技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，其包括：多個半導(dǎo)體層，其包括具備第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具備與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層及介于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間，通過電子和空穴的復(fù)合而生成光的有源層；電極，其與多個半導(dǎo)體層電連接；光吸收防止膜，其至少設(shè)于電極的周邊；及非導(dǎo)電性反射膜，其覆蓋多個半導(dǎo)體層、光吸收防止膜及電極，反射來自有源層的光，具備通過光吸收防止膜與電極之間的高度差而在電極的周邊反射率下降的異常區(qū)域，在從電極的橫截面觀察時，從電極露出的光吸收防止膜比異常區(qū)域更長，以阻斷來自有源層的光入射到非導(dǎo)電性反射膜的異常區(qū)域側(cè)。

技術(shù)研發(fā)人員：全水根;金太賢;金太進;樸俊闡;金柄攝;金鐘源;樸基萬
受保護的技術(shù)使用者：世邁克琉明有限公司
文檔號碼：201580029434
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.03
技術(shù)公布日：2017.02.15