本發(fā)明涉及保護(hù)電子設(shè)備遠(yuǎn)離由靜電放電所致的破壞的靜電放電保護(hù)設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
：為了防止由靜電放電(ESD：electro-staticdischarge)所致的電子設(shè)備的破壞、誤操作等，廣泛使用靜電放電保護(hù)設(shè)備(ESD保護(hù)設(shè)備)。例如，在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種ESD保護(hù)設(shè)備，其具有：陶瓷多層基板，形成于陶瓷多層基板的內(nèi)部的空穴部，具有以在空穴部?jī)?nèi)設(shè)置間隔而前端彼此相對(duì)的方式配置的對(duì)置部的至少1對(duì)放電電極，以及形成于陶瓷多層基板的表面且與放電電極連接的外部電極。專利文獻(xiàn)1中記載的ESD保護(hù)設(shè)備中，陶瓷多層基板在設(shè)置有放電電極的表面附近具備至少與放電電極的對(duì)置部和對(duì)置部間的部分鄰接地配置的含有金屬材料和陶瓷材料的混合部，混合部的金屬材料的含有率為10vol％～50vol％。專利文獻(xiàn)1中記載的ESD保護(hù)設(shè)備通過(guò)具有上述構(gòu)成，可以高精度地設(shè)定放電起始電壓。在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了一種ESD保護(hù)設(shè)備，其具備：以彼此對(duì)置的方式配置的第1和第2放電電極，以橫跨第1和第2放電電極間的方式形成的放電輔助電極，以及保持第1和第2放電電極以及放電輔助電極的絕緣體基材。專利文獻(xiàn)2中記載的ESD保護(hù)設(shè)備中，放電輔助電極由大量金屬粒子的集合體構(gòu)成，該金屬粒子具有由以第1金屬為主成分的核部和以含有第2金屬的金屬氧化物為主成分的殼部構(gòu)成的核-殼結(jié)構(gòu)。專利文獻(xiàn)2中記載的ESD保護(hù)設(shè)備通過(guò)具有上述構(gòu)成，絕緣可靠性高，且具有良好的放電特性。在專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了一種過(guò)電壓保護(hù)元件，其含有：第1電極，第2電極，以及在第1電極與第2電極之間連接且使用含有非導(dǎo)體粉末、金屬導(dǎo)體粉末和粘接劑的過(guò)電壓保護(hù)元件的材料進(jìn)行燒制處理而生成的多孔結(jié)構(gòu)。專利文獻(xiàn)3中記載的過(guò)電壓保護(hù)元件的制造中，通過(guò)使用上述過(guò)電壓保護(hù)元件的材料，可以抑制由放電能量所致的破壞，可以延長(zhǎng)元件的使用壽命?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2008/146514號(hào)專利文獻(xiàn)2：國(guó)際公開(kāi)第2013/011821號(hào)專利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2008-85284號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：近年來(lái)，隨著電子設(shè)備的高性能化，為了更可靠地防止由靜電放電所致的電子設(shè)備的破壞、誤操作等，要求進(jìn)一步降低ESD保護(hù)設(shè)備的放電起始電壓。另一方面，在通常的使用狀態(tài)中，為了抑制短路不良的產(chǎn)生，要求ESD保護(hù)設(shè)備具有非常高的絕緣性(初期絕緣性)。本發(fā)明的目的在于提供一種具有良好的初期絕緣性且在2kV的較低的放電電壓下具有良好的運(yùn)行率的靜電放電保護(hù)設(shè)備。本發(fā)明的發(fā)明人等著眼于在ESD保護(hù)設(shè)備中橫跨彼此對(duì)置且分隔地配置的2個(gè)放電電極間而存在的放電輔助電極的組成，進(jìn)行反復(fù)研究。其結(jié)果，本發(fā)明的發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過(guò)使用含有半導(dǎo)體粒子和金屬粒子的放電輔助電極，將放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑和存在密度設(shè)定為特定的數(shù)值范圍內(nèi)，可以達(dá)成良好的初期絕緣性和在2kV下的良好的運(yùn)行率，完成了本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明的第1主旨，提供一種靜電放電保護(hù)設(shè)備，含有：絕緣性基材；放電電極，其是以與絕緣性基材接觸的方式配置的第1和第2放電電極，第1和第2放電電極彼此對(duì)置且分隔地配置；外部電極，其是設(shè)置于絕緣性基材的外表面的第1和第2外部電極，第1外部電極與第1放電電極電連接，第2外部電極與第2放電電極電連接；以及放電輔助電極，其在第1和第2放電電極彼此對(duì)置的區(qū)域中橫跨第1放電電極和第2放電電極而存在，放電輔助電極至少含有半導(dǎo)體粒子和金屬粒子，金屬粒子的平均粒徑為0.3～1.5μm，放電輔助電極的任意截面中的金屬粒子的存在密度為20個(gè)/50μm2以上。根據(jù)本發(fā)明的第2主旨，提供一種靜電放電保護(hù)設(shè)備的制造方法，包括如下工序：(a)工序，是通過(guò)在第1陶瓷生片的一主面上應(yīng)用含有金屬粒子、半導(dǎo)體粒子和有機(jī)賦形劑(有機(jī)ビヒクル)的放電輔助電極糊料而形成未燒制的放電輔助電極的工序，金屬粒子的平均粒徑為0.10～1.00μm，金屬粒子相對(duì)于含有金屬粒子和半導(dǎo)體粒子的非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)為15～40體積％；(b)工序，是通過(guò)在應(yīng)用了放電輔助電極糊料的第1陶瓷生片上應(yīng)用放電電極糊料而形成第1和第2未燒制的放電電極的工序，使第1和第2未燒制的放電電極各自的至少一部分配置于未燒制的放電輔助電極上，且在未燒制的放電輔助電極上彼此對(duì)置且分隔地配置；(c)工序，是在應(yīng)用了放電輔助電極糊料和放電電極糊料的第1陶瓷生片上應(yīng)用空穴部形成糊料的工序，該空穴部形成糊料以至少覆蓋第1和第2未燒制的放電電極彼此對(duì)置的區(qū)域的方式應(yīng)用；(d)工序，在應(yīng)用了放電輔助電極糊料、放電電極糊料和空穴部形成糊料的第1陶瓷生片上層疊第2陶瓷生片，成型為規(guī)定的尺寸，從而形成未燒制的層疊體；(e)工序，通過(guò)燒制未燒制的層疊體，得到含有陶瓷基材、第1和第2放電電極、放電輔助電極以及空穴部的層疊體；(f)工序，是通過(guò)在燒制的層疊體的外表面應(yīng)用外部電極糊料而形成第1和第2未燒制的外部電極的工序，第1未燒制的外部電極以與第1放電電極接觸的方式形成，第2未燒制的外部電極以與第2放電電極接觸的方式形成；以及(g)工序，通過(guò)對(duì)未燒制的第1和第2外部電極施加燒制處理，形成第1和第2外部電極。本發(fā)明所涉及的靜電放電保護(hù)設(shè)備通過(guò)具有上述構(gòu)成，具有良好的初期絕緣性，且在2kV的較低的放電電壓下具有良好的運(yùn)行率。此外，本發(fā)明所涉及的靜電放電保護(hù)設(shè)備的制造方法通過(guò)具有上述構(gòu)成，可獲得具有良好的初期絕緣性且在2kV的較低的放電電壓下具有良好的運(yùn)行率的靜電放電保護(hù)設(shè)備。附圖說(shuō)明圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的構(gòu)成的簡(jiǎn)要截面圖。圖2是表示第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電電極的配置的示意性俯視圖。圖3是表示第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電電極的配置的第1變形例的示意性俯視圖。圖4是表示第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電電極的配置的第2變形例的簡(jiǎn)要截面圖。圖5是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的構(gòu)成的簡(jiǎn)要截面圖。圖6是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的構(gòu)成的第1變形例的簡(jiǎn)要截面圖。圖7是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的構(gòu)成的第2變形例的簡(jiǎn)要截面圖。圖8是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的構(gòu)成的第3變形例的簡(jiǎn)要截面圖。具體實(shí)施方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。但是，以下所示的實(shí)施方式是以例示為目的，本發(fā)明不限定于以下實(shí)施方式。只要沒(méi)有特別說(shuō)明，以下所說(shuō)明的構(gòu)成要素的尺寸、材質(zhì)、形狀、相對(duì)的配置等其主旨并不是將本發(fā)明的范圍限定于該范圍，僅是說(shuō)明例。此外，各附圖所示的構(gòu)成要素的大小、形狀、位置關(guān)系等有時(shí)為了明確地說(shuō)明而夸張。圖1中示出表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的靜電放電(ESD)保護(hù)設(shè)備1的構(gòu)成的簡(jiǎn)要截面圖。圖1所示的ESD保護(hù)設(shè)備1含有：絕緣性基材10；以與絕緣性基材10接觸的方式配置的第1放電電極41和第2放電電極42(有時(shí)統(tǒng)稱為放電電極40)；設(shè)置于絕緣性基材10的外表面的第1外部電極21和第2外部電極22(有時(shí)統(tǒng)稱為外部電極20)；以及在第1放電電極41與第2放電電極42彼此對(duì)置的區(qū)域中，橫跨第1放電電極41和第2放電電極42而存在的放電輔助電極50。本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備中，可達(dá)成良好的初期絕緣性和較低的放電電壓(例如2kV)下的良好的運(yùn)行率的機(jī)理不受任何理論束縛，但大概認(rèn)為如下。若對(duì)圖1所示的ESD保護(hù)設(shè)備1施加大于放電起始電壓的過(guò)大的電壓，則在放電電極對(duì)置的部分產(chǎn)生氣體放電和沿面放電。放電輔助電極50具有促進(jìn)沿面放電的功能。通常，存在沿面放電的放電起始電壓低于氣體放電的放電起始電壓的趨勢(shì)。因此，通過(guò)設(shè)置放電輔助電極50，可以降低放電起始電壓。本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備中，放電輔助電極通過(guò)除含有金屬粒子以外還含有半導(dǎo)體粒子，從而整體具有絕緣性。因此，可以抑制由金屬粒子彼此接觸所致的短路的發(fā)生，可以達(dá)成良好的初期絕緣性。另外，存在放電輔助電極中的金屬粒子越小，在放電電極的端部與放電輔助電極中的金屬粒子之間電場(chǎng)越容易集中，所產(chǎn)生的電場(chǎng)變得越大的趨勢(shì)。本發(fā)明中的放電輔助電極所含的金屬粒子是平均粒徑為0.3～1.5μm的微細(xì)的粒子，因此可以增大所產(chǎn)生的電場(chǎng)。此外，放電輔助電極所含的金屬粒子的量越多，越可以增多產(chǎn)生電場(chǎng)的點(diǎn)(電場(chǎng)點(diǎn))。本發(fā)明中的放電輔助電極的任意截面中的金屬粒子的存在密度為20個(gè)/50μm2以上，且含有大量的金屬粒子，因此可以產(chǎn)生大量電場(chǎng)點(diǎn)。本實(shí)施方式中，認(rèn)為由于上述電場(chǎng)集中，在一側(cè)放電電極(例如第1放電電極)的端部能夠產(chǎn)生先導(dǎo)閃流(電子雪崩)。本發(fā)明中的放電輔助電極含有大量的金屬粒子，因此可以大量產(chǎn)生先導(dǎo)閃流，可以使先導(dǎo)閃流在不失速的情況下行進(jìn)至另一側(cè)放電電極(例如第2放電電極)。其結(jié)果，本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備可以有效地產(chǎn)生放電電極間的沿面放電，因此可以達(dá)成在較低的放電電壓(例如2kV)下的良好的運(yùn)行率。進(jìn)而，在放電電極間的區(qū)域存在的氣體為稀有氣體等容易電離的氣體時(shí)，容易產(chǎn)生氣體分子的電離，可產(chǎn)生大量的氣體離子。其結(jié)果，可以進(jìn)一步有效地產(chǎn)生放電電極間的沿面放電，可以進(jìn)一步提高在較低的放電電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率。[第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備]圖1中示出本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的靜電放電保護(hù)設(shè)備(ESD保護(hù)設(shè)備)的簡(jiǎn)要截面圖。圖1所示的ESD保護(hù)設(shè)備1含有：絕緣性基材10、以與絕緣性基材10接觸的方式配置的第1放電電極41和第2放電電極42、設(shè)置于絕緣性基材10的外表面的第1外部電極21和第2外部電極22、以及在第1放電電極41與第2放電電極42彼此對(duì)置的區(qū)域橫跨第1放電電極41和第2放電電極42而存在的放電輔助電極50。本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備1進(jìn)一步含有空穴部30。應(yīng)予說(shuō)明，本說(shuō)明書(shū)中，如圖1所示，將與第1和第2放電電極略延長(zhǎng)的方向平行的方向稱為長(zhǎng)度方向(L方向)，將在水平面內(nèi)與長(zhǎng)度方向垂直的方向稱為寬度方向(W方向)，將與長(zhǎng)度方向和寬度方向垂直的方向稱為厚度方向(T方向)。此外，有時(shí)將與L方向垂直的面稱為WT面，將與W方向垂直的面稱為L(zhǎng)T面，將與T方向垂直的面稱為L(zhǎng)W面。(絕緣性基材)絕緣性基材10只要具有絕緣性則沒(méi)有特別限定，例如可以是陶瓷基材。絕緣性基材10為陶瓷基材時(shí)，可以適當(dāng)使用常規(guī)的陶瓷材料作為陶瓷基材，但本發(fā)明不限定于此。例如，作為絕緣性基材(陶瓷基材)10，可使用含有Ba、Al、Si作為主成分的陶瓷材料(BAS材料)、以及玻璃陶瓷等低溫?zé)Y(jié)陶瓷(LTCC：LowTemperatureCofirableCeramics)、磁性體陶瓷等。本實(shí)施方式中，絕緣性基材10由空穴部30的上側(cè)的基材和空穴部30的下側(cè)的基材構(gòu)成?？昭ú?0的上側(cè)的基材和下側(cè)的基材分別可以由單一的層構(gòu)成，或者，也可以由多個(gè)層構(gòu)成?？昭ú?0的上側(cè)的基材和/或下側(cè)的基材由多個(gè)層構(gòu)成時(shí)，各個(gè)層可以具有相同的組成，或也可以具有不同的組成。此外，本實(shí)施方式中，也可以使用樹(shù)脂等絕緣性基材(樹(shù)脂基材)代替陶瓷基材作為絕緣性基材10。(放電電極)第1放電電極41和第2放電電極42以與絕緣性基材10接觸的方式配置。本實(shí)施方式中，第1放電電極41和第2放電電極42配置于絕緣性基材10的內(nèi)部。第1放電電極41與第2放電電極42是彼此對(duì)置且分隔地配置的。本實(shí)施方式中，第1放電電極41與第2放電電極42是在設(shè)置于絕緣性基材10的內(nèi)部的空穴部30內(nèi)彼此對(duì)置且分隔地配置的。圖1中記載的ESD保護(hù)設(shè)備1中，第1放電電極41和第2放電電極42的彼此對(duì)置的一側(cè)的端部沿著空穴部30的內(nèi)側(cè)而配置。應(yīng)予說(shuō)明，本說(shuō)明書(shū)中，以含有由第1放電電極41和第2放電電極42構(gòu)成的一對(duì)放電電極40的EDS保護(hù)設(shè)備1為例進(jìn)行說(shuō)明，但本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備也可以含有2對(duì)以上的放電電極。本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備含有2對(duì)以上的放電電極時(shí)，可以適當(dāng)設(shè)置對(duì)應(yīng)于各個(gè)放電電極對(duì)的追加的空穴部和放電輔助電極。圖2是圖1所示的ESD保護(hù)設(shè)備1的A-A線截面圖，示意性地表示ESD保護(hù)設(shè)備中的放電電極的配置的一個(gè)例子。圖2所示的配置中，第1放電電極41的一端面與第2放電電極42的一端面彼此對(duì)置且分隔地配置。本說(shuō)明書(shū)中，“放電電極間距離”是指在放電電極與放電輔助電極接觸的面中的第1放電電極與第2放電電極的最短距離。圖2所示的配置中，放電電極間距離43是指第1放電電極41與第2放電電極42的彼此對(duì)置的端面間的距離?？墒?，本實(shí)施方式所涉及的EDS保護(hù)設(shè)備中，放電電極的配置不限定于圖1和圖2所示的配置，可以根據(jù)用途而適當(dāng)變更。將本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電電極的配置的第1變形例示于圖3。圖3與圖2同樣地示意性地表示在相對(duì)于厚度方向垂直的截面(LW面)的放電電極的配置。圖3所示的配置中，第1放電電極41與第2放電電極42在LW面上互相平行地配置，第1放電電極41的一側(cè)面的一部分與第2放電電極42的一側(cè)面的一部分彼此對(duì)置且分隔地配置。圖3所示的配置中，放電電極間距離43是指第1放電電極41和第2放電電極42的彼此對(duì)置的側(cè)面間的距離。將本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電電極的配置的第2變形例示于圖4。圖4與圖1同樣地示意性地表示在相對(duì)于寬度方向垂直的截面(LT面)的放電電極的配置。圖4所示的配置中，第1放電電極41與第2放電電極42在LT面上互相平行地配置，第1放電電極41的上表面的一部分與第2放電電極42的下表面的一部分彼此對(duì)置且分隔地配置。圖4所示的配置中，放電電極間距離43是指在放電電極彼此對(duì)置的部分的、第1放電電極41的上表面與第2放電電極42的下表面之間的距離。在第1放電電極41與第2放電電極42彼此對(duì)置的區(qū)域的放電電極間距離43優(yōu)選為10～50μm。若放電電極間距離43為10μm以上，則如下所述通過(guò)絲網(wǎng)印刷應(yīng)用放電電極糊料時(shí)，可很好地進(jìn)行放電電極糊料的應(yīng)用。若放電電極間距離43為50μm以下，則可以進(jìn)一步提高2kV的放電率。如此，若放電電極間距離為上述范圍內(nèi)，則可得到具有良好的ESD保護(hù)特性的ESD保護(hù)元件。第1放電電極41和第2放電電極42的組成沒(méi)有特別限定，例如，可以含有Cu、Ni、Ag、Pd和它們的合金以及上述的任一個(gè)的組合。(空穴部)在絕緣性基材10的內(nèi)部設(shè)置有空穴部30?？昭ú?0的尺寸和形狀只要第1放電電極41與第2放電電極42在空穴部30內(nèi)彼此對(duì)置且分隔地配置則沒(méi)有特別限定。例如，如圖1所示，除空穴部的上部為曲面的形狀以外，也可以適當(dāng)選擇矩形、圓柱形等形狀?？昭ú?0優(yōu)選含有Ne、Ar等稀有氣體。由于稀有氣體容易電離，所以可產(chǎn)生更多的氣體離子。其結(jié)果，可以進(jìn)一步有效地產(chǎn)生沿面放電，進(jìn)一步提高較低的放電電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率。空穴部30更優(yōu)選含有Ar作為稀有氣體。Ar在稀有氣體中較容易電離且比較廉價(jià)，因此可以以低成本得到具有良好的ESD保護(hù)特性的ESD保護(hù)設(shè)備?？昭ú?0中的稀有氣體的存在量可以適當(dāng)調(diào)節(jié)為能夠有效地促進(jìn)沿面放電的程度。(外部電極)第1外部電極21和第2外部電極22設(shè)置于絕緣性基材10的外表面。第1外部電極21與第1放電電極41電連接，第2外部電極22與第2放電電極42電連接。第1外部電極21和第2外部電極22的組成沒(méi)有特別限定，例如，可舉出Cu、Ag、Pd、Ni等和它們的合金、以及上述任一者的組合。金屬材料可以是粒子狀，也可以是例如球狀、扁平狀等或它們的組合。第1外部電極21和第2外部電極22中，除金屬材料以外，也可以添加玻璃材料。作為玻璃材料，可單獨(dú)使用1種，也可以組合使用軟化點(diǎn)不同的玻璃材料。(放電輔助電極)放電輔助電極50在第1放電電極41與第2放電電極42彼此對(duì)置的區(qū)域橫跨第1放電電極41和第2放電電極42而存在。放電輔助電極50至少含有半導(dǎo)體粒子和金屬粒子。放電輔助電極50中，金屬粒子和半導(dǎo)體粒子各自分散地存在，作為放電輔助電極50整體而具有絕緣性。圖1所示的實(shí)施方式中，放電輔助電極50沿著空穴部30的內(nèi)表面而配置，與第1放電電極41和第2放電電極42的一部分接觸。放電輔助電極50所含的金屬粒子的平均粒徑為0.3～1.5μm。如下所述，若原料的金屬粒子的平均粒徑為0.10μm以上，則處理變得容易，因此優(yōu)選。在使用平均粒徑為0.10μm以上的金屬粒子作為原料的金屬粒子時(shí)，雖然也取決于條件，但在所得的ESD保護(hù)設(shè)備中，金屬粒子的平均粒徑通?？梢詾?.3μm以上。若平均粒徑為1.5μm以下，則可以達(dá)成良好的初期絕緣性和在較低的電壓(例如2kV)下的良好的運(yùn)行率。金屬粒子的平均粒徑優(yōu)選為0.3～0.66μm。若平均粒徑為0.66μm以下，則可以進(jìn)一步提高初期絕緣性和在較低的電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率。放電輔助電極50中所含的金屬粒子的平均粒徑例如可通過(guò)如下方式求出：拍攝放電輔助電極的截面的SEM(掃描型電子顯微鏡)圖像(反射電子圖像)，對(duì)于反映在所得的圖像內(nèi)的金屬粒子中粒子整體含于圖像內(nèi)的粒子，測(cè)定其長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度，計(jì)算所測(cè)定的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度的平均值。放電輔助電極50的任意截面中的金屬粒子的存在密度為20個(gè)/50μm2以上。若存在密度為20個(gè)/50μm2以上，則可以達(dá)成在較低的電壓(例如2kV)下的良好的運(yùn)行率。金屬粒子的存在密度優(yōu)選為55～170個(gè)/50μm2。若存在密度為55個(gè)/50μm2以上，則可以進(jìn)一步提高在較低的電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率。存在金屬粒子的存在密度越高，所得的ESD保護(hù)設(shè)備的特性越會(huì)提高的趨勢(shì)，但為了達(dá)成良好的初期絕緣性和在2kV下的良好的運(yùn)行率，金屬粒子只要以170個(gè)/50μm2以下的存在密度存在即足夠。本說(shuō)明書(shū)中，放電輔助電極50的任意截面的金屬粒子的存在密度例如可以通過(guò)如下方式求出：拍攝放電輔助電極50的截面的SEM圖像(反射電子圖像)，在所得的圖像中，將放電輔助電極50的面積50μm2的范圍內(nèi)所含的金屬粒子的總數(shù)計(jì)數(shù)。其中，存在密度的單位“個(gè)/50μm2”并不意味著將計(jì)數(shù)金屬粒子的總數(shù)的范圍的面積限定于50μm2。因此，也可以基于在放電輔助電極50的任意截面的任意面積的范圍內(nèi)計(jì)數(shù)的金屬粒子的總數(shù)，算出金屬粒子的存在密度。放電輔助電極50所含的金屬粒子沒(méi)有特別限定，例如，可以是含有選自Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、Mo中的至少1種金屬和/或它們的合金的粒子。放電輔助電極50中，可以單獨(dú)使用1種金屬粒子，也可以組合使用多種金屬粒子。金屬粒子優(yōu)選為Cu粒子。Cu廉價(jià)且功函數(shù)小，因此可以有效地產(chǎn)生沿面放電。因此，通過(guò)使用Cu粒子作為金屬粒子，可以以低成本得到ESD保護(hù)特性優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。應(yīng)予說(shuō)明，本說(shuō)明書(shū)中，金屬粒子例如為“Cu粒子”是指該金屬粒子的主成分為Cu，例如，是指金屬粒子的90重量％以上為Cu。金屬粒子的構(gòu)成成分例如可通過(guò)TEM-EDX(能量分散型X射線分光法)進(jìn)行定量。放電輔助電極50所含的半導(dǎo)體粒子沒(méi)有特別限定，例如，可以是含有選自Si、Ge等金屬半導(dǎo)體，SiC、TiC、ZrC、Mo2C、WC等碳化物，TiN、ZrN、CrN、VN、TaN等氮化物，TiSi2、ZrSi2、WSi2、MoSi2、CrSi2等硅化物，TiB2、ZrB2、CrB、LaB6、MoB、WB等硼化物，ZnO、SrTiO3等氧化物中的至少1種的粒子。放電輔助電極50中，可單獨(dú)使用1種半導(dǎo)體粒子，也可以組合使用多種半導(dǎo)體粒子。半導(dǎo)體粒子優(yōu)選為SiC粒子。SiC廉價(jià)且高溫穩(wěn)定性優(yōu)異。因此，通過(guò)使用SiC粒子作為半導(dǎo)體粒子，可以以低成本得到施加ESD時(shí)的耐短路性優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。此外，在使用SiC粒子作為半導(dǎo)體粒子時(shí)，SiC粒子可作為電子的接受體或供與體發(fā)揮作用，因此可以進(jìn)一步降低沿面放電的放電起始電壓。其結(jié)果，可得到在較低的電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率進(jìn)一步提高的ESD保護(hù)設(shè)備。應(yīng)予說(shuō)明，本說(shuō)明書(shū)中，半導(dǎo)體粒子例如為“SiC粒子”是指該半導(dǎo)體粒子的主成分為SiC，例如，是指半導(dǎo)體粒子的90重量％以上為SiC。半導(dǎo)體粒子的構(gòu)成成分例如可通過(guò)TEM-EDX進(jìn)行定量。放電輔助電極50優(yōu)選進(jìn)一步含有絕緣性粒子。放電輔助電極50具有絕緣性粒子時(shí)，可以抑制燒制時(shí)的金屬粒子的燒結(jié)，因此可以得到在較低的電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率更高的ESD保護(hù)設(shè)備。此外，放電輔助電極50具有絕緣性粒子時(shí)，可以抑制燒制時(shí)的半導(dǎo)體粒子彼此的燒結(jié)，且可以抑制施加ESD時(shí)的半導(dǎo)體粒子彼此的燒結(jié)，因此可得到在較低的電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率更高且施加ESD時(shí)的耐短路性優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。絕緣性粒子沒(méi)有特別限定，例如，可以是含有選自Al2O3、TiO2、ZrO2、SiO2等中的至少1種的粒子。放電輔助電極50中，可單獨(dú)使用1種絕緣性粒子，也可以組合使用多種絕緣性粒子。絕緣性粒子例如可以是Al2O3粒子。由于Al2O3廉價(jià)，因此可以以低成本得到ESD保護(hù)設(shè)備。此外，在半導(dǎo)體粒子為SiC粒子且金屬粒子為Cu粒子時(shí)，Cu成分?jǐn)U散至存在于SiC粒子表面的SiO2被膜，從而SiO2被膜的粘度下降，其結(jié)果，在燒制時(shí)Cu粒子和/或SiC粒子容易燒結(jié)。與此相對(duì)，放電輔助電極50含有Al2O3粒子作為絕緣性粒子時(shí)，可以抑制Cu成分?jǐn)U散至存在于SiC粒子表面的SiO2被膜，可以防止SiO2被膜的粘度的下降。其結(jié)果，可以有效地抑制半導(dǎo)體粒子(SiC粒子)和/或金屬粒子(Cu粒子)的燒結(jié)，可得到ESD保護(hù)特性優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。應(yīng)予說(shuō)明，本說(shuō)明書(shū)中，絕緣性粒子例如為“Al2O3粒子”是指該絕緣性粒子的主成分為Al2O3，例如，是指絕緣性粒子的90重量％以上為Al2O3。絕緣性粒子的構(gòu)成成分例如可通過(guò)TEM-EDX(能量分散型X射線分光法)進(jìn)行定量。放電輔助電極的構(gòu)成成分例如可通過(guò)微焦X射線解析進(jìn)行鑒定。[第2實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備]接著，以下參照?qǐng)D5對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。圖5是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備1的構(gòu)成的簡(jiǎn)要截面圖。圖5所示的ESD保護(hù)設(shè)備1含有：絕緣性基材10、以與絕緣性基材10接觸的方式配置的第1放電電極41和第2放電電極42、設(shè)置于絕緣性基材10的外表面的第1外部電極21和第2外部電極22、以及在第1放電電極41與第2放電電極42彼此對(duì)置的區(qū)域橫跨第1放電電極41和第2放電電極42而存在的放電輔助電極50。本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備1中，第1放電電極41和第2放電電極42配置于絕緣性基材10的外表面。以下，以第2實(shí)施方式與第1實(shí)施方式不同的方面為中心進(jìn)行說(shuō)明，只要沒(méi)有特別說(shuō)明，則適用與第1實(shí)施方式同樣的說(shuō)明。(放電電極)本實(shí)施方式中，放電電極40沿著絕緣性基材10的外表面而配置。圖5所示的ESD保護(hù)設(shè)備1中，第1放電電極41和第2放電電極42與第1實(shí)施方式中說(shuō)明的圖2所示的配置同樣地，以第1放電電極41的一端面與第2放電電極42的一端面彼此對(duì)置且分隔的方式進(jìn)行配置。可是，本實(shí)施方式所涉及的EDS保護(hù)設(shè)備中，放電電極的配置不限定于這種配置，可以根據(jù)用途而適當(dāng)變更。例如，第1放電電極41和第2放電電極42可與第1實(shí)施方式中說(shuō)明的圖3所示的配置同樣地以第1放電電極41與第2放電電極42在LW面上互相平行的方式且以第1放電電極41的一側(cè)面的一部分與第2放電電極42的一側(cè)面的一部分彼此對(duì)置且分隔的方式進(jìn)行配置。應(yīng)予說(shuō)明，本說(shuō)明書(shū)中，以含有由第1放電電極41和第2放電電極42構(gòu)成的一對(duì)放電電極40的EDS保護(hù)設(shè)備1為例進(jìn)行說(shuō)明，但本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備也可以含有2對(duì)以上的放電電極。本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備含有2對(duì)以上的放電電極時(shí)，可以適當(dāng)設(shè)置對(duì)應(yīng)于各個(gè)放電電極對(duì)的追加的放電輔助電極。進(jìn)而，本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備也可以具有將配置于絕緣性基材的內(nèi)部的至少1對(duì)放電電極與配置于絕緣性基材的外表面的至少一對(duì)放電電極進(jìn)行組合而成的構(gòu)成。將本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的第1變形例示于圖6。如圖6所示，ESD保護(hù)設(shè)備1可以進(jìn)一步含有配置于第1放電電極41、第2放電電極42和放電輔助電極50上的樹(shù)脂層60。樹(shù)脂層60具有防止由周圍環(huán)境的影響所致的放電電極40和/或放電輔助電極50的氧化等的劣化，使ESD保護(hù)設(shè)備1的可靠性提高的功能。如圖6所示，樹(shù)脂層60由單一的層構(gòu)成，但也可以由不同的2個(gè)以上的層構(gòu)成。圖7示出本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的第2變形例。該變形例中，樹(shù)脂層60由第1樹(shù)脂層61和第2樹(shù)脂層62構(gòu)成。第1樹(shù)脂層61配置于第1放電電極41與第2放電電極42彼此對(duì)置的區(qū)域，第2樹(shù)脂層62配置于第1樹(shù)脂層61上。圖8中示出本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的第3變形例。圖8所示的ESD保護(hù)設(shè)備1進(jìn)一步含有配置于第1放電電極41和第2放電電極42上的樹(shù)脂層60、以及形成于樹(shù)脂層60內(nèi)的空穴部30，第1放電電極41和第2放電電極42在空穴部30內(nèi)彼此對(duì)置且分隔地配置?？昭ú?0的尺寸和形狀只要第1放電電極41和第2放電電極42在空穴部30內(nèi)彼此對(duì)置且分隔地配置則沒(méi)有特別限定。例如，如圖8所示，除空穴部的上部為曲面的形狀以外，可以適當(dāng)選擇矩形、圓柱形等形狀?？昭ú?0優(yōu)選含有Ne、Ar等稀有氣體。稀有氣體由于容易電離，可以產(chǎn)生更多的氣體離子。其結(jié)果，可以進(jìn)一步有效地產(chǎn)生沿面放電，可以進(jìn)一步提高較低的放電電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率?？昭ú?0更優(yōu)選含有Ar作為稀有氣體。Ar即使在稀有氣體中也比較容易電離，且比較廉價(jià)，因此可以以低成本得到具有良好的ESD保護(hù)特性的ESD保護(hù)設(shè)備。[第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的制造方法]以下，對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于以下所示的方法。本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的制造方法至少包括以下所說(shuō)明的工序(a)～(g)。[工序(a)]工序(a)是通過(guò)在第1陶瓷生片的一主面上應(yīng)用含有金屬粒子、半導(dǎo)體粒子和有機(jī)賦形劑的放電輔助電極糊料而形成未燒制的放電輔助電極的工序。(陶瓷生片的制備)用于形成陶瓷基材的陶瓷生片可以通過(guò)以下方法制備。將陶瓷材料與甲苯、Ekinen等有機(jī)溶劑混合，在該混合物中添加粘結(jié)劑、增塑劑等進(jìn)一步混合而得到漿料。通過(guò)刮刀法等將該漿料成型，得到規(guī)定的厚度的陶瓷生片。作為陶瓷材料，例如，可使用含有Ba、Al和Si作為主成分的陶瓷材料(BAS材料)。(放電輔助電極糊料的制備)用于形成放電輔助電極的放電輔助電極糊料可以通過(guò)下述方法制備。將半導(dǎo)體粒子、金屬粒子、在松油醇等有機(jī)溶劑中溶解乙基纖維素等粘結(jié)劑而得到的有機(jī)賦形劑、以及根據(jù)情況使用的半導(dǎo)體粒子或金屬粒子的分散劑以規(guī)定的比例進(jìn)行調(diào)合，使用三輥等進(jìn)行混合，從而制備放電輔助電極糊料。放電輔助電極糊料中使用的金屬粒子(也稱為“原料的金屬粒子”)的平均粒徑為0.10～1.00μm。若平均粒徑為0.10μm以上，則容易處理，此外，可以抑制金屬粒子的不優(yōu)選的氧化。若平均粒徑為1.00μm以下，則可以將所得的ESD保護(hù)設(shè)備的放電輔助電極所含的金屬粒子的平均粒徑和存在密度設(shè)為上述的適當(dāng)?shù)臄?shù)值范圍內(nèi)，可以得到具有優(yōu)異的ESD保護(hù)特性的ESD保護(hù)設(shè)備。應(yīng)予說(shuō)明，存在原料的金屬元素的平均粒徑越大，所得的ESD保護(hù)設(shè)備的放電輔助電極所含的金屬粒子的平均粒徑越大的趨勢(shì)。原料的金屬粒子的平均粒徑例如可以通過(guò)拍攝金屬粒子的SEM圖像，從所得的圖像的頂點(diǎn)劃出1條對(duì)角線，對(duì)與對(duì)角線相交的全部金屬粒子測(cè)定長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度，計(jì)算所測(cè)定的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度的平均值而求出。金屬粒子相對(duì)于放電輔助電極糊料中所含的非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)為15～40體積％。本說(shuō)明書(shū)中，“非燃燒性成分”是指在放電輔助電極糊料所含的成分中在工序(e)的燒制中通過(guò)揮發(fā)、燃燒等不以氣體的形式喪失而在所得的ESD保護(hù)設(shè)備中構(gòu)成放電輔助電極的成分。例如，放電輔助電極糊料僅含有金屬粒子、半導(dǎo)體粒子和有機(jī)賦形劑時(shí)，“非燃燒性成分”是指金屬粒子和半導(dǎo)體粒子。放電輔助電極糊料除含有金屬粒子、半導(dǎo)體粒子和有機(jī)賦形劑以外還含有后述的絕緣性粒子時(shí)，“非燃燒性成分”是指金屬粒子、半導(dǎo)體粒子和絕緣性粒子。若金屬粒子相對(duì)于非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)為15體積％以上，可得到在較低的電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。若金屬粒子相對(duì)于非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)為40體積％以下，則可以抑制工序(e)中的金屬粒子彼此的燒結(jié)，可得到ESD保護(hù)特性優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。金屬粒子相對(duì)于非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)優(yōu)選為30～40體積％。若體積分?jǐn)?shù)為30體積％以上，則可以進(jìn)一步提高在較低的電壓(例如2kV)下的ESD保護(hù)設(shè)備的運(yùn)行率。原料的金屬粒子沒(méi)有特別限定，例如，可以是含有選自Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、Mo中的至少1種金屬和/或它們的合金的粒子。作為原料的金屬粒子，可以單獨(dú)使用1種金屬粒子，也可以組合使用多種金屬粒子。原料的金屬粒子優(yōu)選為Cu粒子。若原料的金屬粒子為Cu粒子，則可以以低成本得到ESD保護(hù)特性優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。應(yīng)予說(shuō)明，本說(shuō)明書(shū)中，例如“原料的金屬粒子為Cu粒子”是指原料的金屬粒子的主成分為Cu，具體而言，是指原料的金屬粒子的90重量％以上為Cu。原料的金屬粒子的組成例如可通過(guò)ICP-AES(電感耦合等離子體發(fā)光分析)法和使用氧·氮分析裝置的非活性氣體熔融法進(jìn)行鑒定。放電輔助電極糊料中使用的半導(dǎo)體粒子(也稱為“原料的半導(dǎo)體粒子”)的比表面積優(yōu)選為3m2/g以上。若比表面積為3m2/g以上，則可以在所得的ESD保護(hù)設(shè)備中進(jìn)一步有效地產(chǎn)生沿面放電，可以提高在較低的電壓(例如2kV)下的ESD保護(hù)設(shè)備的運(yùn)行率。原料的半導(dǎo)體粒子的比表面積更優(yōu)選為7～15m2/g。若比表面積為7m2/g以上，則可以減小ESD保護(hù)特性的偏差。若比表面積為15m2/g以下，則容易在放電輔助電極糊料中使原料的半導(dǎo)體粒子均勻分散，可以更有效地抑制ESD保護(hù)特性的偏差。半導(dǎo)體粒子的比表面積例如可以通過(guò)利用氮?dú)獾腂ET1點(diǎn)法測(cè)定。原料的半導(dǎo)體粒子優(yōu)選為粉碎品。半導(dǎo)體粒子為粉碎品時(shí)，半導(dǎo)體粒子具有不定形的形狀，粒子表面部分地具有尖銳的形狀。若半導(dǎo)體粒子為不定形，則電子容易從半導(dǎo)體粒子的表面放出，可以更有效地產(chǎn)生沿面放電。因此，若半導(dǎo)體粒子為粉碎品，則可得到較低的放電電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率進(jìn)一步提高的ESD保護(hù)設(shè)備。原料的半導(dǎo)體粒子沒(méi)有特別限定，例如，可以是含有選自Si、Ge等金屬半導(dǎo)體，SiC、TiC、ZrC、Mo2C、WC等碳化物，TiN、ZrN、CrN、VN、TaN等氮化物，TiSi2、ZrSi2、WSi2、MoSi2、CrSi2等硅化物，TiB2、ZrB2、CrB、LaB6、MoB、WB等硼化物，ZnO、SrTiO3等氧化物中的至少1種的粒子。作為原料的半導(dǎo)體粒子，可以單獨(dú)使用1種半導(dǎo)體粒子，也可以組合使用多種半導(dǎo)體粒子。原料的半導(dǎo)體粒子優(yōu)選為SiC粒子。通過(guò)使用SiC粒子作為半導(dǎo)體粒子，在較低的電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率進(jìn)一步提高，可以以低成本得到施加ESD時(shí)的耐短路性優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。應(yīng)予說(shuō)明，本說(shuō)明書(shū)中，例如“原料的半導(dǎo)體粒子為SiC粒子”是指原料的半導(dǎo)體粒子的主成分為SiC，具體而言，是指原料的半導(dǎo)體粒子的90重量％以上為SiC。原料的半導(dǎo)體粒子的組成例如可以通過(guò)將利用XRD(X射線衍射裝置)的定性分析與ICP-AES法和使用碳·硫分析裝置的氧氣流中燃燒高頻加熱爐方式紅外線吸收法進(jìn)行組合而鑒定。放電輔助電極糊料優(yōu)選進(jìn)一步含有絕緣性粒子(也稱為“原料的絕緣性粒子”)。放電輔助電極糊料含有絕緣性粒子時(shí)，可以抑制工序(e)的燒制時(shí)的金屬粒子的燒結(jié)，因此可以得到在較低的電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率更高的ESD保護(hù)設(shè)備。此外，放電輔助電極糊料含有絕緣性粒子時(shí)，可以抑制在工序(e)的燒制時(shí)的半導(dǎo)體粒子彼此的燒結(jié)，且在所得的ESD保護(hù)設(shè)備中，可以抑制施加ESD時(shí)的半導(dǎo)體粒子彼此的燒結(jié)。因此，放電輔助電極糊料含有絕緣性粒子時(shí)，可得到在較低的電壓(例如2kV)下的運(yùn)行率更高且施加ESD時(shí)的耐短路性優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。應(yīng)予說(shuō)明，即使在放電輔助電極糊料進(jìn)一步含有絕緣性粒子的情況下，上述金屬粒子相對(duì)于含有金屬粒子、半導(dǎo)體粒子和絕緣性粒子的非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)也優(yōu)選為15～40體積％。原料的絕緣性粒子的比表面積優(yōu)選為20m2/g以上。若比表面積為20m2/g以上，則抑制金屬粒子和半導(dǎo)體粒子的燒結(jié)的效果高，且即使絕緣性粒子的添加量少的情況下，也可以發(fā)揮燒結(jié)抑制效果。原料的絕緣性粒子的比表面積更優(yōu)選為30～60m2/g。若比表面積為30m2/g以上，則可以通過(guò)少量的添加進(jìn)一步抑制金屬粒子和半導(dǎo)體粒子的燒結(jié)。若比表面積為60m2/g以下，則容易在放電輔助電極糊料中使原料的絕緣性粒子均勻分散，可以更有效地抑制ESD保護(hù)特性的偏差。絕緣性粒子的比表面積例如可以通過(guò)利用氮?dú)獾腂ET1點(diǎn)法測(cè)定。原料的絕緣性粒子可以是含有選自Al2O3、TiO2、ZrO2、SiO2等中的至少1種的粒子。作為原料的絕緣性粒子，可單獨(dú)使用1種絕緣性粒子，也可以組合使用多種絕緣性粒子。原料的絕緣性粒子優(yōu)選為Al2O3粒子。若原料的絕緣性粒子為Al2O3粒子，則可以以低成本得到ESD保護(hù)特性優(yōu)異的ESD保護(hù)設(shè)備。應(yīng)予說(shuō)明，本說(shuō)明書(shū)中，例如“原料的絕緣性粒子為Al2O3粒子”是指原料的絕緣性粒子的主成分為Al2O3，具體而言，是指原料的絕緣性粒子的90重量％以上為Al2O3。原料的絕緣性粒子的組成例如可以通過(guò)將利用XRD的定性分析與ICP-AES法進(jìn)行組合而鑒定。(放電輔助電極糊料的應(yīng)用)在第1陶瓷生片的一主面上，將放電輔助電極糊料以規(guī)定的圖案應(yīng)用。放電輔助電極糊料的應(yīng)用方法沒(méi)有特別限定，可以適當(dāng)選擇絲網(wǎng)印刷等方法。以下，將應(yīng)用于陶瓷生片的放電輔助電極糊料也稱為“未燒制的放電輔助電極”。[工序(b)]工序(b)是在應(yīng)用了放電輔助電極糊料的第1陶瓷生片上應(yīng)用放電電極糊料，從而形成第1和第2未燒制的放電電極的工序。(放電電極糊料的制備)用于形成放電電極的放電電極糊料可以通過(guò)以下方法制備。將規(guī)定的平均粒徑的金屬粒子和/或合金粒子與在松油醇等有機(jī)溶劑中溶解乙基纖維素等粘結(jié)劑而得到的有機(jī)賦形劑以規(guī)定的比例調(diào)合，使用三輥等進(jìn)行混合，從而制備放電電極糊料。作為金屬粒子和/或合金粒子，例如，可使用Cu、Ni、Ag、Pd和它們的合金以及上述任一者的組合，但不限定于此。(放電電極糊料的應(yīng)用)在應(yīng)用了放電輔助電極糊料的第1陶瓷生片上以規(guī)定的圖案應(yīng)用放電電極糊料。以下，將應(yīng)用于陶瓷生片的放電電極糊料也稱為“未燒制的放電電極”、或“第1未燒制的放電電極”和“第2未燒制的放電電極”。第1和第2未燒制的放電電極各自將至少一部分配置于未燒制的放電輔助電極上，且在未燒制的放電輔助電極上彼此對(duì)置且分隔地配置。此時(shí)，第1未燒制的放電電極與第2未燒制的放電電極的間隔可以以在所得的EDS保護(hù)設(shè)備中的放電電極間距離為所需的值的方式適當(dāng)調(diào)節(jié)。放電電極糊料的應(yīng)用方法沒(méi)有特別限定，可以適當(dāng)選擇絲網(wǎng)印刷等方法。[工序(c)]工序(c)是在應(yīng)用了放電輔助電極糊料和放電電極糊料的第1陶瓷生片上應(yīng)用空穴部形成糊料的工序。(空穴部形成糊料的制備)制備用于形成空穴部的空穴部形成糊料。作為空穴部形成糊料，可使用在燒制時(shí)分解而消失的樹(shù)脂，例如，可使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、乙基纖維素、丙烯酸樹(shù)脂等。具體而言，作為一個(gè)例子，可以將規(guī)定的平均粒徑的交聯(lián)丙烯酸樹(shù)脂珠和在松油醇等有機(jī)溶劑中溶解乙基纖維素等粘結(jié)劑而得到的有機(jī)賦形劑以規(guī)定的比例調(diào)合，使用三輥等進(jìn)行混合，從而制備空穴部形成糊料。(空穴部形成糊料的應(yīng)用)在應(yīng)用了放電輔助電極糊料和放電電極糊料的第1陶瓷生片上，以規(guī)定的圖案應(yīng)用空穴部形成糊料?？昭ú啃纬珊鲜且灾辽俑采w第1和第2未燒制的放電電極彼此對(duì)置的區(qū)域的方式來(lái)應(yīng)用?？昭ú啃纬珊系膽?yīng)用方法沒(méi)有特別限定，可以適當(dāng)選擇絲網(wǎng)印刷等方法。應(yīng)予說(shuō)明，在上述的放電輔助電極糊料、放電電極糊料和空穴部形成糊料的各個(gè)應(yīng)用厚度大時(shí)，也可以以在預(yù)先設(shè)置于第1陶瓷生片的凹部依次填充各糊料的方式進(jìn)行各糊料的應(yīng)用。[工序(d)]工序(d)是在應(yīng)用了放電輔助電極糊料、放電電極糊料和空穴部形成糊料的第1陶瓷生片上層疊第2陶瓷生片，成型為規(guī)定的尺寸，從而形成未燒制的層疊體的工序。第1陶瓷生片和第2陶瓷生片可以是相同的種類，也可以是不同的種類。也可以在如此層疊的第1和第2陶瓷生片的上下，層疊1個(gè)以上的別的陶瓷生片。在這種情況下，所層疊的陶瓷生片也可以分別為相同的種類，但也可以適當(dāng)組合不同的2個(gè)以上的種類的陶瓷生片。將以這種方式得到的層疊體(也稱為層疊母體)以整體的厚度為規(guī)定的厚度的方式壓接。將所壓接的層疊母體使用微型刀等剪切成規(guī)定的尺寸，從而得到未燒制的層疊體。[工序(e)]工序(e)是將未燒制的層疊體進(jìn)行燒制從而得到含有作為陶瓷基材的絕緣性基材、第1和第2放電電極、放電輔助電極、以及空穴部的層疊體的工序。將未燒制的層疊體在規(guī)定的環(huán)境下以900～1000℃燒制90分鐘左右。通過(guò)燒制，空穴部形成糊料進(jìn)行分解而揮發(fā)，形成空穴部。此外，通過(guò)燒制，陶瓷生片以及各糊料中存在的有機(jī)溶劑和粘結(jié)劑也分解而揮發(fā)。工序(e)的至少一部分優(yōu)選在含有Ne、Ar等稀有氣體的環(huán)境下進(jìn)行。通過(guò)在含有稀有氣體的環(huán)境下進(jìn)行工序(e)的至少一部分，可得到空穴部?jī)?nèi)存在稀有氣體的ESD保護(hù)設(shè)備。Ar即使在稀有氣體中也比較容易電離，且比較廉價(jià)，因此優(yōu)選使用Ar作為稀有氣體。進(jìn)而，工序(e)優(yōu)選在除含有稀有氣體以外還含有H2和H2O的環(huán)境下，一邊將氧分壓PO2保持在C(碳)的平衡氧分壓以上且放電電極糊料和放電輔助電極糊料所含的金屬粒子的平衡氧分壓以下一邊進(jìn)行。通過(guò)如此調(diào)節(jié)燒制時(shí)的環(huán)境，可以抑制放電電極糊料和放電輔助電極糊料所含的金屬粒子的氧化，并且促進(jìn)陶瓷生片和各糊料中存在的有機(jī)成分的燃燒。[工序(f)]工序(f)是通過(guò)在經(jīng)燒制的層疊體(芯片)的外表面應(yīng)用外部電極糊料而形成第1和第2未燒制的外部電極的工序。(外部電極糊料的制備)用于形成外部電極的外部電極糊料可以通過(guò)以下方法制備。將規(guī)定的平均粒徑的Cu粉末、具有規(guī)定的轉(zhuǎn)變點(diǎn)、軟化點(diǎn)和平均粒徑的硼硅酸堿系玻璃粉、以及在松油醇等有機(jī)溶劑中溶解乙基纖維素等粘結(jié)劑而得到的有機(jī)賦形劑以規(guī)定的比例調(diào)合，使用三輥等進(jìn)行混合，從而制備外部電極糊料。(外部電極糊料的應(yīng)用)將外部電極糊料通過(guò)涂布等應(yīng)用于芯片的兩端部。將應(yīng)用于芯片的外部電極糊料也稱為“未燒制的外部電極”、或“第1未燒制的外部電極”和“第2未燒制的外部電極”。第1未燒制的外部電極是以與第1放電電極接觸的方式形成，第2未燒制的外部電極是以與第2放電電極接觸的方式形成。通過(guò)如此應(yīng)用外部電極糊料，在所得的ESD保護(hù)設(shè)備中，可以將第1外部電極與第1放電電極電連接，將第2外部電極與第2放電電極電連接。[工序(g)]工序(g)是通過(guò)對(duì)未燒制的第1和第2外部電極施加燒制處理而形成第1和第2外部電極的工序。燒制條件可以根據(jù)外部電極糊料的組成等而適當(dāng)調(diào)節(jié)。也可以在形成的外部電極的表面實(shí)施電解Ni-Sn鍍覆等鍍覆。以這種方式得到的ESD保護(hù)設(shè)備具有良好的初期絕緣性，且在2kV的較低的放電電壓下具有良好的運(yùn)行率。[第2實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的制造方法]接著，對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。以下，以與第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的制造方法不同的方面為中心進(jìn)行說(shuō)明，只要沒(méi)有特別說(shuō)明，則適用與第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的制造方法同樣的說(shuō)明。通過(guò)與第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備的制造方法中的工序(a)和(b)同樣的步驟，在第1陶瓷生片上應(yīng)用放電輔助電極糊料和放電電極糊料。第1陶瓷生片可以由單一的層構(gòu)成，也可以由多個(gè)層構(gòu)成。在第1陶瓷生片由多個(gè)層構(gòu)成時(shí)，各個(gè)層可以具有相同的組成，也可以具有不同的組成。將以這種方式得到的層疊體(層疊母體)以整體的厚度為規(guī)定的厚度的方式壓接。將壓接的層疊母體使用微型刀等剪切成規(guī)定的尺寸，從而得到未燒制的層疊體。通過(guò)將該未燒制的層疊體進(jìn)行燒制，得到含有作為陶瓷基材的絕緣性基材、第1和第2放電電極、以及放電輔助電極的層疊體。在該層疊體(芯片)的外表面通過(guò)與上述的工序(f)和(g)同樣的步驟形成外部電極。其后，也可以通過(guò)公知的方法以樹(shù)脂層覆蓋層疊體上。以上，對(duì)含有1對(duì)放電電極(第1和第2放電電極)的ESD保護(hù)設(shè)備的制造方法進(jìn)行說(shuō)明，但對(duì)于含有2對(duì)以上的放電電極的ESD保護(hù)設(shè)備，也可以基于上述制造方法適當(dāng)制造。實(shí)施例關(guān)于本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備，通過(guò)下述步驟制作例1～19的ESD保護(hù)設(shè)備。(陶瓷生片的制備)在含有Ba、Al和Si作為主成分的陶瓷材料(BAS材料)的粉末中添加甲苯和Ekinen(注冊(cè)商標(biāo))并混合。在該混合物中進(jìn)一步添加粘結(jié)劑樹(shù)脂和增塑劑并混合，得到陶瓷漿料。通過(guò)刮刀法將該陶瓷漿料成型而得到厚度50μm的陶瓷生片。(放電輔助電極糊料的制備)準(zhǔn)備下述表1所示的金屬粒子、半導(dǎo)體粒子、絕緣粒子和有機(jī)賦形劑。[表1]金屬粒子的組成通過(guò)ICP-AES(電感耦合等離子體發(fā)光分析)法和使用氧·氮分析裝置(堀場(chǎng)制作所)的非活性氣體熔融法進(jìn)行分析，可確認(rèn)Cu的含量為90重量％以上，即，金屬粒子的主成分為Cu。通過(guò)以下步驟求出金屬粒子(Cu粒子)的平均粒徑。首先，拍攝金屬粒子的SEM圖像(10000倍)，從所得的圖像的頂點(diǎn)劃出1條對(duì)角線，對(duì)與對(duì)角線相交的金屬粒子測(cè)定長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度。對(duì)在不同的區(qū)域拍攝的5張SEM圖像進(jìn)行該操作，算出所測(cè)定的金屬粒子的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度的平均值。將以這種方式求出的平均值作為金屬粒子的平均粒徑。半導(dǎo)體粒子的組成是在通過(guò)利用XRD(X射線衍射裝置)的定性分析而確認(rèn)含有SiC結(jié)晶后，通過(guò)ICP-AES法和使用碳·硫分析裝置(堀場(chǎng)制作所)的氧氣流中燃燒高頻加熱爐方式紅外線吸收法進(jìn)行分析，確認(rèn)了SiC的含量為90重量％以上。絕緣性粒子的組成在通過(guò)利用XRD的定性分析而確認(rèn)了含有Al2O3結(jié)晶后，通過(guò)ICP-AES法進(jìn)行分析，確認(rèn)了Al2O3的含量為90重量％以上。半導(dǎo)體粒子(SiC粒子)和絕緣性粒子(Al2O3粒子)的比表面積通過(guò)利用氮?dú)獾腂ET1點(diǎn)法測(cè)定。將以下述表2所示的比例含有表1中記載的金屬粒子、半導(dǎo)體粒子、絕緣性粒子和有機(jī)賦形劑而成的混合物分別用三輥分散而混合，制備P-1～P-15的放電輔助電極糊料。[表2](放電電極糊料的制備)通過(guò)將平均粒徑1μm的Cu粉末40重量％、平均粒徑3μm的Cu粉末40重量％、以及有機(jī)賦形劑20重量％混合，制備放電電極糊料。應(yīng)予說(shuō)明，用于放電電極糊料的制備的有機(jī)賦形劑是通過(guò)將乙基纖維素溶解于松油醇而制備的，有機(jī)賦形劑中的乙基纖維素的含量為10重量％。(空穴部形成糊料的制備)將平均粒徑1μm的交聯(lián)丙烯酸樹(shù)脂珠38重量％和在松油醇中溶解10重量％的ETHOCEL樹(shù)脂而成的有機(jī)賦形劑62重量％進(jìn)行調(diào)合并混合，從而制備空穴部形成糊料。(外部電極糊料的制備)將平均粒徑1μm的Cu粉末80重量％，轉(zhuǎn)變點(diǎn)為620℃、軟化點(diǎn)為720℃、平均粒徑為1μm的硼硅酸堿系玻璃粉5重量％，以及在松油醇中溶解丙烯酸樹(shù)脂而得的有機(jī)賦形劑15重量％進(jìn)行調(diào)合并混煉，從而制備外部電極糊料。有機(jī)賦形劑中的丙烯酸樹(shù)脂的含量為20重量％。使用以這種方式制備的陶瓷生片、放電輔助電極糊料、放電電極糊料、空穴部形成糊料和外部電極糊料，通過(guò)以下說(shuō)明的步驟制作例1～19的ESD保護(hù)設(shè)備。例1～19的ESD保護(hù)設(shè)備具有與圖1和圖2所示的結(jié)構(gòu)同樣的結(jié)構(gòu)。[例1][工序(a)]在陶瓷生片上，將P-1的放電輔助電極糊料涂布成與放電輔助電極對(duì)應(yīng)的形狀。[工序(b)]接著，將放電電極糊料涂布成一對(duì)放電電極糊料在放電輔助電極糊料上在長(zhǎng)度方向?qū)χ玫男螤?。?duì)置的一對(duì)放電電極糊料(第1和第2未燒制的放電電極)間的距離設(shè)定為24μm。[工序(c)]接著，以覆蓋放電電極糊料的對(duì)置部分的方式涂布空穴部形成糊料。[工序(d)]在如此層疊有放電輔助電極糊料、放電電極糊料和空穴部形成糊料的陶瓷生片上層疊新的陶瓷生片，在其上下進(jìn)一步層疊多片新的陶瓷生片，進(jìn)行壓接，從而得到厚度為0.3mm的層疊母體。將該層疊母體以具有尺寸1.0mm×0.5mm的矩形平面形狀的方式在厚度方向切斷，從而得到各個(gè)ESD保護(hù)設(shè)備單元的芯片。所得的芯片(未燒制的層疊體)的尺寸為1.0mm(長(zhǎng)度L)×0.5mm(寬度W)×0.3mm(厚度T)。[工序(e)]一邊在N2/H2/H2O環(huán)境下將氧分壓PO2保持在C(碳)的平衡氧分壓以上且Cu的平衡氧分壓以下一邊將工序(d)中得到的芯片進(jìn)行燒制。[工序(f)]在經(jīng)燒制的芯片的兩端部涂布外部電極糊料。外部電極糊料以在芯片的兩端部分別與芯片內(nèi)的第1和第2放電電極接觸的方式涂布。[工序(g)]通過(guò)燒制涂布于芯片的兩端部的外部電極糊料，形成第1和第2外部電極。以這種方式得到例1的ESD保護(hù)設(shè)備。[例2～15]分別使用P2～15代替P-1作為放電輔助電極糊料，除此以外，通過(guò)與例1同樣的步驟制作例2～15的ESD保護(hù)設(shè)備。[例16]在Ar/H2/H2O環(huán)境下進(jìn)行工序(e)，除此以外，通過(guò)與例3同樣的步驟制作例16的ESD保護(hù)設(shè)備。[例17]在Ar/H2/H2O環(huán)境下進(jìn)行工序(e)，除此以外，通過(guò)與例9同樣的步驟制作例17的ESD保護(hù)設(shè)備。[例18]將未燒制的放電電極間距離設(shè)為12μm，除此以外，通過(guò)與例3同樣的步驟制作例18的ESD保護(hù)設(shè)備。[例19]將未燒制的放電電極間距離設(shè)為60μm，除此以外，通過(guò)與例3同樣的步驟制作例19的ESD保護(hù)設(shè)備。將例1～19的ESD保護(hù)設(shè)備的制作條件示于下述表3。[表3]對(duì)所得的例1～19的ESD保護(hù)設(shè)備進(jìn)行以下所示的結(jié)構(gòu)解析。[放電電極間距離]將ESD保護(hù)設(shè)備在LW面(與厚度方向垂直的面)方向研磨，使第1和第2放電電極以及放電輔助電極露出。使用顯微鏡測(cè)定所露出的第1放電電極與第2放電輔助電極之間的距離。在每個(gè)例子中對(duì)10個(gè)ESD保護(hù)設(shè)備進(jìn)行該操作，求出所測(cè)定的距離的平均值。將該平均值作為“放電電極間距離”。[放電輔助電極的構(gòu)成成分]在LW面方向研磨ESD保護(hù)設(shè)備，使第1和第2放電電極以及放電輔助電極露出。對(duì)所露出的放電輔助電極進(jìn)行微焦X射線解析，由所得的峰鑒定放電輔助電極的構(gòu)成成分。[放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑]將ESD保護(hù)設(shè)備在LT面(與寬度方向垂直的面)方向研磨至1/2W地點(diǎn)(ESD保護(hù)設(shè)備的寬度尺寸的一半的地點(diǎn))，使放電輔助電極的截面露出。拍攝所露出的放電輔助電極部的SEM圖像(反射電子圖像，10000倍)，在映現(xiàn)于所得的圖像內(nèi)的金屬粒子中，對(duì)粒子整體含于圖像內(nèi)的粒子，測(cè)定其長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度。在每個(gè)例子中對(duì)10個(gè)ESD保護(hù)設(shè)備進(jìn)行該操作，求出所測(cè)定的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度的平均值。將該平均值作為放電輔助電極中的“金屬粒子的平均粒徑”。[放電輔助電極中的金屬粒子的存在密度]將ESD保護(hù)設(shè)備在LT面方向研磨至1/2W地點(diǎn)，使放電輔助電極的截面露出。拍攝所露出的放電輔助電極的SEM圖像(反射電子圖像，10000倍)，在所得的圖像中，將放電輔助電極的面積50μm2的范圍內(nèi)所含的金屬粒子的總數(shù)計(jì)數(shù)。在每個(gè)例子中對(duì)10個(gè)ESD保護(hù)設(shè)備進(jìn)行該操作，求出金屬粒子的總數(shù)的平均值。將該平均值作為放電輔助電極中的“金屬粒子的存在密度”。[空穴部?jī)?nèi)存在的氣體的主成分]通過(guò)以下方法測(cè)定空穴部?jī)?nèi)存在的氣體的主成分。對(duì)每個(gè)例子準(zhǔn)備20個(gè)ESD保護(hù)設(shè)備。將這些ESD保護(hù)設(shè)備在真空中破壞，使用質(zhì)譜分析儀(MassSpectrometer，MS)分析產(chǎn)生的氣體所含的成分，鑒定空穴部?jī)?nèi)存在的氣體的主成分。將例1～19的ESD保護(hù)設(shè)備的結(jié)構(gòu)解析結(jié)果示于下述表4。[表4]由例1～5的比較可知，存在放電輔助電極糊料所含的非燃燒性成分中的金屬粒子的比例越大，所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑越大的趨勢(shì)。這種趨勢(shì)也可以由例13和14的比較來(lái)確認(rèn)。認(rèn)為這些趨勢(shì)是因?yàn)榉侨紵猿煞种械慕饘倭Ｗ拥谋壤酱螅诠ば?e)的燒制中金屬粒子彼此的燒結(jié)越容易發(fā)生。此外，由例1～5的比較可知，放電輔助電極糊料所含的非燃燒性成分中的金屬粒子的比例越大，所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的存在密度越大。這種趨勢(shì)也可以由例13和14的比較來(lái)確認(rèn)。由例3和6～8的比較可知，在放電輔助電極糊料所含的半導(dǎo)體粒子的比表面積為3～15m2/g時(shí)，所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑和存在密度為同等的值。由例3和9的比較可知，若在放電輔助電極糊料中添加絕緣性粒子，則所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑變小，并且存在密度變大。認(rèn)為這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)在放電輔助電極糊料中添加絕緣性粒子，工序(e)中的燒制中的金屬粒子彼此的燒結(jié)被抑制。這種趨勢(shì)也可以由例14和15的比較來(lái)確認(rèn)。進(jìn)而，由例9和10的比較可知，若絕緣性粒子的添加量增加，則所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑進(jìn)一步變小，并且存在密度進(jìn)一步變大。由例2、11和13的比較可知，放電輔助電極糊料所含的金屬粒子的平均粒徑越大，所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑越大，存在密度越小。這種趨勢(shì)也可以由例4、12和14的比較來(lái)確認(rèn)。由例3、9、16和17的比較可知，即使在變更工序(e)中的燒制中的環(huán)境的情況下，所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑和存在密度也不會(huì)產(chǎn)生變化。由例3、18和19的比較可知，通過(guò)調(diào)節(jié)涂布放電電極糊料而形成的未燒制的放電電極間的距離，可以變更所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電電極間距離。接著，對(duì)例1～19的ESD保護(hù)設(shè)備進(jìn)行以下所示的ESD保護(hù)特性的評(píng)價(jià)。[初期絕緣性]對(duì)ESD保護(hù)設(shè)備的外部電極間施加15V的電壓，測(cè)定外部電極間的電阻值(IR)。在每個(gè)例子中對(duì)100個(gè)ESD保護(hù)設(shè)備進(jìn)行該操作，求出電阻值的平均值。將電阻值的平均值為logIR≥7的ESD保護(hù)設(shè)備評(píng)價(jià)為初期絕緣性“良(○)”，將電阻值的平均值為logIR＜7的ESD保護(hù)設(shè)備評(píng)價(jià)為初期絕緣性“不良(×)”。將結(jié)果示于表5。評(píng)價(jià)為初期絕緣性“不良(×)”的ESD保護(hù)設(shè)備無(wú)法供于實(shí)用，因此無(wú)法進(jìn)行后述的2kV的運(yùn)行率的評(píng)價(jià)。[2kV下的運(yùn)行率]2kV下的運(yùn)行率是基于國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2，通過(guò)接觸放電法而評(píng)價(jià)。在ESD保護(hù)設(shè)備的外部電極間施加2kV的電壓而測(cè)定峰電壓值(Vpeak)，在Vpeak≤500V時(shí)，判定在放電電極間開(kāi)始放電，即，ESD保護(hù)設(shè)備進(jìn)行工作。在每個(gè)例子中對(duì)100個(gè)ESD保護(hù)設(shè)備進(jìn)行該操作，將在100個(gè)ESD保護(hù)設(shè)備中開(kāi)始放電的ESD保護(hù)設(shè)備的比例作為2kV下的運(yùn)行率(％)。將2kV下的運(yùn)行率為100％的ESD保護(hù)設(shè)備評(píng)價(jià)為“非常良好(◎)”，將90％以上且小于100％的ESD保護(hù)設(shè)備評(píng)價(jià)為“良(○)”，將70％以上且小于90％的ESD保護(hù)設(shè)備評(píng)價(jià)為“可(△)”，將小于70％的ESD保護(hù)設(shè)備評(píng)價(jià)為“不良(×)”。將結(jié)果示于表5。應(yīng)予說(shuō)明，認(rèn)為判定為“×”的ESD保護(hù)設(shè)備無(wú)法供于實(shí)用。[表5]例初期絕緣性2kV下的運(yùn)行率1○×2○△3○△4○△5×-6○△7○△8○△9○○10○◎11○◎12○△13○×14×-15○×16○○17○◎18○△19○△如表5所示，例1～4、6～13和15～19的ESD保護(hù)設(shè)備示出良好的初期絕緣性。與此相對(duì)，例5和14的ESD保護(hù)設(shè)備示出不能供于實(shí)用的初期絕緣性。由例1～4與例5的比較可知，若金屬粒子相對(duì)于放電輔助電極糊料中的非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)大于40體積％，則所得的EDS保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中存在的金屬粒子的平均粒徑大于1.5μm，其結(jié)果，初期絕緣性下降。此外，由例4和12與例14的比較可知，若放電輔助電極糊料中的金屬粒子的平均粒徑大于1.0μm，則所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中存在的金屬粒子的平均粒徑大于1.5μm，其結(jié)果，初期絕緣性下降。如表5所示，例2～4、6～12、16～19的ESD保護(hù)設(shè)備示出了能夠在2kV下供于實(shí)用的運(yùn)行率。與此相對(duì)，例1、13和15的ESD保護(hù)設(shè)備示出了不能在2kV下供于實(shí)用的運(yùn)行率。由例1與例2～4的比較可知，若金屬粒子相對(duì)于放電輔助電極糊料中的非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)小于15體積％，則在所得的EDS保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中存在的金屬粒子的存在密度小于20個(gè)/50μm2，其結(jié)果，在2kV下的運(yùn)行率下降。由例3和6～8的比較可知，放電輔助電極糊料所含的半導(dǎo)體粒子的比表面積為3～15m2/g時(shí)，在2kV下示出同等的運(yùn)行率。由例3和9的比較可知，若在放電輔助電極糊料中添加絕緣性粒子，則所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑變小，并且存在密度變大，其結(jié)果，2kV下的運(yùn)行率提高。進(jìn)而，由例9和10的比較可知，若增加絕緣性粒子的添加量，則2kV下的運(yùn)行率進(jìn)一步提高。由例2、11和12的比較可知，通過(guò)減小放電輔助電極糊料所含的金屬粒子的平均粒子，且增大金屬粒子相對(duì)于放電輔助電極糊料中的非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)，所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑進(jìn)一步變小，并且存在密度進(jìn)一步變大，其結(jié)果，在2kV下達(dá)成非常良好的運(yùn)行率。由例13可知，放電輔助電極糊料所含的金屬粒子的平均粒徑大于1.0μm，且金屬粒子相對(duì)于放電輔助電極糊料中的非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)較小，從而所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的存在密度小于20個(gè)/50μm2，其結(jié)果，2kV下的運(yùn)行率下降。此外，由例15可知，放電輔助電極糊料所含的金屬粒子的平均粒徑大于1.0μm，且金屬粒子相對(duì)于放電輔助電極糊料中的非燃燒性成分整體的體積分?jǐn)?shù)較大，從而所得的ESD保護(hù)設(shè)備中的放電輔助電極中的金屬粒子的平均粒徑大于1.5μm，其結(jié)果，2kV下的運(yùn)行率下降。由例3和9與例16和17的比較可知，空穴部含有Ar氣體作為主成分的ESD保護(hù)設(shè)備與空穴部含有N2氣體作為主成分的ESD保護(hù)設(shè)備相比，2kV下的運(yùn)行率進(jìn)一步提高。由例3、18、19可知，即使在變更了放電電極間距離的情況下，也示出同等的初期絕緣性和在2kV下的運(yùn)行率。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)設(shè)備具有良好的ESD保護(hù)特性，因此可有效地防止由ESD所致的電子設(shè)備的損傷和誤操作等。符號(hào)說(shuō)明1靜電放電(ESD)保護(hù)設(shè)備10絕緣性基材20外部電極21第1外部電極22第2外部電極30空穴部40放電電極41第1放電電極42第2放電電極43放電電極間距離50放電輔助電極60樹(shù)脂層61第1樹(shù)脂層62第2樹(shù)脂層當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3