1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底；
位于所述半導(dǎo)體襯底上的絕緣層；以及
位于所述絕緣層上的溝道結(jié)構(gòu)；
其中，所述溝道結(jié)構(gòu)包括：鰭式半導(dǎo)體層溝道和位于所述鰭式半導(dǎo)體層溝道上的二維半導(dǎo)體層溝道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述二維半導(dǎo)體層溝道包括：一個(gè)或多個(gè)二維半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述鰭式半導(dǎo)體層溝道的材料包括：鍺、硅；
和/或
所述二維半導(dǎo)體層溝道的材料包括：過(guò)渡金屬硫族化合物TMD、硅烯、黑磷。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述TMD包括：MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2或者WTe2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述鰭式半導(dǎo)體層溝道的厚度為5～50nm；
和/或
所述二維半導(dǎo)體層溝道的厚度為2～10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：
位于所述溝道結(jié)構(gòu)的一部分上的柵極氧化物和柵極；以及
位于所述柵極兩邊且位于所述溝道結(jié)構(gòu)上的源極和漏極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：
位于所述源極與所述二維半導(dǎo)體層溝道之間以及位于所述漏極與所述二維半導(dǎo)體層溝道之間的第一氧化物；
和/或
位于所述鰭式半導(dǎo)體層溝道與所述二維半導(dǎo)體層溝道之間的第二氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述第一氧化物的材料包括：TiO2或SiO2；
和/或
所述第二氧化物的材料包括：TiO2或SiO2。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述第一氧化物和/或所述第二氧化物的厚度為1～2nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：
位于所述柵極與所述源極之間以及位于所述柵極與所述漏極之間的間隔物。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：
位于所述源極以下且在所述溝道結(jié)構(gòu)中的源區(qū)；以及
位于所述漏極以下且在所述溝道結(jié)構(gòu)中的漏區(qū)。
12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成絕緣層；以及
在所述絕緣層上形成溝道結(jié)構(gòu)；
其中，所述溝道結(jié)構(gòu)包括：鰭式半導(dǎo)體層溝道和位于所述鰭式半導(dǎo)體層溝道上的二維半導(dǎo)體層溝道。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成溝道結(jié)構(gòu)的步驟包括：
在所述絕緣層上形成鰭式半導(dǎo)體層溝道；以及
在所述鰭式半導(dǎo)體層溝道上沉積形成二維半導(dǎo)體層溝道。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：
在所述溝道結(jié)構(gòu)的一部分上形成柵極氧化物和柵極；
在所述柵極兩邊且在所述溝道結(jié)構(gòu)上形成源極和漏極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述溝道結(jié)構(gòu)的一部分上形成柵極氧化物和柵極的步驟包括：
在所述溝道結(jié)構(gòu)上形成第一氧化物，其中，所述第一氧化物的一部分作為柵極氧化物；
在所述柵極氧化物上形成柵極。
16.根據(jù)權(quán)利要求13至15任一所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述鰭式半導(dǎo)體層溝道上沉積形成二維半導(dǎo)體層溝道之前，還包括：
在所述鰭式半導(dǎo)體層溝道上形成第二氧化物。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述柵極兩邊且在所述溝道結(jié)構(gòu)上形成源極和漏極的步驟包括：
在所述第一氧化物上形成源極和漏極；
或者
刻蝕所述第一氧化物的至少一部分以暴露所述二維半導(dǎo)體層溝道的至少一部分，并且在至少被暴露的二維半導(dǎo)體層溝道上形成源極和漏極。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述溝道結(jié)構(gòu)的一部分上形成柵極之前，還包括：
去除所述鰭式半導(dǎo)體層溝道兩邊且位于所述絕緣層上的第一氧化物的一部分、二維半導(dǎo)體層溝道的一部分以及第二氧化物的一部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述柵極兩邊且在所述溝道結(jié)構(gòu)上形成源極和漏極之前，還包括：
以所述柵極為掩模，去除所述柵極兩邊被暴露的第一氧化物、二維半導(dǎo)體層溝道和第二氧化物。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述柵極兩邊且在所述溝道結(jié)構(gòu)上形成源極和漏極之前，還包括：
在所述柵極兩邊形成間隔物。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述柵極兩邊形成間隔物之前，還包括：
以所述柵極為掩模，通過(guò)輕摻雜漏極注入工藝在所述溝道結(jié)構(gòu)中形成源區(qū)和漏區(qū)。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成鰭式半導(dǎo)體層溝道的步驟包括：
通過(guò)化學(xué)氣相沉積在所述絕緣層上沉積多晶半導(dǎo)體；
對(duì)所述多晶半導(dǎo)體執(zhí)行離子注入形成N型阱區(qū)和/或P型阱區(qū)；
對(duì)所述多晶半導(dǎo)體執(zhí)行激光退火形成類(lèi)晶半導(dǎo)體；
通過(guò)光刻和干法刻蝕對(duì)所述類(lèi)晶半導(dǎo)體執(zhí)行鰭式圖案化形成鰭式半導(dǎo)體層溝道。