本文描述的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備及方法。確切地說，本文描述的實(shí)施方式涉及用于等離子體處理腔室中的隔離器(isolator)。

背景技術(shù)：

在制造現(xiàn)代半導(dǎo)體集成電路(ICs)的工藝中，有必要開發(fā)多種材料層而覆蓋之前形成的層及結(jié)構(gòu)?？煽康卦佻F(xiàn)(reproducing)次微米(submicron)及更小的特征是半導(dǎo)體裝置的超大規(guī)模集成電路(VLSI)及極大規(guī)模集成電路(ULSI)的關(guān)鍵需求之一。然而，隨著電路技術(shù)的持續(xù)小型化，電路特征的尺寸及節(jié)距(pitch)的大小已經(jīng)提出對(duì)處理能力的額外要求。這些特征的一致及可靠的形成對(duì)裝置及互連(interconnect)密度的進(jìn)一步增加是至關(guān)緊要的。電路密度需要將工藝參數(shù)維持在較小的容忍度(tolerance)且針對(duì)處理環(huán)境以保持從一個(gè)電路至下一個(gè)電路的一致性(uniform)。

處理?xiàng)l件的一致性(uniformity)對(duì)半導(dǎo)體制造始終是很重要的。隨著裝置的臨界尺寸(critical dimension)持續(xù)下降及幾何復(fù)雜度增加，處理?xiàng)l件中針對(duì)不一致性的容忍度在下降。不一致性由眾多原因引起，除了其他理由外，這些原因可涉及裝置特性及操作中斷。

制造處理的中斷可因?yàn)檠b置維護(hù)及腔室部件故障而發(fā)生。在中斷后開始制造處理經(jīng)常導(dǎo)致處理?xiàng)l件中的不一致性，直至處理可穩(wěn)定。就生產(chǎn)及質(zhì)量控制角度而言，中斷是昂貴的。發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)對(duì)使用等離子體腔室的處理配件(process kit)的改進(jìn)可借助延長(zhǎng)使用壽命來增加處理結(jié)果的一致性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種用于等離子體處理腔室的處理配件。所述處理配件包括多個(gè)陶瓷弧形部件。各個(gè)弧形部件具有凹形第一端及凸形第二端，各個(gè)弧形部件的所述第一端配置成與鄰近弧形部件的相鄰端配對(duì)以形成環(huán)形內(nèi)隔離器。

本文描述的另外的實(shí)施方式提供用于等離子體處理腔室的處理配件。所述處理配件包括多個(gè)陶瓷弧形部件。各個(gè)弧形部件具有凹形第一端及凸形第二端。各個(gè)弧形部件的該第一端配置成與鄰近弧形部件的相鄰端配對(duì)以形成環(huán)形內(nèi)隔離器。所述弧形部件的內(nèi)壁具有同一直徑。各個(gè)弧形部件的所述第一端具有由相鄰端之間界定出的間隙而阻礙(prevent)所述環(huán)形內(nèi)隔離器的所述內(nèi)壁及外壁之間的視線(line-of-sight)。所述環(huán)形內(nèi)隔離器的所述內(nèi)壁具有約7.499英寸至約7.501英寸的半徑。所述環(huán)形內(nèi)隔離器的所述外壁具有約8.599英寸至約8.601英寸的半徑，且所述環(huán)形內(nèi)隔離器具有約0.397英寸至約0.403英寸的厚度。

本文描述的另外的實(shí)施方式提供用于在處理腔室中處理基板的方法。在操作中，可借助在處理腔室中形成等離子體來處理基板，該處理腔室包含設(shè)置于基板支撐件上的基板?？山柚峁╇娏χ岭姌O層以控制等離子體的特性，所述電極層設(shè)置于所述處理腔室的壁與蓋之間。所述電極層借助外陶瓷隔離器及內(nèi)陶瓷隔離器而與該壁及該蓋隔離。所述外陶瓷隔離器與所述腔室壁及所述電極層接觸，而所述內(nèi)陶瓷隔離器與所述電極層及襯墊接觸，所述襯墊設(shè)置于所述處理腔室的所述壁的內(nèi)部。所述內(nèi)陶瓷隔離器與所述處理腔室的所述腔室壁不接觸?？稍谒鎏幚砬皇抑刑幚硭龌宥黄屏鸦驌p壞所述內(nèi)陶瓷隔離器。

附圖說明

因此，以可詳細(xì)理解本實(shí)用新型的上述特征的方式，可通過參照實(shí)施方式來獲得上文簡(jiǎn)要概述的本實(shí)用新型的更具體的描述，這些實(shí)施方式中的一些實(shí)施方式圖示于附圖中。然而，應(yīng)注意，附圖僅圖示了本實(shí)用新型的典型實(shí)施方式，且因此不被視為對(duì)本實(shí)用新型的范圍的限制，因?yàn)楸緦?shí)用新型可允許其他等效實(shí)施方式。

圖1是處理腔室的示意橫截面視圖，該處理腔室具有包含處理配件的腔室部件，該處理配件具有至少一個(gè)隔離器。

圖2是沿著圖1的橫截線2—2而得到的處理腔室的橫截面視圖，圖示內(nèi)隔離器。

圖3是圖示于圖2中的內(nèi)隔離器的第一部件的頂部平面視圖。

圖4是圖示于圖2中的內(nèi)隔離器的側(cè)視圖。

為便于理解，已盡可能使用相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)示各圖所共有的相同元件。預(yù)期一個(gè)實(shí)施方式中所公開的元件可有利地用于其他實(shí)施方式，而無須特定敘述。

具體實(shí)施方式

本文公開的實(shí)施方式針對(duì)包括一個(gè)或更多個(gè)熱及RF隔離器的處理配件。處理配件的隔離器將RF電源(RF power)與腔室主體隔離開來，同時(shí)使熱應(yīng)力對(duì)隔離器所造成的損壞最小化。隔離器暴露于腔室主體內(nèi)部非常熱的溫度下，同時(shí)腔室主體本身可實(shí)質(zhì)地處于大氣溫度下。借助使隔離器與腔室主體分隔(decouple)，跨越隔離器的溫度梯度相較于傳統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)質(zhì)減低。另外，隔離器可用分開的部件制成，以進(jìn)一步最小化由于熱循環(huán)的緣故而導(dǎo)致的應(yīng)力。隔離器的分開部件之間的間隙配置成防止等離子體及腔室主體之間的視線(line of sight)，因而防止電弧。

圖1是處理腔室100的示意橫截面視圖，處理腔室100具有包括處理配件的腔室部件，該處理配件具有一個(gè)或更多個(gè)內(nèi)隔離器110。處理腔室100包括腔室主體102、設(shè)置于腔室主體102內(nèi)部的基板支撐件104、及耦接至腔室主體102的蓋組件106。蓋組件106將基板支撐件104封閉于處理體積128內(nèi)?？山?jīng)由開口126提供基板進(jìn)入處理體積128，開口126位于處理腔室100的腔室壁103中?？蓚鹘y(tǒng)地使用門狹縫閥來密封開口126以用于處理。腔室壁103可具有襯墊164。襯墊164可環(huán)繞腔室壁103，且實(shí)質(zhì)防止腔室壁103被暴露于形成于處理體積128中的等離子體下。襯墊164還保護(hù)腔室壁103免受處理氣體的影響及免于沉積處理副產(chǎn)物。

氣體面板160耦接至蓋組件106。氣體面板160提供處理氣體及/或清潔氣體至腔室100的處理體積128。氣體面板160可包含多個(gè)處理氣體源。例如，氣體面板160可包含硅或碳前驅(qū)物(precursor)源及載氣源(carrier gas source)。該前驅(qū)物可在進(jìn)入處理體積128之前結(jié)合于汽化器(vaporizer)且與氧源混合。為了簡(jiǎn)化，省略了氣體面板160的多種控制特征。

泵送口178形成為穿過腔室主體102的腔室壁103，且連接至處理體積128。泵送口178可位于沿著腔室主體102的任意便利位置處。泵送裝置(未顯示)經(jīng)由泵送口178耦接至處理體積128以抽空及控制處理體積128中的壓力。 泵送裝置可包括一個(gè)或更多個(gè)泵及節(jié)流閥。

蓋組件106包括電極層108、一個(gè)或更多個(gè)隔離器110、120、112及蓋180?？砷_啟蓋組件106以允許進(jìn)出處理腔室100的處理體積128以便于維護(hù)。蓋180用隔離器環(huán)112密封且被支撐于隔離器環(huán)112上。

噴頭184耦接至蓋180的內(nèi)表面。噴頭184包括多個(gè)孔158。處理氣體從氣體面板160流經(jīng)被形成為穿過蓋180的入口端口161進(jìn)入噴頭184，并離開孔158進(jìn)入處理腔室100的處理體積128?？?58可具有在噴頭184各處(across)的預(yù)先確定的分布，以影響處理氣體的速率及分布。

RF源電源供應(yīng)(RF source power supply)142經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)141耦接至噴頭184。在一個(gè)實(shí)施方式中，RF源電源供應(yīng)142能夠以約50kHz至約13.56MHz的可調(diào)頻率產(chǎn)生至多約3000W。

電極層108可設(shè)置于腔室壁103頂上的隔離器環(huán)112與隔離器120、110之間。電極層108可以是環(huán)狀或類似環(huán)形(ring-like)的構(gòu)件，且可以是環(huán)電極(ring electrode)。電極層108可以是繞著處理腔室100的周邊且圍繞著處理體積128的連續(xù)環(huán)(continuous loop)，或可以是不連續(xù)的而處于選擇的位置處(如果想要)。各個(gè)隔離器環(huán)112、110、120可為諸如陶瓷或金屬氧化物例如氧化鋁及/或氮化鋁的介電材料，接觸電極層108，且將電極層108與腔室部件電性地及熱性地分隔開，該腔室部件諸如是腔室壁103和蓋180。

電極層108可耦接至調(diào)諧電路(tuning circuit)134，調(diào)諧電路134控制處理腔室100的接地路徑。調(diào)諧電路134可包括電子傳感器及電子控制器。調(diào)諧電路134可以是包括一或更多個(gè)電感器的LLC電路。電源130經(jīng)由調(diào)諧電路134耦接至電極層108。電源130可以是DC電源、脈沖DC電源、RF電源、脈沖RF電源、或上述各項(xiàng)的組合。

隔離器環(huán)112、110、120可由介電材料制成，該介電材料諸如是陶瓷或金屬氧化物。例如，隔離器環(huán)110、112、120可由氧化釔(yttria)、氧化鋁及/或氮化鋁形成。隔離器環(huán)110、112、120可接觸電極層108且將電極層108與處理腔室100的蓋180及腔室壁103電性地及熱性地分隔開。

內(nèi)隔離器110及外隔離器120設(shè)置于電極層108下方且接觸電極層108。內(nèi)隔離器110可設(shè)置于襯墊164頂上且暴露于處理腔室100的處理體積128下。外隔離器120可設(shè)置成相鄰于內(nèi)隔離器110且在內(nèi)隔離器110的徑向外部， 且設(shè)置于處理腔室100的腔室壁103頂上。由于處理腔室的腔室壁103可處于或接近大氣室溫，所以外隔離器120借助內(nèi)隔離器110被防護(hù)免受處理腔室100的處理體積128中的高溫。由于內(nèi)隔離器110并未接觸外隔離器120或冷卻的腔室壁103，所以跨越(across)內(nèi)隔離器110的溫度梯度最小化且因此應(yīng)力最小化，特別是在與接觸腔室主體且暴露于處理體積128的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比較時(shí)。

第二電極122可耦接至基板支撐件104。第二電極122可內(nèi)嵌于基板支撐件104中?；蛘撸诙姌O122可耦接至基板支撐件104的表面。第二電極122可以是板(plate)、穿孔板(perforated plate)、網(wǎng)(mesh)、線濾網(wǎng)(wire screen)或任意其他分布排列。第二電極122可以是調(diào)諧電極，且可借助管道146耦接至第二調(diào)諧電路136，管道146設(shè)置于基板支撐件104的軸144中。第二調(diào)諧電路136可具有第二電子傳感器及第二電子控制器，且耦接至第二電源138。第二電源138可以是DC電源、脈沖DC電源、RF電源、脈沖RF電源、或上述各項(xiàng)的組合。

可以是偏壓電極(bias electrode)的第三電極124可以是基板支撐件104的一部分。第三電極可經(jīng)由匹配電路148耦接至電源150的第二來源。電源150的第二來源可以是DC電源、脈沖DC電源、RF電源、脈沖RF電源、或上述各項(xiàng)的組合。

包括一個(gè)或更多個(gè)隔離器環(huán)112、110、120的處理配件可與任意合適地適用的處理腔室一起使用，該處理腔室配置成用于等離子體處理或熱處理?？捎幸娴嘏c隔離器環(huán)112、110、120一起使用的等離子體處理腔室的一個(gè)實(shí)例為購自位于Santa Clara,California(加利福尼亞州圣克拉拉市)的Applied Materials，Inc.(應(yīng)用材料公司)的處理腔室。也可將購自其他制造商的腔室與上述部件一起使用。

在操作中，基板設(shè)置于基板支撐件104上，且可受到(subjected to)使用第三電極124的電偏壓(electrical bias)。處理氣體根據(jù)所希望的流動(dòng)布局流經(jīng)蓋組件106。RF電源耦接至噴頭184以建立處理體積128中的等離子體。在激發(fā)處理體積128中的等離子體后，等離子體與電極層108之間建立電位差(potential difference)。等離子體與第二電極122之間也建立電位差。處理腔室100靠近電極層108的處理溫度范圍可在約1000攝氏度與約1800攝氏度之 間以退火、可在約-25攝氏度至約+500攝氏度以蝕刻及蝕刻后處理(post etch treatment)、及可在約300攝氏度至約500攝氏度以氣相沉積。跨約隔離器110、120的溫度差分(temperature differential)可為重要的，這是由于處理溫度與來自腔室壁103的大氣溫度之間的溫度差分的緣故。

處理腔室100的質(zhì)量及性能可受處理腔室100中的條件影響。處理腔室100的不中斷操作有助于處理結(jié)果的好的一致性。然而，腔室部件中的高的溫度梯度可損壞那些腔室構(gòu)件。例如，一端暴露于大氣溫度而另一端暴露于非常高的溫度的傳統(tǒng)隔離器環(huán)可誘發(fā)跨過隔離器的高的熱應(yīng)力，該熱應(yīng)力可引起隔離器破裂或斷開，因此需要腔室停工時(shí)間以用于更換?？山柚哂袩嶂袛嗬玳g隙來減輕此問題，該熱中斷介于與大氣腔室壁103接觸的外隔離器120與暴露于處理體積128內(nèi)的高處理溫度下的內(nèi)隔離器110之間。隔離器110、120皆不受到全溫度差分(full temperature differential)。因此，隔離器110、120具有較低的熱應(yīng)力及較大的使用壽命。

圖2是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式沿著橫截線2--2的處理腔室100的橫截面視圖。該橫截面視圖包括腔室壁103、外隔離器120、內(nèi)隔離器110、襯墊164及基板支撐件104。腔室壁103可具有頂部表面266及外表面242。外表面242暴露于處理腔室100所在的環(huán)境的大氣溫度下。襯墊164可具有頂部268。頂部268支撐內(nèi)隔離器110。襯墊164暴露于處理腔室100內(nèi)部的處理環(huán)境的高溫下。在一個(gè)實(shí)施方式中，襯墊164的頂部268與腔室壁103的頂部表面266共平面。在另一實(shí)施方式中，襯墊164的頂部268與腔室壁103的頂部表面266為非平面的(non-planar)。

外隔離器120可以是固體環(huán)形的一個(gè)部件。外隔離器120可設(shè)置于腔室壁103的頂部表面266上。外隔離器120可具有內(nèi)直徑244、外直徑243及頂部表面262。在一個(gè)實(shí)施方式中，外隔離器120的外直徑243可設(shè)置在腔室壁103的外表面242的內(nèi)部。在另一實(shí)施方式中，外隔離器120的外直徑243可顯著地與腔室壁103的外表面242對(duì)齊。

外隔離器120的內(nèi)直徑244可實(shí)質(zhì)與腔室的腔室壁103的內(nèi)部直徑245對(duì)齊。在一些實(shí)施方式中，外隔離器120不與襯墊164的頂部268重疊，因此與襯墊164沒有好的熱接觸。外隔離器120的內(nèi)直徑244配置成接受(accept)外隔離器120中的內(nèi)隔離器110。在一個(gè)實(shí)施方式中，外隔離器120的內(nèi)直徑 244可為約17.200英寸(436.88mm)或更多。

外隔離器120大體包括可由陶瓷材料制成的環(huán)形主體121。可接受材料的實(shí)例可包括電性及熱性非傳導(dǎo)材料，該材料諸如是氧化釔(Y₂O₃)、氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al₂O₃)或其他合適的材料。在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式中，外隔離器120實(shí)質(zhì)由氧化鋁例如按重量計(jì)99.5％純的Al₂O₃構(gòu)成。外隔離器120的Al₂O₃材料提供增強(qiáng)的抗侵蝕性(resistance to corrosion)，同時(shí)提供絕佳的電阻以隔離電極層108(如圖1中所示)。因此改善腔室部件的使用壽命且減低維護(hù)成本。

內(nèi)隔離器110也可為環(huán)形。內(nèi)隔離器110可設(shè)置于襯墊164的頂部268上。內(nèi)隔離器110可具有內(nèi)周邊(perimeter)214、外部邊緣212及頂部表面264。內(nèi)隔離器110的頂部表面264及外隔離器120的頂部表面262可為共平面的。另外，內(nèi)隔離器110及外隔離器120的頂部表面264、262密封以對(duì)抗(against)電極層108(如圖1中所示)。

內(nèi)隔離器110可由一個(gè)或更多個(gè)部件構(gòu)成以形成完整的環(huán)。例如，內(nèi)隔離器110可具有第一部件210、第二部件220及第三部件230。在內(nèi)隔離器110的一個(gè)或更多個(gè)部件210、220、230的相鄰端之間界定出膨脹間隙240。在一個(gè)實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)部件210、220、230在形狀及尺寸上相等。在另一實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)部件210、220、230在形狀上相似但在弧長(zhǎng)上不同(討論于下文)，使得一個(gè)或更多個(gè)部件210、220、230的組合可完成隔離器環(huán)112的完整圓環(huán)形。

內(nèi)隔離器110的內(nèi)周邊214暴露于處理體積128及處理體積128中的升高的溫度下。內(nèi)周邊214可向襯墊164的內(nèi)表面216(顯示為虛線(phantom))內(nèi)部延伸。在一些實(shí)施方式中，襯墊164的頂部268可具有小于寬度254的寬度256，寬度254相關(guān)聯(lián)于(associated with)設(shè)置于襯墊164上的內(nèi)隔離器110。處理環(huán)境的高溫可使內(nèi)隔離器110經(jīng)歷從內(nèi)周邊214至面對(duì)外隔離器120的內(nèi)隔離器110的外部邊緣212的溫度梯度。

內(nèi)隔離器110的外部邊緣212可顯著地與襯墊164及腔室壁103的交叉部(intersection)對(duì)齊。內(nèi)隔離器110的外部邊緣212配置成小于外隔離器120的內(nèi)直徑244且設(shè)置于內(nèi)直徑244中。間隙250可形成在內(nèi)隔離器110的外部邊緣212與外隔離器120的內(nèi)直徑244之間。間隙250提供抑止熱從內(nèi)隔離器 110傳導(dǎo)至外隔離器120的熱中斷。

間隙250及膨脹間隙240可使內(nèi)隔離器110的第一部件210、第二部件220及第三部件230得以膨脹而不引起內(nèi)隔離器110及外隔離器120中的應(yīng)力。有利地，內(nèi)隔離器110的第一部件210、第二部件220及第三部件230的熱膨脹不施加大的(significant)壓力于彼此或施加大的壓力于外隔離器120。因此，間隙250及膨脹間隙240減輕內(nèi)隔離器110中的破裂及其他故障，這是由于由內(nèi)隔離器110的熱膨脹所產(chǎn)生的應(yīng)力的緣故。

內(nèi)隔離器110可為諸如陶瓷或金屬氧化物之類的介電材料。內(nèi)隔離器110的部件210、220、230可由陶瓷材料制成?？山邮艿牟牧系膶?shí)例可包括電性及熱性非傳導(dǎo)材料，該材料諸如是氧化釔(Y₂O₃)、氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al₂O₃)或其他合適的材料。在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式中，內(nèi)隔離器110實(shí)質(zhì)由氧化鋁例如按重量計(jì)99.5％純的Al₂O₃構(gòu)成。內(nèi)隔離器110的Al₂O₃材料提供增強(qiáng)的抗侵蝕性，同時(shí)提供絕佳的電阻以隔離電極層108(如圖1中所示)。因此提高腔室部件的使用壽命且減低維護(hù)成本。

圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的圖示于圖2中的內(nèi)隔離器110的第一部件210的頂部平面圖。第二及第三部件220、230可實(shí)質(zhì)相同。第一部件210可具有第一端320及第二端330。另外，第一部件210可具有弧形。第一部件210可具有從第一端320至第二端330的弧長(zhǎng)340。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一部件210的弧長(zhǎng)340可包括約120度的弧。沿著弧的弧長(zhǎng)340可為約18.014英寸(457.56mm)至約18.010英寸(457.45mm)。

轉(zhuǎn)到圖4，圖示第一部件210的側(cè)面投影。第一部件210可具有底部表面464及厚度410，厚度410從底部表面464延伸至頂部表面264。第一部件210的厚度410可為約0.397英寸(10.08mm)至約0.403英寸(10.24mm)。

回到圖3，第一端320具有一半徑，該半徑形成凸形半圓端321。凸形半圓端321的半徑可具有中心341，中心341可與第一部件210同余(congruent)且穿過第一部件210。該半徑正切于(tangent at)第一部件210的內(nèi)周邊214及外部邊緣212兩者。因此，該半徑為第一部件210的寬度254的一半。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一部件210的半徑可為約0.550英寸(13.97mm)。

第二端330具有一半徑，該半徑形成凹形彎曲端331。半徑332可具有中心342，中心342可與第一部件210非同余(non-congruent)。在一個(gè)實(shí)施方 式中，凹形彎曲端331具有約0.550英寸(13.97mm)的半徑。

為了形成內(nèi)隔離器110，第一部件210的第一端320配置成與第二部件220的第二端配對(duì)而膨脹間隙240介于第一部件與第二部件220之間；第二部件220的第一端與第三部件230的第二端配對(duì)而膨脹間隙240介于第二部件220與第三部件230之間；且為了完成圓形，第三部件230的第一端與第一部件210的第二端330配對(duì)而膨脹間隙240介于第一部件210與第三部件230之間。內(nèi)隔離器110的分開的部件210、220、230之間的膨脹間隙240配置成防止等離子體與腔室主體之間的視線，從而防止電弧。隨著內(nèi)隔離器110被處理體積128中出現(xiàn)的升高的溫度加熱，膨脹間隙240使得第一、第二及第三部件210、220、230得以單獨(dú)地?zé)崤蛎洠虼耸箖?nèi)隔離器110整體得以自由地膨脹，而不產(chǎn)生若制成單一部件環(huán)將會(huì)出現(xiàn)的過度的應(yīng)力。有利地，一個(gè)或更多個(gè)部件借助緩和施加的壓力來減輕腔室部件中的熱應(yīng)力，同時(shí)內(nèi)隔離器隨著升高的處理溫度熱性地膨脹。

第一部件210可配置成符合用于200mm、300mm、450mm或其他尺寸的基板的等離子體處理腔室。配置成用于300mm直徑基板的第一部件210可具有內(nèi)半徑304及外半徑302。在一個(gè)實(shí)施方式中，用于第一部件210的內(nèi)半徑304可介于約7.499英寸(190.47mm)至約7.501英寸(190.52mm)之間。用于外部邊緣212的外半徑302可介于約8.601英寸(218.47mm)至約8.599英寸(218.41mm)之間。

將內(nèi)隔離器110與腔室壁103上可得的大氣溫度隔離防止由于熱膨脹的熱應(yīng)力損壞或破裂內(nèi)隔離器。貫穿(throughout)內(nèi)隔離器110的膨脹間隙240便于低應(yīng)力熱膨脹，同時(shí)防止外隔離器120及腔室壁103的視線暴露(line-of-sight exposure)，該視線暴露可誘發(fā)不希望的電弧。間隙250提供好的熱中斷，因此將外隔離器120與高溫隔離，該高溫可引起熱應(yīng)力及損耗。有利地，處理腔室100經(jīng)歷較少的設(shè)備故障及停工時(shí)間，同時(shí)提供從一個(gè)電路至下一個(gè)電路的處理結(jié)果的一致性。

在操作中，基板可借助在處理腔室100中形成等離子體而被處理，處理腔室100包含設(shè)置于基板支撐件104上的基板。可借助提供電力至電極層108來控制等離子體的特性，電極層108設(shè)置于處理腔室100的腔室壁103與蓋180之間。電極層108借助外陶瓷隔離器120及內(nèi)陶瓷隔離器110從而與腔室 壁103及蓋180隔離。外陶瓷隔離器120與腔室壁103及電極層108接觸，同時(shí)內(nèi)陶瓷隔離器110與電極層108及襯墊164接觸，襯墊164設(shè)置在處理腔室100的腔室壁103的內(nèi)部。內(nèi)陶瓷隔離器110不與處理腔室100的腔室壁103接觸?；蹇稍谔幚砬皇?00中被處理而不破裂或損壞內(nèi)陶瓷隔離器110。

盡管前文針對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式，但是可在不背離本實(shí)用新型的基本范圍的情況下設(shè)計(jì)本實(shí)用新型的其他及進(jìn)一步的實(shí)施方式。