技術總結
提供了一種可以高精度地測量等離子體蝕刻裝置用電極上設置的氣體導入孔的測量方法以及具有高精度氣體導入孔的電極。本發(fā)明的等離子體蝕刻裝置用電極上設置的氣體導入孔的測量方法，用于測量沿厚度方向貫穿等離子體蝕刻裝置用電極中的基材而設置的氣體導入孔，包括：使光從基材的一面?zhèn)瘸驓怏w導入孔進行照射；獲得通過氣體導入孔而透過基材的另一面?zhèn)鹊墓獾亩S圖像；以及基于二維圖像，測量氣體導入孔的直徑、內壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一個。

技術研發(fā)人員：鈴木崇之
受保護的技術使用者：A·SAT株式會社
文檔號碼：201580032059
技術研發(fā)日：2015.12.25
技術公布日：2017.05.10