技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種制備具有摻雜濃度及Al組分階梯式變化的p型AlGaN/AlInGaN電子阻擋層近紫外LED的方法。其LED外延結(jié)構(gòu)，電子阻擋層采用p型Aly1Ga1-y1N/AlyInx1Ga1-x1N超晶格結(jié)構(gòu),且Al組分隨著超晶格周期數(shù)增加而階梯式從0.2減少到0.05，Mg的摻雜濃度隨著超晶格周期數(shù)的增加而階梯式增加，相應(yīng)的空穴濃度從0.5×1017cm-3增加到2×1017cm-3，其中AlGaN壘層的厚度范圍在2-5nm；GaN阱層厚度2nm-5nm。通過(guò)設(shè)計(jì)紫外光LED新型電子阻擋層結(jié)構(gòu)，可有效提高空穴注入效率，提高電子空穴復(fù)合發(fā)光效率，從而提高近紫外LED發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：賈傳宇;殷淑儀;張國(guó)義
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
文檔號(hào)碼：201510300906
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.04
技術(shù)公布日：2017.01.04