技術(shù)特征：

1.一種制備具有摻雜濃度及Al組分階梯式變化的p型AlGaN/AlInGaN電子阻擋層近紫外LED的方法，其LED外延結(jié)構(gòu)，從下向上的順序依次為：圖形化藍寶石襯底(101)、低溫GaN成核層(102)、高溫非摻雜GaN緩沖層(103)、n型GaN層(104)、In_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源區(qū)(105)、p型Al_y1Ga_1-y1N/Al_yIn_x1Ga_1-x1N超晶格電子阻擋層(106)、高溫p型GaN層(107)、p型InGaN接觸層(108)；其特征在于：該方法包括以下步驟：

步驟一，在金屬有機化合物氣相外延反應(yīng)室中將圖形化Al₂O₃襯底(101)，在氫氣氣氛下，1080℃-1100℃下反應(yīng)室壓力100torr，處理5-10分鐘；然后降低溫度，在500-550℃，反應(yīng)室壓力500torr，在氫氣(H₂)氣氛下，V/III摩爾比為500-1300；三維生長20-30納米厚的低溫GaN成核層(102)；

步驟二，在1000-1100℃下，反應(yīng)室壓力為200-300torr，在氫氣(H₂)氣氛下，V/III摩爾比為1000-1300；生長2-3微米厚的高溫非摻雜GaN緩沖層(103)；

步驟三，在1000-1100℃下，反應(yīng)室壓力為100-200torr，在氫氣(H₂)氣氛下，V/III摩爾比為1000-1300；生長2-4微米厚的n型GaN層(104)；其Si摻雜濃度為10¹⁸-10¹⁹cm^-3；

步驟四，在750-850℃下，在氮氣(N₂)氣氛下，V/III摩爾比為5000-10000，反應(yīng)室壓力300torr,接著生長5-10周期的In_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源區(qū)(105),其中In_xGa_1-xN阱層的厚度范圍在2-4nm；Al_yGa_1-yN壘層厚度為8nm-20nm；其中0<x≤0.1；0<y≤0.1；

步驟五，在850℃-950℃下，在有源區(qū)上，在氮氣氣氛下，V/III摩爾比為5000-10000，反應(yīng)室壓力100-300torr,生長4-6個周期的p型Al_y1Ga_1-y1N/Al_yIn_x1Ga_1-x1N超晶格結(jié)構(gòu)電子阻擋層(106)；且Al組分隨著超晶格周期數(shù)增加而階梯式減少，其中GaN層厚度為2-5nm,p型Al_y1Ga_1-y1N的厚度為2-5nm；其Mg摻雜濃度隨著超晶格周期數(shù)的增加而增加，相應(yīng)的空穴濃度為0.5-2×10¹⁷cm^-3；Al組分y₁大于有源區(qū)Al組分y(0.01≤y≤y₁≤0.2；0<x₁≤x≤0.1)；

步驟六，在950℃-1050℃下,在氫氣氣氛下，V/III摩爾比為2000-5000，反應(yīng)室壓力100torr,生長150nm-250nm的高溫p型GaN層(107)；其Mg摻雜濃度為10¹⁷-10¹⁸cm^-3；；

步驟七，在650℃-750℃下,在氫氣氣氛下，V/III摩爾比為5000-10000， 反應(yīng)室壓力300torr,生長2nm-4nm的p型InGaN接觸層(108)；其Mg摻雜濃度為大于10¹⁸cm^-3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備具有摻雜濃度及Al組分階梯式變化的p型AlGaN/AlInGaN電子阻擋層近紫外LED的方法，其特征在于：所述電子阻擋層(106)采用p型Al_y1Ga_1-y1N/Al_yIn_x1Ga_1-x1N超晶格結(jié)構(gòu),且Al組分隨著超晶格周期數(shù)增加而階梯式從0.2減少到0.05，其Mg的摻雜濃度隨著超晶格周期數(shù)的增加而階梯式增加，相應(yīng)的空穴濃度從0.5×10¹⁷cm^-3增加到2×10¹⁷cm^-3，其中AlGaN壘層的厚度范圍在2-5nm；GaN阱層厚度2nm-5nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備具有摻雜濃度及Al組分階梯式變化的p型AlGaN/AlInGaN電子阻擋層近紫外LED的方法，其特征在于：在所述LED外延片結(jié)構(gòu)生長過程中，以三甲基鎵(TMGa)、三乙基鎵，三甲基鋁，三甲基銦和氨氣分別作為Ga、Al、In和N源。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備具有摻雜濃度及Al組分階梯式變化的p型AlGaN/AlInGaN電子阻擋層近紫外LED的方法，其特征在于：在所述LED外延片結(jié)構(gòu)生長過程中，以硅烷(SiH4)和二茂鎂(Cp2Mg)分別作為n型、p型摻雜劑。