技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種MOCVD高溫生長高質(zhì)量GaInNAs子電池的方法，在MOCVD高溫生長GaAs疊層電池的GaInNAs子電池時，通過載氣的快速切換,能夠降低高溫生長GaInNAs子電池時氮元素的摻雜難度，從而生長出所需的高質(zhì)量GaInNAs子電池，而載氣的快速切換則由互鎖裝置完成；此外，生長GaInNAs子電池前后需生長隧道結(jié)GaAs/AlGaAs，而生長GaInNAs子電池前后的隧道結(jié)GaAs/AlGaAs使用的載氣為H2，生長GaInNAs子電池使用的載氣為N2，GaInNAs子電池摻雜氮源為二甲基肼。通過本發(fā)明方法能生長出高質(zhì)量的GaInNAs子電池，最終提高GaAs疊層電池的整體性能。

技術(shù)研發(fā)人員：楊鵬;楊翠柏;張小賓;張楊;方聰;劉向平;靳愷;王雷;高熙隆
受保護的技術(shù)使用者：中山德華芯片技術(shù)有限公司
文檔號碼：201610192093
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.30
技術(shù)公布日：2017.08.11