晶片w、保護(hù)片10"'以及環(huán)形框110'的相同布置用于該研磨步驟。

在改性層形成步驟中，激光處理裝置(未示出)用于從半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52向?qū)w晶片w施加激光束100，同時經(jīng)由保護(hù)片10"'和承載體110'將晶片w保持在卡盤60上(參見圖10的(a))。承載體110'可以在抽吸下保持在卡盤60上。激光束100具有針對晶片w的透射波長，即，透過晶片w的波長，并且激光束100的焦點設(shè)定在晶片w的內(nèi)部。通過這樣施加激光束100，按上面詳細(xì)描述的方式沿著所有分割線在晶片w的內(nèi)部形成改性層80。修改層80在隨后將晶片w分割成多個器件芯片中，用作分割起始點。

圖10的(b)至11的(c)例示了用于沿著形成在晶片w內(nèi)部的改性層80分割半導(dǎo)體晶片w的后續(xù)步驟。

具體來說，如圖10的(b)所示，一旦沿著所有分割線形成了改性層80，就將半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52附接至保持在環(huán)形框96上的分割帶90上。具體來說，該步驟通過借助于輥70將分割帶按壓至半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52，并使輥70在晶片w的背側(cè)52上移動(如圖10的(b)中的水平箭頭所示))來執(zhí)行。另選的是，半導(dǎo)體晶片w的背側(cè)52可以在真空環(huán)境中(例如，利用真空安裝器(未示出))附接至分割帶90。

然后，將承載體110'從保護(hù)片10"'移除。該步驟通過將uv輻射(圖10的(c)中的垂直箭頭))從承載體110'的背側(cè)施加至粘合劑層14"'的uv可固化型樹脂來促進(jìn)，如圖10的(c)示意性地示出。隨后，將承載體110'從保護(hù)片10"'提起(如圖10的(d)中的垂直箭頭示意性地示出)并去除。

在隨后步驟中，將保護(hù)片10"'從晶片w去除。該步驟可以根據(jù)需要通過將uv輻射(圖11的(a)中的垂直箭頭))從基片12'的第二表面施加至粘合劑層14"的uv可固化型樹脂來促進(jìn)，如圖11的(a)示意性地示出。隨后，將保護(hù)片10"'從晶片w提起(如圖11的(b)中的垂直箭頭示意性地示出)并去除?？梢詫⒄澈蟿?4"與保護(hù)片10"'一起去除，或者保留在晶片w的、未形成器件的周圍邊際區(qū)域上。

隨后，按如圖7的(d)所示并且在上面詳細(xì)描述的相同方式分割晶片w。具體來說，經(jīng)由分割帶90保持半導(dǎo)體晶片w的環(huán)形框96例如通過夾具(未示出)固定在其位置中。然后，膨脹鼓120(參見圖11的(c))相對于環(huán)形框96升高，從而使分割帶90膨脹，并由此對形成在晶片w內(nèi)部的改性層80施加外力。因此，晶片w沿著用作分割起始點的改性層80分割，以獲取多個單獨的器件芯片150。

在以這種方式分割半導(dǎo)體晶片w之后，分割帶90可以進(jìn)一步膨脹，例如，借助于膨脹鼓120，以增加器件芯片150之間的距離，由此，易于從分割帶90拾取每個器件芯片150的處理。具體來說，每個器件芯片150可以從分割帶90剝離，并且通過利用拾取夾頭(未示出)在抽吸下被拾取。

上面已經(jīng)針對研磨和改性層形成工序的實施例，參照圖7的(a)至(d)、圖10的(a)至(d)以及圖11的(a)至(c)詳細(xì)討論了使用保護(hù)片10和10"'來處理半導(dǎo)體晶片w。然而，本發(fā)明的保護(hù)片可以被用于多種其它處理方法，如將在下面進(jìn)一步詳細(xì)說明的。

例如，該保護(hù)片可以用于如下的處理操作中，其中通過利用采用諸如刀片這樣的旋轉(zhuǎn)切割刀片的切割裝置(未示出)，或者通過利用用于通過激光燒蝕將凹槽切割到晶片中的激光處理裝置(未示出)來切割晶片。這種切割工序可以大致以如圖7的(a)和10的(a)所示的相同布置來執(zhí)行。特別地，在這些布置中，可以利用切割裝置或激光處理裝置從晶片背側(cè)全部或部分地切割該晶片。隨后，可以執(zhí)行圖7的(b)至(d)或者圖10的(b)至(c)所示的進(jìn)一步步驟，以便允許以簡單和可靠的方式拾取所得到的單個器件芯片。

而且，例如，可以將所述保護(hù)片附接至所述晶片的前側(cè)，并且可以在所述晶片的前側(cè)上執(zhí)行處理步驟，如邊緣修整步驟。在這種情況下，貫穿所述保護(hù)片切割晶片的前側(cè)的外圍部分的至少一部分，以獲取沿著晶片的外周邊的大致環(huán)形或環(huán)形階狀部分。

該晶片處理方法可以利用如下的保護(hù)片來執(zhí)行，該保護(hù)片具有另一大致環(huán)形粘合劑層，或者涂敷至所述基片的第二表面的周圍部分的完全涂覆的粘合劑層。在這種情況下，該晶片處理方法還可以包括以下步驟：經(jīng)由基片的第二表面上的粘合劑層將保護(hù)片附接至承載體，如剛性基底(例如，玻璃或硅基底)，以便為晶片提供進(jìn)一步的支承。

根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)片還可以用于例如光學(xué)檢查過程，其中，檢查晶片的表面的缺陷或損壞，如研磨或切割痕跡。在這種情況下，該保護(hù)片可以附接至晶片的敏感表面，以便保護(hù)該表面免受損壞或污染。

事實上，本發(fā)明的保護(hù)片可以用于保護(hù)晶片的任何類型的敏感表面，提供易于去除并且不在敏感表面區(qū)域上留下任何粘合劑殘留物的優(yōu)點，使得不需要隨后清潔表面。特別地，可以在晶片的敏感表面上提供具有由kapton制成的基片的保護(hù)片，以供對晶片進(jìn)行保護(hù)。kapton是一種耐熱材料。因此，可以特別有利地使用具有由kapton制成的基片的保護(hù)片，以在加熱過程(如熱處理)期間保護(hù)敏感的晶片表面。

前述實施方式及其變型例僅出于例示性目的而進(jìn)行了公開，并且在本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍內(nèi)，進(jìn)一步的變化是完全可能的。因此，所附權(quán)利要求書旨在涵蓋本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在考慮到他自己的普通和專家知識與專長的情況下，根據(jù)前述公開而實現(xiàn)的所有修改、置換、變更、省略以及添加。