技術總結
本發(fā)明公開了一種半導體裝置及其制造方法。該半導體裝置包括：半導體襯底；位于該半導體襯底上的絕緣層；以及位于該絕緣層上的溝道結構；其中，該溝道結構包括：鰭式半導體層溝道和位于該鰭式半導體層溝道上的二維半導體層溝道。進一步地，在二維半導體層溝道上分別形成柵極、源極和漏極后，源極、漏極分別與二維半導體層形成肖特基勢壘，當在柵極施加電壓后，電子可以從源極通過隧穿效應經(jīng)過二維半導體層溝道和鰭式半導體層溝道，再通過隧穿效應到達漏極。由于電子能夠通過隧穿效應從源極進入二維半導體層溝道，因此不再受歐姆接觸的影響，從而可以提高器件性能。

技術研發(fā)人員：肖德元
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201510336342
技術研發(fā)日：2015.06.17
技術公布日：2016.12.28