1.一種晶圓的處理方法，其特征在于，包括：
(1)對所述晶圓的背面進(jìn)行打磨；以及
(2)對步驟(1)得到的經(jīng)過打磨的晶圓背面進(jìn)行噴砂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)是采用下列步驟進(jìn)行的：
(2-1)提供砂漿溶液；
(2-2)將經(jīng)過打磨的晶圓固定在載片器上；
(2-3)采用噴砂槍向所述經(jīng)過打磨的晶圓的背面噴射所述砂漿溶液，以便在所述晶圓背面形成砂層；以及
(2-4)采用超聲水對所述晶圓背面的砂層進(jìn)行清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在步驟(2-1)中，所述砂漿溶液的濃度為22～30wt％。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在步驟(2-3)中，所述噴砂槍的噴砂壓力為0.55～0.70Mpa。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在步驟(2-3)中，所述噴砂槍的噴射速度為700～850mm/s。
6.根據(jù)權(quán)利要去5所述的方法，其特征在于，在步驟(2-3)中，所述砂層的厚度為1～5μm。
7.一種制備半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，包括：
提供晶圓；
在所述晶圓的背面形成砂層；
在所述晶圓背面的砂層上沉積形成金屬層；以及
采用封裝材料對形成金屬層的晶圓進(jìn)行封裝，以便得到半導(dǎo)體元件，
其中，在所述晶圓的背面形成砂層是采用權(quán)利要求1～6任一項所述的晶圓的處理方法進(jìn)行的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述晶圓背面的砂層上沉積形成金屬層是采用真空鍍、離子鍍或磁控濺射工藝的進(jìn)行的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述離子鍍的功率為4000～6000w。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，沿著遠(yuǎn)離所述晶圓背面的方向，所述金屬層依次包括金屬鈦層、金屬鎳層和金屬銀層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述金屬鈦層的厚度為0.05～0.15μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述金屬鎳層的厚度為0.15～0.25μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述金屬銀層的厚度為5～15μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述封裝材料為陶瓷或塑膠。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：
每次在所述晶圓背面的砂層上沉積形成金屬層以后，對所述晶圓進(jìn)行退火處理。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述退火處理是采用氬氣進(jìn)行的。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述氬氣流量為500～700sccm。
18.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件是采用權(quán)利要求7～17任一項所述的制備半導(dǎo)體元件的方法制備得到的。