本發(fā)明涉及對襯底實施等離子體處理的等離子體處理裝置、等離子體處理裝置的控制方法和對用于控制等離子體處理裝置的程序進行存儲的程序存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

在平板顯示器(FPD)用的面板制造工序中，使用等離子體處理裝置，對玻璃襯底等的襯底實施利用等離子體的成膜處理和蝕刻處理、灰化處理等的精細加工，由此，在襯底上形成像素的器件和電極、配線等。在等離子體處理裝置中，例如在能夠減壓的處理室的內(nèi)部配置的具有作為下部電極的基座的載置臺之上載置襯底，一邊對處理室供給處理氣體一邊對基座供給高頻電力，由此，在處理室內(nèi)的襯底上方產(chǎn)生等離子體。

作為等離子體處理裝置之一具有電感耦合型等離子體處理裝置，作為其一個例子，已知有如下結(jié)構(gòu)：利用由電介質(zhì)構(gòu)成的窗部件，構(gòu)成與配置在腔室的內(nèi)部的載置臺的襯底載置面相對的腔室的上壁，在窗部件上設(shè)置有渦旋狀等的天線(高頻感應(yīng)線圈)的構(gòu)造。

伴隨近年的襯底的大型化，等離子體處理裝置也不斷大型化，因此，構(gòu)成腔室上壁的窗部件也不斷大型化(大面積化)。在此，窗部件的溫度由于來自生成的等離子體的熱而上升時，在窗部件產(chǎn)生溫度從等離子體密度大的中央部(天線正下方)向等離子體密度小的周緣部(天線的外周部)去而變低的溫度分布。由于這樣的溫度分布而在窗部件產(chǎn)生應(yīng)力，窗部件由于該應(yīng)力而發(fā)生損壞。

作為避免窗部件的溫度上升時的損壞的方法，提出了對窗部件的周邊部進行加熱的方法和對窗部件的中央部進行冷卻的方法等(例如參照專利文獻1)。

但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，需要對窗部件追加冷卻裝置或者加熱裝置，因此，存在裝置構(gòu)成變得復(fù)雜或者裝置整體變得大型化的問題。對此，考慮通過設(shè)定處理條件以使得在窗部件產(chǎn)生的溫度差不變得過大，從而不追加冷卻裝置或者加熱裝置也能夠避免窗部件的損壞的方法。但是，能夠避免窗部件的損壞的處理條件并沒有明確的基準，另外，根據(jù)窗部件的大小能夠設(shè)定的處理條件不同，因此，處理條件的設(shè)定，在實際情況中由操作者憑感覺或經(jīng)驗來進行。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-22855號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種不必基于操作者的感覺或經(jīng)驗設(shè)定處理條件就能夠避免窗部件的損壞的等離子體處理裝置。另外，本發(fā)明的目的還在于提供用于避免窗部件的損壞的等離子體處理裝置的控制方法和存儲用于執(zhí)行該控制的程序的存儲介質(zhì)。

為了實現(xiàn)上述目的，第一方面記載的等離子體處理裝置，其在腔室內(nèi)的等離子體生成區(qū)域產(chǎn)生電感耦合等離子體，從而對收納在上述腔室內(nèi)的襯底實施等離子體處理，該等離子體處理裝置的特征在于，包括：使上述電感耦合等離子體產(chǎn)生于上述等離子體生成區(qū)域的電感耦合天線；配置在上述等離子體生成區(qū)域與上述電感耦合天線之間的窗部件；和控制對上述襯底執(zhí)行的等離子體處理的控制部，上述控制部包括：存儲對上述襯底執(zhí)行的等離子體處理的處理方案的存儲部；執(zhí)行部，其按照存儲于上述存儲部的處理方案，對上述襯底執(zhí)行等離子體處理；輸入部，其接收對上述襯底執(zhí)行的等離子體處理的處理方案的輸入；判斷部，其在按照上述輸入部接收到的處理方案執(zhí)行了等離子體處理時，判斷上述窗部件是否發(fā)生損壞；和登記部，其在上述判斷部判斷上述窗部件發(fā)生損壞的情況下，拒絕將上述處理方案登記到上述存儲部，在上述判斷部判斷上述窗部件沒有發(fā)生損壞的情況下，將上述處理方案登記到上述存儲部。

第二方面記載的等離子體處理裝置，其特征在于，在第一方面記載的等離子體處理裝置中，上述窗部件由電介質(zhì)形成，上述判斷部判斷上述電介質(zhì)是否發(fā)生損壞。

第三方面記載的等離子體處理裝置，其特征在于，在第一方面記載的等離子體處理裝置中，上述窗部件具有電介質(zhì)和設(shè)置在上述電介質(zhì)的上述等離子體生成區(qū)域側(cè)的電介質(zhì)罩，上述判斷部判斷上述電介質(zhì)罩是否發(fā)生損壞。

第四方面記載的等離子體處理裝置，其特征在于，在第一方面記載的等離子體處理裝置中，上述窗部件具有金屬和設(shè)置在上述金屬的上述等離子體生成區(qū)域側(cè)的電介質(zhì)罩，上述判斷部判斷上述電介質(zhì)罩是否發(fā)生損壞。

第五方面記載的等離子體處理裝置，其特征在于，在第一方面至第四方面記載的等離子體處理裝置中，上述判斷部，對于按照上述輸入部接收到的處理方案反復(fù)執(zhí)行等離子體處理而使上述窗部件的溫度成為平衡狀態(tài)時的、設(shè)置于上述窗部件的多個溫度預(yù)測點的預(yù)測到達溫度之差，使用預(yù)先確定的計算式進行計算，在上述差比規(guī)定的閾值小的情況下，判斷上述窗部件沒有發(fā)生損壞。

第六方面記載的等離子體處理裝置，其特征在于，在第五方面記載的等離子體處理裝置中，上述多個溫度預(yù)測點至少包括上述電感耦合天線的正下方的1個點和上述窗部件的周緣部的1個點。

第七方面記載的等離子體處理裝置，其特征在于，在第五方面記載的等離子體處理裝置中，上述多個溫度預(yù)測點至少包括上述電感耦合天線的正下方的1個點和上述窗部件的周緣部的2個點，上述判斷部計算上述電感耦合天線的正下方的1個點的預(yù)測到達溫度與上述窗部件的周緣部的2個點各自的預(yù)測到達溫度的第一差和第二差，在上述第一差比第一閾值小且上述第二差比第二閾值小的情況下，判斷上述窗部件沒有發(fā)生損壞。

第八方面記載的等離子體處理裝置，其特征在于，在第五方面記載的等離子體處理裝置中，上述多個溫度預(yù)測點至少包括上述電感耦合天線的正下方的1個點和上述窗部件的周緣部的2個點，上述判斷部計算上述電感耦合天線的正下方的1個點的預(yù)測到達溫度與上述窗部件的周緣部的2個點各自的預(yù)測到達溫度的第一差和第二差，在上述第一差與上述第二差之和比第三閾值小的情況下，判斷上述窗部件沒有發(fā)生損壞。

為了實現(xiàn)上述目的，第九方面記載的等離子體處理裝置的控制方法，其中，上述等離子體處理裝置在腔室內(nèi)的等離子體生成區(qū)域產(chǎn)生電感耦合等離子體，從而對收納于上述腔室內(nèi)的襯底實施等離子體處理，上述等離子體處理裝置的控制方法的特征在于，包括：輸入步驟，接收對上述襯底執(zhí)行的等離子體處理的處理方案的輸入；和判斷步驟，在按照上述處理方案執(zhí)行了等離子體處理時，判斷配置在上述等離子體生成區(qū)域與上述電感耦合天線之間的窗部件所包含的電介質(zhì)是否發(fā)生損壞；登記步驟，在上述判斷步驟判斷上述窗部件發(fā)生損壞的情況下，不將上述處理方案登記到上述存儲部，在判斷上述窗部件沒有發(fā)生損壞的情況下，將上述處理方案登記到上述存儲部；和執(zhí)行步驟，按照通過上述登記步驟在上述存儲部登記的處理方案來對上述襯底執(zhí)行等離子體處理，在上述判斷步驟中，對于按照上述處理方案反復(fù)執(zhí)行等離子體處理而使上述窗部件的溫度成為平衡狀態(tài)時的、設(shè)置于上述窗部件的多個溫度預(yù)測點的預(yù)測到達溫度之差，使用預(yù)先確定的計算式進行計算，在上述差比規(guī)定的閾值小的情況下，判斷上述窗部件沒有發(fā)生損壞。

為了實現(xiàn)上述目的，第十方面記載的存儲介質(zhì)，其是存儲用于使計算機執(zhí)行等離子體處理裝置中執(zhí)行的控制步驟的程序，其中，上述等離子體處理裝置在腔室內(nèi)的等離子體生成區(qū)域產(chǎn)生電感耦合等離子體，從而對收納在上述腔室內(nèi)的襯底實施等離子體處理，上述控制步驟包括：接收對上述襯底執(zhí)行的等離子體處理的處理方案的輸入的輸入步驟；和在按照上述處理方案執(zhí)行了等離子體處理時，判斷配置在上述等離子體生成區(qū)域與上述電感耦合天線之間的窗部件所包含的電介質(zhì)是否發(fā)生損壞的判斷步驟；在上述判斷步驟中判斷出上述窗部件發(fā)生損壞的情況下不將上述處理方案登記到存儲部，在判斷出上述窗部件沒有發(fā)生損壞的情況下將上述處理方案登記到存儲部的登記步驟；和按照通過上述登記步驟存儲在上述存儲部的處理方案對上述襯底執(zhí)行等離子體處理的執(zhí)行步驟，在上述判斷步驟中，對于按照上述輸入部所接收的處理方案反復(fù)執(zhí)行等離子體處理而使上述窗部件的溫度成為平衡狀態(tài)時的、設(shè)定于上述窗部件的多個溫度預(yù)測點的預(yù)測到達溫度之差，使用預(yù)先確定的計算式進行計算，在上述差比規(guī)定的閾值小的情況下，判斷上述窗部件沒有發(fā)生損壞。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，在等離子體處理裝置的窗部件設(shè)定多個溫度預(yù)測點，基于被輸入的處理方案，計算由于來自等離子體的熱而使窗部件的溫度上升時的溫度預(yù)測點之間的預(yù)測到達溫度差，將其與閾值進行比較，基于該處理方案實施了等離子體處理的情況下，判斷窗部件是否發(fā)生損壞。其結(jié)果，在判斷窗部件有可能發(fā)生損壞的情況下，拒絕該處理方案向控制裝置的登記，使得按照該處理方案的等離子體處理不能夠執(zhí)行。由此，不必基于操作者的感覺或經(jīng)驗設(shè)定處理條件就能夠避免窗部件的損壞。

附圖說明

圖1是表示具有本發(fā)明的實施方式的等離子體處理裝置的襯底處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖2是表示圖1的襯底處理系統(tǒng)所具備的等離子體處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖3是圖1的襯底處理系統(tǒng)的控制裝置中的判斷處理方案可否登記的處理的流程圖。

圖4是示意地表示對圖2的等離子體處理裝置所具備的窗部件設(shè)定的溫度預(yù)測點的圖和示意地表示溫度預(yù)測點的溫度計算模型的圖。

圖5是分別示意地表示圖4所示的溫度預(yù)測點的預(yù)測到達溫度的計算結(jié)果的圖和預(yù)測到達溫度差比閾值大的例子和比閾值小的例子的圖。

附圖標記說明

10：襯底處理系統(tǒng)，11：等離子體處理裝置，21：載置臺，22：窗部件，41：等離子體生成用高頻電源，44：裝置控制器，50：電感耦合天線，100：控制裝置，101：微型計算機，102：存儲部，103：操作部。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。

圖1是表示具有本發(fā)明的實施方式的等離子體處理裝置11的襯底處理系統(tǒng)10的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。

襯底處理系統(tǒng)10包括對玻璃襯底等的FPD用的襯底G實施等離子體處理例如等離子體蝕刻的3個等離子體處理裝置11。3個等離子體處理裝置11各自經(jīng)由閘閥13與水平截面為多邊形狀(例如、水平截面為矩形)的搬送室12的側(cè)面連結(jié)。此外，等離子體處理裝置11的結(jié)構(gòu)參照圖2在后文述說。

搬送室12還經(jīng)由閘閥15與加載互鎖真空室14連結(jié)。加載互鎖真空室14經(jīng)由閘閥17與襯底搬出入機構(gòu)16相鄰設(shè)置。在襯底搬出入機構(gòu)16相鄰設(shè)置有2個分度器18。分度器18用于載置收納襯底G的盒19。盒19能夠收納多個(例如25個)襯底G。

襯底處理系統(tǒng)10的整體的動作由控制裝置100控制?？刂蒲b置100包括執(zhí)行運算處理的微型計算機101和存儲微型計算機101執(zhí)行的程序、參數(shù)、等離子體處理的處理方案的存儲部102。另外，控制裝置100作為用戶接口接收操作者的操作，另外，包括向操作者提供襯底處理系統(tǒng)10中的各種信息的操作部103。

在襯底處理系統(tǒng)10中對襯底G實施等離子體蝕刻時，首先，由襯底搬出入機構(gòu)16將收納于盒19中的襯底G搬入到加載互鎖真空室14的內(nèi)部。此時，在加載互鎖真空室14的內(nèi)部存在等離子體蝕刻完成的襯底G時，該等離子體蝕刻完成的襯底G從加載互鎖真空室14內(nèi)被搬出，與未蝕刻的襯底G置換。向加載互鎖真空室14的內(nèi)部搬入襯底G時，閘閥17被關(guān)閉。

接著，在加載互鎖真空室14的內(nèi)部被減壓至規(guī)定的真空度后，將搬送室12與加載互鎖真空室14之間的閘閥15打開。然后，加載互鎖真空室14的內(nèi)部的襯底G由搬送室12的內(nèi)部的搬送機構(gòu)(未圖示)搬入到搬送室12的內(nèi)部后，將閘閥15關(guān)閉。

接著，搬送室12與等離子體處理裝置11之間的閘閥13被打開，由搬送機構(gòu)將未蝕刻的襯底G搬入到等離子體處理裝置11的內(nèi)部。此時，當(dāng)在等離子體處理裝置11的內(nèi)部存在等離子體蝕刻完成的襯底G時，該等離子體蝕刻完成的襯底G被搬出，與未蝕刻的襯底G置換。之后，利用等離子體處理裝置11對被搬入的襯底G實施等離子體蝕刻。

圖2是表示等離子體處理裝置11的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。等離子體處理裝置11具體來說為電感耦合型的等離子體處理裝置。等離子體處理裝置11包括：大致矩形狀的腔室20(處理室)；配置在腔室20內(nèi)的下方，將襯底G載置在頂部的載置臺21；作為腔室20的上壁與載置臺21相對配置的窗部件22；和配置在窗部件22的上側(cè)的由渦旋狀的導(dǎo)體形成的電感耦合天線50。在載置臺21與窗部件22之間形成作為生成電感耦合等離子體的區(qū)域的處理空間S。

載置臺21內(nèi)置由導(dǎo)體形成的基座23，基座23經(jīng)由匹配器25與偏置用高頻電源24連接。另外，在載置臺21的上部配置由層狀的電介質(zhì)形成的靜電吸附部(ESC)26，靜電吸附部26具有以由上層的電介質(zhì)層和下層的電介質(zhì)層夾著的方式內(nèi)置的靜電吸附電極27。靜電吸附電極27與直流電源28連接，當(dāng)直流電源28對靜電吸附電極27施加直流電壓時，靜電吸附部26通過靜電力對載置于載置臺21的襯底G進行靜電吸附。偏置用高頻電源24將頻率比較低的高頻電力供給到基座23，使被靜電吸附部26靜電吸附的襯底G產(chǎn)生直流偏置電位。此外，靜電吸附部26可以形成為板部件，另外，也可以在載置臺21上作為噴鍍膜形成。

載置臺21內(nèi)置對基座23進行溫度調(diào)節(jié)的冷卻介質(zhì)流路29，冷卻介質(zhì)流路29與冷卻介質(zhì)供給機構(gòu)(未圖示)連接。另外，載置臺21具有用于促進載置臺21與襯底G之間的傳熱的傳熱氣體供給機構(gòu)30。傳熱氣體供給機構(gòu)30具有傳熱氣體供給源31和氣體流量控制器32，將傳熱氣體向載置臺21供給。載置臺21包括：在上部開口的多個傳熱氣體孔33；和使各個傳熱氣體孔33與傳熱氣體供給機構(gòu)30連通的傳熱氣體供給路徑34。在載置臺21，在被靜電吸附于靜電吸附部26的襯底G的背面與載置臺21的上部之間產(chǎn)生微小的間隙，但是，從傳熱氣體孔33供給的傳熱氣體充填于該間隙，由此，能夠提高襯底G與載置臺21的熱傳遞或者熱轉(zhuǎn)移效率，能夠提高利用載置臺21進行的襯底G的冷卻效率。

用于對腔室20內(nèi)供給處理氣體的氣體供給口40設(shè)置在腔室20的側(cè)壁上部，氣體供給口40與處理氣體供給機構(gòu)35連接。處理氣體供給機構(gòu)35具有處理氣體供給源36、氣體流量控制器37和壓力控制閥38。從處理氣體供給機構(gòu)35供給到氣體供給口40的處理氣體被從氣體供給口40導(dǎo)入到處理空間S。此外，氣體供給口40也能夠設(shè)置在窗部件22。

電感耦合天線50經(jīng)由匹配器42與等離子體生成用高頻電源41連接，等離子體生成用高頻電源41將頻率較高的等離子體生成用的高頻電力供給到電感耦合天線50。被供給等離子體生成用的高頻電力的電感耦合天線50在處理空間S產(chǎn)生電場。

窗部件22由電介質(zhì)或者金屬形成。窗部件22在由電介質(zhì)形成的情況下，例如由石英或者陶瓷等形成。窗部件22在由金屬形成的情況下，例如由鋁等形成。此外，具有窗部件22由多個部件形成的情況，在該情況下，為了保護設(shè)置在部件間的部件(例如由金屬形成的部件)不受等離子體的影響，而在窗部件22的處理空間S側(cè)設(shè)置有電介質(zhì)罩。電介質(zhì)罩例如由石英或者陶瓷形成。

等離子體處理裝置11包括與腔室20的內(nèi)部連通的排氣管43，能夠通過排氣管43排出腔室20的內(nèi)部的氣體，使腔室20的內(nèi)部為規(guī)定的減壓狀態(tài)。

等離子體處理裝置11的各構(gòu)成要素的動作，在基于襯底處理系統(tǒng)10的控制裝置100進行的統(tǒng)一的控制下，通過裝置控制器44執(zhí)行規(guī)定的程序來進行控制。

在利用等離子體處理裝置11對襯底G實施等離子體蝕刻時，將處理空間S減壓，將處理氣體導(dǎo)入到處理空間S，并且，向電感耦合天線50供給等離子體生成用的高頻電力。由此，在處理空間S產(chǎn)生電場。被導(dǎo)入到處理空間S的處理氣體被電場激發(fā)而生成等離子體，等離子體中的陽離子被隔著載置臺21在襯底G產(chǎn)生的直流偏置電位引到襯底G，對襯底G實施等離子體蝕刻。另外，等離子體中的自由基到達襯底G對襯底G實施等離子體蝕刻。

在等離子體處理裝置11中，以電感耦合天線50覆蓋襯底G的整個面的方式配置，由此，能夠以覆蓋襯底G的整個面的方式生成等離子體，因此，能夠?qū)σr底G的整個面均勻地實施等離子體蝕刻。此時，窗部件22的溫度因來自等離子體向窗部件22的熱而上升，產(chǎn)生溫度從等離子體的密度大的電感耦合天線50正下方的中央部向等離子體的密度小的周緣部去而變低的溫度分布。因該溫度分布而導(dǎo)致以下問題：在構(gòu)成窗部件22的電介質(zhì)(由電介質(zhì)形成的窗部件22自身或覆蓋窗部件22的電介質(zhì)罩)產(chǎn)生因不均勻的熱膨脹導(dǎo)致的三維的變形并且產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力，由于產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力而導(dǎo)致構(gòu)成窗部件22的電介質(zhì)發(fā)生損壞。

在此，為了在等離子體處理裝置11中執(zhí)行操作者所期望的等離子體處理，操作者操作操作部103，將一系列的處理條件匯總而成的處理方案輸入控制裝置100。接著，被輸入的處理方案被存儲在控制裝置100所具備的半導(dǎo)體存儲器等存儲部102，被登記于控制裝置100?？刂蒲b置100所具備的微型計算機101控制裝置控制器44，使得按照登記的處理方案執(zhí)行等離子體處理。

本實施方式中，在處理方案被輸入控制裝置100時，按照輸入的處理方案執(zhí)行等離子體處理之前，假設(shè)在按照輸入的處理方案執(zhí)行了等離子體處理的情況下，由微型計算機101判斷在構(gòu)成窗部件22的電介質(zhì)是否發(fā)生損壞。接著，在判斷為在構(gòu)成窗部件22的電介質(zhì)發(fā)生損壞的情況下，拒絕該處理方案向控制裝置100的登記，使得該處理方案不能夠執(zhí)行，由此，避免構(gòu)成窗部件22的電介質(zhì)的損壞。以下，對其構(gòu)成進行說明。

控制裝置100將用于輸入在等離子體處理裝置11中執(zhí)行的等離子體處理的處理方案的程序(以下稱為“處理方案輸入程序”)和用于避免構(gòu)成窗部件22的電介質(zhì)的損壞(以下稱為“窗部件22的損壞”)的程序(以下稱為“損壞避免程序”)，存儲于半導(dǎo)體存儲器或硬盤等的存儲部102，這些程序由控制裝置100的微型計算機101執(zhí)行。此外，控制裝置100具有作為用戶接口的操作部103，操作部103具有例如操作畫面(觸摸面板)、操作按鈕、操作鍵等。

圖3是控制裝置100中的判斷處理方案可否登記的處理的流程圖。最初，在步驟S1中，襯底處理系統(tǒng)10的操作者操作設(shè)置在控制裝置100的操作畫面、操作按鈕、操作鍵，使處理方案輸入程序啟動，輸入由等離子體處理裝置11執(zhí)行的等離子體處理的處理方案。在處理方案輸入中，新制作處理方案，或者在控制裝置100中編集已登記的處理方案。在此，處理方案輸入也包括經(jīng)由通信線路從外部向控制裝置100傳送處理方案。處理方案沒有特別限定，能夠由處理室內(nèi)的壓力調(diào)整(處理氣體的導(dǎo)入和排氣(抽真空))圖案、高頻電力(頻率、電壓)的施加圖案等構(gòu)成。處理方案輸入能夠通過周知的方法進行，因此省略說明。

在步驟S1中，隨著處理方案輸入程序的啟動，損壞避免程序也啟動。在接著的步驟S2中，襯底處理系統(tǒng)10的操作者嘗試步驟S1中輸入的處理方案向控制裝置100的登記。該登記的嘗試，當(dāng)構(gòu)成為例如在用于處理方案輸入的操作畫面顯示“登記”按鈕時，通過按壓該“登記”按鈕能夠開始。

接著，在步驟S3中，控制裝置100對在步驟S1中輸入的處理方案執(zhí)行損壞避免程序，計算對于窗部件22預(yù)先確定的多個溫度預(yù)測點的預(yù)測到達溫度。在接著的步驟S4中，控制裝置100通過執(zhí)行中的損壞避免程序求出在步驟S3中計算出的多個溫度預(yù)測點的預(yù)測到達溫度之差(預(yù)測到達溫度差)，將預(yù)測到達溫度差與預(yù)先確定的閾值進行比較，判斷預(yù)測到達溫度差是否比閾值小。此外，對多個溫度預(yù)測點、預(yù)測到達溫度和閾值在后文詳細述說。

控制裝置100，在預(yù)測到達溫度差比閾值小的情況(在S4中為：是)下，使處理前進到步驟S5，在預(yù)測到達溫度差為閾值以上的情況(在S4中為：否)下，使處理前進到步驟S6。在步驟S5中，控制裝置100允許步驟S1中輸入的處理方案的登記，將處理方案登記。此時，在操作畫面中顯示表示處理方案登記正常完成的信息。接著，通過步驟S5，該處理結(jié)束。此外，在登記另一處理方案的情況下，操作者從步驟S1重新開始處理即可。另一方面，在步驟S6中，控制裝置100拒絕步驟S1中輸入的處理方案的登記，在操作畫面顯示表示無法進行處理方案登記的信息，并且，在操作畫面顯示要求處理方案的編輯的信息?？刂蒲b置100在步驟S6后使處理返回步驟S1。

對于上述的步驟S3、S4的處理進行具體說明。圖4(a)是示意地表示對窗部件22設(shè)定的溫度預(yù)測點的圖。在此，在窗部件22的中心位置設(shè)定溫度預(yù)測點P1，在長邊側(cè)周緣的中心設(shè)定溫度預(yù)測點P2。電感耦合天線50的正下方的溫度預(yù)測點P1，作為一個例子設(shè)定為在等離子體處理時窗部件22的溫度比其它的位置相對高的位置，周緣部的溫度預(yù)測點P2，作為一個例子設(shè)定為在等離子體處理時窗部件22的溫度比其它的位置相對低的位置。

此外，在等離子體處理時，窗部件22中的相對其它的部位成為高溫的位置和成為低溫的位置分別取決于電感耦合天線50的圖案。例如在不是圖4(a)所示的1條的渦旋狀的天線，而是多個電感耦合天線在窗部件22上排列為1列或多列的結(jié)構(gòu)的情況下，并不一定是窗部件22的中央為相對最高溫度的位置。因此，溫度測定點，與電感耦合天線的圖案相應(yīng)地設(shè)置在相對溫度高的位置和溫度低的位置，優(yōu)選設(shè)置在溫度最高的位置和溫度最低的位置。

圖4(b)是示意地表示溫度預(yù)測點P1、P2的溫度計算模型的圖。在產(chǎn)生從等離子體向窗部件22的吸熱的同時，也產(chǎn)生從窗部件22向周圍環(huán)境的散熱，因此，吸熱量與散熱量之差引起窗部件22的溫度上升。在等離子體處理裝置11中，通常將多個襯底G逐個逐次交換進行處理，因此，窗部件22的溫度隨著反復(fù)執(zhí)行處理方案對襯底G進行處理(隨著時間的經(jīng)過)而變高。但是，在一定個數(shù)的襯底G被處理時，窗部件22的吸熱量與散熱量平衡，由此窗部件22到達大致成為一定溫度的平衡狀態(tài)。

在窗部件22到達平衡狀態(tài)時的自溫度預(yù)測點P1、P2的初始溫度起的溫度變化通過計算來求取，作為計算式例如能夠使用：

“溫度變化[℃]＝(吸熱量－散熱量)×熱阻×((1－exp(－時間/時間常數(shù)))”，

“散熱量＝(溫度預(yù)測點的溫度－周邊溫度)×熱阻”，

“吸熱量＝(a×處理室壓力^b)×(c×RF)”。

在上述的各式中，“熱阻”是在溫度預(yù)測點的值，“RF”是用于生成等離子體的高頻電力值。在窗部件22達到平衡狀態(tài)時的溫度預(yù)測點P1、P2各自的預(yù)測到達溫度TP1、TP2，作為計算出的“溫度變化”與初始溫度(室溫)之和而求出。

表示吸熱量的式子的系數(shù)a、b、c的值和用于計算出散熱量的熱阻的值通過以下方式?jīng)Q定：使用作為實際設(shè)備的等離子體處理裝置11，將高頻電力值、腔室20內(nèi)的壓力值進行各種變更，實際測量溫度預(yù)測點P1、P2的溫度，基于得到的結(jié)果盡可能正確再現(xiàn)實際測量結(jié)果。由此，能夠提高計算出的預(yù)測到達溫度TP1、TP2的可靠性。

圖5(a)是示意地表示上述計算式的預(yù)測到達溫度TP1、TP2的計算結(jié)果的圖。1個襯底G的等離子體處理開始時，來自等離子體的吸熱量超過散熱量，因此，窗部件22的溫度上升，但是，等離子體處理結(jié)束而停止等離子體的生成時，窗部件22的溫度進一步散熱而下降。對于下一個襯底G，窗部件22的溫度也同樣變化。最初吸熱量比散熱量多，因此，隨著襯底G逐次處理，窗部件22的溫度逐漸變高，但是，一定個數(shù)的襯底G被處理而使窗部件22的溫度變高時散熱量也變大，因此，溫度預(yù)測點P1、P2的溫度分別穩(wěn)定于溫度TP1、TP2，成為平衡狀態(tài)。

在上述計算式的情況下，例如在60個襯底G的等離子體處理結(jié)束的時刻，確認到溫度預(yù)測點P1、P2的溫度分別到達預(yù)測到達溫度TP1、TP2。于是，在步驟S3中，計算在將處理方案執(zhí)行了例如60次時的預(yù)測到達溫度TP1、TP2。接著，在步驟S4中，求出預(yù)測到達溫度TP1、TP2間的預(yù)測到達溫度差ΔT1，判斷預(yù)測到達溫度差是否比預(yù)定的閾值小。因此，溫度預(yù)測點P1、P2的初始溫度在與求取預(yù)測到達溫度差ΔT1時被抵消，所以不存在該判斷的問題。

圖5(b)是示意地表示預(yù)測到達溫度差ΔT1比閾值大的例子的圖，在該情況下，在步驟S4中的判斷為“否”，處理向步驟S6前進。圖5(c)是示意地表示預(yù)測到達溫度差ΔT1比閾值小的例子的圖，在該情況下，在步驟S4中的判斷為“是”，處理進入步驟S5。

預(yù)測到達溫度差ΔT1大是指，窗部件22中的溫度分布產(chǎn)生較大的偏離，窗部件22產(chǎn)生較大的應(yīng)力而容易發(fā)生損壞。閾值是即使窗部件22產(chǎn)生溫度分布，窗部件22也不損壞的溫度差的上限值，可以基于用于求出上述計算式的系數(shù)的實際設(shè)備(等離子體處理裝置11)的窗部件22的溫度測定時的結(jié)果來決定，或者基于有限要素法等的仿真的結(jié)果來決定。閾值根據(jù)窗部件22的面積和厚度、電感耦合天線50的圖案、使用的電介質(zhì)材料等而不同，因此，根據(jù)等離子體處理裝置11的規(guī)格來設(shè)定。

此外，閾值是限制在等離子體處理裝置11中能夠執(zhí)行的處理方案的值。因此，為了避免窗部件22的損壞而將極端小的值設(shè)定為閾值時，可執(zhí)行的處理受到制限，可制造的產(chǎn)品的范圍(種類)變得狹窄。

作為避免該問題的方法之一，能夠列舉將閾值設(shè)置多級的方法。多個閾值例如能夠列舉：用于總是拒絕處理方案的登記的閾值(以下稱為“上限閾值”)；和為了能夠執(zhí)行等離子體處理而允許處理方案的登記，但對襯底處理系統(tǒng)10的操作者提醒具有產(chǎn)生窗部件22的損壞的危險的閾值(以下稱為“通常閾值”)。當(dāng)預(yù)測到達溫度差ΔT1為上限閾值以上時，與圖5(b)的情況同樣處理，當(dāng)預(yù)測到達溫度差ΔT1比通常閾值小時，與圖5(c)的情況同樣處理。

當(dāng)預(yù)測到達溫度差ΔT1為通常閾值以上且不到上限閾值時，對襯底G的處理個數(shù)設(shè)置制限，使得處理方案能夠執(zhí)行，該限制個數(shù)顯示于操作畫面，另外，控制裝置100可以構(gòu)成為在執(zhí)行了該處理方案的情況下自動限制個數(shù)。由此，如圖5(b)、(c)所示，每當(dāng)襯底G的處理個數(shù)增加時，溫度差(TP1－TP2)變大，因此，即使預(yù)測到達溫度差ΔT1超過通常閾值的結(jié)果的情況下，在溫度差不超過通常閾值的一定個數(shù)的范圍內(nèi)，也能夠避免窗部件22的損壞。同樣，即使預(yù)測到達溫度差ΔT1為上限閾值以上的情況下，在溫度差不超過通常閾值的一定個數(shù)的范圍內(nèi)限制襯底G的處理個數(shù)，也可以使處理方案能夠執(zhí)行。

通過如上述方式限制處理個數(shù)，能夠避免窗部件22的損壞，并且擴大可登記的處理方案范圍。該情況下的可進行等離子體處理的個數(shù)，可以通過對在求取預(yù)測到達溫度差ΔT1的過程中求出的溫度預(yù)測點P1、P2的溫度差估算安全系數(shù)來進行設(shè)定。

至此，對基于溫度預(yù)測點P1、P2的2個點間的預(yù)測到達溫度差ΔT1避免窗部件22的損壞的方式進行了說明，接著，對在溫度預(yù)測點P1、P2的基礎(chǔ)上，例如在窗部件22的邊緣部設(shè)定溫度預(yù)測點P3，來避免窗部件22的損壞的方式進行說明。

在設(shè)定溫度預(yù)測點P1～P3的情況下，基于輸入的處理方案，在溫度預(yù)測點P1、P2的2個點間的預(yù)測到達溫度差ΔT1(第一差)的基礎(chǔ)上，計算溫度預(yù)測點P1、P3的2個點間的預(yù)測到達溫度差ΔT2(第二差)。對預(yù)測到達溫度差ΔT1設(shè)定閾值TH1(第一閾值)，判斷預(yù)測到達溫度差ΔT1是否比閾值TH1小。同樣，對預(yù)測到達溫度差ΔT2設(shè)定閾值TH2(第二閾值)，判斷預(yù)測到達溫度差ΔT2是否比閾值TH2小。其結(jié)果是，在預(yù)測到達溫度差ΔT1比閾值TH1小且預(yù)測到達溫度差ΔT2比閾值TH2小的情況下允許處理方案登記，在此以外的情況下不允許處理方案登記。由此，能夠更加可靠地避免窗部件22的損壞。

在設(shè)定溫度預(yù)測點P1～P3的情況下，對預(yù)測到達溫度差ΔT1、ΔT2之和設(shè)定閾值TH3(第三閾值)，判斷預(yù)測到達溫度差ΔT1、ΔT2之和是否比閾值TH3小，在預(yù)測到達溫度差ΔT1、ΔT2之和比閾值TH3小的情況下，允許處理方案登記。另外，溫度預(yù)測點可以設(shè)置為比3個點多，此時的判斷手法參照3個點的情況。伴隨因來自等離子體的吸熱導(dǎo)致的窗部件22的熱膨脹的窗部件22的變形三維地產(chǎn)生，因此通過增加溫度預(yù)測點能夠更可靠地避免窗部件22的損壞。

以上，使用上述實施方式對本發(fā)明進行了說明，但是本發(fā)明不限于上述實施方式。例如在上述實施方式中，說明了窗部件22的損壞避免程序存儲在控制裝置100且由控制裝置100執(zhí)行的方式。對此，本發(fā)明的目的通過如下方式實現(xiàn)：將記錄有實現(xiàn)上述實施方式的功能的軟件的程序編碼的存儲介質(zhì)供給到控制裝置100，控制裝置100的微型計算機101讀取存儲介質(zhì)中存儲的程序編碼來執(zhí)行。

在該情況下，從存儲介質(zhì)讀取的程序編碼自身實現(xiàn)上述實施方式的功能，程序編碼和存儲該程序編碼的存儲介質(zhì)構(gòu)成本發(fā)明。作為用于供給程序編碼的存儲介質(zhì)，例如能夠存儲RAM、NV-RAM、軟盤(登記商標)、硬盤、光磁盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等的光盤、磁盤、非易失性的存儲卡、其它的ROM等的上述程序編碼即可?；蛘撸鲜錾嫌洺绦蚓幋a可以通過從互聯(lián)網(wǎng)、商用網(wǎng)絡(luò)或與局域網(wǎng)等連接的未圖示的另外的計算機和數(shù)據(jù)庫等下載而供給到控制裝置100。

另外，可以在與控制裝置100之外的通常的個人計算機上執(zhí)行窗部件22的損壞避免程序。例如采用使窗部件22的損壞避免程序和能夠輸入等離子體處理的處理方案的程序(軟件)相互關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)或者使它們一體化的結(jié)構(gòu)。而且，襯底處理系統(tǒng)10的操作者在個人計算機上啟動處理方案輸入程序，輸入處理方案。當(dāng)處理方案的輸入結(jié)束時，用于避免窗部件22的損壞的程序被快速執(zhí)行，判斷輸入的處理方案是否為能夠登記到控制裝置100的處理方案。操作者可以設(shè)置僅在判斷為能夠登記的情況下能夠?qū)刂蒲b置100輸入相同的處理方案的規(guī)則。

并且，作為本發(fā)明的等離子體處理裝置11，能夠列舉襯底的等離子體蝕刻裝置，但是不限于此，也可以為成膜裝置、灰化裝置、離子注入裝置等的其它的等離子體處理裝置。另外，作為襯底G列舉了FPD用的玻璃襯底，但即使為其它的襯底(例如半導(dǎo)體晶片)，也能夠應(yīng)用于本發(fā)明。