本發(fā)明涉及一種表面處理方法，尤其涉及一種微電子元件的表面處理方法。

背景技術(shù)：

微電子元器件是利用微電子工藝技術(shù)實現(xiàn)的微型化電子系統(tǒng)芯片和器件，這樣可以使電路和器件的性能、可靠性大幅度提高，體積和成本大幅度降低。微電子器件主要包括兩個部分，即半導體集成電路和半導體器件。半導體集成電路主要包括數(shù)字集成電路、模擬集成電路和數(shù)?；旌希ɑ旌闲盘枺┘呻娐?。半導體器件主要包括微波功率器件和其他的半導體分立器件。微電子工藝技術(shù)主要分為單片集成電路、分立半導體器件技術(shù)以及微組裝和微封裝的混合集成技術(shù)。

微電子元件在最終組裝前的存儲期間常受到外界環(huán)境的影響，經(jīng)長時間存儲微電子元件后，發(fā)現(xiàn)微電子元件的芯片表面會有腐蝕、褪色或者分層化的現(xiàn)象發(fā)生，進而導致最后產(chǎn)品碎屑的產(chǎn)生。

因此，為解決上述問題，特提供一種新的技術(shù)方案。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種微電子元件的表面處理方法。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種微電子元件的表面處理方法，包括以下步驟：

a、將微電子元件子在去離子水中清洗，去除表面雜質(zhì)后干燥，待處理；

b、將步驟a中處理好的微電子元件浸泡于溶劑中，形成聚合物層；

c、將浸泡后的微電子元件在70-120℃下進行干燥，時間控制在1-2分鐘，最后進行燒結(jié)；

d、燒結(jié)完成后進行涂層處理。

優(yōu)選地，所述溶劑為六甲基二硅氮烷或二甲基甲硅烷基二乙胺。

優(yōu)選地，所述步驟b中，微電子元件浸泡的時間為2-5分鐘。

優(yōu)選地，所述步驟c中燒結(jié)的溫度為600-800℃，燒結(jié)時間控制在2.5-3小時。

本發(fā)明的有益效果是：采用此種方法對微電子元件進行表面處理，使微電子元件在使用過程中耐腐蝕性強，性能穩(wěn)定，不會出現(xiàn)褪色或分層的現(xiàn)象。

具體實施方式

為了加深對本發(fā)明的理解，下面將結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的保護范圍的限定。

實施例1

一種微電子元件的表面處理方法，包括以下步驟：

a、將微電子元件子在去離子水中清洗，去除表面雜質(zhì)后干燥，待處理；

b、將步驟a中處理好的微電子元件浸泡于六甲基二硅氮烷中，微電子元件浸泡的時間為2分鐘，形成聚合物層；

c、將浸泡后的微電子元件在70℃下進行干燥，時間控制在1分鐘，最后進行燒結(jié)，燒結(jié)的溫度為600℃，燒結(jié)時間控制在2.5小時；

d、燒結(jié)完成后進行涂層處理。

實施例2

一種微電子元件的表面處理方法，包括以下步驟：

a、將微電子元件子在去離子水中清洗，去除表面雜質(zhì)后干燥，待處理；

b、將步驟a中處理好的微電子元件浸泡于二甲基甲硅烷基二乙胺中，微電子元件浸泡的時間為4分鐘，形成聚合物層；

c、將浸泡后的微電子元件在100℃下進行干燥，時間控制在1.5分鐘，最后進行燒結(jié)，燒結(jié)的溫度為700℃，燒結(jié)時間控制在3小時；

d、燒結(jié)完成后進行涂層處理。

實施例3

一種微電子元件的表面處理方法，包括以下步驟：

a、將微電子元件子在去離子水中清洗，去除表面雜質(zhì)后干燥，待處理；

b、將步驟a中處理好的微電子元件浸泡于六甲基二硅氮烷中，微電子元件浸泡的時間為5分鐘，形成聚合物層；

c、將浸泡后的微電子元件在120℃下進行干燥，時間控制在2分鐘，最后進行燒結(jié)，燒結(jié)的溫度為800℃，燒結(jié)時間控制在3小時；

d、燒結(jié)完成后進行涂層處理。

本發(fā)明的有益效果是：采用此種方法對微電子元件進行表面處理，使微電子元件在使用過程中耐腐蝕性強，性能穩(wěn)定，不會出現(xiàn)褪色或分層的現(xiàn)象。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非是對本發(fā)明作任何其他形式的限制，而依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)所作的任何修改或等同變化，仍屬于本發(fā)明所要求保護的范圍。