相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2014年12月15日在美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局提交的臨時(shí)申請(qǐng)no.62/092,140以及于2015年1月29日在美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局提交的非臨時(shí)申請(qǐng)no.14/609,289的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，這兩件申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)援引納入于此。

背景

領(lǐng)域

各特征涉及包括高性能封裝間連接的層疊封裝(pop)器件。

背景技術(shù)：

圖1解說(shuō)了層疊封裝(pop)器件100。pop器件100包括第一封裝102和第二封裝104。第一封裝102包括第一管芯120和第一封裝基板122。第二封裝104包括第二管芯140和第二封裝基板142。如圖1所示，第二封裝104通過(guò)一組焊球150耦合至第一封裝102。

圖1的pop器件100的一個(gè)缺陷在于該組焊球150是低效類(lèi)型的封裝到封裝互連。歸因于它們的大小和構(gòu)造，對(duì)于提供高質(zhì)量和/或高性能信號(hào)而言焊球不是理想的，這可限制封裝到封裝互連的通信帶寬和/或性能。另外，焊球具有有限的功能性和構(gòu)造。例如，單個(gè)焊球只能傳送一個(gè)電信號(hào)。此外，相鄰焊球(歸因于它們的大小和彼此的鄰近度)易于彼此干擾，從而導(dǎo)致低電信號(hào)質(zhì)量和/或性能。

因此，存在對(duì)能在封裝之間提供更好質(zhì)量和/或性能信號(hào)的層疊封裝(pop)器件的需求。理想地，此類(lèi)pop器件將具有較佳的形狀因子，同時(shí)滿(mǎn)足移動(dòng)和/或可穿戴設(shè)備的需要和/或要求。

概覽

各特征、裝置以及方法在此描述了包括高性能封裝間連接的層疊封裝(pop)器件。

第一示例提供了一種集成器件封裝，包括：第一封裝基板；耦合到第一封裝基板的第一管芯；位于第一封裝基板上的包裝層；以及耦合到第一封裝基板的封裝間連接。封裝間連接至少部分地位于包裝層中。封裝間連接包括配置成提供用于參考接地信號(hào)的第一電路徑的第一互連。第一互連具有第一互連的寬度的至少約兩倍長(zhǎng)的長(zhǎng)度。封裝間連接還包括配置成提供用于至少一個(gè)第二信號(hào)的第二電路徑的第二組互連。第二組互連被配置成通過(guò)電場(chǎng)至少部分地耦合到第一互連。

第二示例提供一種集成器件封裝，包括：第一封裝基板、耦合到第一封裝基板的第一管芯、位于第一封裝基板上的包裝層以及耦合到第一封裝基板的封裝間連接。封裝間連接至少部分地位于包裝層中。封裝間連接包括配置成提供用于參考接地信號(hào)的第一電路徑的第一互連。第一互連具有第一互連的寬度的至少約兩倍長(zhǎng)的長(zhǎng)度。封裝間連接還包括配置成提供用于至少一個(gè)第二信號(hào)的至少一個(gè)第二電路徑的電垂直耦合裝置。第一互連和電垂直耦合裝置被定位在包裝層中。

第三示例提供一種層疊封裝(pop)器件，包括第一集成器件封裝和耦合到第一集成器件封裝的第二集成器件封裝。第一集成器件封裝包括第一封裝基板、耦合到第一封裝基板的第一管芯、位于第一封裝基板上的包裝層以及耦合到第一封裝基板的封裝間連接。封裝間連接至少部分地位于包裝層中。封裝間連接包括配置成提供用于參考接地信號(hào)的第一電路徑的第一互連。第一互連具有第一互連的寬度的至少約兩倍長(zhǎng)的長(zhǎng)度。封裝間連接還包括配置成提供用于至少一個(gè)第二信號(hào)的第二電路徑的第二組互連。第二組互連被進(jìn)一步配置成通過(guò)電場(chǎng)至少部分地耦合到第一互連。

第四示例提供了一種用于制造器件的方法。該方法制造第一集成器件封裝，其中制造第一集成器件封裝包括：

提供第一封裝基板；將第一管芯耦合到第一封裝基板；在第一封裝基板上形成包裝層；以及提供到第一封裝基板且至少部分地在所述包裝層中的封裝間連接。該方法提供封裝間連接包括在包裝層中形成第一互連。第一互連被形成為提供用于參考接地信號(hào)的第一電路徑。第一互連具有第一互連的寬度的至少約兩倍長(zhǎng)的長(zhǎng)度。該方法提供封裝間連接包括在包裝層中形成第二組互連。第二組互連被形成為提供用于至少一個(gè)第二信號(hào)的至少一個(gè)第二電路徑。第二組互連被形成為通過(guò)電場(chǎng)至少部分地耦合到第一互連。

附圖

在結(jié)合附圖理解下面闡述的詳細(xì)描述時(shí)，各種特征、本質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得明顯，在附圖中，同樣的參考特征貫穿始終作相應(yīng)標(biāo)識(shí)。

圖1解說(shuō)了層疊封裝(pop)器件。

圖2解說(shuō)了包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的剖視圖。

圖3解說(shuō)了包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的平面圖。

圖4解說(shuō)了包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的傾斜視圖。

圖5解說(shuō)了封裝間連接的電屬性。

圖6解說(shuō)了包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的平面圖。

圖7解說(shuō)了包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的傾斜視圖。

圖8解說(shuō)了包括封裝間連接的另一層疊封裝(pop)器件的平面圖。

圖9解說(shuō)了包括封裝間連接的另一層疊封裝(pop)器件的平面圖。

圖10解說(shuō)了包括封裝間連接的另一層疊封裝(pop)器件的平面圖。

圖11解說(shuō)了包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的剖視圖。

圖12解說(shuō)了包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的剖視圖。

圖13解說(shuō)了用于提供/制造封裝間連接的示例性序列。

圖14解說(shuō)了示例性封裝間連接。

圖15解說(shuō)了用于提供/制造封裝間連接的方法的示例性流程圖。

圖16解說(shuō)了用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的示例性序列。

圖17解說(shuō)了用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的方法的示例性流程圖。

圖18(包括圖18a-18b)解說(shuō)了用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的示例性序列。

圖19解說(shuō)了用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的方法的示例性流程圖。

圖20解說(shuō)了半加成圖案化(sap)工藝的示例。

圖21解說(shuō)了半加成圖案化(sap)工藝的流程圖的示例。

圖22解說(shuō)了鑲嵌工藝的示例。

圖23解說(shuō)了鑲嵌工藝的流程圖的示例。

圖24解說(shuō)了可集成本文所描述的層疊封裝(pop)器件、集成封裝、半導(dǎo)體器件、管芯、集成電路和/或印刷電路板(pcb)的各種電子設(shè)備。

詳細(xì)描述

在以下描述中，給出了具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本公開(kāi)的各方面的透徹理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)也可實(shí)踐這些方面。例如，電路可用框圖示出以避免使這些方面湮沒(méi)在不必要的細(xì)節(jié)中。在其他實(shí)例中，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)可不被詳細(xì)示出以免模糊本公開(kāi)的這些方面。

一些特征涉及包括第一集成器件封裝和第二集成器件封裝的層疊封裝(pop)器件。第一集成器件封裝包括第一封裝基板、耦合到第一封裝基板的第一管芯、耦合到第一封裝基板的封裝間連接、以及包裝封裝間連接的包裝層。封裝間連接包括：配置成提供用于參考接地信號(hào)的第一電路徑的第一組互連；以及配置成提供用于第二信號(hào)的第二電路徑的第二組互連。第一電路徑包括封裝間連接中的第一橫向方向。第二互連免于與第一互連直接接觸。第二互連被進(jìn)一步配置成在第二信號(hào)穿過(guò)第二互連時(shí)至少部分地電耦合到第一互連(例如，通過(guò)電場(chǎng))。第二集成器件封裝耦合到第一集成器件封裝。第二集成器件封裝包括第二封裝基板、耦合到第二封裝基板的第二管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接進(jìn)一步包括電介質(zhì)層(例如，硅層/材料、玻璃層/材料)。封裝間連接至少部分地包圍第一管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接進(jìn)一步包括第三組互連，第一和第三組互連被配置成提供用于參考接地信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一和第三組互連至少部分地包圍第二組互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接是封裝間同軸連接。

互連是器件(例如，集成器件、集成器件封裝、管芯)和/或基底(例如，封裝基板、印刷電路板、中介體)的允許或促成兩個(gè)點(diǎn)、元件和/或組件之間的電連接的元件或組件。在一些實(shí)現(xiàn)中，互連可包括跡線、通孔、焊盤(pán)、柱、重分布金屬層、和/或凸塊下金屬化(ubm)層。在一些實(shí)現(xiàn)中，互連是為信號(hào)(例如，數(shù)據(jù)信號(hào)、接地信號(hào)、功率信號(hào))提供電路徑的導(dǎo)電材料?；ミB可包括一個(gè)以上的元件/組件。

包括高性能封裝間連接的示例性層疊封裝(pop)器件

圖2解說(shuō)了包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件200。pop器件200包括第一封裝202(例如，第一集成器件封裝)和第二封裝204(例如，第二集成器件封裝)。第一封裝202包括第一管芯220、第一封裝基板222、封裝間連接250以及包裝層260。第二封裝204包括第二管芯240和第二封裝基板242。

第一封裝基板222包括第一組焊盤(pán)224和第二組焊盤(pán)226。第一封裝基板222可包括一個(gè)或多個(gè)介電層。第一封裝基板222可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))，它們未被示出。第一管芯220通過(guò)第一組焊球228耦合到第一封裝基板222。具體地，第一管芯220通過(guò)第一組焊球228耦合至第一組焊盤(pán)224。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一管芯220可不同地耦合至基板222。例如，第一管芯220可通過(guò)一組柱耦合到基板222。底部填料229包圍第一組焊球228。第二組焊球230耦合至第一封裝基板222。

包裝層260包裝第一管芯220。封裝間連接250至少部分地嵌入在包裝層260中。封裝間連接250包括介電層252、第一組互連254以及第二組互連256。第一組互連254可包括一個(gè)或多個(gè)第一互連。第二組互連256可包括一個(gè)或多個(gè)第二互連。封裝間連接250垂直穿過(guò)包裝層260。介電層252可包括至少硅材料和/或玻璃材料之一。介電層252可以是電絕緣裝置。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接250是電耦合裝置(例如，封裝間連接裝置)。電耦合裝置可包括介電層。電耦合裝置可至少部分地包圍管芯220。電耦合裝置可以是封裝間同軸連接裝置。第一組互連254和第二組互連256垂直穿過(guò)包裝層260。電耦合裝置可包括電橫向耦合裝置和電垂直耦合裝置。在一些實(shí)現(xiàn)中，電垂直耦合裝置被配置成向信號(hào)提供沿垂直方向的電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，電橫向耦合裝置被配置成向信號(hào)提供沿橫向方向的電路徑。

垂直方向是層疊封裝(pop)器件的兩個(gè)基板之間(例如，兩個(gè)封裝基板之間)的方向。在一些實(shí)現(xiàn)中，垂直方向是垂直于基板的第一表面的方向。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板的第一表面可以是基板的包括最大表面積的表面。在一些實(shí)現(xiàn)中，橫向方向是垂直于垂直方向的方向。在一些實(shí)現(xiàn)中，橫向方向是沿(例如，平行于)表面的第一表面的方向，其中第一表面可以是基板的包括最大表面積的表面。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接250至少部分地包圍(例如，在橫向上包圍)第一管芯220。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254是至少部分地包圍第一管芯220的實(shí)心導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括至少部分地包圍第一管芯220的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連256位于第一組互連254與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。例如，第一組互連254可被配置成提供沿至少橫向方向和/或垂直方向的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。例如，第二組互連256可被配置成提供沿至少垂直方向的第二電路徑。信號(hào)的電路徑的示例在圖4和7中進(jìn)一步解說(shuō)和描述。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接250被配置成使得第一組互連254和第二組互連256一起用作封裝間同軸連接(例如，分立封裝間同軸連接)。在這一配置中，第一組互連254被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑，且第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，同軸連接(例如，分立同軸連接)提供具有高質(zhì)量信號(hào)的高性能連接。在一些實(shí)現(xiàn)中，分立同軸連接是當(dāng)外部互連和/或內(nèi)部互連是分立的時(shí)候。分立互連是由若干互連形成的非毗連互連布置。分立互連的示例在下文至少圖8-10中進(jìn)一步解說(shuō)和描述。此外，同軸連接的外部和內(nèi)部互連的示例在至少圖6-10中進(jìn)一步描述。同軸連接的電屬性在下文在至少圖5中進(jìn)一步描述。

另外，在一些實(shí)現(xiàn)中，使用同軸連接允許減少被配置成提供用于接地參考信號(hào)的電路徑的互連。即，在一些實(shí)現(xiàn)中，一個(gè)焊球(來(lái)自第二組焊球230)可被耦合到封裝間連接250的第一組互連254。但應(yīng)當(dāng)注意，一個(gè)以上焊球(來(lái)自第二組焊球230)可被耦合到第一組互連254。來(lái)自第二組焊球230的任何其余焊球可被用來(lái)提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的電路徑。

第二封裝基板242包括第三組焊盤(pán)244和第四組焊盤(pán)246。第二封裝基板242可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))，它們未被示出。第二封裝基板242可包括一個(gè)或多個(gè)介電層。第二管芯240通過(guò)第三組焊球248耦合到第二封裝基板242。具體地，第二管芯240通過(guò)第三組焊球248耦合至第三組焊盤(pán)244。

如圖2所示，第一封裝202通過(guò)封裝間連接250耦合至第二封裝204。具體地，第一封裝基板222通過(guò)第二組焊盤(pán)226、封裝間連接250、以及第四組焊盤(pán)246耦合到第二封裝基板242。第二組焊盤(pán)226可位于基板222上或嵌入在第一封裝基板222中。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一管芯220通過(guò)包括第一封裝基板222(例如，第一封裝基板中的互連)、封裝間連接250、以及第二封裝基板242(例如，第二封裝基板中的互連)的電路徑電耦合到第二管芯240。

圖3解說(shuō)了第一集成器件封裝(例如，第一封裝202)的一部分的平面圖。封裝間連接250被定位在包裝層260(圖2中示出)中，使得它至少部分地包圍(例如，橫向包圍)第一封裝202中的第一管芯220。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254是至少部分地包圍第一管芯220的實(shí)心導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括至少部分地包圍第一管芯220的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連256位于第一組互連254與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。例如，第一組互連254可被配置成提供沿至少橫向方向和/或垂直方向的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。例如，第二組互連256可被配置成提供沿至少垂直方向的第二電路徑。信號(hào)的電路徑的示例在圖4和7中進(jìn)一步解說(shuō)和描述。

如圖3所示，第二組互連256是具有圓柱形的通孔。然而，不同實(shí)現(xiàn)可具有來(lái)自具有不同形狀(例如，立方體、正方形、矩形、橢圓)的第二組互連256的互連。圖3解說(shuō)了第二組互連256包括一行通孔和/或一列通孔。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括一行或多行通孔和/或一列或多列通孔。一行互連可包括基本上排成一行的互連。一列互連可包括基本上排成一列的互連。因而，互連不需要完美地對(duì)齊才能被認(rèn)為是一行互連或一列互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256具有約100微米(μm)/70微米(μm)或更小的l/s值，其中l(wèi)表示寬度(例如，線寬、跡線寬度、通孔寬度)，且s表示間隔。在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第二組互連256的一個(gè)或多個(gè)互連的寬度或直徑是約100微米(μm)或更小，并且來(lái)自第二組互連的相鄰互連之間的間隔是約70微米(μm)或更小。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256與第一組互連254之間的間隔小于來(lái)自第二組互連256的互連之間的間隔。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254可具有約70微米(μm)或更小的寬度。包裝層中的其他互連也可具有約70微米(μm)或更小的寬度。

如圖3中所示，第一組互連254和第二組互連256至少沿管芯220的第一側(cè)的大部分(例如，第一管芯220的長(zhǎng)度的百分之八十)來(lái)定位。例如，第一組互連254和第二組互連256被定位在管芯220周?chē)?例如，管芯220的第一側(cè)、第二側(cè)、第三側(cè)、以及第四側(cè)周?chē)?。圖3解說(shuō)了第一組互連254(它可包括一個(gè)或多個(gè)互連)基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連，且反之亦然。例如，第一組互連254基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連的相鄰行或相鄰列在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254和/或第二組互連256可平行于或垂直于管芯220的側(cè)面。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254是包括若干互連的分立互連。分立互連的長(zhǎng)度可以是限定該分立互連的所有互連的累積長(zhǎng)度。在一些實(shí)現(xiàn)中，分立互連的長(zhǎng)度可包括限定該分立互連的各互連之間的任何空間。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接250被配置成封裝間同軸連接(例如，封裝間分立同軸連接)，其中第一組互連254被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑，且第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，同軸連接提供具有高質(zhì)量信號(hào)的高性能連接。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256可被配置成提供用于若干不同相應(yīng)信號(hào)(例如，第二信號(hào)、第三信號(hào)、第四信號(hào))的若干電路徑(例如，第二電路徑、第三電路徑、第四電路徑)。不同相應(yīng)信號(hào)可以是功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)。同軸連接的電屬性在下文在至少圖5中進(jìn)一步描述。

圖4解說(shuō)了第一封裝202的一部分的傾斜視圖。如圖4所示，第一組互連254是至少部分地包圍(例如，橫向地包圍)第一管芯220的實(shí)心導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。第二組互連256包括至少部分地包圍第一管芯220的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連256位于第一組互連254與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。如圖4所示，第二組互連256是具有圓柱形的通孔。然而，不同實(shí)現(xiàn)可具有來(lái)自具有不同形狀(例如，立方體、正方形、矩形、橢圓)的第二組互連256的互連。注意，為清楚起見(jiàn)，圖4沒(méi)有解說(shuō)可存在于各互連和/或管芯220之間的介電層和/或包裝層。

圖4還解說(shuō)了可穿越封裝間連接的各互連的示例性信號(hào)流。注意，圖4中示出的信號(hào)流僅僅是示例，并且不同實(shí)現(xiàn)可被配置有不同地穿越各互連的信號(hào)(例如，反極性)。

圖4解說(shuō)了從焊盤(pán)410穿越通過(guò)互連254以及通過(guò)焊盤(pán)412的參考接地信號(hào)400。焊盤(pán)410可以是第二封裝(例如，封裝204)的基板中的焊盤(pán)。焊盤(pán)412可以是第一封裝(例如，第一封裝202)的基板中的焊盤(pán)。焊盤(pán)412在橫向上偏離焊盤(pán)410。在這一示例中，參考接地信號(hào)400從焊盤(pán)410垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到互連254。參考接地信號(hào)400隨后在橫向上行進(jìn)(例如，沿橫向方向行進(jìn))通過(guò)互連254。參考接地信號(hào)400進(jìn)一步垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到焊盤(pán)412。注意，互連254可被耦合到兩個(gè)以上焊盤(pán)。參考接地信號(hào)400可從一個(gè)以上焊盤(pán)穿入互連254，并可從一個(gè)以上焊盤(pán)穿出互連254。另外，參考接地信號(hào)400的方向可以反轉(zhuǎn)。

圖4進(jìn)一步解說(shuō)了穿越通過(guò)第二組互連256的若干信號(hào)(例如，第一信號(hào)402、第二信號(hào)404以及第三信號(hào)406)。來(lái)自第二組互連256的每一互連耦合到相應(yīng)第一焊盤(pán)(例如，頂部焊盤(pán))和相應(yīng)第二焊盤(pán)(例如，底部焊盤(pán))。為清楚起見(jiàn)，第二組互連256的相應(yīng)焊盤(pán)未被示出。圖4解說(shuō)了信號(hào)(例如，第一信號(hào)402、第二信號(hào)404以及第三信號(hào)406)垂直地穿過(guò)(例如，沿垂直方向行進(jìn))來(lái)自該組互連的各互連。不同信號(hào)可向上或向下行進(jìn)。各信號(hào)可包括至少功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)之一。

圖4解說(shuō)了第一組互連254(它可包括一個(gè)或多個(gè)互連)基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連，且反之亦然。例如，第一組互連254基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連的相鄰行或相鄰列

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254是包括若干互連的分立互連。分立互連的長(zhǎng)度可以是限定該分立互連的所有互連的累積長(zhǎng)度。在一些實(shí)現(xiàn)中，分立互連的長(zhǎng)度可包括限定該分立互連的各互連之間的任何空間。

在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第一組互連254的互連或分立互連的長(zhǎng)度是該互連或分立互連的寬度的至少約兩倍長(zhǎng)。互連的長(zhǎng)度可以沿y方向或沿x方向。

圖5概念性地解說(shuō)了提供高性能信號(hào)連接的同軸連接的電屬性。圖5中描述的電屬性可被應(yīng)用于本公開(kāi)中描述的封裝間連接(例如，封裝間連接250、600、800、900、1000、1150、1250)中的任一者。圖5解說(shuō)了封裝間連接500的各部分。封裝間連接500包括第一互連502(例如，通孔)、第二互連504(例如，第一通孔)以及第三互連506(例如，第二通孔)?？扇芜x地，封裝間連接500可包括第四互連508(例如，通孔)。第一互連502被配置成提供用于接地參考信號(hào)的電路徑。第二互連504被配置成提供用于第二信號(hào)(例如，功率信號(hào)、輸入/輸出信號(hào))的第二電路徑。第三互連506被配置成提供用于第三信號(hào)(例如，功率信號(hào)、輸入/輸出信號(hào))的第三電路徑。第二信號(hào)可與第三信號(hào)不同或相同。

如圖5所示，第一互連502在第二互連504和第三互連506附近的存在幫助改進(jìn)第二互連504與第三互連506之間的隔離和插入損失。如圖所示，各導(dǎo)體之間的電場(chǎng)和磁場(chǎng)被緊緊耦合和約束，從而造成第二和第三互連504和506中的經(jīng)改進(jìn)信號(hào)遞送特性。如圖5所示，穿越通過(guò)第二互連504的第二信號(hào)沒(méi)有干擾(或最小地干擾)穿越第三互連506的第三信號(hào)。類(lèi)似地，穿越第三互連506的第三信號(hào)沒(méi)有干擾(或最小地干擾)穿越第二互連504的第二信號(hào)。因?yàn)榈诙盘?hào)和第三信號(hào)沒(méi)有干擾另一者或與另一者混合，所以每一相應(yīng)信號(hào)(例如，第二信號(hào)、第三信號(hào))的完整性和質(zhì)量被保留，從而在集成器件中得到經(jīng)改進(jìn)信號(hào)性能。在不存在第一互連502的情況下，穿越第二互連504和第三互連506的相應(yīng)信號(hào)將顯著彼此干擾，從而導(dǎo)致第二互連504和第三互連506中的低質(zhì)量信號(hào)。因而，第一互連幫助隔離(例如，幫助至少部分地隔離)在第二互連504中穿行的第二信號(hào)與在第三互連506中穿行的第三信號(hào)，且反之亦然。

在一些實(shí)現(xiàn)中，為達(dá)到上述信號(hào)隔離，第二互連504和第三互連506必須足夠接近第一互連502。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一互連502與第二互連504之間的第一間隔小于第二互連504與第三互連506之間的第二間隔。類(lèi)似地，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一互連502與第三互連506之間的第三間隔小于第二互連504與第三互連506之間的所述第二間隔。因而，在一些實(shí)現(xiàn)中，相比接近第三互連506，第二互連504可能必須更接近第一互連502，以得到上述所需信號(hào)隔離。類(lèi)似地，相比接近第二互連504，第三互連506可能必須更接近第一互連502，以得到上述所需信號(hào)隔離。各種互連間隔的示例在上文在圖3中描述。

為進(jìn)一步改進(jìn)第二互連504和第三互連506中信號(hào)的信號(hào)隔離，可任選第四互連508可被定位在第二互連504和第三互連506附近。第四互連508可被定位成使得第二互連504和第三互連506位于第四互連508與第一互連502之間。第四互連508被配置成提供用于第四信號(hào)的第四電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第四信號(hào)是類(lèi)似于或等同于穿越第一互連502的第一信號(hào)的參考接地信號(hào)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第四互連508可以提供與第一互連502相同或相似的功能性。第四互連508可以是包括若干互連的分立互連。

在一些實(shí)現(xiàn)中，相比接近第三互連506，第二互連504可能必須更接近第四互連508，以得到上述所需信號(hào)隔離。類(lèi)似地，相比接近第二互連504，第三互連506可能必須更接近第四互連508，以得到上述所需信號(hào)隔離。

圖5示出了即使第二互連504沒(méi)有直接接觸第一互連502，在信號(hào)(例如，第二信號(hào))穿越第二互連504時(shí)，第二互連504與第一互連502之間也存在至少部分電耦合(如箭頭所指示的)。類(lèi)似地，即使第三互連506沒(méi)有直接接觸第一互連502，在信號(hào)(例如，第三信號(hào))穿越第三互連506時(shí)，第三互連506與第一互連502之間也存在至少部分電耦合(如箭頭所指示的)。因而，在一些實(shí)現(xiàn)中，即使第二互連504沒(méi)有與第一互連502直接接觸，在信號(hào)(例如，第二信號(hào))穿越第二互連504時(shí)，第二互連504也至少部分地電耦合到第一互連502(例如，通過(guò)電場(chǎng))。類(lèi)似地，在一些實(shí)現(xiàn)中，即使第三互連506沒(méi)有與第一互連502直接接觸，在信號(hào)(例如，第三信號(hào))穿越第三互連506時(shí)，第三互連506也至少部分地電耦合到第一互連502(例如，通過(guò)電場(chǎng))。在其中存在配置成提供用于第四信號(hào)(例如，接地參考信號(hào))的電路徑的第四互連508的情形中，其中第四互連508被配置成像第一互連502一樣操作，相同的原理將適用于第四互連508(例如，在信號(hào)(例如，第二信號(hào))穿越第二互連504或第三互連506時(shí)至少部分電耦合，即使沒(méi)有與第二互連504或第三互連506的直接接觸)。

圖5解說(shuō)了第一互連502是單個(gè)毗連互連段。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一互連502可以是由若干互連段限定的分立互連。分立互連可例如包括一起執(zhí)行與圖5中所示的毗連第一互連502相同的功能性的第一分立互連和第二分立互連。第一分立互連和第二分立互連兩者可被配置成提供用于第一信號(hào)(例如，相同的第一信號(hào)，相同的參考接地信號(hào))的電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，配置成提供用于參考接地信號(hào)的電路徑的單個(gè)毗連互連段(例如，互連502、508)可與配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的一個(gè)或多個(gè)電路徑的一個(gè)或多個(gè)互連至少部分地電耦合。在圖5中，互連502與兩個(gè)互連(例如，互連504、406)至少部分地電耦合。在圖4中，互連254與來(lái)自一組互連256的8個(gè)互連至少部分地電耦合(例如，通過(guò)電場(chǎng))。

圖5解說(shuō)了耦合到第一焊盤(pán)520和第二焊盤(pán)522的第一互連502。第一焊盤(pán)520可以是第二封裝(例如，封裝204)的基板中的焊盤(pán)。第二焊盤(pán)522可以是第一封裝(例如，封裝202)的基板中的焊盤(pán)。第二焊盤(pán)522在橫向上偏離第一焊盤(pán)520。在一些實(shí)現(xiàn)中，參考接地信號(hào)可以從第一焊盤(pán)520穿越通過(guò)第一互連502以及通過(guò)第二焊盤(pán)522。在這一示例中，參考接地信號(hào)可從第一焊盤(pán)520垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到第一互連502。參考接地信號(hào)隨后在橫向上行進(jìn)(例如，沿橫向方向行進(jìn))通過(guò)第一互連502。參考接地信號(hào)進(jìn)一步垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到第二焊盤(pán)522。注意，第一互連502可被耦合到兩個(gè)以上焊盤(pán)。

圖5解說(shuō)了耦合到可任選第一焊盤(pán)530和可任選第二焊盤(pán)532的可任選第四互連508。第一焊盤(pán)530可以是第二封裝(例如，封裝204)的基板中的焊盤(pán)。第二焊盤(pán)532可以是第一封裝(例如，封裝202)的基板中的焊盤(pán)。第二焊盤(pán)532在橫向上偏離第一焊盤(pán)530。在一些實(shí)現(xiàn)中，參考接地信號(hào)可以從第一焊盤(pán)530穿越通過(guò)第四互連508以及通過(guò)第二焊盤(pán)532。在這一示例中，參考接地信號(hào)可從第一焊盤(pán)520垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到第四互連508。參考接地信號(hào)隨后在橫向上行進(jìn)(例如，沿橫向方向行進(jìn))通過(guò)第四互連508。參考接地信號(hào)進(jìn)一步垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到第二焊盤(pán)532。注意，第四互連508可被耦合到兩個(gè)以上焊盤(pán)。

圖6解說(shuō)了包括封裝間連接600的第一集成器件封裝的一部分的平面圖。封裝間連接600包括第一組互連254、第二組互連256、和第三組互連602。第一組互連254可包括一個(gè)或多個(gè)第一互連。第二組互連256可包括一個(gè)或多個(gè)第二互連。第三組互連602可包括一個(gè)或多個(gè)第三互連。封裝間連接600被定位在包裝層(例如，舉例而言圖2中示出的包裝層260)中，使得它至少部分地包圍(例如，橫向包圍)第一封裝中的第一管芯220。第一組互連254、第二組互連256以及第三組互連602可垂直穿越包裝層260。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254是至少部分地包圍第一管芯220的實(shí)心導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括至少部分地包圍第一管芯220的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連256位于第一組互連254與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三組互連602是至少部分地包圍第一管芯220的實(shí)心導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。第三組互連602位于第二組互連256與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接600是電耦合裝置(例如，封裝間連接裝置)電耦合裝置可包括介電層。電耦合裝置可至少部分地包圍管芯220。電耦合裝置可以是封裝間同軸連接裝置。電耦合裝置可包括電橫向耦合裝置和電垂直耦合裝置。在一些實(shí)現(xiàn)中，電垂直耦合裝置被配置成向信號(hào)提供沿垂直方向的電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，電橫向耦合裝置被配置成向信號(hào)提供沿橫向方向的電路徑。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254和第三組互連602被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。如圖6所示，第二組互連256是具有圓柱形的通孔。然而，不同實(shí)現(xiàn)可具有來(lái)自具有不同形狀(例如，立方體、正方形、矩形、橢圓)的第二組互連256的互連。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接600被配置成使得第一組互連254、第二組互連256以及第三組互連602一起用作至少封裝間同軸連接。在這一配置中，第一組互連254和第三組互連602被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑，且第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。封裝間同軸連接被配置成使得第一組互連254和第三組互連602是外部互連，而第二組互連256是封裝間同軸連接的內(nèi)部互連。第一組互連254和第三組互連602可以是毗連互連。第一組互連254和第三組互連602(例如，外部互連)包圍第二組互連256(例如，內(nèi)部互連)。第一組互連254和第三組互連602可幫助將第二組互連256與由第一組互連254和第三組互連602所限定的周界外部的電場(chǎng)或磁場(chǎng)隔離開(kāi)。在一些實(shí)現(xiàn)中，同軸連接通過(guò)向來(lái)自第二組互連256的一個(gè)或多個(gè)互連提供更好信號(hào)隔離來(lái)提供具有高質(zhì)量信號(hào)的高性能連接，如圖5中描述的。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254和第三組互連602的組合提供了封裝間同軸連接，其中第一組互連254和第三組互連602完全包圍來(lái)自第二組互連256的若干互連(一些或全部)。圖6解說(shuō)了第二組互連256包括一行通孔和/或一列通孔。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括一行或多行通孔和/或一列或多列通孔。

如圖6中所示，第一組互連254、第二組互連256以及第三組互連602至少沿管芯220的第一側(cè)的大部分(例如，第一管芯220的長(zhǎng)度的百分之八十)來(lái)定位。例如，第一組互連254、第二組互連256以及第三組互連602被定位在管芯220周?chē)?例如，管芯220的第一側(cè)、第二側(cè)、第三側(cè)、第四側(cè)周?chē)?。圖6解說(shuō)了第一組互連254(它可包括一個(gè)或多個(gè)互連)基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連，且反之亦然。類(lèi)似地，第三組互連602(它可包括一個(gè)或多個(gè)互連)基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連，且反之亦然。例如，第一組互連254和/或第三組互連602基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連的相鄰行和/或相鄰列。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254、第二組互連256和/或第三組互連602可平行于或垂直于管芯220的側(cè)面。

圖8-10解說(shuō)了先前討論的分立互連的示例。分立互連的長(zhǎng)度可以是限定該分立互連的所有互連的累計(jì)長(zhǎng)度。在一些實(shí)現(xiàn)中，分立互連的長(zhǎng)度可包括限定該分立互連的各互連之間的任何空間。

在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第一組互連254的互連或分立互連的長(zhǎng)度是該互連或分立互連的寬度的至少約兩倍長(zhǎng)。類(lèi)似地，在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第三組互連602的互連或分立互連的長(zhǎng)度是該互連或分立互連的寬度的至少約兩倍長(zhǎng)。

圖7解說(shuō)了包括封裝間連接(例如，封裝間同軸連接)的封裝的一部分的傾斜視圖。如圖7所示，第三組互連602被定位在第一管芯220附近。第二組互連256被定位在第三組互連附近，且第一組互連254被定位在第二組互連256附近。注意，為清楚起見(jiàn)，圖7沒(méi)有解說(shuō)可存在于互連和/或管芯220之間的介電層和/或包裝層。

圖7還解說(shuō)了可穿越封裝間連接的各互連的示例性信號(hào)流。注意，圖7中示出的信號(hào)流僅僅是示例，并且不同實(shí)現(xiàn)可被配置有不同地穿越各互連的信號(hào)(例如，反向極性)。

圖7解說(shuō)了從焊盤(pán)410穿越通過(guò)互連254以及通過(guò)焊盤(pán)412的參考接地信號(hào)400。焊盤(pán)410可以是第二封裝(例如，封裝204)的基板中的焊盤(pán)。焊盤(pán)412可以是第一封裝(例如，封裝202)的基板中的焊盤(pán)。焊盤(pán)412在橫向上偏離焊盤(pán)410。在這一示例中，參考接地信號(hào)400從焊盤(pán)410垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到互連254。參考接地信號(hào)400隨后在橫向上行進(jìn)(例如，沿橫向方向行進(jìn))通過(guò)互連254。參考接地信號(hào)400進(jìn)一步垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到焊盤(pán)412。注意，互連254可被耦合到兩個(gè)以上焊盤(pán)。參考接地信號(hào)400可從一個(gè)以上焊盤(pán)穿入互連254，并可從一個(gè)以上焊盤(pán)穿出互連254。另外，參考接地信號(hào)400的方向可以反轉(zhuǎn)。

圖7解說(shuō)了從焊盤(pán)710穿越通過(guò)互連602以及通過(guò)焊盤(pán)712的參考接地信號(hào)700。焊盤(pán)710可以是第二封裝基板(例如，封裝基板204)的基板中的焊盤(pán)。焊盤(pán)712可以是第一封裝(例如，封裝202)的基板中的焊盤(pán)。焊盤(pán)712在橫向上偏離焊盤(pán)710。在這一示例中，參考接地信號(hào)700從焊盤(pán)710垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到互連602。參考接地信號(hào)700隨后在橫向上行進(jìn)(例如，沿橫向方向行進(jìn))通過(guò)互連602。參考接地信號(hào)700進(jìn)一步垂直地行進(jìn)(例如，沿垂直方向行進(jìn))到焊盤(pán)712。注意，互連602可被耦合到兩個(gè)以上焊盤(pán)。參考接地信號(hào)700可從一個(gè)以上焊盤(pán)穿入互連602，并可從一個(gè)以上焊盤(pán)穿出互連602。另外，參考接地信號(hào)700的方向可以反轉(zhuǎn)。在一些實(shí)現(xiàn)中，參考接地信號(hào)700與參考接地信號(hào)400相同。

圖7進(jìn)一步解說(shuō)了穿越通過(guò)第二組互連256的若干信號(hào)(例如，第一信號(hào)402、第二信號(hào)404以及第三信號(hào)406)。來(lái)自第二組互連256的每一互連耦合到相應(yīng)第一焊盤(pán)(例如，頂部焊盤(pán))和相應(yīng)第二焊盤(pán)(例如，底部焊盤(pán))。為清楚起見(jiàn)，第二組互連256的相應(yīng)焊盤(pán)未被示出。圖4解說(shuō)了信號(hào)(例如，第一信號(hào)402、第二信號(hào)404以及第三信號(hào)406)垂直地穿越(例如，沿垂直方向行進(jìn))來(lái)自該組互連的各互連。不同信號(hào)可向上或向下行進(jìn)。各信號(hào)可包括至少功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)之一。

如圖7中所示，第一組互連254、第二組互連256以及第三組互連602至少沿管芯220的第一側(cè)的大部分(例如，第一管芯220的長(zhǎng)度的百分之八十)來(lái)定位。圖7解說(shuō)了第一組互連254(它可包括一個(gè)或多個(gè)互連)基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連，且反之亦然。類(lèi)似地，第三組互連602(它可包括一個(gè)或多個(gè)互連)基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連，且反之亦然。例如，第一組互連254的第一表面和/或第三組互連602的第一表面基本上平行于來(lái)自第二組互連256的互連的相鄰行和/或相鄰列。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254是包括若干互連的分立互連。類(lèi)似地，第三組互連602可以是包括若干互連的分立互連。分立互連的長(zhǎng)度可以是限定該分立互連的所有互連的累積長(zhǎng)度。在一些實(shí)現(xiàn)中，分立互連的長(zhǎng)度可包括限定該分立互連的各互連之間的任何空間。

在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第一組互連254的互連或分立互連的長(zhǎng)度是該互連或分立互連的寬度的至少約兩倍長(zhǎng)。類(lèi)似地，在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第三組互連602的互連或分立互連的長(zhǎng)度是該互連或分立互連的寬度的至少約兩倍長(zhǎng)。

示例性封裝間連接

不同實(shí)現(xiàn)可以提供封裝間連接的不同構(gòu)造。圖8-10解說(shuō)了可在本公開(kāi)中描述的集成器件封裝的任一者中實(shí)現(xiàn)的不同封裝間連接(例如封裝間同軸連接)的其他示例。

圖8解說(shuō)了包括封裝間連接800的第一集成器件封裝的一部分的平面圖。封裝間連接包括第一組互連254、第二組互連256、和第三組互連802。第一組互連254可包括一個(gè)或多個(gè)第一互連。第二組互連256可包括一個(gè)或多個(gè)第二互連。第三組互連802可包括一個(gè)或多個(gè)第三互連。如圖8所示，封裝間連接800被定位在包裝層(例如，包裝層260)中，使得它至少部分地包圍(例如，橫向包圍)第一封裝中的第一管芯220。第一組互連254、第二組互連256以及第三組互連802可垂直穿越包裝層260。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254是至少部分地包圍第一管芯220的實(shí)心導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括至少部分地包圍第一管芯220的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連256位于第一組互連254與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三組互連802包括至少部分地包圍第一管芯220的若干導(dǎo)電材料段(例如，諸金屬板)。各導(dǎo)電材料段可以是均勻或非均勻的。類(lèi)似地，各導(dǎo)電材料段可以是均勻地隔開(kāi)或非均勻地隔開(kāi)的。第三組互連802位于第二組互連256與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接800是封裝間連接裝置(例如，電耦合裝置)。電耦合裝置可包括介電層。電耦合裝置可至少部分地包圍管芯220。電耦合裝置可以是封裝間同軸連接裝置。電耦合裝置可包括電橫向耦合裝置和電垂直耦合裝置。在一些實(shí)現(xiàn)中，電垂直耦合裝置被配置成向信號(hào)提供沿垂直方向的電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，電橫向耦合裝置被配置成向信號(hào)提供沿橫向方向的電路徑。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254和第三組互連802被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接800被配置成使得第一組互連254、第二組互連256以及第三組互連802一起用作至少封裝間同軸連接(例如，封裝間分立同軸連接)。在這一配置中，第一組互連254和第三組互連802被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑，且第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。封裝間同軸連接被配置成使得第一組互連254和第三組互連802是外部互連，而第二組互連256是封裝間同軸連接的內(nèi)部互連。第一組互連254可以是毗連互連且第三組互連802可以是包括若干互連的分立互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三組互連802可被配置成用作圖6的第三組互連602或具有與其相同的功能性。第一組互連254和第三組互連802(例如，外部互連)包圍第二組互連256(例如，內(nèi)部互連)。第一組互連254和第三組互連802可幫助將第二組互連256與由第一組互連254和第三組互連802所限定的周界外部的電場(chǎng)或磁場(chǎng)隔離開(kāi)。在一些實(shí)現(xiàn)中，同軸連接通過(guò)向來(lái)自第二組互連256的一個(gè)或多個(gè)互連提供更好信號(hào)隔離來(lái)提供具有高質(zhì)量信號(hào)的高性能連接，如圖5中描述的。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連254和第三組互連802的組合提供了封裝間多互連同軸連接，其中第一組互連254和第三組互連802包圍來(lái)自第二組互連256的若干互連(一些或全部)。圖8解說(shuō)了第二組互連256包括一行通孔和/或一列通孔。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括一行或多行通孔和/或一列或多列通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第三組互連802的各單個(gè)毗連互連段中的一者或多者可按圖5和/或7中針對(duì)互連254和/或互連602描述的方式耦合到來(lái)自基板的焊盤(pán)。

圖9解說(shuō)了包括封裝間連接900的第一集成器件封裝的一部分的平面圖。封裝間連接900包括第一組互連901、第二組互連256、和第三組互連902。第一組互連254可包括一個(gè)或多個(gè)第一互連。第二組互連256可包括一個(gè)或多個(gè)第二互連。第三組互連902可包括一個(gè)或多個(gè)第三互連。如圖9所示，封裝間連接900被定位在包裝層(例如，包裝層260)中，使得它至少部分地包圍(例如，完全橫向包圍)第一封裝中的第一管芯220。第一組互連901、第二組互連256以及第三組互連902可垂直穿越包裝層260。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連901是至少部分地包圍第一管芯220的包括若干導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)的分立互連。各導(dǎo)電材料段可以是均勻或非均勻的。類(lèi)似地，各導(dǎo)電材料段可以是均勻地隔開(kāi)或非均勻地隔開(kāi)的。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括至少部分地包圍第一管芯220的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連256位于第一組互連901與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三組互連902是至少部分地包圍第一管芯220的實(shí)心導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。第三組互連902位于第二組互連256與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接900是電耦合裝置(例如，封裝間連接裝置)電耦合裝置可包括介電層。電耦合裝置可至少部分地包圍管芯220。電耦合裝置可以是封裝間同軸連接裝置。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連901和第三組互連902被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接900被配置成使得第一組互連901、第二組互連256以及第三組互連902一起用作至少封裝間同軸連接(例如，封裝間分立同軸連接)。在這一配置中，第一組互連901和第三組互連902被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑，且第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。封裝間同軸連接被配置成使得第一組互連901和第三組互連902是外部互連，而第二組互連256是封裝間同軸連接的內(nèi)部互連。第一組互連901可以是包括若干互連的分立互連且第三組互連902可以是包括毗連互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連901可被配置成用作圖8的第一組互連254或具有與其相同的功能性。第一組互連901和第三組互連902(例如，外部互連)包圍第二組互連256(例如，內(nèi)部互連)。第一組互連901和第三組互連902可幫助將第二組互連256與由第一組互連901和第三組互連902所限定的周界外部的電場(chǎng)或磁場(chǎng)隔離開(kāi)。在一些實(shí)現(xiàn)中，同軸連接通過(guò)向來(lái)自第二組互連256的一個(gè)或多個(gè)互連提供更好信號(hào)隔離來(lái)提供具有高質(zhì)量信號(hào)的高性能連接，如圖5中描述的。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連901和第三組互連902的組合提供了封裝間多互連同軸連接，其中第一組互連254和第三組互連902完全包圍來(lái)自第二組互連256的若干互連(一些或全部)。圖9解說(shuō)了第二組互連256包括一行通孔和/或一列通孔。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括一行或多行通孔和/或一列或多列通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第三組互連901的各單個(gè)毗連互連段中的一者或多者可按圖5和/或7中針對(duì)互連254和/或互連602描述的方式耦合到來(lái)自基板的焊盤(pán)。

圖10解說(shuō)了包括封裝間連接1000的第一集成器件封裝的一部分的平面圖。封裝間連接包括第一組互連901、第二組互連256、和第三組互連1002。第一組互連901可包括一個(gè)或多個(gè)第一互連。第二組互連256可包括一個(gè)或多個(gè)第二互連。第三組互連1002可包括一個(gè)或多個(gè)第三互連。如圖10所示，封裝間連接1000被定位在包裝層(例如，包裝層260)中，使得它至少部分地包圍(例如，完全橫向包圍)第一封裝中的第一管芯220。第一組互連901、第二組互連256以及第三組互連1002可垂直穿越包裝層260。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連901是至少部分地包圍第一管芯220的包括若干導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)的分立互連。各導(dǎo)電材料段可以是均勻或非均勻的。類(lèi)似地，各導(dǎo)電材料段可以是均勻地隔開(kāi)或非均勻地隔開(kāi)的。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括至少部分地包圍第一管芯220的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連256位于第一組互連901與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三組互連1002是至少部分地包圍第一管芯220的包括若干導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)的分立互連。第三組互連1002位于第二組互連256與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1000是電耦合裝置(例如，封裝間連接裝置)電耦合裝置可包括介電層。電耦合裝置可至少部分地包圍管芯220。電耦合裝置可以是封裝間同軸連接裝置。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連901和第三組互連1002被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1000被配置成使得第一組互連901、第二組互連256以及第三組互連1002一起用作至少封裝間同軸連接(例如，封裝間分立同軸連接)。在這一配置中，第一組互連901和第三組互連1002被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑，且第二組互連256被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。封裝間同軸連接1000被配置成使得第一組互連901和第三組互連1002是外部互連，而第二組互連256是封裝間同軸連接1000的內(nèi)部互連。第一組互連901可以是包括若干互連的分立互連且第三組互連902可以是包括包括若干互連的分立互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連901可被配置成用作圖8的第一組互連254或具有與其相同的功能性。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三組互連1002可被配置成用作圖6的第一組互連602或具有與其相同的功能性。第一組互連901和第三組互連1002(例如，外部互連)包圍第二組互連256(例如，內(nèi)部互連)。第一組互連901和第三組互連1002可幫助將第二組互連256與由第一組互連901和第三組互連1002所限定的周界外部的電場(chǎng)或磁場(chǎng)隔離開(kāi)。在一些實(shí)現(xiàn)中，同軸連接通過(guò)向來(lái)自第二組互連256的一個(gè)或多個(gè)互連提供更好信號(hào)隔離來(lái)提供具有高質(zhì)量信號(hào)的高性能連接，如圖5中描述的。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連901和第三組互連1002的組合提供了封裝間多互連同軸連接，其中第一組互連901和第三組互連1002完全包圍來(lái)自第二組互連256的若干互連(一些或全部)。圖10解說(shuō)了第二組互連256包括一行通孔和/或一列通孔。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連256包括一行或多行通孔和/或一列或多列通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第三組互連901的各單個(gè)毗連互連段中的一者或多者可按圖5和/或7中針對(duì)互連254和/或互連602描述的方式耦合到來(lái)自基板的焊盤(pán)。類(lèi)似地，在一些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自第三組互連1002的各單個(gè)毗連互連段中的一者或多者可按圖5和/或7中針對(duì)互連254和/或互連602描述的方式耦合到來(lái)自基板的焊盤(pán)。

包括高性能封裝間連接的示例性層疊封裝(pop)器件

圖11解說(shuō)了包括高性能封裝間連接的層疊封裝(pop)器件1100。pop器件1100包括第一封裝202(例如，第一集成器件封裝)和第二封裝1104(例如，第二集成器件封裝)。第一封裝202包括第一管芯220、第一封裝基板222、封裝間連接1150以及包裝層260。第二封裝204包括第二管芯240和第二封裝基板242，如以上在圖2中描述的。

第一封裝基板222包括第一組焊盤(pán)224和第二組焊盤(pán)226。第一封裝基板222可包括一個(gè)或多個(gè)介電層。第一封裝基板222可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))，它們未被示出。第一管芯220通過(guò)第一組焊球228耦合到第一封裝基板222。具體地，第一管芯220通過(guò)第一組焊球228耦合至第一組焊盤(pán)224。底部填料229包圍第一組焊球228。第二組焊球230耦合至第一封裝基板222。

包裝層260包裝第一管芯220。封裝間連接1150至少部分地嵌入在包裝層260中。封裝間連接1150包括介電層1152、第一組互連1154、第二組互連1156、和第三組互連1158。封裝間連接1150垂直穿越包裝層260。第一組互連1154可包括一個(gè)或多個(gè)第一互連。第二組互連1156可包括一個(gè)或多個(gè)第二互連。第三組互連1158可包括一個(gè)或多個(gè)第三互連。介電層1152可包括至少硅材料和/或玻璃材料之一。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1150可以是本公開(kāi)中描述的封裝間連接(包括封裝間連接800、900和/或1000)中的任一者。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1150至少部分地包圍(例如，在橫向上完全包圍)第一管芯220。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連1154包括至少部分地包圍第一管芯220的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連1156包括至少部分地包圍第一管芯220的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連1156位于第一組互連1154與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三組互連1158包括至少部分地包圍第一管芯220的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料段(例如，各金屬板)。第三組互連1158位于第二組互連256與第一管芯220之間。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連1154和第三組互連1158被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連1156被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1150被配置為至少封裝間同軸連接(例如，封裝間分立同軸連接)，其中第一組互連1154和第三組互連1158被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑，且第二組互連1156被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，同軸連接提供具有高質(zhì)量信號(hào)的高性能連接。

如圖11所示，第一封裝1102通過(guò)封裝間連接1150耦合至第二封裝204。具體地，第一封裝基板222通過(guò)第二組焊盤(pán)226、封裝間連接1150、以及第四組焊盤(pán)246耦合到第二封裝基板242。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一管芯220通過(guò)包括第一封裝基板222(例如，第一封裝基板中的互連)、封裝間連接1150、以及第二封裝基板242(例如，第二封裝基板中的互連)的電路徑電耦合到第二管芯240。

圖12解說(shuō)了包括高性能封裝間連接的層疊封裝(pop)器件1200。pop器件1200包括第一封裝202(例如，第一集成器件封裝)和第二封裝1204(例如，第二集成器件封裝)。第一封裝202包括第一管芯220、第一封裝基板222、封裝間連接1250以及包裝層260。第二封裝204包括第二管芯240和第二封裝基板242，如以上在圖2中描述的。圖12類(lèi)似于圖11，不同之處在于封裝間連接1250不包括介電層(例如，介電層1152)。

第一封裝基板222包括第一組焊盤(pán)224和第二組焊盤(pán)226。第一封裝基板222可包括一個(gè)或多個(gè)介電層。第一封裝基板222可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))，它們未被示出。第一管芯220通過(guò)第一組焊球228耦合到第一封裝基板222。具體地，第一管芯220通過(guò)第一組焊球228耦合至第一組焊盤(pán)224。底部填料229包圍第一組焊球228。第二組焊球230耦合至第一封裝基板222。

包裝層260包裝第一管芯220。封裝間連接1250至少部分地嵌入在包裝層260中。封裝間連接包括第一組互連1254、第二組互連1256、和第三組互連1258。封裝間連接1250垂直穿越包裝層260。第一組互連1254可包括一個(gè)或多個(gè)第一互連。第二組互連1256可包括一個(gè)或多個(gè)第二互連。第三組互連1258可包括一個(gè)或多個(gè)第三互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1250可以是本公開(kāi)中描述的封裝間連接(包括封裝間連接800、900和/或1000)中的任一者。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1250至少部分地包圍(例如，在橫向上包圍)第一管芯220。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連1254包括至少部分地包圍第一管芯220的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連1256包括至少部分地包圍第一管芯220的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連1256位于第一組互連1254與第一管芯220之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三組互連1258包括至少部分地包圍第一管芯220的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料段(例如，各金屬板)。第三組互連1258位于第二組互連256與第一管芯220之間。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連1254和第三組互連1258被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連1256被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1250被配置為至少封裝間同軸連接(例如，封裝間分立同軸連接)，其中第一組互連1254和第三組互連1258被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑，且第二組互連1256被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，同軸連接提供具有高質(zhì)量信號(hào)的高性能連接。

如圖12所示，第一封裝1202通過(guò)封裝間連接1250耦合至第二封裝204。具體地，第一封裝基板222通過(guò)第二組焊盤(pán)226、封裝間連接1250、以及第四組焊盤(pán)246耦合到第二封裝基板242。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一管芯220通過(guò)包括第一封裝基板222(例如，第一封裝基板中的互連)、封裝間連接1250、以及第二封裝基板242(例如，第二封裝基板中的互連)的電路徑電耦合到第二管芯240。

用于提供/制造封裝間連接的示例性序列

在一些實(shí)現(xiàn)中，提供/制造封裝間連接(例如，封裝間同軸連接)包括若干工藝。圖13解說(shuō)了用于提供/制造封裝間連接的示例性序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖13的序列可被用來(lái)提供/制造圖2-4、6-12的封裝間連接和/或本公開(kāi)中描述的其他封裝間連接。

應(yīng)當(dāng)注意，圖13的序列可以組合一個(gè)或多個(gè)階段以簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供/制造封裝間連接的序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

階段l解說(shuō)了提供包括第一金屬層1304和第二金屬層1306的基板1302之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板1302是由供應(yīng)商提供的。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板1302被制造(例如，形成)。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板1302是至少硅基板和/或晶片(例如，硅晶片)中的一者。第一和第二金屬層1304和1306可以是晶種層。

階段2解說(shuō)了在第一金屬層1304上提供(例如，形成)光致抗蝕層1308之后的狀態(tài)。如階段2中所示，光致抗蝕層1308被形成以使得形成若干腔(例如，腔1309)。

階段3解說(shuō)了在光致抗蝕層1308的腔中形成第三金屬層1310以及在第二金屬層1306上形成第四金屬層1312之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用鍍敷工藝來(lái)形成第三金屬層1310和第四金屬層1312。

階段4解說(shuō)了光致抗蝕層1308被移除(例如，蝕除)從而留下包括基板1302、第一組互連1322以及第二組互連1324的封裝間連接1320之后的狀態(tài)。在移除光致抗蝕層1308時(shí)，第一金屬層1304的在光致抗蝕層1308下的各部分也被移除。第一組互連1322包括第二金屬層1306和第四金屬層1312。第二組互連1324包括第一金屬層1304的各部分和第三金屬層1310的各部分，

圖14解說(shuō)了可使用圖13的序列來(lái)制造的封裝間連接1320的傾斜視圖。如圖14所示，封裝間連接1320(圖13中示出)包括基板1302、第一組互連1322以及第二組互連1324。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1320被配置為至少封裝間同軸連接，其中第一組互連1322被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑，且第二組互連1324被配置成提供用于功率信號(hào)或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

用于提供/制造封裝間連接的方法的示例性流程圖

圖15解說(shuō)了用于提供/制造封裝間連接的方法1500的示例性流程圖。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖15的方法可被用來(lái)提供/制造圖2-4、6-12的封裝間連接和/或其他封裝間連接。

應(yīng)當(dāng)注意，圖15的流程圖可以組合一個(gè)或多個(gè)工藝以簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供封裝間連接的方法。在一些實(shí)現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

該方法提供(在1505)包括第一金屬層和第二金屬層(例如，分別是1304和1306)的基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板是由供應(yīng)商提供的。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板被制造(例如，形成)。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板是至少硅基板和/或晶片(例如，硅晶片)中的一者。第一和第二金屬層可以是晶種層。

該方法提供(在1510)光致抗蝕層。在一些實(shí)現(xiàn)中，光致抗蝕層被形成在第一金屬層和/或第二金屬層上。在一些實(shí)現(xiàn)中，光致抗蝕層被形成以使得若干腔被形成在光致抗蝕層中。

該方法在光致抗蝕層的腔中提供(在1515)第三金屬層(例如，1310)以及在第二金屬層上提供第四金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用鍍敷工藝來(lái)形成第三金屬層和第四金屬層。

該方法移除(在1520)光致抗蝕層。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除光致抗蝕層包括蝕除光致抗蝕層，從而留下包括基板、第一組互連以及第二組互連的封裝間連接。在一些實(shí)現(xiàn)中，在移除光致抗蝕層時(shí)，第一金屬層的在光致抗蝕層下的各部分也被移除。第一組互連包括第二金屬層和第四金屬層。第二組互連包括第一金屬層的各部分和第三金屬層的各部分，

用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的示例性序列

在一些實(shí)現(xiàn)中，提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件包括若干工藝。圖16解說(shuō)了用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的示例性序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖16的序列可被用于提供/制造圖2、圖11-12的pop器件和/或本公開(kāi)(諸如圖8-10)中的其他pop器件。然而，出于簡(jiǎn)化目的，圖16將在提供/制造圖2的pop器件的上下文中描述。

應(yīng)當(dāng)注意，圖16的序列可以組合一個(gè)或多個(gè)階段以便簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供集成器件封裝的序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

階段1解說(shuō)了提供第一封裝基板1600之后的狀態(tài)。第一封裝基板1600包括介電層1602(它可包括若干介電層)、第一組焊盤(pán)1604、第二組焊盤(pán)1606以及第三組焊盤(pán)1608。第一封裝基板1600還可包括一組焊球1609。第一封裝基板1600可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))，它們未被示出。

階段2解說(shuō)了第一管芯1610被耦合到第一封裝基板1600之后的狀態(tài)。第一管芯1610通過(guò)第一組焊球1614耦合到第一封裝基板1600。具體地，第一管芯1610通過(guò)第一組焊球1614耦合至第一組焊盤(pán)1604。底部填料1618包圍第一組焊球1614。

階段3解說(shuō)了至少一個(gè)封裝間連接1620被耦合到第一封裝基板1600之后的狀態(tài)。在至少一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1620可類(lèi)似于封裝間連接250、600、800、900、1000、1150、1250、和/或1320。封裝間連接1620可通過(guò)使用附連糊劑耦合到第一封裝基板1600。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1620耦合到第一封裝基板1600，以使得封裝間連接1620至少部分地包圍第一管芯1610。應(yīng)當(dāng)注意，在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1620可在第一管芯1610耦合到第一封裝基板1600之前耦合到第一封裝基板1600。

封裝間連接1620包括介電層1622、第一組互連1624以及第二組互連1626。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連1624是至少部分地包圍第一管芯1610的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連1256包括至少部分地包圍第一管芯1610的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連1626位于第一組互連1624與第一管芯1610之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連1624被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連1626被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

階段4解說(shuō)了包裝層1630被形成在第一封裝基板1600、第一管芯1610以及封裝間連接1620上之后的狀態(tài)。包裝層1630可以是模塑料、環(huán)氧樹(shù)脂、和/或橡膠填料。在一些實(shí)現(xiàn)中，包裝層1630的各部分可被研磨(例如，以暴露各互連、焊盤(pán))。在一些實(shí)現(xiàn)中，階段4解說(shuō)了包括第一封裝基板1600、第一管芯1610、封裝間連接1620以及包裝層1630的第一封裝1640(例如，第一集成器件封裝)。

階段5解說(shuō)了第二封裝1650(例如，第二集成器件封裝)被耦合到第一封裝1640(例如，第一集成器件封裝)之后的狀態(tài)。第二封裝1650包括第二管芯1660和第二封裝基板1670。第二封裝基板1670包括介電層1672(它可包括若干介電層)、第四組焊盤(pán)1674以及第五組焊盤(pán)1676。第二封裝基板1670可包括若干互連(例如，跡線、焊盤(pán)、通孔)。第二管芯1660通過(guò)第四組焊球1662耦合到第二封裝基板1670。具體地，第二管芯1660通過(guò)第三組焊球1662耦合至第四組焊盤(pán)1674。第五組焊盤(pán)1676耦合到封裝間連接1620。

用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的示例性方法

圖17解說(shuō)了用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的方法1700的示例性流程圖。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖17的方法可被用來(lái)提供/制造圖2、圖10-12的集成器件封裝和/或本公開(kāi)中的其他pop器件。

應(yīng)當(dāng)注意，圖17的流程圖可以組合一個(gè)或多個(gè)步驟和/或工藝以簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供集成器件封裝的方法。在一些實(shí)現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

該方法提供(在1705)第一封裝基板。第一封裝基板包括介電層(它可包括若干介電層)、第一組焊盤(pán)、第二組焊盤(pán)以及第三組焊盤(pán)。第一封裝基板還可包括一組焊球。第一封裝基板可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))，它們未被示出。

該方法將第一管芯耦合到第一封裝基板(在1710)。第一管芯通過(guò)第一組焊球耦合到第一封裝基板。具體地，第一管芯通過(guò)第一組焊球耦合至第一組焊盤(pán)。底部填料被提供并包圍第一管芯與第一封裝基板之間的第一組焊球。

該方法將至少一個(gè)封裝間連接耦合到第一封裝基板(在1715)。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接可類(lèi)似于封裝間連接250、600、800、900、1000、1150、1250、和/或1320。封裝間連接可通過(guò)使用附連糊劑耦合到第一封裝基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接耦合到第一封裝基板，以使得封裝間連接至少部分地包圍第一管芯。應(yīng)當(dāng)注意，在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接可在第一管芯耦合到第一封裝基板之前耦合到第一封裝基板。

封裝間連接包括介電層、第一組互連以及第二組互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連是至少部分地包圍第一管芯的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連包括至少部分地包圍第一管芯的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連位于第一組互連與第一管芯之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

該方法在第一封裝基板、第一管芯以及封裝間連接上形成包裝層(在1720處)。包裝層可以是模塑料、環(huán)氧樹(shù)脂、和/或橡膠填料。在一些實(shí)現(xiàn)中，包裝層的各部分可被研磨(例如，以暴露各互連、焊盤(pán))。第一封裝(例如，第一集成器件封裝)可由第一封裝基板、第一管芯、封裝間連接和/或包裝層來(lái)限定。

該方法將第二封裝(例如，第二集成器件封裝)耦合到第一封裝(在1725)。第二封裝包括第二管芯和第二封裝基板。第二封裝基板包括介電層(它可包括若干介電層)、第四組焊盤(pán)以及第五組焊盤(pán)。第二封裝基板可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))。第二管芯通過(guò)第四組焊球耦合到第二封裝基板。具體地，第二管芯通過(guò)第三組焊球耦合至第四組焊盤(pán)。第五組焊盤(pán)耦合到封裝間連接。

用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的示例性序列

在一些實(shí)現(xiàn)中，提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件包括若干工藝。圖18(包括圖18a-18b)解說(shuō)了用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的示例性序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖18a-18b的序列可被用于提供/制造圖2、圖11-12的pop器件和/或本公開(kāi)(諸如圖6以及8-10)中的其他pop器件。然而，出于簡(jiǎn)化目的，圖18a-18b將在提供/制造圖12的pop器件的實(shí)現(xiàn)的上下文中描述。

應(yīng)當(dāng)注意，圖18的序列可以組合一個(gè)或多個(gè)階段以便簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供集成器件封裝的序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

如圖18a所示的階段1解說(shuō)了提供第一封裝基板1800之后的狀態(tài)。第一封裝基板1800包括介電層1802(它可包括若干介電層)、第一組焊盤(pán)1804、第二組焊盤(pán)1806以及第三組焊盤(pán)1808。第一封裝基板1800還可包括一組焊球1809。第一封裝基板1800可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))，它們未被示出。

階段2解說(shuō)了第一管芯1810被耦合到第一封裝基板1800之后的狀態(tài)。第一管芯1810通過(guò)第一組焊球1814耦合到第一封裝基板1800。具體地，第一管芯1810通過(guò)第一組焊球1814耦合至第一組焊盤(pán)1804。底部填料1818包圍第一組焊球1814。

階段3解說(shuō)了包裝層1830被形成在第一封裝基板1800和第一管芯1810上之后的狀態(tài)。包裝層1830可以是模塑料、環(huán)氧樹(shù)脂、和/或橡膠填料。在一些實(shí)現(xiàn)中，包裝層1830的各部分可被研磨(例如，以暴露各互連、焊盤(pán))。

階段4解說(shuō)了在若干腔(例如，腔1831、腔1833)被形成在包裝層1830中之后的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來(lái)形成腔。例如，激光工藝和/或蝕刻工藝(例如，光刻工藝)可被用來(lái)在包裝層1830中形成腔。

如圖18b中示出的階段5解說(shuō)了至少一個(gè)封裝間連接1820被形成在包裝層1830中之后的狀態(tài)。在至少一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1820可類(lèi)似于封裝間連接250、600、800、900、1000、1150、1250、和/或1320?？赏ㄟ^(guò)在包裝層1830的腔(例如，腔1831、腔1833)中提供一個(gè)或多個(gè)金屬層來(lái)形成封裝間連接1820。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接1820被形成在包裝層1830中，以使得封裝間連接1820至少部分地包圍第一管芯1810。

封裝間連接1820包括介電層1822、第一組互連1824以及第二組互連1826。第一組互連1824被形成在腔1831中，并且第二組互連1826被形成在腔1833中。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連1824是至少部分地包圍第一管芯1810的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連1826包括至少部分地包圍第一管芯1810的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連1826位于第一組互連1824與第一管芯1810之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連1824被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連1826被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

在一些實(shí)現(xiàn)中，階段5解說(shuō)了包括第一封裝基板1800、第一管芯1810、封裝間連接1820以及包裝層1830的第一封裝1840(例如，第一集成器件封裝)。

階段6解說(shuō)了第二封裝1850(例如，第二集成器件封裝)被耦合到第一封裝1840之后的狀態(tài)。第二封裝1850包括第二管芯1860和第二封裝基板1870。第二封裝基板1870包括介電層1872(它可包括若干介電層)、第四組焊盤(pán)1874以及第五組焊盤(pán)1876。第二封裝基板1870可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))。第二管芯1860通過(guò)第四組焊球1862耦合到第二封裝基板1870。具體地，第二管芯1860通過(guò)第三組焊球1862耦合至第四組焊盤(pán)1874。第五組焊盤(pán)1876耦合到封裝間連接1820。

用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的示例性方法

圖19解說(shuō)了用于提供/制造包括封裝間連接的層疊封裝(pop)器件的方法1900的示例性流程圖。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖19的方法可被用來(lái)提供/制造圖2、圖10-12的集成器件封裝和/或本公開(kāi)中的其他pop器件。

應(yīng)當(dāng)注意，圖19的流程圖可以組合一個(gè)或多個(gè)步驟和/或工藝以簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供集成器件封裝的方法。在一些實(shí)現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

該方法提供(在1905)第一封裝基板(例如，222)。第一封裝基板包括介電層(它可包括若干介電層)、第一組焊盤(pán)、第二組焊盤(pán)以及第三組焊盤(pán)。第一封裝基板還可包括一組焊球。第一封裝基板可包括若干互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))，它們未被示出。

該方法將第一管芯(例如，220)耦合到第一封裝基板(在1910)。第一管芯通過(guò)第一組焊球耦合到第一封裝基板。具體地，第一管芯通過(guò)第一組焊球耦合至第一組焊盤(pán)。底部填料(例如，1818)被提供并包圍第一管芯與第一封裝基板之間的第一組焊球。

該方法在第一封裝基板和第一管芯上形成(在1915)包裝層(例如，260)。包裝層可以是模塑料、環(huán)氧樹(shù)脂、和/或橡膠填料。在一些實(shí)現(xiàn)中，包裝層的各部分可被研磨(例如，以暴露各互連、焊盤(pán))。

該方法在封裝層中形成(在1920)若干腔。不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來(lái)形成腔。例如，激光工藝和/或蝕刻工藝(例如，光刻工藝)可被用來(lái)在包裝層中形成腔。

該方法在包裝層中形成(在1925)至少一個(gè)封裝間連接。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接可類(lèi)似于封裝間連接250、600、800、900、1000、1150、1250、和/或1320?？赏ㄟ^(guò)在包裝層的腔中提供一個(gè)或多個(gè)金屬層來(lái)形成封裝間連接。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝間連接被形成在包裝層中，以使得封裝間連接至少部分地包圍第一管芯。

封裝間連接包括第一組互連以及第二組互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連是至少部分地包圍第一管芯的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料段(例如，金屬板)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連包括至少部分地包圍第一管芯的若干通孔(例如，穿透封裝通孔)。第二組互連位于第一組互連與第一管芯之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組互連被配置成提供用于接地參考信號(hào)的第一電路徑。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二組互連被配置成提供用于功率信號(hào)和/或輸入/輸出信號(hào)的第二電路徑。

第一封裝(例如，第一集成器件封裝)可由第一封裝基板(例如，222)、第一管芯(例如，220)、封裝間連接(例如，250)和/或包裝層(例如，260)來(lái)限定。

該方法將第二封裝(例如，第二集成器件封裝，例如242)耦合到第一封裝(在1930)。第二封裝包括第二管芯(例如，240)和第二封裝基板。第二封裝基板包括介電層(它可包括若干介電層)、第四組焊盤(pán)以及第五組焊盤(pán)。第二封裝基板可包括若干互連(例如，跡線、焊盤(pán)、通孔)。第二管芯通過(guò)第四組焊球耦合到第二封裝基板。具體地，第二管芯通過(guò)第三組焊球耦合至第四組焊盤(pán)。第五組焊盤(pán)耦合到封裝間連接。

示例性半加成圖案化(sap)工藝

在本公開(kāi)中描述了各種互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))。這些互連可被形成在包裝層和封裝基板中。在一些實(shí)現(xiàn)中，這些互連可包括一個(gè)或多個(gè)金屬層。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，這些互連可包括第一金屬晶種層和第二金屬層。可使用不同鍍敷工藝來(lái)提供(例如，形成)這些金屬層。以下是具有晶種層的互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))的詳細(xì)示例以及可如何使用不同鍍敷工藝來(lái)形成這些互連。這些互連中的一些可表示例如上述互連254、互連256或互連602。

不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來(lái)形成和/或制造金屬層(例如，互連、重分布層、凸塊下金屬化層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，這些工藝包括半加成圖案化(sap)工藝和鑲嵌工藝。這些各種不同工藝在下文進(jìn)一步描述。

圖20解說(shuō)了用于使用半加成圖案化(sap)工藝來(lái)形成互連以在(諸)介電層和/或包裝層中提供和/或形成互連的序列。如圖20中所示，階段1解說(shuō)了在提供(例如，形成)電介質(zhì)層2002之后的集成器件(例如，基板)的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，階段1解說(shuō)了電介質(zhì)層2002包括第一金屬層2004。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2004是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，可在提供(例如，接收或形成)電介質(zhì)層2002之后在電介質(zhì)層2002上提供(例如，形成)第一金屬層2004。階段1解說(shuō)了在電介質(zhì)層2002的第一表面上提供(例如，形成)第一金屬層2004。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2004是通過(guò)使用沉積工藝(例如，pvd、cvd、鍍敷工藝)來(lái)提供的。

階段2解說(shuō)了在第一金屬層2004上選擇性地提供(例如，形成)光致抗蝕層2006(例如，光顯影抗蝕層)之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，選擇性地提供光致抗蝕層2006包括在第一金屬層2004上提供第一光致抗蝕層2006并且通過(guò)顯影(例如，使用顯影工藝)來(lái)選擇性地移除該光致抗蝕層2006的一些部分。階段2解說(shuō)了提供光致抗蝕層2006，使得腔2008被形成。

階段3解說(shuō)了在腔2008中形成第二金屬層2010之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層2004的暴露部分之上形成第二金屬層2010。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層2010是通過(guò)使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來(lái)提供的。

階段4解說(shuō)了在移除光致抗蝕層2006之后的集成器件的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來(lái)移除光致抗蝕層2006。

階段5解說(shuō)了在選擇性地移除第一金屬層2004的一些部分之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除第一金屬層2004中未被第二金屬層2010覆蓋的一個(gè)或多個(gè)部分。如階段5所示，剩余第一金屬層2004和第二金屬層2010可形成和/或限定集成器件和/或基板中的互連2012(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除第一金屬層2004，以使得位于第二金屬層2010下方的第一金屬層2004的尺寸(例如，長(zhǎng)度、寬度)與第二金屬層2010的尺寸(例如，長(zhǎng)度、寬度)大致相同或者比其小，這可導(dǎo)致底切，如圖20的階段5所示。在一些實(shí)現(xiàn)中，上述過(guò)程可以被迭代若干次以提供和/或形成集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層中的若干互連。

圖21解說(shuō)了用于使用(sap)工藝以在一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層中提供和/或形成互連的方法的流程圖。該方法(在2105)提供電介質(zhì)層(例如，電介質(zhì)層2002)。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供電介質(zhì)層包括形成電介質(zhì)層。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供電介質(zhì)層包括形成第一金屬層(例如，第一金屬層2004)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，可在提供(例如，接收或形成)電介質(zhì)層之后在電介質(zhì)層上提供(例如，形成)第一金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層是通過(guò)使用沉積工藝(例如，物理氣相沉積(pvd)或鍍敷工藝)來(lái)提供的。

該方法(在2110)在第一金屬層上選擇性地提供光致抗蝕層(例如，光顯影抗蝕層2006)。在一些實(shí)現(xiàn)中，選擇性地提供抗蝕層包括在第一金屬層上提供第一抗蝕層并且選擇性地移除該抗蝕層的一些部分(這提供了一個(gè)或多個(gè)腔)。

該方法隨后(在2115)在光致抗蝕層的腔中提供第二金屬層(例如，第二金屬層2010)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層的暴露部分之上形成第二金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層是通過(guò)使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來(lái)提供的。

該方法進(jìn)一步(在2120)移除抗蝕層。不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來(lái)移除抗蝕層。該方法還(在2125)選擇性地移除第一金屬層的一些部分。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除第一金屬層中未被第二金屬層覆蓋的一個(gè)或多個(gè)部分。在一些實(shí)現(xiàn)中，任何剩余第一金屬層和第二金屬層可形成和/或限定集成器件和/或基板中的一個(gè)或多個(gè)互連(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))。在一些實(shí)現(xiàn)中，以上提及的方法可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層中提供和/或形成若干互連。

示例性鑲嵌工藝

圖22解說(shuō)了用于使用鑲嵌工藝來(lái)形成互連以在電介質(zhì)層和/或包裝層中提供和/或形成互連的序列。如圖22中所示，階段1解說(shuō)了在提供(例如，形成)電介質(zhì)層2202之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，電介質(zhì)層2202是無(wú)機(jī)層(例如，無(wú)機(jī)膜)。在一些實(shí)現(xiàn)中，可使用包裝層來(lái)代替電介質(zhì)層2202。

階段2解說(shuō)了在電介質(zhì)層2202中形成腔2204之后的集成器件的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可將不同工藝用于在介電層2202中提供腔2204。

階段3解說(shuō)了在電介質(zhì)層2202上提供第一金屬層2206之后的集成器件的狀態(tài)。如階段3所示，在電介質(zhì)層2202的第一表面上提供第一金屬層2206。在電介質(zhì)層2202上提供第一金屬層2206，以使得第一金屬層2206采取電介質(zhì)層2202的輪廓，包括腔2204的輪廓在內(nèi)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2206是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2206是通過(guò)使用沉積工藝(例如，物理氣相沉積(pvd)、化學(xué)氣相沉積(cvd)、或鍍敷工藝)來(lái)提供的。

階段4解說(shuō)了在腔2204中和電介質(zhì)層2202的表面形成第二金屬層2208之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層2206的暴露部分之上形成第二金屬層2208。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層2208是通過(guò)使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來(lái)提供的。

階段5解說(shuō)了在移除第二金屬層2208的一些部分和第一金屬層2206的一些部分之后的集成器件的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來(lái)移除第二金屬層2208和第一金屬層2206。在一些實(shí)現(xiàn)中，化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝被用來(lái)移除第二金屬層2208的一些部分和第一金屬層2206的一些部分。如階段5所示，剩余第一金屬層2206和第二金屬層2208可形成和/或限定集成器件和/或基板中的互連2212(例如，跡線、通孔、焊盤(pán))。如階段5所示，以在第二金屬層2210的基底部分和(諸)側(cè)面部分上形成第一金屬層2206的方式來(lái)形成互連2212。在一些實(shí)現(xiàn)中，腔2204可包括兩層電介質(zhì)的溝槽和/或孔洞的組合，以使得通孔和互連(例如，金屬跡線)可以在單個(gè)沉積步驟中被形成。在一些實(shí)現(xiàn)中，上述過(guò)程可以被迭代若干次以提供和/或形成集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層中的若干互連。

圖23解說(shuō)了用于使用鑲嵌工藝來(lái)形成互連以在電介質(zhì)層中提供和/或形成互連(例如，2012)的方法2300的流程圖。該方法(在2305)提供電介質(zhì)層(例如，電介質(zhì)層2202)。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供電介質(zhì)層包括形成電介質(zhì)層。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供電介質(zhì)層包括從供應(yīng)商接收電介質(zhì)層。在一些實(shí)現(xiàn)中，電介質(zhì)層是無(wú)機(jī)層(例如，無(wú)機(jī)膜)。

該方法(在2310)在電介質(zhì)層中形成至少一個(gè)腔(例如，腔2204)。不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來(lái)在電介質(zhì)層中提供腔。

該方法(在2315)在電介質(zhì)層上提供第一金屬層(例如，第一金屬層2206)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在電介質(zhì)層的第一表面上提供(例如，形成)第一金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，在電介質(zhì)層上提供第一金屬層，以使得第一金屬層采取電介質(zhì)層的輪廓，包括腔的輪廓在內(nèi)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2206是通過(guò)使用沉積工藝(例如，pvd、cvd或鍍敷工藝)來(lái)提供的。

該方法(在2320)在腔中和電介質(zhì)層的表面提供第二金屬層(例如，第二金屬層2208)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層的暴露部分之上形成第二金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層是通過(guò)使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來(lái)提供的。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層與第一金屬層類(lèi)似或相同。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層不同于第一金屬層。

該方法隨后(在2325)移除第二金屬層的一些部分和第一金屬層的一些部分。不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來(lái)移除第二金屬層和第一金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝被用來(lái)移除第二金屬層的一些部分和第一金屬層的一些部分。在一些實(shí)現(xiàn)中，剩余第一金屬層(例如，2206)和第二金屬層可形成和/或限定互連(例如，互連2212)。在一些實(shí)現(xiàn)中，互連可包括集成器件和/或基板中的至少跡線、通孔、和/或焊盤(pán)中的一者。在一些實(shí)現(xiàn)中，以在第二金屬層的基底部分和(諸)側(cè)面部分上形成第一金屬層的方式來(lái)形成互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，以上提及的方法可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層中提供和/或形成若干互連。

示例性電子設(shè)備

圖24解說(shuō)了可集成有前述集成器件、半導(dǎo)體器件、集成電路、管芯、中介體、封裝或?qū)盈B封裝(pop)中的任意者的各種電子設(shè)備。例如，移動(dòng)電話2402、膝上型計(jì)算機(jī)2404、以及固定位置終端2406可包括如本文所描述的集成器件2400。集成器件2400可以是例如本文所描述的集成電路、管芯、封裝或?qū)盈B封裝中的任意者。圖24中所例示出的設(shè)備2402、2404、2406僅是示例性的。其他電子設(shè)備也可以集成器件2400為其特征，此類(lèi)電子設(shè)備包括但不限于移動(dòng)設(shè)備、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(pcs)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個(gè)人數(shù)字助理)、能啟用全球定位系統(tǒng)(gps)的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、固定位置數(shù)據(jù)單位(諸如儀表讀取裝備)、通信設(shè)備、智能電話、平板計(jì)算機(jī)、計(jì)算機(jī)、可穿戴設(shè)備、或者存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的任何其他設(shè)備，或者其任何組合。

圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18a-18b、19、20、21、22、23和/或24中解說(shuō)的組件、步驟、特征和/或功能之中的一個(gè)或多個(gè)可以被重新安排和/或組合成單個(gè)組件、步驟、特征或功能，或可以實(shí)施在數(shù)個(gè)組件、步驟、或功能中。也可添加額外的元件、組件、步驟、和/或功能而不會(huì)脫離本公開(kāi)。還應(yīng)當(dāng)注意，本公開(kāi)中的圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18a-18b、19、20、21、22、23和/或24及其相應(yīng)描述不限于管芯和/或ic。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18a-18b、19、20、21、22、23和/或24及其相應(yīng)描述可被用于制造、創(chuàng)建、提供、和/或生產(chǎn)集成器件。在一些實(shí)現(xiàn)中，一種器件可包括管芯、管芯封裝、集成電路(ic)、集成器件、集成器件封裝、晶片、半導(dǎo)體器件、層疊封裝、和/或中介體。

措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實(shí)例或解說(shuō)”。本文中描述為“示例性”的任何實(shí)現(xiàn)或方面不必被解釋為優(yōu)于或勝過(guò)本公開(kāi)的其他方面。同樣，術(shù)語(yǔ)“方面”不要求本公開(kāi)的所有方面都包括所討論的特征、優(yōu)點(diǎn)或操作模式。術(shù)語(yǔ)“耦合”在本文中用于指兩個(gè)對(duì)象之間的直接或間接耦合。例如，如果對(duì)象a物理地接觸對(duì)象b，且對(duì)象b接觸對(duì)象c，則對(duì)象a和c可仍被認(rèn)為是彼此耦合的——即便它們并非彼此直接物理接觸。

一“組”對(duì)象可包括一個(gè)或多個(gè)對(duì)象。例如，一組互連可包括一個(gè)或多個(gè)互連。一組焊球可包括一個(gè)或多個(gè)焊球。一組通孔可包括一個(gè)或多個(gè)通孔。

還應(yīng)注意，這些實(shí)施例可作為被描繪為流程圖、流圖、結(jié)構(gòu)圖、或框圖的過(guò)程來(lái)被描述。盡管流程圖可把各操作描述為順序過(guò)程，但是這些操作中有許多操作能夠并行或并發(fā)地執(zhí)行。另外，這些操作的次序可以被重新安排。過(guò)程在其操作完成時(shí)終止。

本文所描述的本公開(kāi)的各種特征可被實(shí)現(xiàn)于不同系統(tǒng)中而不會(huì)脫離本公開(kāi)。應(yīng)當(dāng)注意，本公開(kāi)的以上各方面僅是示例，且不應(yīng)被解釋成限定本公開(kāi)。對(duì)本公開(kāi)的各方面的描述旨在是解說(shuō)性的，而非限定所附權(quán)利要求的范圍。由此，本發(fā)明的教導(dǎo)可以現(xiàn)成地應(yīng)用于其他類(lèi)型的裝置，并且許多替換、修改、和變形對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見(jiàn)的。