本發(fā)明涉及根據(jù)專(zhuān)利權(quán)利要求1的用于生成光電組件的方法，并且涉及根據(jù)專(zhuān)利權(quán)利要求17的光電組件。

本專(zhuān)利申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)10 2014 112 818.4的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容據(jù)此通過(guò)引用被并入。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，形成具有通過(guò)模制方法生成的外殼的光電組件（例如發(fā)光二極管組件（LED組件））是已知的。DE 10 2009 036 621 A1公開(kāi)一種方法，其中光電半導(dǎo)體芯片直接地并且在沒(méi)有另外的載體的情況下被嵌入到通過(guò)模制方法生成的模制體中。在這種情況下，使得光電半導(dǎo)體芯片的前側(cè)和后側(cè)保持如下?tīng)顟B(tài)：它們不被模制體覆蓋，以便實(shí)現(xiàn)光電半導(dǎo)體芯片的電接觸。通過(guò)該方法可獲得的光電組件包括非常緊湊的外部尺寸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)目的是指定一種用于生成光電組件的方法。該目的借助于包括權(quán)利要求1的特征的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的另外的目的是提供一種光電組件。該目的借助于包括權(quán)利要求17的特征的光電組件來(lái)實(shí)現(xiàn)。在從屬權(quán)利要求中指定各種改進(jìn)。

一種用于生成光電組件的方法包括如下的步驟：用于在載體膜的頂側(cè)上布置光電半導(dǎo)體芯片和反射器；用于在光電半導(dǎo)體芯片與反射器之間的區(qū)中布置灌注（potting）材料；以及用于形成模制體，其中光電半導(dǎo)體芯片、反射器和灌注材料被嵌入到模制體中。有利地，通過(guò)該方法可獲得的光電組件包括非常緊湊的外部尺寸。在該方法中，光電半導(dǎo)體芯片被布置在腔中，該腔被形成在模制體中并且其由反射器定界并且填充有灌注材料。灌注材料可以保護(hù)光電半導(dǎo)體芯片免受由外部影響引起的損壞。反射器可以用于反射由光電半導(dǎo)體芯片發(fā)射的電磁輻射，例如可見(jiàn)光，并且將其引導(dǎo)出光電組件，以便使其對(duì)于使用而言可利用。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，形成模制體，使得光電半導(dǎo)體芯片的背對(duì)載體膜的表面被模制體覆蓋。在這種情況下，該方法包括如下另外的步驟：用于去除模制體的部分以便至少部分地未覆蓋光電半導(dǎo)體芯片的背對(duì)載體膜的表面。有利地，結(jié)果，在模制體的形成期間，該方法不需要光電半導(dǎo)體芯片的背對(duì)載體膜的表面的覆蓋物，所述覆蓋物用于保護(hù)光電半導(dǎo)體芯片的背對(duì)載體膜的表面免于被模制體的材料覆蓋，作為此的結(jié)果，該方法有利地是可特別簡(jiǎn)單且成本有效地實(shí)現(xiàn)的。去除模制體的部分例如可以借助于背磨（grinding-back）過(guò)程來(lái)執(zhí)行。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，形成模制體，使得反射器在模制體的背對(duì)載體膜的后側(cè)上未被覆蓋。這有利地實(shí)現(xiàn)在模制體的后側(cè)上的反射器的電接觸。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括如下另外的步驟：用于將模制體從載體膜卸下。有利地，光電半導(dǎo)體芯片的面向載體膜的表面以及模制體的面向載體膜的前側(cè)結(jié)果被覆蓋。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括如下另外的步驟：用于在模制體的前側(cè)和/或后側(cè)上布置金屬化物。金屬化物可以被布置在模制體上，例如，以便創(chuàng)建通過(guò)該方法可獲得的光電組件的電焊接接觸焊盤(pán)。布置在模制體的前側(cè)和/或后側(cè)上的金屬化物也可以用于創(chuàng)建在通過(guò)該方法可獲得的光電組件的電焊接接觸焊盤(pán)與光電半導(dǎo)體芯片的電連接面之間的平面電連接。例如，在模制體的前側(cè)和/或后側(cè)上布置金屬化物可以借助于汽相沉積來(lái)執(zhí)行。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，在光電半導(dǎo)體芯片的電連接面與反射器之間的導(dǎo)電連接由金屬化物形成。有利地，結(jié)果，通過(guò)該方法可獲得的光電組件中的反射器可以用于通過(guò)光電組件的模制體來(lái)將電接觸引到光電組件的光電半導(dǎo)體芯片的電連接面。結(jié)果，光電組件可以有利地特別成本有效地且以特別緊湊的外部尺寸被生成。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接觸元件被布置在載體膜的頂側(cè)上，并且與光電半導(dǎo)體芯片一起被嵌入到模制體中。在這種情況下，在模制體的前側(cè)與后側(cè)之間的導(dǎo)電連接由接觸元件形成。有利地，通過(guò)該方法可獲得的光電組件中的接觸元件可以用于通過(guò)光電組件的模制體將電連接引到光電半導(dǎo)體芯片的電連接面。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，在光電半導(dǎo)體芯片的電連接面與接觸元件之間的導(dǎo)電連接由金屬化物形成。有利地，通過(guò)該方法可獲得的光電組件中的金屬化物和接觸元件生成到光電半導(dǎo)體芯片的電連接面的導(dǎo)電連接，所述導(dǎo)電連接通過(guò)光電組件的模制體延伸。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，首先在載體膜上布置反射器，然后在載體膜上布置光電半導(dǎo)體芯片。這有利地使在載體膜上布置光電半導(dǎo)體芯片期間將光電半導(dǎo)體芯片與已經(jīng)布置在載體膜上的反射器對(duì)準(zhǔn)成為可能。這實(shí)現(xiàn)反射器和光電半導(dǎo)體芯片關(guān)于彼此的特別精確的相對(duì)定位。結(jié)果，該方法可以有利地被簡(jiǎn)單地且以高精度來(lái)實(shí)現(xiàn)。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，反射器被形成為包括壓紋（embossing）結(jié)構(gòu)的金屬片。有利地，反射器在這種情況下包括特別合適的光學(xué)反射性質(zhì)。此外，被形成為包括壓紋結(jié)構(gòu)的金屬片的反射器，作為其嵌入到模制體中的結(jié)果，可以有利地在機(jī)械上使通過(guò)該方法可獲得的光電組件的模制體穩(wěn)定。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，光電半導(dǎo)體芯片被布置在載體膜上，使得光電半導(dǎo)體芯片的發(fā)光表面面向載體膜。有利地，使得光電半導(dǎo)體芯片的發(fā)光表面保持如下?tīng)顟B(tài)：其在模制體的形成期間不被模制體的材料覆蓋，作為此的結(jié)果，在通過(guò)該方法可獲得的光電組件的情況下，在光電半導(dǎo)體芯片的發(fā)光表面處發(fā)射的電磁輻射可以有利地以不受阻礙的方式來(lái)發(fā)射。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，光電半導(dǎo)體芯片被形成為體發(fā)射發(fā)光二極管芯片。有利地，在通過(guò)該方法可獲得的光電組件的情況下，在被形成為體發(fā)射發(fā)光二極管芯片的光電半導(dǎo)體芯片的側(cè)面處發(fā)射的電磁輻射可以在反射器處被反射，并且從而被引導(dǎo)出通過(guò)該方法可獲得的光電組件，并且可以被供應(yīng)用于使用。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，布置灌注材料借助于計(jì)量（dosing）方法來(lái)執(zhí)行。作為示例，布置灌注材料可以借助于針計(jì)量（分配）來(lái)執(zhí)行。有利地，計(jì)量方法實(shí)現(xiàn)在光電半導(dǎo)體芯片與反射器之間的區(qū)中布置的灌注材料的量的特別精確的計(jì)算（dimensioning）。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，布置灌注材料，使得光電半導(dǎo)體芯片的背對(duì)載體膜的表面不被灌注材料覆蓋。有利地，光電半導(dǎo)體芯片的背對(duì)載體膜的表面結(jié)果保持空著，這使接觸光電半導(dǎo)體芯片的電接觸焊盤(pán)成為可能，所述電接觸焊盤(pán)被布置在光電半導(dǎo)體芯片的背對(duì)載體膜的所述表面上。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，模制體通過(guò)壓塑形成。這有利地實(shí)現(xiàn)該方法的簡(jiǎn)單且成本有效的實(shí)現(xiàn)。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)光電半導(dǎo)體芯片被嵌入到模制體中。在這種情況下，該方法包括如下另外的步驟：用于分割模制體以便獲得多個(gè)光電組件。結(jié)果，該方法實(shí)現(xiàn)在共同工作過(guò)程中的多個(gè)光電組件的并行生成。這使降低每個(gè)單獨(dú)的光電組件的生產(chǎn)成本成為可能。

一種光電組件，包括光電半導(dǎo)體芯片和反射器。灌注材料被布置在光電半導(dǎo)體芯片與反射器之間的區(qū)中。光電半導(dǎo)體芯片、反射器和灌注材料被嵌入到模制體中。光電半導(dǎo)體芯片的前側(cè)與模制體的前側(cè)齊平終止。光電半導(dǎo)體芯片的后側(cè)與模制體的后側(cè)齊平終止。有利地，該光電組件包括非常緊湊的外部尺寸。該光電組件中的光電半導(dǎo)體芯片被布置在腔中，該腔被形成在模制體中并且其填充有灌注材料并由反射器定界。由光電組件的光電半導(dǎo)體芯片發(fā)射的電磁輻射可以在反射器處被反射，并且以這種方式被引導(dǎo)出光電組件，并且被供應(yīng)用于使用。光電半導(dǎo)體芯片例如可以被形成為體發(fā)射發(fā)光二極管芯片。光電組件的光電半導(dǎo)體芯片的后側(cè)，所述后側(cè)在模制體的后側(cè)上與模制體的后側(cè)齊平終止，實(shí)現(xiàn)光電組件的光電半導(dǎo)體芯片的簡(jiǎn)單電接觸。光電半導(dǎo)體芯片的前側(cè)，所述前側(cè)在模制體的前側(cè)上與模制體的前側(cè)齊平終止，同樣實(shí)現(xiàn)光電組件的光電半導(dǎo)體芯片的簡(jiǎn)單電接觸。

在光電組件的一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接觸元件被嵌入到模制體中。接觸元件的前側(cè)與模制體的前側(cè)齊平終止。接觸元件的后側(cè)與模制體的后側(cè)齊平終止。接觸元件從而在模制體的前側(cè)與模制體的后側(cè)之間通過(guò)模制體延伸。接觸元件因此形成電鍍通孔，該電鍍通孔通過(guò)模制體延伸，并且其例如使通過(guò)光電組件的模制體將導(dǎo)電連接引到光電半導(dǎo)體芯片的電連接面成為可能。

附圖說(shuō)明

與被與繪圖結(jié)合更詳細(xì)地解釋的示例性實(shí)施例的以下描述結(jié)合，本發(fā)明的以上描述的性質(zhì)、特征和優(yōu)點(diǎn)以及實(shí)現(xiàn)它們所用的方式將變得更清楚以及更清楚地理解。此處在每種情況下在示意性圖示中：

圖1示出具有載體膜的載體的剖視圖；

圖2示出具有被布置在載體膜上的光電半導(dǎo)體芯片并具有被布置在載體膜上的接觸元件的載體的剖視圖；

圖3示出具有被布置在載體膜上的反射器的載體的剖視圖；

圖4示出具有被布置在光電半導(dǎo)體芯片與反射器之間的灌注材料的載體的剖視圖；

圖5示出具有在載體膜上方形成的模制體的載體的剖視圖，光電半導(dǎo)體芯片、接觸元件、反射器和灌注材料被嵌入到該模制體中；

圖6示出從載體膜卸下之后的模制體的剖視圖；

圖7示出去除模制體的部分之后的模制體的剖視圖；

圖8示出第一光電組件的截面?zhèn)纫晥D；以及

圖9示出第二光電組件的截面?zhèn)纫晥D。

具體實(shí)施方式

圖1示出載體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。載體100可以是用于執(zhí)行模制方法的裝置或工具的部分，例如用于壓塑的裝置的部分。在這種情況下，載體100形成所述裝置的模具的一部分。

在圖1中示意性地圖示的示例中，載體100包括基本上平面的頂側(cè)。載體膜110被布置在載體100的頂側(cè)上，所述載體膜包括背對(duì)載體100的頂側(cè)111。載體膜110例如可以被形成為粘性膜。優(yōu)選地，載體膜110在其頂側(cè)111上和/或在與頂側(cè)111相對(duì)的其下側(cè)上包括可釋放的粘性層，例如熱可釋放的粘性層。

圖2示出時(shí)間上繼圖1中的圖示之后的處理狀態(tài)中的載體100的、和載體膜110的示意性截面?zhèn)纫晥D。光電半導(dǎo)體芯片200和接觸元件300已經(jīng)被布置在載體膜110的頂側(cè)111上。光電半導(dǎo)體芯片200和接觸元件300以離彼此的某一距離橫向地彼此并排布置。

光電半導(dǎo)體芯片200被配置成發(fā)射電磁輻射，例如可見(jiàn)光。光電半導(dǎo)體芯片200例如可以被形成為發(fā)光二極管芯片（LED芯片）。光電半導(dǎo)體芯片200包括前側(cè)201和與前側(cè)201相對(duì)的后側(cè)202。光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201例如可以形成光電半導(dǎo)體芯片200的輻射發(fā)射面，在光電半導(dǎo)體芯片200的操作期間在該輻射發(fā)射面處發(fā)射電磁輻射。光電半導(dǎo)體芯片200也可以被形成為體發(fā)射半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，在光電半導(dǎo)體芯片200的操作期間，也可以在光電半導(dǎo)體芯片200的連接前側(cè)201和后側(cè)202的側(cè)面處發(fā)射電磁輻射。

光電半導(dǎo)體芯片200以使得光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201面向載體膜110的頂側(cè)111并且與后者接觸這樣的方式被布置在載體100上的載體膜100的頂側(cè)111上。

接觸元件300包括導(dǎo)電材料，例如摻雜半導(dǎo)體材料或金屬。接觸元件300也可以被稱(chēng)為通路（via）芯片。接觸元件300包括頂側(cè)301和與頂側(cè)301相對(duì)的下側(cè)302。在接觸元件300的頂側(cè)301與下側(cè)302之間存在導(dǎo)電連接。

接觸元件300以使得接觸元件300的頂側(cè)301面向載體膜110的頂側(cè)111并且與后者接觸這樣的方式被布置在載體100上的載體膜110的頂側(cè)111上。

光電半導(dǎo)體芯片200和接觸元件300包括垂直于載體膜110的頂側(cè)111的方向上的生產(chǎn)精度范圍內(nèi)的相同高度。那意味著光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201和接觸元件300的頂側(cè)301被布置在載體100上的載體膜110的頂側(cè)111上的共同平面中。光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)202和接觸元件300的下側(cè)302也基本上位于共同平面中。

圖3示出時(shí)間上繼圖2中的圖示之后的處理狀態(tài)中的載體100的、被布置在載體膜110的頂側(cè)111上的光電半導(dǎo)體芯片200的、以及接觸元件300的示意性截面?zhèn)纫晥D。反射器400已經(jīng)被布置在載體100上的載體膜110的頂側(cè)111上。

反射器400包括光學(xué)上高反射的材料。優(yōu)選地，反射器400的材料也是導(dǎo)電且機(jī)械穩(wěn)定的。反射器400例如可以由金屬形成。優(yōu)選地，反射器400被形成為壓紋金屬片。

反射器400包括壓紋反射器結(jié)構(gòu)，所述壓紋反射器結(jié)構(gòu)例如可以包括截錐的、或截棱錐的側(cè)表面的形式。反射器400以使得反射器結(jié)構(gòu)以環(huán)形形式圍繞光電半導(dǎo)體芯片200這樣的方式被布置在載體膜100上的載體膜110的頂側(cè)111上。優(yōu)選地，光電半導(dǎo)體芯片200被近似居中地布置在反射器400的環(huán)形反射器結(jié)構(gòu)中。

反射器400的反射器結(jié)構(gòu)包括前側(cè)401和與前側(cè)401相對(duì)的后側(cè)402。在這種情況下，反射器400的反射器結(jié)構(gòu)的前側(cè)401面向載體膜110的頂側(cè)111并且與后者接觸。反射器400的壓紋反射器結(jié)構(gòu)從后側(cè)402到頂側(cè)401成圓錐形變寬。

反射器400可以包括除了壓紋反射器結(jié)構(gòu)之外的另外的部分，所述另外的部分在圖3中未被圖示。作為示例，反射器400在其前側(cè)401上可以包括片部分，該片部分鄰近壓紋反射器結(jié)構(gòu)并且壓在載體100上的載體膜110的頂側(cè)111上。然而，同樣在反射器400的后側(cè)402上，反射器400的另外的部分可以鄰近反射器400的壓紋反射器結(jié)構(gòu)。

反射器400以使得光電半導(dǎo)體芯片200和接觸元件300兩者都不與反射器400接觸并且因此與反射器400電絕緣這樣的方式被布置在載體100上的載體膜110的頂側(cè)111上。

在圖示的示例中，反射器400在其后側(cè)402與其前側(cè)401之間包括垂直于載體膜110的頂側(cè)111的高度，該高度基本上對(duì)應(yīng)于光電半導(dǎo)體芯片200的在其后側(cè)202與其前側(cè)201之間的高度。然而，還將可能形成具有較小高度的反射器400。在這種情況下，反射器400的后側(cè)402比光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)202更靠近載體膜110的頂側(cè)111放置。

離開(kāi)圖2和圖3中的圖示以及以上給出的描述，還可能在時(shí)間上在光電半導(dǎo)體芯片200之前和/或在接觸元件300之前將反射器400布置在載體100上的載體膜110的頂側(cè)111上。這提供優(yōu)點(diǎn)：光電半導(dǎo)體芯片200，在載體膜110的頂側(cè)111上布置反射器400的過(guò)程之后，可以與反射器400的壓紋反射器結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)并且被定位在載體100上的載體膜110的頂側(cè)111上。

圖4示出時(shí)間上繼圖3中的圖示之后的處理狀態(tài)中的載體100與被布置在載體膜110的頂側(cè)111上的元件的示意性截面?zhèn)纫晥D。在載體100上的載體膜110的頂側(cè)111上的光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400之間的區(qū)已經(jīng)填充有灌注材料500。

灌注材料500優(yōu)選地對(duì)于由光電半導(dǎo)體芯片200發(fā)射的電磁輻射是基本上透明的或半透明的。灌注材料500例如可以包括硅樹(shù)脂。

例如可以借助于計(jì)量方法將灌注材料500布置在光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400之間的區(qū)中。特別地，例如可以借助于針計(jì)量來(lái)布置灌注材料500。灌注材料500填充光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400的壓紋反射器結(jié)構(gòu)之間的區(qū)，在這種情況下從載體膜110的頂側(cè)111進(jìn)行。優(yōu)選地，填充到光電半導(dǎo)體芯片200和反射器400之間的區(qū)中的灌注材料500的量使得灌注材料500與反射器400的后側(cè)402近似齊平終止。應(yīng)該避免由灌注材料500潤(rùn)濕光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)202。

圖5示出時(shí)間上繼圖4中的圖示之后的處理狀態(tài)中的載體100的、和被布置在載體膜110的頂側(cè)111上的組件部分的示意性截面?zhèn)纫晥D。已經(jīng)在載體100上的載體膜110的頂側(cè)111上形成模制體600。光電半導(dǎo)體芯片200、接觸元件300、反射器400、和在光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400之間的區(qū)中布置的灌注材料500已經(jīng)被嵌入到模制體600中。

模制體600可以借助于模制過(guò)程，特別地例如通過(guò)壓塑來(lái)生成。在這種情況下，模制材料被引入到由載體100形成的模具以及與在載體100上布置的載體膜110的頂側(cè)111相對(duì)定位的另外的模具部分中。從而形成包括前側(cè)601和與前側(cè)601相對(duì)的后側(cè)602的模制體600。模制體600的前側(cè)601面向載體膜110的頂側(cè)111。在與載體100相對(duì)定位的另外的模具部分上形成模制體600的后側(cè)602。

用于形成模制體600的模制材料優(yōu)選為塑料材料。模制材料例如可以包括硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。用于形成模制體600的模制材料可以是透明的、半透明的、否則不透明的。

在模制體600的形成期間，光電半導(dǎo)體芯片200、接觸元件300、反射器400、和被布置在光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400之間的灌注材料500被嵌入到模制體600中。在這種情況下，壓在載體膜110的頂側(cè)111上的光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201、接觸元件300的頂側(cè)301和反射器400的前側(cè)401在模制體600的形成之后不被模制體600的材料覆蓋并且與模制體600的前側(cè)601基本上齊平終止。

在垂直于載體膜110的頂側(cè)111的方向上從模制體600的后側(cè)602到前側(cè)601計(jì)算的模制體600的高度，在圖5中圖示的示例中，大于光電半導(dǎo)體芯片200的、接觸元件300的和反射器400的高度。結(jié)果，光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)202、接觸元件300的下側(cè)302、反射器400的后側(cè)402和被布置在光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400之間的灌注材料500被鄰接模制體600的后側(cè)602的模制體600的部分610覆蓋。

然而，還可能形成具有對(duì)應(yīng)于光電半導(dǎo)體芯片200的、接觸元件300的、和反射器400的高度的厚度的模制體600，使得光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)302、接觸元件300的下側(cè)302、反射器400的后側(cè)402和被布置在光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400之間的灌注材料500也不被模制體600的材料覆蓋，并且從而與模制體600的后側(cè)602基本上齊平終止。這例如可以依靠以下事實(shí)來(lái)實(shí)現(xiàn)：光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)202、接觸元件300的下側(cè)302、反射器400的后側(cè)402和被布置在光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400之間的灌注材料500在模制體600的形成期間借助于膜覆蓋。

圖6示出時(shí)間上繼圖5中的圖示之后的處理狀態(tài)中的模制體600的示意性截面?zhèn)纫晥D。模制體600已經(jīng)從載體膜110的頂側(cè)111卸下，并且因此也從載體100卸下。

從載體膜110的頂側(cè)111卸下模制體600例如可以借助于載體膜110的熱處理或化學(xué)處理、借助于用光照射載體膜110或者借助于載體膜110的一些其它處理來(lái)執(zhí)行。然而，從載體膜110的頂側(cè)111卸下模制體600也可以借助于純機(jī)械措施來(lái)執(zhí)行。

圖7示出時(shí)間上繼圖6中的圖示之后的處理狀態(tài)中的模制體600的示意性截面?zhèn)纫晥D。鄰接模制體600的后側(cè)602的模制體600的部分610已經(jīng)被去除。

作為鄰接模制體600的后側(cè)602的模制體600的部分610的去除的結(jié)果，光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)202、接觸元件300的下側(cè)302、反射器400的后側(cè)402和被布置在光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400之間的灌注材料500已經(jīng)未被覆蓋，并且現(xiàn)在與模制體600的退后的后側(cè)602近似齊平終止。去除鄰接模制體的后側(cè)602的模制體600的部分610例如可以借助于研磨過(guò)程來(lái)執(zhí)行。

如果在圖5中圖示的處理狀態(tài)中的模制體600的形成期間已經(jīng)生成模制體600使得光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)202、接觸元件300的下側(cè)302、反射器400的后側(cè)402和被布置在光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400之間的灌注材料500不被模制體600覆蓋并且與模制體600的后側(cè)602基本上齊平終止，則去除鄰接后側(cè)602的模制體600的部分610可以被省略。

圖8示出時(shí)間上繼圖7中的圖示之后的處理狀態(tài)中的模制體600的、和嵌入到模制體600中的組件部分的示意性截面?zhèn)纫晥D。金屬化物700已經(jīng)被布置在模制體600的后側(cè)602和前側(cè)601上。作為另外的處理的結(jié)果，第一光電組件10已經(jīng)由模制體600和嵌入到模制體600中的組件部分形成。

在模制體600的前側(cè)601和后側(cè)602上布置金屬化物700例如可以借助于汽相沉積或借助于一些其它平面涂覆方法來(lái)執(zhí)行。金屬化物700包括導(dǎo)電金屬。金屬化物700在模制體600的前側(cè)601和后側(cè)602上的布置可以接連地在分離的工作過(guò)程中執(zhí)行。在這種情況下，也可使用不同的材料。

金屬化物700包括在光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)202上布置的第一焊接接觸焊盤(pán)710。第一焊接接觸焊盤(pán)710導(dǎo)電地連接到光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)202上的后側(cè)電連接面220。

金屬化物700還包括被布置在接觸元件300的下側(cè)302上的第二焊接接觸焊盤(pán)720。第二焊接接觸焊盤(pán)720導(dǎo)電地連接到接觸元件300。

此外，金屬化物700包括被布置在模制體600的前側(cè)601上的連接部分730。連接部分730在模制體600的前側(cè)601上從嵌入到模制體600中的光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201延伸直到嵌入到模制體600中的接觸元件300的頂側(cè)301。

連接部分730導(dǎo)電地連接到光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)電連接面210，所述前側(cè)電連接面被形成在光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201上。此外，連接部分730導(dǎo)電地連接到接觸元件300。連接部分730因此還生成在光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)電連接面210與模制體600的后側(cè)602上的第二焊接接觸焊盤(pán)720之間的導(dǎo)電連接。

在第一光電組件10的模制體600的后側(cè)602上布置的焊接接觸焊盤(pán)710、720可以用于電接觸第一光電組件10。第一光電組件10例如可以被形成為可表面安裝的SMD組件，并且通過(guò)回流焊接而被提供用于電接觸。

如果適合的電壓經(jīng)由第一焊接接觸焊盤(pán)710和第二焊接接觸焊盤(pán)720被施加到第一光電組件10，則所述電壓經(jīng)由光電半導(dǎo)體芯片200的后側(cè)電連接面220和前側(cè)電連接面210而存在于光電半導(dǎo)體芯片200處，并且使后者發(fā)射電磁輻射，例如可見(jiàn)光。

可以直接從第一光電組件10發(fā)射在光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201上發(fā)射的電磁輻射。在光電半導(dǎo)體芯片200的將光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201連接到后側(cè)202的側(cè)面處發(fā)射的電磁輻射可以穿過(guò)圍繞光電半導(dǎo)體芯片200的灌注材料500到反射器400，并且在模制體600的前側(cè)601的方向上由所述反射器400反射，其中所述電磁輻射還可以從第一光電組件10出射，并且被從第一光電組件10發(fā)射。

模制體600形成第一光電組件10的外殼和承載部分。模制體600承載第一光電組件10的光電半導(dǎo)體芯片200和焊接接觸焊盤(pán)710、720。另外的載體不是必要的，并且不存在。

可能借助于參照?qǐng)D1至8描述的方法來(lái)在共同工作過(guò)程中并行地生成多個(gè)第一光電組件10。為此目的，載體100和載體膜110設(shè)有足夠的橫向尺寸。后來(lái)，多個(gè)光電半導(dǎo)體芯片200和多個(gè)接觸元件300被布置在載體膜110的頂側(cè)111上，例如以規(guī)則的二維矩陣布置。此處在每個(gè)情況下，一個(gè)光電半導(dǎo)體芯片200和一個(gè)接觸元件300形成一對(duì)，稍后由該對(duì)形成第一光電組件10。每個(gè)將要形成的第一光電組件10，在載體膜110的頂側(cè)111上布置包括壓紋反射器結(jié)構(gòu)的反射器400。也可能每個(gè)光電半導(dǎo)體芯片200使用包括壓紋反射器結(jié)構(gòu)的整體反射器400。在隨后的處理步驟中，光電半導(dǎo)體芯片200與反射器400或者多個(gè)反射器400的相應(yīng)分配的反射器結(jié)構(gòu)之間的區(qū)填充有灌注材料500。將要形成的所有第一光電組件10的光電半導(dǎo)體芯片200、接觸元件300和反射器400然后被嵌入到共同的模制體600中。因此形成的模制體600也可以被稱(chēng)為板，并且例如包括晶片的形式。在將模制體600從載體膜110的頂側(cè)111卸下并去除鄰接后側(cè)602的模制體600的部分610之后，金屬化物700被布置在模制體600的前側(cè)601和后側(cè)602上，使得每個(gè)將要形成的第一光電組件10，形成第一焊接接觸焊盤(pán)710、第二焊接接觸焊盤(pán)720和連接部分730。只有那時(shí)才通過(guò)分割模制體600來(lái)使各個(gè)第一光電組件10單體化。

圖9示出第二光電組件20的示意性截面?zhèn)纫晥D。第二光電組件20和用于生成第二光電組件20的方法包括與參照?qǐng)D1至8解釋的第一光電組件10和用于生成第一光電組件10的方法的極大對(duì)應(yīng)。第一光電組件10的、和第二光電組件20的相互對(duì)應(yīng)的組件部分在圖8和9中設(shè)有相同的參考標(biāo)記。

第二光電組件20與第一光電組件10的不同之處在于：在第二光電組件20的情況下不存在第一光電組件10的接觸元件300。代替地，在第二光電組件20的情況下，反射器400用來(lái)提供在模制體600的前側(cè)601與模制體600的后側(cè)602之間的導(dǎo)電連接。在第二光電組件20的情況下，第二焊接接觸焊盤(pán)720以使得導(dǎo)電連接存在于反射器400與第二焊接接觸焊盤(pán)720之間這樣的方式被布置在模制體600的后側(cè)602和被嵌入到模制體600中的反射器400的后側(cè)402上。在第二光電組件20的情況下，連接部分730以如下那樣的方式被布置在模制體600的前側(cè)601、光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201和反射器400的前側(cè)401上：導(dǎo)電連接存在于連接部分730與光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)電連接面210之間，所述前側(cè)電連接面被布置在光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)201上，并且導(dǎo)電連接存在于連接部分730與反射器400之間。連接部分730和反射器400因此生成在第二光電組件20的第二焊接接觸焊盤(pán)720與第二光電組件20的光電半導(dǎo)體芯片200的前側(cè)電連接面210之間的導(dǎo)電連接。

第二光電組件20具有優(yōu)于第一光電組件10的優(yōu)點(diǎn)：作為省略嵌入到模制體600中的接觸元件300的結(jié)果，第二光電組件20可以被更成本有效地生成，并且以更緊湊的外部尺寸來(lái)形成。

可能的是，代替包括被布置在前側(cè)201上的前側(cè)電連接面210和被布置在后側(cè)202上的后側(cè)電連接面220的光電半導(dǎo)體芯片200而使用其中兩個(gè)電連接面都被布置在光電半導(dǎo)體芯片的前側(cè)或后側(cè)上的光電半導(dǎo)體芯片。

如果兩個(gè)電連接面都被布置在光電半導(dǎo)體芯片的前側(cè)上，則用該光電半導(dǎo)體芯片生成的光電組件可以包括被嵌入到模制體中的兩個(gè)接觸元件（像第一光電組件10的接觸元件300那樣被形成），所述接觸元件被嵌入到模制體中，并且經(jīng)由兩個(gè)連接部段而導(dǎo)電地連接到光電半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)電連接面（像第一光電組件10的連接部分730一樣被形成）。該光電組件的第一焊接接觸焊盤(pán)和第二焊接接觸焊盤(pán)然后被布置在兩個(gè)接觸元件的下側(cè)上。

如果光電半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)電連接面被形成在其后側(cè)上，則用該光電半導(dǎo)體芯片生成的光電組件的焊接接觸焊盤(pán)都被布置在光電半導(dǎo)體芯片的后側(cè)上。在這種情況下，對(duì)于光電組件，可能進(jìn)而省去提供接觸元件，諸如第一光電組件10的接觸元件300。

已經(jīng)在優(yōu)選的示例性實(shí)施例的基礎(chǔ)上更詳細(xì)地圖示和描述了本發(fā)明。盡管如此，本發(fā)明不被約束于公開(kāi)的實(shí)施例。相反，可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員從其導(dǎo)出變化，而不脫離本發(fā)明的保護(hù)的范圍。

參考標(biāo)記的列表

10 第一光電組件

20 第二光電組件

100 載體

110 載體膜

111 頂側(cè)

200 光電半導(dǎo)體芯片

201 前側(cè)

202 后側(cè)

210 前側(cè)電連接面

220 后側(cè)電連接面

300 接觸元件

301 頂側(cè)

302 下側(cè)

400 反射器

401 前側(cè)

402 后側(cè)

500 灌注材料

600 模制體

601 前側(cè)

602 后側(cè)

610 模制體的部分

700 金屬化物

710 第一焊接接觸焊盤(pán)

720 第二焊接接觸焊盤(pán)

730 連接部分。