本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種光刻方法、自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝、接觸孔制作工藝和有源區(qū)反刻工藝。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體制造工藝過(guò)程中，晶片邊緣與硅襯底直接接觸的SiO_X層常被刻蝕掉，硅襯底直接暴露出，當(dāng)這部暴露出的硅襯底表面設(shè)置Ti層、TiN層、Si₃N₄層或含Ti的硅化物層等與硅的熱膨脹系數(shù)嚴(yán)重不匹配的結(jié)構(gòu)層時(shí)，在熱處理過(guò)程中，硅襯底與這些結(jié)構(gòu)層之間存在較大的應(yīng)力，此應(yīng)力使得晶片邊緣的這些結(jié)構(gòu)層成為剝落缺陷源頭掉入晶片的內(nèi)部，影響器件的性能，造成器件的良率降低。

現(xiàn)有技術(shù)中為了改善上述的邊緣剝落缺陷，常采用啟動(dòng)刷或者在關(guān)鍵層的刻蝕完成后會(huì)增加傾斜刻蝕。啟動(dòng)刷對(duì)上述的晶片邊緣剝落缺陷的改善作用很小。傾斜刻蝕可以改善一部分的邊緣剝落缺陷，不能徹底改善邊緣剝落缺陷，并且此方法增加的傾斜刻蝕需要專門(mén)的設(shè)備，這將增加工藝成本，增加晶片生產(chǎn)周期，另外此工藝步驟的增加也增加了晶片邊緣等離子損傷的風(fēng)險(xiǎn)。

由此可見(jiàn)，亟需一種能夠有效改善晶片邊緣剝落缺陷的光刻方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)旨在提供一種光刻方法、自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝、接觸孔制作工藝和有源區(qū)反刻工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中晶片邊緣剝落缺陷的問(wèn)題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種光刻方法，該光刻方法包括：步驟S1，在晶片表面的介質(zhì)層上設(shè)置主光刻膠層，上述介質(zhì)層至少包括SiO_X層，且上述SiO_X層直接設(shè)置在上述晶片的硅襯底表面上；步驟S2，對(duì)上述主光刻膠層進(jìn)行曝光；步驟S3，在曝光后的上述主光刻膠層的邊緣區(qū)域設(shè)置副光刻膠層；步驟S4，對(duì)曝光后的上述主光刻膠層和上述副光刻膠層進(jìn)行顯影，形成光刻膠掩膜層；以及步驟S5，在上述光刻膠掩膜層的保護(hù)下，對(duì)上述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。

進(jìn)一步地，上述邊緣區(qū)域?yàn)閺木A外邊緣向內(nèi)延伸1～3mm的區(qū)域。

進(jìn)一步地，上述副光刻膠的厚度為上述主光刻膠層的厚度的0.5～1倍。

進(jìn)一步地，設(shè)置上述副光刻膠層時(shí)光刻機(jī)的轉(zhuǎn)速為設(shè)置上述主光刻膠層時(shí)上述光刻機(jī)轉(zhuǎn)速的0.25～0.5倍。

進(jìn)一步地，上述光刻機(jī)設(shè)置上述副光刻膠層的時(shí)間為設(shè)置上述主光刻膠層的時(shí)間的0.5～2倍。

根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)方面，提供了一種自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝，該自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝包括光刻過(guò)程，上述光刻過(guò)程采用上述光刻方法實(shí)施。

進(jìn)一步地，上述自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝包括：步驟S10，實(shí)施上述光刻過(guò)程在晶片上形成凹槽；步驟S20，在上述晶片的表面上與上述凹槽內(nèi)設(shè)置金屬層；以及步驟S30，對(duì)具有上述金屬層的晶片進(jìn)行熱處理，形成金屬硅化物。

根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)方面，提供了一種接觸孔制備工藝，該接觸孔制備工藝包括光刻過(guò)程，該光刻過(guò)程采用上述光刻方法實(shí)施。

進(jìn)一步地，上述接觸孔制備工藝包括：步驟S10’，實(shí)施上述光刻過(guò)程在晶片上形成凹槽；步驟S20’，在上述介質(zhì)層上、上述凹槽中依次設(shè)置粘合層和金屬層；以及步驟S30’，去除上述介質(zhì)層表面以上的上述粘合層和上述金屬層，形成接觸孔。

根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)方面，提供了一種有源區(qū)反刻工藝，該有源區(qū)反刻工藝包括光刻過(guò)程，該光刻過(guò)程采用上述光刻方法實(shí)施。

應(yīng)用本申請(qǐng)的光刻方法，在對(duì)上述主光刻膠層進(jìn)行曝光后，又在主光刻膠層的邊緣區(qū)域設(shè)置副光刻膠層，未經(jīng)過(guò)曝光的副光刻膠層在后續(xù)的顯影中仍然保留，在步驟S5的刻蝕過(guò)程中，由于晶片邊緣區(qū)域的副光刻膠層的存在，使得晶片邊緣區(qū)域的介質(zhì)層得以保留，使得介質(zhì)層中的與硅襯底直接接觸的SiO_X層得以保留下來(lái)，進(jìn)而使得后續(xù)設(shè)置的結(jié)構(gòu)層未與晶片的襯底硅直接接觸，進(jìn)而避免了熱處理過(guò)程中二者之間的較大應(yīng)力導(dǎo)致的剝落缺陷的產(chǎn)生，提高了器件的良率。

附圖說(shuō)明

構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1示出了本申請(qǐng)一種優(yōu)選實(shí)施方式中的光刻方法的工藝流程示意圖；

圖2示出了在晶片上設(shè)置介質(zhì)層后形成的晶片剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了在圖2所示的結(jié)構(gòu)上設(shè)置光刻膠層后的晶片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4示出了對(duì)圖3所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行曝光后在邊緣區(qū)域設(shè)置副光刻膠層后的晶片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5示出了對(duì)圖4所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行顯影后的晶片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6示出了對(duì)圖5所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕形成凹槽后的晶片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7示出了在圖6所示的結(jié)構(gòu)上沉積粘合層后形成的晶片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8示出了在圖7所示的結(jié)構(gòu)上沉積金屬層后形成的晶片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖9示出了去除圖8所示的凹槽以外的金屬層與粘合層后形成接觸孔的晶片剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

應(yīng)該指出，以下詳細(xì)說(shuō)明都是例示性的，旨在對(duì)本申請(qǐng)?zhí)峁┻M(jìn)一步的說(shuō)明。除非另有指明，本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有與本申請(qǐng)所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。

需要注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施方式，而非意圖限制根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。

為了便于描述，在這里可以使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用來(lái)描述如在圖中所示的一個(gè)器件或特征與其他器件或特征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除了器件在圖中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為“在其他器件或構(gòu)造上方”或“在其他器件或構(gòu)造之上”的器件之后將被定位為“在其他器件或構(gòu)造下方”或“在其他器件或構(gòu)造之下”。因而，示例性術(shù)語(yǔ)“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，并且對(duì)這里所使用的空間相對(duì)描述作出相應(yīng)解釋。

現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。然而，這些示例性實(shí)施方式可以由多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施方式是為了使得本申請(qǐng)的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施方式的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，擴(kuò)大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的器件，因而將省略對(duì)它們的描述。

正如背景技術(shù)所介紹的，現(xiàn)有技術(shù)中清除晶片邊緣剝落缺陷的方法比較復(fù)雜，成本較高，并且不能有效、徹底改善晶片邊緣的剝落缺陷，為了解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N光刻方法。

本申請(qǐng)一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，提供了一種光刻方法，如圖1所示，該光刻方法包括：步驟S1，在晶片表面的介質(zhì)層上設(shè)置主光刻膠層，該介質(zhì)層至少包括SiO_X層，且SiO_X層直接設(shè)置在上述晶片的硅襯底的表面上；步驟S2，對(duì)上述主光刻膠層進(jìn)行曝光；步驟S3，在曝光后的上述主光刻膠層的邊緣區(qū)域設(shè)置副光刻膠層；步驟S4，對(duì)曝光后的上述主光刻膠層和上述副光刻膠層進(jìn)行顯影，形成光刻膠掩膜層；以及S5，在上述光刻膠掩膜層的保護(hù)下，對(duì)上述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。本申請(qǐng)中的介質(zhì)層是指下一步工藝之前硅襯底表面上的所有層的組合層，有時(shí)只包括SiO_X層，有時(shí)包括SiO_X層、Si₃N₄層與SiO_X層的組合層，對(duì)于不同的工藝制 程，介質(zhì)層代表不同的組合層，但是無(wú)論介質(zhì)層是怎樣的組合層，都包含與硅襯底直接接觸的SiO_X層。

上述的光刻方法中，在對(duì)主光刻膠層進(jìn)行曝光后，又在主光刻膠層的邊緣區(qū)域設(shè)置副光刻膠層，未經(jīng)過(guò)曝光的副光刻膠層在后續(xù)的顯影中仍然保留，在步驟S5的刻蝕過(guò)程中，由于晶片邊緣區(qū)域的副光刻膠層的存在，使得晶片邊緣區(qū)域的介質(zhì)層得以保留，最終使得介質(zhì)層中的與硅襯底直接接觸的SiO_X層得以保留下來(lái)，進(jìn)而使得后續(xù)設(shè)置的結(jié)構(gòu)層未與晶片的襯底硅直接接觸，避免了熱處理過(guò)程中二者之間的較大應(yīng)力導(dǎo)致的剝落缺陷的產(chǎn)生，提高了器件的良率。

為了進(jìn)一步保證晶片邊緣較大區(qū)域的介質(zhì)層不被刻蝕掉，且不影響其他區(qū)域介質(zhì)層的刻蝕，本申請(qǐng)優(yōu)選上述邊緣區(qū)域?yàn)榫A外邊緣向內(nèi)延伸1～3mm的區(qū)域。

為了避免副光刻膠層的設(shè)置過(guò)程對(duì)主光刻膠層造成影響，同時(shí)為了保證副光刻膠層不被破壞，從而使得其可以掩蔽邊緣區(qū)域的介質(zhì)層不被刻蝕掉，本申請(qǐng)優(yōu)選副光刻膠層的厚度為主光刻膠層的厚度的0.5～1倍。

本申請(qǐng)的又一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，設(shè)置副光刻膠層時(shí)光刻機(jī)的轉(zhuǎn)速為設(shè)置主光刻膠層時(shí)光刻機(jī)轉(zhuǎn)速的0.25～0.5倍，這樣的設(shè)置方式使得光刻膠在旋轉(zhuǎn)甩干的過(guò)程中保留在邊緣區(qū)域，不會(huì)轉(zhuǎn)移到邊緣區(qū)域以外的其它區(qū)域，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)副光刻膠層的厚度與晶片的大小等因素確定設(shè)置副光刻膠層時(shí)光刻機(jī)的轉(zhuǎn)速。

為了更好地控制副光刻膠層的厚度，同時(shí)避免其流動(dòng)到其他區(qū)域中，本申請(qǐng)優(yōu)選上述光刻機(jī)設(shè)置上述副光刻膠層的時(shí)間為設(shè)置上述主光刻膠層的時(shí)間的0.5～2倍。

本申請(qǐng)的光刻方法可以應(yīng)用于目前本領(lǐng)域中所有的光刻實(shí)施過(guò)程中，為了使得本申請(qǐng)光刻方法針對(duì)性地解決容易出現(xiàn)晶片邊緣缺陷的問(wèn)題，優(yōu)選將本申請(qǐng)的光刻方法應(yīng)用于自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝、接觸孔制作工藝與有源區(qū)反刻工藝，以下將針對(duì)三種工藝分別進(jìn)行說(shuō)明。

當(dāng)器件的關(guān)鍵尺寸縮小到1μm以下時(shí)，器件的串聯(lián)擴(kuò)散電阻和接觸電阻對(duì)器件的性能影響越發(fā)突顯，這時(shí)，自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝應(yīng)運(yùn)而生，該工藝在源、漏和柵上形成硅化物，通過(guò)金屬與裸露的硅襯底反應(yīng)達(dá)到自對(duì)準(zhǔn)。該工藝通過(guò)在源漏覆蓋高電導(dǎo)率的硅化物降低了器件的擴(kuò)散電阻與接觸電阻。

當(dāng)將本申請(qǐng)的光刻方法應(yīng)用到自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝中時(shí)，該自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝使得晶片邊緣與硅襯底直接接觸的SiO_X層沒(méi)有被刻蝕掉，在后續(xù)的工藝中，SiO_X層會(huì)被刻蝕掉一部分，但是仍然會(huì)保留一部分，這樣避免了后續(xù)設(shè)置的金屬層與硅襯底直接接觸，使得在熱處理過(guò)程中，二者之間不會(huì)由于熱膨脹系數(shù)嚴(yán)重不匹配而導(dǎo)致應(yīng)力過(guò)大產(chǎn)生剝落缺陷。避免了自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝產(chǎn)生剝落缺陷，進(jìn)而影響器件的性能與產(chǎn)品的良率。

本申請(qǐng)的又一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，優(yōu)選上述自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝包括：步驟S10，實(shí)施上述光刻過(guò)程在晶片上形成凹槽，為了更好地形成凹槽，該步驟中是先采用干法刻蝕去除部分裸露的SiO_X介質(zhì)層，形成淺凹槽，然后將主光刻膠層與副光刻膠層去除，再利用濕法刻蝕去 除淺凹槽中的剩余SiO_X，形成凹槽，同時(shí)晶片邊緣的SiO_X層的部分被去除，剩余大部分的SiO_X層；步驟S20，在上述晶片的表面上與凹槽內(nèi)設(shè)置金屬層，一般優(yōu)選金屬層為鎳(Ni)與鈷(Co)；以及步驟S30，對(duì)具有上述金屬層的晶片進(jìn)行熱處理，使得金屬與硅襯底反應(yīng)，形成金屬硅化物。

當(dāng)將本申請(qǐng)的光刻方法應(yīng)用到接觸孔制作工藝中時(shí)，在對(duì)上述主光刻膠層進(jìn)行曝光后，又在主光刻膠層的邊緣區(qū)域設(shè)置副光刻膠層，未經(jīng)過(guò)曝光的副光刻膠層在后續(xù)的顯影中仍然保留，在刻蝕過(guò)程中，由于晶片邊緣區(qū)域的副光刻膠層的存在，使得晶片邊緣區(qū)域的介質(zhì)層得以保留，進(jìn)而使得介質(zhì)層中與硅襯底直接接觸的SiO_X層得以保留下來(lái)，從而使后續(xù)在介質(zhì)層上設(shè)置的粘結(jié)層未與晶片的襯底硅直接接觸，進(jìn)而避免了熱處理過(guò)程中，由于硅襯底與Ti層、TiN層或含Ti的硅化物層的熱膨脹系數(shù)差異較大使得二者之間的應(yīng)力較大導(dǎo)致的剝落缺陷的產(chǎn)生，進(jìn)而提高了器件的良率。

為了采用簡(jiǎn)單高效的方式制備接觸孔，本申請(qǐng)優(yōu)選上述接觸孔制備工藝包括：步驟S10’，實(shí)施上述光刻過(guò)程在晶片上形成凹槽；步驟S20’，在介質(zhì)層上、凹槽中設(shè)置粘合層和金屬層；以及步驟S30’，去除上述介質(zhì)層表面以上的上述粘合層和上述金屬層，形成接觸孔。

此外，現(xiàn)有技術(shù)中在STI(淺槽隔離)填充SiO_X后，需要對(duì)晶片的表面進(jìn)行平坦化，由于有源區(qū)有效面積不同，不同的有效面積導(dǎo)致其表面上SiO_X層的面積不同，這樣在化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polish，簡(jiǎn)稱CMP)時(shí)，不同的有源區(qū)上的SiO_X層的研磨速率不同，不能同步達(dá)研磨到相同的高度，為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生，保證能夠更加均勻地將不同有源區(qū)表面的SiO_X層刻蝕掉，常采用有源區(qū)反刻工藝，先刻蝕有源區(qū)表面上的SiO_X層，然后再采用CMP工藝將有源區(qū)表面的SiO_X層研磨去除。但是該工藝中晶片邊緣區(qū)域填充的SiO_X層也會(huì)被刻蝕去除，后續(xù)經(jīng)過(guò)去除Si₃N₄、淀積多晶硅與刻蝕多晶硅等工藝后，晶片邊緣區(qū)域的與硅襯底直接接觸的SiO_X層也會(huì)被去除，導(dǎo)致硅襯底裸露，這樣后續(xù)設(shè)置的結(jié)構(gòu)層如Ti層、TiN層、Si₃N₄層或含Ti的硅化物層就與硅襯底直接接觸，熱處理過(guò)程中，由于二者的熱膨脹系數(shù)嚴(yán)重不匹配，使二者之間的應(yīng)力較大，產(chǎn)生剝落缺陷。

因此，當(dāng)將本申請(qǐng)的光刻方法應(yīng)用到有源區(qū)反刻工藝中時(shí)，晶片邊緣的與硅襯底直接接觸的SiO_X層不會(huì)被完全刻蝕掉，進(jìn)而避免了后續(xù)設(shè)置的結(jié)構(gòu)層與硅襯底直接接觸，避免了熱處理過(guò)程產(chǎn)生剝落缺陷，提高了器件的性能和良率。

為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更好地理解本申請(qǐng)中的光刻方法，以下以其應(yīng)用于鎢接觸孔的制作方法為例，詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)的技術(shù)方案。

采用熱氧化在具有有源區(qū)與隔離區(qū)的晶片100上淀積SiO₂層200，形成圖2所示的結(jié)構(gòu)；

采用常規(guī)的設(shè)置方式在圖2所示的結(jié)構(gòu)的SiO₂層200的表面上設(shè)置光刻膠，形成主光刻膠層300，如圖3所示，主光刻膠層300的厚度大約為0.3μm，形成主光刻膠層300時(shí)光刻機(jī)的轉(zhuǎn)速為2000r/min，時(shí)間為20s。

對(duì)圖3所示的主光刻膠層300進(jìn)行曝光，然后在曝光后的主光刻膠層300的表面的邊緣區(qū)域上設(shè)置如圖4所示的副光刻膠層400，設(shè)置時(shí)的轉(zhuǎn)速為1000r/min，時(shí)間為15s，形成的副 光刻膠層400的厚度為0.2μm。

對(duì)圖4所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行顯影，將經(jīng)過(guò)曝光的光刻膠去除，形成光刻膠掩膜層，如圖5所示。采用RIE干法刻蝕對(duì)圖5中的SiO₂層200進(jìn)行刻蝕，形成圖6所示的凹槽201，刻蝕完成后去除光刻膠掩膜層，在刻蝕的過(guò)程中，晶片邊緣的SiO₂層由于被光刻膠掩膜層中的副光刻膠層保護(hù)而保留下來(lái)，進(jìn)而使得圖6中的邊緣區(qū)域的SiO₂層200未被刻蝕掉，此例中介質(zhì)層就是SiO₂層。

在圖6所示的結(jié)構(gòu)上淀積TiN粘合層500，形成圖7所示的結(jié)構(gòu)。

對(duì)圖7所示的TiN粘合層500遠(yuǎn)離上述SiO₂層200的表面上濺射鎢金屬層600，形成圖8所示的結(jié)構(gòu)。如圖8所示金屬鎢充滿凹槽201。

對(duì)圖8所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，去除凹槽以外的粘合層500與鎢金屬層600，形成圖9所示的接觸孔202。

上述形成接觸孔的方法，在主光刻膠層300曝光后的邊緣區(qū)域設(shè)置副光刻膠層400，使得在刻蝕的過(guò)程中，SiO₂層200在副光刻膠層400的掩蔽下未被刻蝕掉，進(jìn)而使得邊緣區(qū)域的TiN粘合層500與襯底100中的硅未直接接觸，避免了在粘合層淀積過(guò)程中，TiN粘合層500與襯底100之間的較大的應(yīng)力使得邊緣區(qū)域的TiN粘合層500剝落成為剝落缺陷。

從以上的描述中，可以看出，本申請(qǐng)上述的實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果：

本申請(qǐng)的光刻方法中，在對(duì)上述主光刻膠層進(jìn)行曝光后，又在主光刻膠層的邊緣區(qū)域設(shè)置副光刻膠層，未經(jīng)過(guò)曝光的副光刻膠層在后續(xù)的顯影中仍然保留，在步驟S5的刻蝕過(guò)程中，由于晶片邊緣區(qū)域的副光刻膠層的存在，使得晶片邊緣區(qū)域的介質(zhì)層得以保留，進(jìn)而使得介質(zhì)層中的與硅襯底直接接觸的SiO_X層得以保留下來(lái)，從而使后續(xù)設(shè)置的結(jié)構(gòu)層未與晶片的襯底硅直接接觸，進(jìn)而避免了熱處理過(guò)程中，由于二者之間的較大應(yīng)力導(dǎo)致的剝落缺陷的產(chǎn)生，提高了器件的良率。

以上所述僅為本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施方式而已，并不用于限制本申請(qǐng)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。