本發(fā)明屬于顯示領(lǐng)域和傳感領(lǐng)域，顯示領(lǐng)域如液晶顯示器、OLED顯示器、電子紙閱讀器等；傳感領(lǐng)域如應力感應，紅外感應，生物醫(yī)療感應等，尤其涉及一種有機場效應晶體管、其制備方法及應用。

背景技術(shù)：

有機場效應晶體管(OTFT)作為有機電路的元器件，其性能對電路的性能起著決定性的作用。傳統(tǒng)有機場效應晶體管因為受到有機半導體材料，以及絕緣材料的限制，在開電流、遷移率等方面遠遠落后于低溫多晶硅晶體管(LTPS)，和金屬氧化物晶體管(IGZO)。隨著電子顯示行業(yè)的迅速發(fā)展，OLED已經(jīng)成為新的顯示潮流，而驅(qū)動OLED則要求其驅(qū)動晶體管能夠提供較大的開電流，現(xiàn)有的有機場效應晶體管很大程度地限制了有機場效晶體管的應用領(lǐng)域。

圖1所示為傳統(tǒng)OTFT的結(jié)構(gòu)圖，傳統(tǒng)OTFT的水平溝道結(jié)構(gòu)，受到加工工藝精度的影響,溝道長度較大(約為5um)從而導致OTFT體積較大(約為5um×20um),不利于制作高分辨(>300ppi)的顯示驅(qū)動背板，并且電極有效注入面積小，不利于載流子的注入，從而限制了OTFT的開態(tài)電流。

為了改善上述不足，臺灣國立交通大學提出了垂直溝道結(jié)構(gòu)，如圖2所示，分別源電極和漏電極平行設(shè)置于有機半導體層額上下方，將柵電極置于垂直溝道中間。但是，由于該結(jié)構(gòu)中柵電極與有機半導體層材料直接接觸，導致柵電極可將載流子注入有機半導體層中，導致使用該有機場效應晶體管的器件在漏電流和關(guān)態(tài)電流上的控制有明顯的局限性。

提供一種各項性能參數(shù)較好、特別是開電流和遷移效率好的有機場效應晶體管，可以大大開拓有機場效應晶體管的應用領(lǐng)域，特別是在OLED和傳感領(lǐng) 域的應用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種有機場效應晶體管，旨在解決現(xiàn)有有機場效應晶體管中，柵電極與有機半導體材料直接接觸，導致柵電極將載流子注入有機半導體材料層中、使得有機場效應晶體管在漏電流和關(guān)態(tài)電流上的控制存在明顯局限性的問題；同時解決傳統(tǒng)頂柵或底柵導致的源電極與柵電極的載流子注入有效面積小、有機場效應晶體管的開電流小的問題。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種有機場效應晶體管的制備方法。

以及，本發(fā)明的再一目的在于提供按上述方法制備的有機場效應晶體管在OLED領(lǐng)域和傳感領(lǐng)域的應用。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種有機場效應晶體管，包括源電極、漏電極和柵電極，還包括基板、有機半導體層和有機絕緣層，其中，所述基板、源電極、有機半導體層和所述漏電極依次層疊結(jié)合，所述柵電極由多個彼此分離的柵電極單元構(gòu)成，且每一柵電極單元由所述有機絕緣層包覆，并平行設(shè)置在所述有機半導體層中，且使得所述柵電極與所述源電極平行。

以及，一種有機場效應晶體管的制備方法，包括下述步驟：

提供一載體基板；

在所述載體基板上制備源電極；

在所述源電極上涂覆有機半導體材料，形成第一有機半導體層，并對第一有機半導體層進行退火處理；

在所述第一有機半導體層上涂覆有機絕緣材料，形成第一有機絕緣層，并對第一有機絕緣層進行退火處理；

在所述第一有機絕緣層上制備多個彼此分離且平行的柵電極單元，形成柵電極；

在所述柵電極表面以及所述柵電極單元之間的第一有機絕緣層上涂覆有機 絕緣材料，形成第二有機絕緣層，所述第二有機絕緣層與所述第一有機絕緣層實現(xiàn)對所述柵電極單元的包覆；

對所述柵電極單元之間的第二有機絕緣層、第一有機絕緣層、第一有機半導體層進行刻蝕，在所述柵電極單元之間形成空槽，未被刻蝕的所述第一有機絕緣層和第二有機絕緣層形成有機絕緣層，使得所述柵電極單元被所述有機絕緣層包覆；

向所述空槽內(nèi)填充并在有機絕緣層表面涂覆有機半導體材料，形成第二有機半導體層；

在所述第二有機半導體層上制備漏電極。

本發(fā)明提供的有機場效應晶體管，具有以下優(yōu)勢：

首先，本發(fā)明提供的有機場效應晶體管，柵電極用絕緣層包裹，可以避免柵電極與有機半導體層的接觸，使載流子不能從柵電極注入有機半導體材料中，從而使得有機場效應晶體管具有較好的漏電流抑制作用和良好的關(guān)態(tài)電流。進一步的，一方面，由于有機場效應晶體管的漏電流降低，使用該有機場效應晶體管的器件功耗相應減小,從而延長了器件的使用壽命，同時使得器件更加省電環(huán)保；另一方面，由于關(guān)態(tài)電流得到了較好的控制，可以避免關(guān)態(tài)電流過大時漏電流引發(fā)的錯誤信號，從而提高了使用該有機場效應晶體管的器件所發(fā)信號的準確性。

其次，將柵電極設(shè)置在有機場效應晶體管的中層，擴大了源電極與柵電極載流子注入的有效面積，顯著提高了有機場效應晶體管的開電流，使有機場效應晶體管能應用于需要較大開電流的顯示領(lǐng)域，如用于開電流＞10^-6A的OLED驅(qū)動矩陣之中。

再次，本發(fā)明有機場效應晶體管具有較小的溝道長度，使得有機場效應晶體管的體積相應減小，因此，使用該有機場效應晶體管更有利于制備具備高清、高分辨性能的器件。此外，由于溝道長度的下降，同等壓力下，源電極與柵電極的載流子的驅(qū)動電場更強，有利于達到載流子的飽和遷移率，從而使得有機 場效應晶體管有更高的遷移率，進而提高使用該有機場效應晶體管的顯示設(shè)備的響應時間和刷新頻率。

本發(fā)明提供的有機場效應晶體管的制備方法，制備有機場效應晶體管時采用有機絕緣層包裹柵電極的方式制備有機場效應晶體管，使得柵電極與有機半導體層不相接觸，避免了載流子注入有機半導體層中，從而確保使用該有機場效應晶體管的器件有良好的漏電流抑制和關(guān)態(tài)電流；同時，通過將柵電極設(shè)置在有機場效應晶體管的中層，擴大了源電極與柵電極的載流子注入面積，顯著提高了有機場效應晶體管的開電流。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的水平溝道結(jié)構(gòu)有機場效應晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)提供的垂直溝道結(jié)構(gòu)有機場效應晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的有機場效應晶體管制備方法的流程示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的有機場效應晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例提供的在載體基板上制備源電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例提供的在源電極上涂覆有機半導體材料形成第一有機半導體層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例提供的在第一有機半導體層上涂覆有機絕緣材料，形成第一有機絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實施例提供的在第一有機絕緣層上制備多個彼此分離且平行的柵電極單元，形成柵電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明實施例提供的在柵電極表面以及柵電極單元之間的第一有機絕緣層上涂覆有機絕緣材料，形成第二有機絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明實施例提供的柵電極單元之間的第二有機絕緣層、第一有機絕緣層、第一有機半導體層進行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明實施例提供的向空槽內(nèi)填充并在有機絕緣層表面涂覆有機 半導體材料形成第二有機半導體層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是本發(fā)明實施例提供的在第二有機半導體層上制備漏電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明實施例提供了一種有機場效應晶體管，如圖3所示，包括源電極2、漏電極6和柵電極5，還包括基板1、有機半導體層3和有機絕緣層4，其中，所述基板1、源電極2、有機半導體層3和所述漏電極6依次層疊結(jié)合，所述柵電極5由多個彼此分離的柵電極單元構(gòu)成，且每一柵電極單元由所述有機絕緣層4包覆，并平行設(shè)置在所述有機半導體層3中，且使得所述柵電極5與所述源電極2平行。

所述源電極2、漏電極6和柵電極5的材料不受限制，均可采用本領(lǐng)域常規(guī)的電極材料，如金、銀、銅等金屬材料中的至少一種。

所述基板1采用有機或無機材料的基板，優(yōu)選為玻璃、PEN、PET、PI中的至少一種。

所述有機半導體層3的材料可選用高共軛有機小分子或高分子材料，具體優(yōu)選但不限于P3HT(3-己基噻吩的聚合物)、Tips-Pentecene(高性能并五苯有機物)、DPP衍生物(吡咯并吡咯二酮)中的至少一種，所述有機半導體層3優(yōu)選材料的遷移率、功函數(shù)、電阻率等，對器件的整體性能—如：器件的開關(guān)電流、電流開關(guān)比、器件的遷移率、啟動電壓、穩(wěn)定性等等，影響顯著。

所述有機絕緣材料4可選用但不限于Sytop、AF2004、1,2-二(三氯甲硅烷基)乙烷、聚苯乙烯中的至少一種，所述有機絕緣層4優(yōu)選材料的介電常數(shù)、擊穿電壓等，對器件的遷移率、漏電流、啟動電壓等等影響較大。該優(yōu)選的有機 場效應晶體管，由有機材料制成，應用于制備OLED的驅(qū)動矩陣時，可實現(xiàn)完全有機材料的有機矩陣，從而實現(xiàn)完全柔性的、可折疊的OLED顯示器。

本發(fā)明實施例中，所述柵電極5由多個彼此分離的柵電極單元構(gòu)成，柵電極單元的個數(shù)不受限制，可以根據(jù)實際情況采用兩個或兩個以上的柵電極單元組成柵電極5。所述每一柵電極單元均由所述有機絕緣層4包覆，其包覆方式不受限制，例如可以采用將所述柵電極單元進行完全包覆的方式，也可采用將所述柵電極單元的上下表面和兩側(cè)進行包覆、兩端裸露的方式，只要使得所述柵電極5與所述有機半導體層3互不接觸即可。將所述有機絕緣層4包覆的柵電極5設(shè)置在所述有機半導體層3中，其設(shè)置的位置，以所述柵電極5處于所述有機半導體層3之中為宜，以有別于傳統(tǒng)的頂柵和底柵，優(yōu)選將所述柵電極5設(shè)置在所述有機半導體層3的中層。

作為一個優(yōu)選實施例，有機場效應晶體管中所述有機半導體層3的厚度為0.2-5μm，進一步優(yōu)選為0.2-2μm，更進一步優(yōu)選為0.5-1μm。本發(fā)明實施例有機場效應晶體管的溝通長度取決于有機半導體層3的厚度。本發(fā)明實施例通過調(diào)節(jié)有機半導體層3的厚度減小溝通長度，相比傳統(tǒng)OTFT通用溝道長度(5-100m)大大降低，從而減小了器件的體積、提高器件的性能。

作為另一個優(yōu)選實施例，所述有機絕緣層4的厚度為0.2-1μm。合適的有機絕緣層厚度可決定器件的驅(qū)動電壓和柵極電壓等，進而決定器件的可靠性。當所述有機絕緣層4厚度過薄時(如：<100nm)，導致所述有機絕緣層4孔洞增多，從而影響穩(wěn)定性，同時擊穿電壓降低在較高的電壓下出現(xiàn)擊穿燒灼現(xiàn)象；當所述有機絕緣層4過厚時，電場強度下降，導致驅(qū)動電壓和柵極電壓升高，不利于器件的正常工作。因此，精確的控制所述有機絕緣層4的膜厚至關(guān)重要。

除此以外，所述有機絕緣層4、所述有機半導體層3各層之間的界面形態(tài)也可決定器件的性能。

本發(fā)明實施例提供的有機場效應晶體管，具有以下優(yōu)勢：

首先，本發(fā)明提供的有機場效應晶體管，柵電極用絕緣層包裹，可以避免 柵電極與有機半導體層的接觸，使載流子不能從柵電極注入有機半導體材料中，從而使得有機場效應晶體管具有較好的漏電流抑制作用和良好的關(guān)態(tài)電流。進一步的，一方面，由于有機場效應晶體管的漏電流降低，使用該有機場效應晶體管的器件功耗相應減小,從而延長了器件的使用壽命，同時使得器件更加省電環(huán)保；另一方面，由于關(guān)態(tài)電流得到了較好的控制，可以避免關(guān)態(tài)電流過大時漏電流引發(fā)的錯誤信號，從而提高了使用該有機場效應晶體管的器件所發(fā)信號的準確性。

其次，將柵電極設(shè)置在有機場效應晶體管的中層，擴大了源電極與柵電極載流子注入的有效面積，顯著提高了有機場效應晶體管的開電流，使有機場效應晶體管能應用于需要較大開電流的顯示領(lǐng)域，如用于開電流＞10^-6A的OLED驅(qū)動矩陣之中。

再次，本發(fā)明有機場效應晶體管具有較小的溝道長度，使得有機場效應晶體管的體積相應減小，因此，使用該有機場效應晶體管更有利于制備具備高清、高分辨性能的器件。此外，由于溝道長度的下降，同等壓力下，源電極與柵電極的載流子的驅(qū)動電場更強，有利于達到載流子的飽和遷移率，從而使得有機場效應晶體管有更高的遷移率，進而提高使用該有機場效應晶體管的顯示設(shè)備的響應時間和刷新頻率。

結(jié)合附圖5-12，本發(fā)明實施例還提供了一種有機場效應晶體管的制備方法，包括下述步驟，其流程示意圖見附圖4所示：

S01.提供一載體基板1；

具體的，本實施例中，所述載體基板1為柔性載體基板，可為有機材料PEN、PET、PI中的一種。

S02.在所述載體基板1上制備源電極2，如附圖5所示；

本發(fā)明實施例步驟S02中，在所述載體基板1上制備源電極2可采用電鍍的方式實現(xiàn)，所述源電極2的材料可選用金、銀、銅金屬中的一種，但不限于上述金屬。

作為優(yōu)選實施例，在形成源電極2后，還包括對所述源電極2進行表面改性處理。作為優(yōu)選實施例，對所述源電極進行表面改性處理的方法為：將帶有給電子基團、或拉電子基團的有機物溶入有機溶劑中，配置成質(zhì)量濃度為8-12％的溶液，將所述溶液涂覆于所述源電極表面后進行退火處理。通過使用帶有給電子基團、或拉電子基團的有機物與金屬電極結(jié)合，得到表面改性的源電極，從而調(diào)節(jié)金屬電極的功函數(shù)。進一步的，所述電子基團、或拉電子基團的有機物優(yōu)選為五氟苯硫酚、四氟苯硫酚中的至少一種；所述有機溶劑優(yōu)選但不限于異丙醇；所述退火處理的方法為，在90-110℃條件下退火處理55-65秒。作為具體優(yōu)選實施例，將五氟苯硫酚溶入異丙醇，配制成10％左右濃度的溶液，涂覆于電極表面，靜置1分鐘，使五氟苯硫酚與電極充分結(jié)合后，用異丙醇沖洗殘余溶劑，最后在100℃下退火1分鐘左右。本發(fā)明具體優(yōu)選實施例中，使用所述五氟苯硫酚來對所述源電極2進行表面改性處理，所述五氟苯硫酚分子通過硫原子與金屬原子的結(jié)合并附著于所述金屬電極的表面，同時，所述五氟苯硫酚分子中的氟原子為拉電子基團，可成功將所述金屬電極中的電子拉向五氟苯硫酚，從而降低了所述金屬電極的功函數(shù)。反之亦然，可以通過給帶有電子基團的有機分子提高金屬電極的功函數(shù)。對所述源電極2進行改性后，所述金屬電極的功函數(shù)得到降低，從而使之更好的與有機半導體材料的HOMO相匹配，可降低空穴的注入能阻，進而降低器件的啟動電壓。

S03.在所述源電極2上涂覆有機半導體材料，形成第一有機半導體層3’，并對第一有機半導體層3’進行退火處理；

如圖6所示，本發(fā)明實施例在所述源電極2上涂覆有機半導體材料后形成第一有機半導體層3’，具體的，所述在源電極2上涂覆有機半導體材料的方法可采用本領(lǐng)域內(nèi)的常規(guī)方法，優(yōu)選采用旋涂、滾涂、刮涂、轉(zhuǎn)印、噴墨打印的方法實現(xiàn)。作為優(yōu)選實施例，所述退火處理中，退火溫度為100-120℃，退火時間為1-2分鐘。

進一步的，所述有機半導體材料優(yōu)先選用P3HT(3-己基噻吩的聚合物)、 Tips-Pentecene(高性能并五苯有機物)、DPP衍生物(吡咯并吡咯二酮)等中的至少一種。

S04.在所述第一有機半導體層3’上涂覆有機絕緣材料，形成第一有機絕緣層4’，并對第一有機絕緣層4’進行退火處理；

如圖7所示，在所述第一有機半導體層3’上涂覆有機絕緣材料后形成第一有機絕緣層4’，具體的，所述涂覆方法可采用本領(lǐng)域內(nèi)的常規(guī)方法，優(yōu)選采用旋涂、滾涂、刮涂、轉(zhuǎn)印、噴墨打印的方法實現(xiàn)。作為優(yōu)選實施例，所述退火處理中，退火溫度為100-120℃，退火時間為1-10分鐘。

進一步的，所述有機絕緣材料優(yōu)先選用Sytop、AF2004、1,2-二(三氯甲硅烷基)乙烷、聚苯乙烯中的至少一種。

S05.在所述第一有機絕緣層4’上制備多個彼此分離且平行的柵電極單元，形成柵電極5；

如圖8所示，在所述第一有機絕緣層4’上制備柵電極可采用電鍍的方式實現(xiàn)。經(jīng)過上述步驟S05后，所述柵電極5和所述第一有機半導體層3’分別置于所述第一有機絕緣層4’的上下層，所述柵電極5的下表面與所述第一有機半導體層3’不相接觸。具體的，所述柵電極5的材料可選用金、銀、銅金屬中的一種，但不限于上述金屬。

S06.在所述柵電極5表面以及所述柵電極單元之間的第一有機絕緣層4’上涂覆有機絕緣材料，形成第二有機絕緣層4”，所述第二有機絕緣層4”與所述第一有機絕緣層4’實現(xiàn)對所述柵電極單元的包覆；

如圖9所示，經(jīng)過上述步驟06處理后，所述柵電極5被有機絕緣材料包裹，其包覆方式可以采用將所述柵電極單元進行完全包覆的方式，也可采用將所述柵電極單元的上下表面和兩側(cè)進行包覆、兩端裸露的方式，只要使得所述柵電極5與下述形成的有機半導體層3不接觸即可。

進一步的，所述第二有機絕緣層4”和第一有機絕緣層4’采用的有機絕緣材料可相同或不同，優(yōu)先選用Sytop、AF2004、1,2-二(三氯甲硅烷基)乙烷、聚苯 乙烯中的至少一種。

S07.對所述柵電極單元之間的第二有機絕緣層4”、第一有機絕緣層4’、第一有機半導體層3’進行刻蝕，在所述柵電極單元之間形成空槽7，未被刻蝕的所述第一有機絕緣層和第二有機絕緣層形成有機絕緣層4，使得所述柵電極單元被所述有機絕緣層包覆；

如圖10所示，使用刻蝕技術(shù)將所述柵電極單元之間對應的的第二有機絕緣層4”、第一有機絕緣層4’、第一有機半導體層3’進行刻蝕，使得在所述柵電極單元之間形成空槽7，并保證所述柵電極單元依然被有機絕緣材料包覆。經(jīng)過刻蝕處理，未被刻蝕的第一有機絕緣層和第二有機絕緣層形成包覆所述柵電極單元的有機絕緣層4；所述第一有機半導體層3’刻蝕成柱狀有機半導體。

S08.向所述空槽7內(nèi)填充并在有機絕緣層4表面涂覆有機半導體材料，形成第二有機半導體層3”，如圖11所示；

具體的，所述涂覆方法可采用本領(lǐng)域內(nèi)的常規(guī)方法，優(yōu)選采用旋涂、滾涂、刮涂、轉(zhuǎn)印、噴墨打印的方法實現(xiàn)。所述第二有機半導體層3”和未被刻蝕的第一有機半導體層形成了有機半導體層，即對應圖3所示有機場效應晶體管結(jié)構(gòu)中的有機半導體層3。經(jīng)過上述步驟S08處理，得到了與所述有機半導體層互不接觸的柵電極5。該步驟，所述第二有機半導體層3”的厚度，優(yōu)選為使得所述柵電極5處于中層的厚度，具體的，所述有機半導體層的厚度優(yōu)選為0.2-5μm，進一步優(yōu)選為0.5-2μm。

進一步的，所述第二有機半導體層3”的材料可與所述第一有機半導體層3’的材料相同或不同，優(yōu)先選用P3HT(3-己基噻吩的聚合物)、Tips-Pentecene(高性能并五苯有機物)、DPP衍生物(吡咯并吡咯二酮)等(中的至少一種。

S09.在所述第二有機半導體層3”上制備漏電極6。

如圖12所示，本發(fā)明實施例步驟S09中，在所述第二有機半導體層3”上制備漏電極6可采用電鍍的方式實現(xiàn)，所述漏電極6的材料可選用金、銀、銅金屬中的一種，但不限于上述金屬。

本發(fā)明實施例提供的有機場效應晶體管的制備方法，采用有機絕緣層包裹柵電極的方式制備有機場效應晶體管，使得柵電極與有機半導體層不相接觸，避免了載流子注入有機半導體層中，從而確保使用該有機場效應晶體管的器件有良好的漏電流抑制和關(guān)態(tài)電流；其次，有別于傳統(tǒng)的頂柵或底柵有機場效應晶體管的制備方法，制備有機場效應晶體管時通過將柵電極設(shè)置在有機場效應晶體管有機半導體層的中層，擴大了源電極與柵電極的載流子注入面積，顯著提高了有機場效應晶體管的開電流。同時，本實施例有機場效應晶體管的溝通長度可通過有機半導體層的厚度進行調(diào)節(jié)，從而有利于提高載流子的遷移率。

相應的，本發(fā)明實施例還提供了上述方法制備的有機場效應晶體管在OLED領(lǐng)域的應用。

按本發(fā)明實施例方法制備的有機場效應晶體管，其開電流和遷移率方面的性能得到提高，使有機場效應晶體管能被應用于開電流要求高(＞10^-6A)的OLED驅(qū)動矩陣之中。該驅(qū)動矩陣可以完全由有機材料制成，從而可實現(xiàn)完全柔性的可折疊的OLED顯示器，從而改變現(xiàn)有晶體管技術(shù)格局、打破LTPS以及IGZO晶體管所不具備的完全柔性和可折疊性能，顯著提高有機場效應晶體管在顯示領(lǐng)域的競爭力。

其次，本發(fā)明實施例方法制備的有機場效應晶體管，用于OLED領(lǐng)域或傳感領(lǐng)域時，有利于降低使用該有機場效應晶體管的漏電流,使用該有機場效應晶體管的器件功耗相應減小,從而延長了器件的使用壽命，同時使的器件更加省電環(huán)保；同時，由于關(guān)態(tài)電流得到了較好的控制，可以避免關(guān)態(tài)電流過大時漏電流引發(fā)的錯誤信號，從而提高了使用該有機場效應晶體管的器件所發(fā)信號的準確性。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。