1.一種采用石墨烯進(jìn)行電極搭橋的面發(fā)射激光器，其特征在于所述激光器的出光端面上分布有石墨烯橋接層，所述石墨烯橋接層連續(xù)覆蓋出光端面電極、隔離槽和出光端面外接電極，且所述石墨烯橋接層還與出光端面電極以及出光端面外接電極電性接觸而共同形成所述激光器的上表面電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面發(fā)射激光器，其特征在于包括沿設(shè)定方向依次設(shè)置的下表面電極、外延結(jié)構(gòu)層和上表面電極，所述激光器的出光端面上分布有隔離槽，所述隔離槽環(huán)繞設(shè)置于所述出光端面電極周圍，從而將出光端面電極與出光端面外接電極隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的面發(fā)射激光器，其特征在于包括沿設(shè)定方向依次設(shè)置的下表面電極、襯底、下DBR層、下限制層、有源區(qū)、上限制層、氧化限制層、上DBR層、接觸層和上表面電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2-3中任一項(xiàng)所述的面發(fā)射激光器，其特征在于所述激光器的出光端面上除出光端面電極、出光孔以及隔離槽區(qū)域外均分布有絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面發(fā)射激光器，其特征在于所述石墨烯橋接層包括石墨烯薄膜。
6.一種采用石墨烯進(jìn)行電極搭橋的面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于包括：提供面發(fā)射激光器外延片，并在所述外延片的出光面上設(shè)置出光端面電極、隔離槽和出光端面外接電極、下表面電極和石墨烯橋接層，且使所述石墨烯橋接層連續(xù)覆蓋出光端面電極、隔離槽和出光端面外接電極，并使所述石墨烯橋接層與出光端面電極以及出光端面外接電極電性接觸而共同形成所述激光器的上表面電極，從而制得所述激光器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于還包括：在所述激光器的出光端面上除出光端面電極、出光孔以及隔離槽區(qū)域外設(shè)置絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于包括：通過在所述激光器的出光面上直接生長石墨烯薄膜而形成石墨烯橋接層；或者，通過將石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移并固定在所述激光器的出光面上而形成石墨烯橋接層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于包括：通過濕法轉(zhuǎn)移或CVD方法制備形成所述的石墨烯橋接層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于包括：于襯底上依次設(shè)置下DBR層、下限制層、有源區(qū)、上限制層、氧化限制層、上DBR層和接觸層而形成所述面發(fā)射激光器外延片。