技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有N型邊緣區(qū)和P型邊緣區(qū)，所述N型邊緣區(qū)和P型邊緣區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成有鰭部、橫跨所述鰭部的偽柵介質(zhì)層和覆蓋偽柵介質(zhì)層的偽柵電極、以及覆蓋偽柵介質(zhì)層和偽柵電極的側(cè)壁和所述鰭部的層間介質(zhì)層；去除N型邊緣區(qū)的偽柵電極，形成第一開口；對第一開口底部的偽柵介質(zhì)層進(jìn)行氮等離子體處理；氮等離子體處理后，去除P型邊緣區(qū)的偽柵電極，形成第二開口；形成第二開口后，進(jìn)行氟氣氛退火處理；氟氣氛退火處理后，在所述第一開口和第二開口中形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。所述方法使得提高了鰭式場效應(yīng)晶體管的電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.08
技術(shù)公布日：2017.09.15