相關申請案的交叉參考

本專利申請案主張2014年12月3日申請的標題為“用于集成電壓調節(jié)器的嵌入式薄膜載體(embeddedthinfilmcarrierforintegratedvoltageregulator)”的第62/086,947號美國臨時專利申請案的優(yōu)先權，并且所述美國臨時專利申請案轉讓給本受讓人并特此明確地以全文引用的方式并入本文中。

本文中所揭示的方面大體上涉及一種用于嵌入式電感器的嵌入式薄膜磁載體，且確切地說(但非排它地)，涉及一種用于集成電壓調節(jié)器的嵌入式電感器的嵌入式薄膜磁載體。

背景技術：

有源裝置的特征大小的減小已使得更多個有源裝置能夠制造于集成電路芯片上來處理數(shù)字數(shù)據(jù)。然而，有源裝置的特征大小的減小同時不僅減小這些裝置的操作電壓，而且還使這些裝置可容許的與標稱操作電壓的偏差程度變窄。電壓調節(jié)器將外部電源電壓(例如，常規(guī)交流電壓、電池等)轉換成供有源裝置使用的直流(dc)電壓并且調節(jié)這些經(jīng)轉換的電壓。

現(xiàn)代系統(tǒng)單芯片(soc)通常具有多個功率域，其中每一域可需要不同的經(jīng)調節(jié)電壓(例如，1.0v、1.2v、1.8v等)。這使每一dc層級的soc內的個別經(jīng)調節(jié)電壓軌成為必要。此外，出于功率效率，具有相同電壓電平的不同域可能需要單獨的電壓調節(jié)以使特定域空閑或斷電。雖然需要對與正在被供電的塊相同的裸片執(zhí)行單級電壓調節(jié)，但這將耗用高級節(jié)點上相當大的襯底面積，并且可能歸因于相對較高電池電壓和在高級節(jié)點中缺少可處置這些電壓的晶體管而為不可行的。替代性方法為采用雙級電壓調節(jié)，其中第一轉換(例如，來自電池)在專用功率管理集成電路(pmic)內或通過使用離散組件在外部發(fā)生，并且第二級轉換在soc內部發(fā)生。在此雙級方法中，凈轉換效率是所述級中的每一者的效率的乘積。因此，可能需要每一電壓調節(jié)級具有極高效率以使功率損耗降到最低。開關電壓調節(jié)器或開關模式電源(smps)與低壓差線性調節(jié)器(ldo)相比可具有較高效率。然而，由于smps操作需要電感器和電容器，smps在soc裸片上的實施可具挑戰(zhàn)性。此因素和其它因素已對開關電壓調節(jié)器并入到處理器芯片中造成阻礙。

盡管出現(xiàn)上文所提及的挑戰(zhàn)，但歸因于功率軌數(shù)目增加以及對功率節(jié)約的需求增加，對局部化功率域進行集成電壓調節(jié)正變得必要。確切地說，對于高電流負載，如在圖形操作中，在無局部化電壓調節(jié)的情況下管理與負載電流的改變相關聯(lián)的電壓下降正變得不可行。

技術實現(xiàn)要素：

本文中所揭示的方面的特征和效用可通過提供可包含第一襯底、磁件和導體的電感器達成。所述第一襯底可形成于第二襯底內。所述磁件可連接到所述第一襯底的第一側。所述導體可形成于所述第二襯底內、所述第二襯底上，或這兩者。所述導體可具有輸入和輸出。所述導體可經(jīng)配置以環(huán)繞所述第一襯底，但不與所述第一襯底接觸并且不與所述磁件接觸。

本文中所揭示的方面的特征和效用也可通過提供包含用于支撐磁體的裝置和用于傳導電流的裝置的電感器達成。所述用于傳導所述電流的裝置可經(jīng)配置以環(huán)繞所述用于支撐所述磁體的裝置，但不與所述用于支撐所述磁體的裝置接觸并且不與所述磁體接觸。

本文中所揭示的方面的特征和效用也可通過提供可包含電感器和集成電路的半導體裝置達成。所述電感器可具有第一襯底、磁件和導體。所述磁件可連接到所述第一襯底的表面。所述導體可經(jīng)配置以環(huán)繞所述第一襯底，但不與所述第一襯底接觸并且不與所述磁件接觸。所述電感器可嵌入于第二襯底中。所述集成電路可形成為具有電壓調節(jié)器和電路。所述集成電路可連接到所述第二襯底。所述電路可經(jīng)配置以從所述電壓調節(jié)器接收電壓。所述電壓調節(jié)器可連接到所述電感器。

本文中所揭示的方面的特征和效用也可通過提供一種用于制造電感器的方法達成?？尚纬蛇B接到第一襯底的第一側的第一磁件?？尚纬芍辽俨糠值丨h(huán)繞所述第一襯底的第二襯底?？稍谒龅诙r底內、所述第二襯底上或這兩者形成導體。所述導體可經(jīng)形成為具有輸入和輸出。所述導體可經(jīng)形成以環(huán)繞所述第一襯底，但不與所述第一襯底接觸并且不與所述第一磁件接觸。

附圖說明

在詳細描述、所附權利要求書和附圖中描述這些和其它樣本方面。

圖1是示范性電感器的示范性框圖。

圖2是以類似于圖1中所說明的的示范性電感器的方式形成的示范性電感器的示范性圖片。

圖3是以類似于圖2中所說明的示范性電感器的方式形成有兩個線圈但無磁件的電感器的電感對頻率的示范性圖表。

圖4是以類似于圖2中所說明的示范性電感器的方式形成有兩個線圈并且包含磁件的示范性電感器的電感對頻率的示范性圖表。

圖5是包含如圖1中所說明的示范性電感器的示范性半導體裝置的示范性框圖。

圖6是用于制造示范性電感器的示范性方法的示范性流程圖。

圖7是用于形成示范性磁件的示范性方法的示范性流程圖。

圖8是隨偶極子的定向的方向而變的電感的歸一化增加的示范性圖表。

圖9是用于形成導體的示范性方法的示范性流程圖。

根據(jù)慣例，圖式中所說明的各種特征可能并非按比例繪制。因此，為了清晰起見，可任意擴大或減小各種特征的尺寸。另外，為了清楚起見，可簡化圖式中所說明的方面。因此，圖式可能并未說明給定設備或裝置的全部組件。最后，可貫穿說明書和圖式使用相同參考數(shù)字來表示相同特征。

具體實施方式

本文中所揭示的方面大體上涉及一種用于嵌入式電感器的嵌入式薄膜磁性第一襯底，且確切地說，涉及一種用于集成電壓調節(jié)器的嵌入式電感器的嵌入式薄膜磁性第一襯底。

有源裝置的特征大小的減小已使得更多個有源裝置能夠制造于集成電路芯片上來處理數(shù)字數(shù)據(jù)。然而，有源裝置的特征大小的減小同時不僅減小有源裝置的操作電壓，而且還使有源裝置可容許的與標稱操作電壓的偏差程度變窄。電壓調節(jié)器將外部電源電壓(例如，常規(guī)交流電壓、電池等)轉換成供有源裝置使用的直流(dc)電壓并且調節(jié)這些經(jīng)轉換的電壓。

現(xiàn)代系統(tǒng)單芯片(soc)通常具有多個功率域，其中每一域可需要不同的經(jīng)調節(jié)電壓(例如，1.0v、1.2v、1.8v等)。這使每一dc層級的soc內的個別經(jīng)調節(jié)電壓軌成為必要。此外，出于功率效率，具有相同電壓電平的不同域可能需要單獨的電壓調節(jié)以使特定域空閑或斷電。雖然需要對與正在被供電的塊相同的裸片執(zhí)行單級電壓調節(jié)，但這將耗用高級節(jié)點上相當大的襯底面積，并且可能歸因于相對較高電池電壓和在高級節(jié)點中缺少可處置這些電壓的晶體管而為不可行的。替代性方法為采用雙級電壓調節(jié)，其中第一轉換(例如，來自電池)在專用功率管理集成電路(pmic)內或通過使用離散組件在外部發(fā)生，并且第二級轉換在soc內部發(fā)生。在此雙級方法中，凈轉換效率是所述級中的每一者的效率的乘積。因此，可能需要每一電壓調節(jié)級具有極高效率以使功率損耗降到最低。開關電壓調節(jié)器或開關模式電源(smps)與低壓差線性調節(jié)器(ldo)相比可具有較高效率。然而，由于smps操作需要電感器和電容器，smps在soc裸片上的實施可具挑戰(zhàn)性。此因素和其它因素已對開關電壓調節(jié)器并入到處理器芯片中造成阻礙。

盡管出現(xiàn)上文所提及的挑戰(zhàn)，但歸因于功率軌數(shù)目增加以及對功率節(jié)約的需求增加，對局部化功率域進行集成電壓調節(jié)正變得必要。確切地說，對于高電流負載，如在圖形操作中，在無局部化電壓調節(jié)的情況下管理與負載電流的改變相關聯(lián)的電壓下降正變得不可行。

可通過提供可包含第一襯底、第一磁件和導體的電感器來解決這些問題。第一襯底可形成于第二襯底內。第一磁件可連接到第一襯底的第一側。所述導體可形成于第二襯底內、第二襯底上，或這兩者。所述導體可具有輸入和輸出。所述導體可經(jīng)配置以環(huán)繞第一襯底，但不與第一襯底接觸并且不與第一磁件接觸。

圖1是示范性電感器100的示范性框圖。圖1的框圖說明x-z平面中的電感器100。電感器100可包含第一襯底102、第一磁件104和導體106。第一襯底102可形成于第二襯底108內。第一磁件104可連接到第一襯底102的第一側110。導體106可形成于第二襯底108內、第二襯底108上，或這兩者。導體106可具有輸入202(參見圖2)和輸出204(參見圖2)。導體106可經(jīng)配置以環(huán)繞第一襯底102，但不與第一襯底102接觸并且不與第一磁件104接觸。

任選地，第一襯底102可由包含以下各項的材料制成：玻璃、介電材料、有機材料、具有小于或等于100埃的均方根輪廓粗糙度參數(shù)的材料，或以上的任何組合。第一襯底102可由層壓層制成。

第一襯底102可為載體。第二襯底108可為封裝襯底。任選地，第一襯底102可由第一材料制成，第二襯底108可由第二材料制成，并且第二材料可不同于第一材料。

任選地，第一磁件104可由包含以下項中的至少一者的材料制成：鈷鉭鋯、鈷鐵、鎳鐵合金(確切地說，80％鎳和20％鐵或45％鎳和55％鐵)，或類似者，或以上中的任一者。任選地，第一磁件104可由具有碳、硼、磷、鎢或類似者中的至少一者的額外少量組分以增加第一磁件104的電阻率的材料制成。

任選地，導體106可由包含銅的材料制成。

任選地，電感器100也可包含第一介電件112和第二磁件114。第一介電件112可連接到第一磁件104。第二磁件114可連接到第一介電件112。有利地，第一介電件112和第二磁件114可用以增加磁場的強度。在第一側110上也可包含額外層的介電件和磁件。

任選地，電感器100也可包含第三磁件116。第三磁件116可連接到第一襯底102的第二側118。第二側118可與第一側110相對。有利地，第三磁件116可用以增加磁場的強度。

任選地，電感器100也可包含第二介電件120和第四磁件122。第二介電件120可連接到第三磁件116。第四磁件122可連接到第三介電件116。有利地，第二介電件120和第四磁件122可用以增加磁場的強度。在第二側118上也可包含額外層的介電件和磁件。

模擬已經(jīng)證實，當電感器100包含第一磁件104和第二磁件114兩者以及第三磁件116和第四磁件122兩者時，電感可增加2.3倍。

在一方面中，可使用多次出現(xiàn)的電感器100。舉例來說，為在使用多次出現(xiàn)的電感器100的情況下使所耗用的面積降到最低，多次出現(xiàn)的電感器100中的每一電感器100可沿著z軸布置成鄰近于多次出現(xiàn)的電感器100中的另一電感器100。舉例來說，為減小與多次出現(xiàn)的電感器100相關聯(lián)的總直流電阻，多次出現(xiàn)的電感器100中的每一電感器100可沿著x軸或沿著y軸(參見圖2)布置成鄰近于多次出現(xiàn)的電感器100中的另一電感器100。

在一方面中，導體106的至少一個第一部分124可形成于第二襯底108的至少一個通孔126處。舉例來說，圖1處說明的電感器100可包含導體106的形成于第二襯底108的至少一個通孔126-a到126-f處的至少一個第一部分124-a到124-h。

在一方面中，導體106的至少一個第二部分128可形成為至少一個傳導墊130。至少一個傳導墊130可形成于第二襯底108的第一層134與第二襯底108的第二層136的結合部132處。舉例來說，圖1處說明的電感器100可包含導體106的形成為至少一個傳導墊130-a到130-d的至少一個第二部分128-a到128-d。至少一個傳導墊130-a到130-d可形成于第二襯底108的第一層134與第二襯底108的第二層136的結合部132處以及第二襯底108的第二層136與第二襯底108的第三層140的結合部138處。

在一方面中，導體106的至少一個第三部分142可形成為第二襯底108內、第二襯底108上或這兩者的至少一個互連件144。舉例來說，圖1處說明的電感器100可包含形成為第二襯底108上的至少一個互連件144-a和144-b的至少一個第三部分142-a和142-b。

圖2是以類似于電感器100的方式形成的示范性電感器200的示范性圖片。圖2說明x-y平面中的兩個電感器200。兩個電感器200可包含第一電感器206和第二電感器208。兩個電感器200可配置為螺線管。第一電感器206可具有輸入202和輸出204。輸出204可接地。第二電感器208可具有輸入210和輸出212。輸出212可接地。輸出212可為輸出204。第一電感器206可經(jīng)配置以磁耦合到第二電感器208。與第一電感器206不磁耦合到第二電感器208的配置相比，第一電感器206和第二電感器208之間的磁耦合可增加兩個電感器200的有效電感。此外，第一電感器206和第二電感器208之間的磁耦合可減小電感器紋波，減小開關頻率，以及改進裝置效率。

圖3是以類似于電感器200的方式形成有兩個線圈但無磁件104、114、116和122的電感器的電感對頻率的示范性圖表300。圖表300包含針對初級線圈的曲線302、針對次級線圈的曲線304，以及針對初級線圈和次級線圈之間的互電感的曲線306。

圖4是以類似于電感器200的方式形成有兩個線圈并且包含磁件104、114、116和122的示范性電感器的電感對頻率的示范性圖表400。圖表400包含針對初級線圈的曲線402、針對次級線圈的曲線404，以及針對初級線圈和次級線圈之間的互電感的曲線406。

圖表300和圖表400兩者說明電感對頻率曲線是平滑曲線。平滑曲線不具有從上面安裝有處理數(shù)據(jù)的芯片的襯底單獨地制造的常規(guī)電感器的電感對頻率發(fā)生的頻率起伏。另外，圖表400說明存在最小頻率滾降(roll-off)。

圖5是包含電感器100的示范性半導體裝置500的示范性框圖。半導體裝置500可包含電感器100和集成電路502。電感器100可包含第一襯底504、磁件506和導體508。磁件506可連接到第一襯底504的表面510。導體508可經(jīng)配置以環(huán)繞第一襯底504，但不與第一襯底504接觸并且不與磁件506接觸。電感器100可嵌入于第二襯底512中。集成電路502可形成為具有電壓調節(jié)器514和電路516。集成電路502可連接到第二襯底512。電路516可經(jīng)配置以從電壓調節(jié)器514接收電壓。電壓調節(jié)器514可連接到電感器100。

第一襯底504可由包含以下各項的材料制成：玻璃、介電材料、有機材料、具有小于或等于100埃的均方根輪廓粗糙度參數(shù)的材料，或以上的任何組合。第一襯底504可由層壓層制成。

第一襯底504可為載體。第二襯底512可為封裝襯底。任選地，第一襯底504可由第一材料制成，第二襯底512可由第二材料制成，并且第二材料可不同于第一材料。

任選地，半導體裝置500可包含電容器518。電容器518可嵌入于第二襯底512中。替代地，電容器518可連接到第二襯底512。電容器518可連接到電壓調節(jié)器514。

任選地，第二襯底512可經(jīng)配置以連接到印刷電路板(pcb)520。

圖6是用于制造示范性電感器的示范性方法600的示范性流程圖。在方法600中，在操作602，可形成連接到第一襯底的第一側的第一磁件。在操作604處，可形成至少部分地環(huán)繞第一襯底的第二襯底。在操作606處，可形成環(huán)繞第一襯底但不與第一襯底接觸并且不與第一磁件接觸的導體。導體可形成于第二襯底內、第二襯底上，或這兩者。導體可具有輸入和輸出。

任選地，第一襯底可由包含以下各項的材料制成：玻璃、介電材料、有機材料、具有小于或等于100埃的均方根輪廓粗糙度參數(shù)的材料，或以上的任何組合。第一襯底可由層壓層制成。

第一襯底可為載體。第二襯底可為封裝襯底。任選地，第一襯底可由第一材料制成，第二襯底可由第二材料制成，并且第二材料可不同于第一材料。

任選地，第一磁件可由包含以下項中的至少一者的材料制成：鈷鉭鋯、鈷鐵、鎳鐵合金(確切地說，80％鎳和20％鐵或45％鎳和55％鐵)，或類似者，或以上中的任一者。任選地，第一磁件可由具有碳、硼、磷、鎢或類似者中的至少一者的額外少量組分以增加第一磁件的電阻率的材料制成。

任選地，導體可由包含銅的材料制成。

任選地，在操作608處，可形成連接到第一磁件的第一介電件。

任選地，在操作610處，可形成連接到第一介電件的第二磁件。

任選地，在操作612處，可形成連接到第一襯底的第二側的第三磁件。

任選地，在操作614處，可形成連接到第三磁件的第二介電件。

任選地，在操作616處，可形成連接到第二介電件的第四磁件。

圖7是用于形成示范性磁件的操作602的示范性流程圖。在操作602中，在操作702處，可在第一襯底上沉積磁性材料。在操作704處，可將磁性材料的偶極子定向?？衫缭诔练e過程或退火過程期間發(fā)生偶極子的定向。偶極子可經(jīng)定向為例如平行于響應于電流流過導體所產生的磁場的方向對準。

圖8是隨偶極子的定向的方向而變的電感的歸一化增加的示范性圖表800。圖表800說明使偶極子的定向的方向平行于響應于電流流過導體所產生的磁場的方向對準與垂直于響應于電流流過導體所產生的磁場的方向對準相比的優(yōu)點。

圖9是用于形成導體的操作606的示范性流程圖。在操作606中，在操作902處，可在第二襯底中形成至少一個通孔。在操作904處，可在至少一個通孔中形成導體的至少一個第一部分。任選地在操作906處，可形成導體的至少一個第二部分作為至少一個傳導墊。所述至少一個傳導墊可形成于第二襯底的第一層與第二襯底的第二層的結合部處。任選地，在操作908處，可形成導體的至少一個第三部分作為至少一個互連件。所述至少一個互連件可形成于第二襯底內、第二襯底上，或這兩者。

本專利申請案與如下的后續(xù)同在申請中的美國專利申請案有關：第14/497,942號美國申請案，其標題為“用于多相功率管理集成電路的電感器系統(tǒng)(inductorsystemformulti-phasepowermanagementintegratedcircuits)”，在2014年9月26日申請，轉讓給本受讓人，并且明確地以全文引用的方式并入本文中。

如本文中所使用，術語“示范性”意指“充當實例、例子或說明”。在本文中描述為“示范性”的任何實例不必解釋為比其它實例優(yōu)選或有利。同樣，術語“實例”不要求所有實例包含所論述的特征、優(yōu)點或操作模式。在此說明書中使用術語“在一個實例中”、“一實例”、“在一個特征中”和/或“一特征”不一定指同一特征和/或實例。此外，可將特定特征和/或結構與一或多個其它特征和/或結構組合。此外，此處所描述的設備的至少一部分可經(jīng)配置以執(zhí)行此處所描述的方法的至少一部分。

應注意，術語“連接”、“耦合”或其任何變體意指元件之間的直接或間接的任何連接或耦合，且可涵蓋經(jīng)由中間元件“連接”或“耦合”在一起的兩個元件之間的中間元件的存在。元件之間的耦合和連接可為物理的、邏輯的或其組合。可例如通過使用一或多個電線、電纜、印刷電連接、電磁能以及類似者將元件“連接”或“耦合”在一起。在可行的情況下，電磁能可具有射頻、微波頻率、可見光學頻率、不可見光學頻率以及類似者下的波長。這些是若干非限制性且非窮盡性實例。

術語“信號”可包含任何信號，例如數(shù)據(jù)信號、音頻信號、視頻信號、多媒體信號、模擬信號、數(shù)字信號以及類似者。可使用多種不同技術和技藝中的任一者表示本文中所描述的信息和信號。舉例來說，在本文中引用的數(shù)據(jù)、指令、工藝步驟、過程框、命令、信息、信號、位、符號以及類似者可由電壓、電流、電磁波、磁場、磁粒子、光場和光學粒子和/或其任何可行的組合表示，這至少部分地取決于特定應用，至少部分地取決于所要設計，至少部分地取決于對應技術，并且/或至少部分地取決于相似因素。

使用例如“第一”、“第二”等名稱的引用不限制那些元件的數(shù)量或次序。而是，這些名稱用作區(qū)別兩個或大于兩個元件和/或元件的例子的方便方法。因此，對第一和第二元件的引用不意味著可使用僅兩個元件，或第一元件必須一定先于第二元件。并且，除非另外說明，否則元件的集合可包括一或多個元件。另外，在說明或權利要求書中使用的術語形式“以下各項中的至少一者：a、b或c”或“a、b或c中的一或多者”或“由a、b和c組成的群組中的至少一者”可解釋為“a或b或c或這些元件的任何組合”。舉例來說，此術語可包含a，或b，或c，或(a和b)，或(a和c)，或(b和c)，或(a和b和c)，或2a，或2b，或2c，等。

本文中所使用的術語僅出于描述特定實例的目的，且并不意欲是限制性的。如本文中所使用，除非上下文另外清楚地指出，否則單數(shù)形式“一”、“一個”以及“所述”也包含復數(shù)形式。此外，術語“包括(comprises/comprising)”、“包含(includes/including)”規(guī)定存在特征、整數(shù)、步驟、塊、操作、元件、組件以及類似者，但不必排除存在或添加另一特征、整數(shù)、步驟、塊、操作、元件、組件以及類似者。

在至少一個實例中，所提供的設備可為例如(但不限于)以下各項中的至少一者的電子裝置和/或耦合到所述電子裝置：移動裝置、導航裝置(例如，全球定位系統(tǒng)接收器)、無線裝置、相機、音頻播放器、攝錄像機和游戲控制臺。

術語“移動裝置”可描述且不限于以下各項中的至少一者：移動電話、移動通信裝置、傳呼機、個人數(shù)字助理、個人信息管理器、個人數(shù)據(jù)助理、移動手持式計算機、便攜式計算機、平板計算機、無線裝置、無線調制解調器、其它類型的通常由人攜帶并且具有通信能力(例如，無線、蜂窩、紅外線、短程無線電等)的便攜式電子裝置，和/或任何其它能夠接收在確定位置定位時使用的無線通信信號的裝置。此外，術語“用戶設備”(ue)、“移動終端”、“用戶裝置”、“移動裝置”和“無線裝置”可為可互換的。

此外，所屬領域的技術人員將理解，在可行的情況下，在本文中所揭示的實例中描述的示范性邏輯塊、模塊、電路和步驟可實施為電子硬件、計算機軟件或兩者的組合。為了清楚地說明硬件與軟件的此可互換性，示例性組件、塊、模塊、電路和步驟已在本文中大體上關于其功能性方面進行了描述。此類功能性是實施為硬件還是軟件取決于具體應用和施加于整個系統(tǒng)的設計約束。熟練的技術人員可針對每一特定應用以不同方式實施所描述的功能性，但此類實施決策不應被解釋為會致使偏離本發(fā)明的范圍。

結合本文中所揭示的實例描述的方法、序列和/或算法的至少一部分可直接實施于硬件中，實施于由處理器(例如，此處描述的處理器)執(zhí)行的軟件中，或這兩者的組合中。在一實例中，處理器包含多個離散硬件組件。軟件模塊可駐存于例如以下各項的存儲媒體(例如，存儲器裝置)中：隨機存取存儲器(ram)、快閃存儲器、只讀存儲器(rom)、可擦除可編程只讀存儲器(eprom)、電可擦除可編程只讀存儲器(eeprom)、寄存器、硬盤、可裝卸式磁盤、壓縮光盤只讀存儲器(cd-rom)、訂戶身份模塊(sim)卡、通用訂戶身份模塊(usim)卡和/或任何其它形式的存儲媒體。示范性存儲媒體(例如，存儲器裝置)可耦合到處理器，使得處理器可從所述存儲媒體讀取信息和/或將信息寫入到所述存儲媒體。在一實例中，存儲媒體可與處理器成一體式。

此外，此處提供的實例在由例如計算裝置的元件執(zhí)行的動作序列方面進行描述。本文中所描述的動作可由特定電路(例如，專用集成電路(asic))、由一或多個處理器正執(zhí)行的程序指令或由兩者的組合執(zhí)行。另外，本文中所描述的動作序列可被視為是完全在任何形式的其中存儲有對應計算機指令集的計算機可讀存儲媒體內，所述計算機指令集在執(zhí)行時將致使相關聯(lián)處理器(例如，專用處理器)執(zhí)行本文中所描述的功能的至少一部分。因此，實例可以許多不同形式，其全部預期在本發(fā)明的范圍內。另外，對于本文中所描述的實例中的每一者，任何此類實例的對應電路可這本文中描述為例如經(jīng)配置以執(zhí)行所描述的動作的“邏輯”。

所揭示的裝置和方法可經(jīng)設計并且可經(jīng)配置到計算機可執(zhí)行文件中，所述計算機可執(zhí)行文件呈圖形數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)二(gdsii)兼容格式、開放作品系統(tǒng)互換標準(oasis)兼容格式和/或gerber(例如，rs-274d、rs-274x等)兼容格式，其存儲于非暫時性(即，非瞬態(tài))計算機可讀媒體上。所述文件可提供到基于所述文件以光刻裝置制造集成裝置的制造處置者。可使用例如物理氣相沉積(pvd，例如濺鍍)、等離子體增強化學氣相沉積(pecvd)、熱化學氣相沉積(熱cvd)和/或旋涂以及類似者的沉積技術執(zhí)行沉積材料以形成本文中所描述的結構的至少一部分。可使用例如等離子蝕刻的蝕刻技術執(zhí)行蝕刻材料以形成本文中所描述的結構的至少一部分。在一實例中，所述集成裝置在半導體晶片上。半導體晶片可切割為半導體裸片且封裝到半導體芯片中。所述半導體芯片可以用于本文中所描述的裝置(例如，移動裝置、存取裝置和/或類似者)中。

此處提供的至少一個實例可包含存儲處理器可執(zhí)行指令的非暫時性(即，非瞬態(tài))機器可讀媒體和/或非暫時性(即，非瞬態(tài))計算機可讀媒體，所述處理器可執(zhí)行指令經(jīng)配置以致使處理器(例如，專用處理器)將處理器和任何其它協(xié)作裝置轉換成經(jīng)配置以執(zhí)行此處描述的功能和/或此處描述的方法的至少一部分的機器(例如，專用處理器)。執(zhí)行此處描述的功能的至少一部分可包含起始此處描述的功能的至少一部分。非暫時性(即，非瞬態(tài))機器可讀媒體特別地排除暫時傳播信號。此外，本發(fā)明的至少一個實施例可包含體現(xiàn)本文中所描述的方法的至少一部分的計算機可讀媒體。因此，任何用于執(zhí)行本文中所描述的功能的裝置包含在本發(fā)明的至少一個實施例中。非暫時性(即，非瞬態(tài))機器可讀媒體特別地排除暫時傳播信號。

本申請案中所陳述或所描繪的任何事物都不意圖使任何組件、步驟、塊、特征、對象、益處、優(yōu)點或等效物專用于公眾，無論所述組件、步驟、塊、特征、對象、益處、優(yōu)點或等效物是否在權利要求書中陳述。

雖然以上描述提供本文中所揭示的方面的說明性方面，但應注意，可在不脫離由所附權利要求書界定的范圍的情況下對這些說明性實施方案做出各種改變和修改。