本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種發(fā)光層材料為單取代基-9-芴酮類化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及其應(yīng)用。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光(oled:organiclightemissiondiodes)器件技術(shù)既可以用來制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應(yīng)用前景十分廣泛。
oled發(fā)光器件猶如三明治的結(jié)構(gòu)，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機(jī)功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成oled發(fā)光器件。作為電流器件，當(dāng)對oled發(fā)光器件的兩端電極施加電壓，并通過電場作用有機(jī)層功能材料膜層中的正負(fù)電荷，正負(fù)電荷進(jìn)一步在發(fā)光層中復(fù)合，即產(chǎn)生oled電致發(fā)光。
有機(jī)發(fā)光二極管(oled)在大面積平板顯示和照明方面的應(yīng)用引起了工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。然而，傳統(tǒng)有機(jī)熒光材料只能利用電激發(fā)形成的25％單線態(tài)激子發(fā)光，器件的內(nèi)量子效率較低(最高為25％)。外量子效率普遍低于5％，與磷光器件的效率還有很大差距。盡管磷光材料由于重原子中心強(qiáng)的自旋-軌道耦合增強(qiáng)了系間竄越，可以有效利用電激發(fā)形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子發(fā)光，使器件的內(nèi)量子效率達(dá)100％。但磷光材料存在價格昂貴，材料穩(wěn)定性較差，器件效率滾落嚴(yán)重等問題限制了其在oleds的應(yīng)用。熱激活延遲熒光(tadf)材料是繼有機(jī)熒光材料和有機(jī)磷光材料之后發(fā)展的第三代有機(jī)發(fā)光材料。該類材料一般具有小的單線態(tài)-三線態(tài)能級差(△est)，三線態(tài)激子可以通過反系間竄越轉(zhuǎn)變成單線態(tài)激子發(fā)光。這可以充分利用電激發(fā)下形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子，器件的內(nèi)量子效率可以達(dá)到100％。同時，材料結(jié)構(gòu)可控，性質(zhì)穩(wěn)定，價格便宜無需貴重金屬，在oled領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。
雖然理論上tadf材料可以實(shí)現(xiàn)100％的激子利用率，但實(shí)際上存在如下問題:
(1)設(shè)計分子的t1和s1態(tài)具有強(qiáng)的ct特征,非常小的s1-t1態(tài)能隙,雖然可以通過tadf過程實(shí)現(xiàn)高t1→s1態(tài)激子轉(zhuǎn)化率,但同時導(dǎo)致低的s1態(tài)輻射躍遷速率,因此,難于兼具(或同時實(shí)現(xiàn))高激子利用率和高熒光輻射效率；
(2)即使已經(jīng)采用摻雜器件減輕t激子濃度猝滅效應(yīng),大多數(shù)tadf材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴(yán)重。
就當(dāng)前oled顯示照明產(chǎn)業(yè)的實(shí)際需求而言，目前oled材料的發(fā)展還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機(jī)功能材料顯得尤為重要。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種含單取代基-9-芴酮化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及其應(yīng)用。本發(fā)明基于tadf機(jī)理的單取代基-9-芴酮類化合物作為發(fā)光層材料應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管上，具有良好的光電性能，能夠滿足oled器件企業(yè)，特別是oled顯示面板和oled照明企業(yè)的需求。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
一種含單取代基-9-芴酮化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件包括空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，該器件發(fā)光層材料為含有單取代基-9-芴酮基團(tuán)的化合物，所述化合物的結(jié)構(gòu)式如通式(1)所示：
通式(1)中，r采用-ar-r1或-r1表示；其中，ar表示為苯基、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基或苯并菲基；
r1采用通式(2)表示：
通式(2)中，x1為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；
r2、r3分別獨(dú)立的選取氫、通式(3)或通式(4)所示結(jié)構(gòu)；
通式(3)中，a為
通式(3)、通式(4)與cl1-cl2鍵、cl2-cl3鍵、cl3-cl4鍵、cl‘1-cl’2鍵、cl‘2-cl’3鍵或cl‘3-cl’4鍵連接。
所述含有單取代基-9-芴酮基團(tuán)的化合物中r1表示為如下基團(tuán)：
所述含有單取代基-9-芴酮基團(tuán)的化合物的具體結(jié)構(gòu)式為：
所述通式(1)所示材料作為發(fā)光層的主體材料；所述發(fā)光層的摻雜材料為使用下列通式(5)、(6)、(7)所示材料中的一種：
通式(5)中，y1～y6各自獨(dú)立的表示為氧、碳、氮原子的一種；
通式(6)、通式(7)中y1～y4各自獨(dú)立的表示為氧、碳、氮原子的一種；
所述空穴傳輸層的材料為含有三芳基胺基團(tuán)的化合物，該化合物的結(jié)構(gòu)式通式如通式(8)所示：
通式(8)中d1-d3各自獨(dú)立表示取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；d1-d3可以相同或者不同。
所述電子傳輸層的材料為下列通式(9)、(10)、(11)、(12)、(13)所示材料中的一種：
通式(9)、通式(10)、通式(11)、通式(12)、通式(13)中e1-e10選擇為氫、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；e1-e10不同時為氫。
所述發(fā)光器件還包括空穴注入層；所述空穴注入層材料為下列結(jié)構(gòu)通式(14)、(15)、(16)所示材料中的一種：
通式(14)中，f1-f3各自獨(dú)立表示取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；f1-f3可以相同或者不同；
通式(15)、通式(16)中，g1-g6各自獨(dú)立的表示氫、腈基、鹵素、酰胺基、烷氧基、酯基、硝基、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的碳原子、取代或未取代的c6-30芳基、3元至30元雜芳基；g1-g6不同時為氫。
所述發(fā)光器件還包括電子注入層；所述電子注入層材料為鋰、鋰鹽或銫鹽中的一種；所述鋰鹽為8-羥基喹啉鋰、氟化鋰、碳酸鋰、疊氮化鋰；所述銫鹽為氟化銫、碳酸銫、疊氮化銫。
所述通式(1)所示化合物還可以做為發(fā)光層的摻雜材料使用。
一種所述有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用，所述有機(jī)電致發(fā)光器件用于制備頂發(fā)光oled發(fā)光器件。
一種所述有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用，所述有機(jī)電致發(fā)光器件應(yīng)用于am-oled顯示器。
本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于：
組成本發(fā)明所述oled發(fā)光器件的單取代基-9-芴酮類化合物具有tadf的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，容易實(shí)現(xiàn)非常小的s1-t1態(tài)能隙差，在激發(fā)情況下，容易實(shí)現(xiàn)三線態(tài)到單線態(tài)的反系間竄越，使原本不能發(fā)光，以熱的形式散失的熱量轉(zhuǎn)化為可產(chǎn)生光能的能量，并有望獲得極高的效率。
基于以上原理分析，本發(fā)明所述oled發(fā)光器件，既可以選擇熒光材料作為摻雜材料，也可以選擇磷光材料作為摻雜材料，亦可以將本發(fā)明所述tadf材料直接作為摻雜材料使用。
所述單取代基-9-芴酮化合物作為oled發(fā)光器件的主體材料搭配銥，鉑類磷光材料使用時，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時，對于器件壽命提升非常明顯。進(jìn)一步的，在oled器件層結(jié)構(gòu)搭配上，引入空穴和電子注入層后，使透明陽極、金屬陰極和有機(jī)材料接觸界面更穩(wěn)定，空穴、電子注入效果提升；空穴傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側(cè)的空穴傳輸層又可以命名為電子阻擋層(ebl)，提供電子阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合效率提升，鄰接空穴注入層一側(cè)的空穴傳輸層則起到空穴傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用；電子傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側(cè)的電子傳輸層又可以命名為空穴阻擋層(hbl)，提供空穴阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合效率提升，鄰接電子注入層一側(cè)的電子傳輸層則起到電子傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用。然而，應(yīng)當(dāng)指出，這些層中的每個都并非必須存在。
本發(fā)明所述oled器件化合物的組合效果：使得器件的驅(qū)動電壓降低，電流效率、功率效率、外量子效率得到進(jìn)一步提高，器件壽命提升效果明顯。在oled發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
令人預(yù)料不到地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在下文中更詳細(xì)描述的化合物組合實(shí)現(xiàn)了這個目的，并且導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的改進(jìn)，特別是電壓、效率和壽命的改進(jìn)。這特別適用于紅色或綠色磷光的電致發(fā)光器件，尤其是在使用本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)及材料組合時，情況如此。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例疊層oled器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖1中：1為透明襯底、2為ito陽極層、3為空穴注入層(hil)、4為空穴傳輸層(htl)、5為電子阻擋層(ebl)、6為發(fā)光層(eml)、7為空穴阻擋層(hbl)、8為電子傳輸層(etl)、9為電子注入層(eil)、10為陰極反射電極層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行具體描述。
實(shí)施例1化合物26
250ml的三口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.01mol(2.59g)1-溴-9-芴酮，0.015mol(5.23g)化合物m1，0.03mol(2.88g)叔丁醇鈉，10-4mol(0.073g)pd(dppf)cl2，180ml甲苯，加熱回流10小時，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，將濾液進(jìn)行柱層析，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.2％，收率82％；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c37h22n2o2)：理論值c,84.39；h,4.21；n,5.32；o,6.08；測試值：c,84.36；h,4.22；n,5.33；o,6.09；
hplc-ms：材料理論分子量為526.17，實(shí)際分子量526.40。
實(shí)施例2化合物44
化合物44的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于采用原料m2替換m1；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c29h17nos)：理論值c,81.47；h,4.01；n,3.28；o,3.74；s,7.50；測試值：c,81.45；h,4.00；n,3.29；o,3.7；s,7.51；
hplc-ms：材料理論分子量為427.10，實(shí)際分子量427.35。
實(shí)施例3化合物56
化合物56的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于采用原料m3替換m1；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c31h17no3)：理論值c,82.47；h,3.80；n,3.10；o,10.63；測試值：c,82.45；h,3.79；n,3.11；o,10.65；
hplc-ms：材料理論分子量為451.12，實(shí)際分子量451.36。
實(shí)施例4化合物58
250ml的三口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol(2.59g)2-溴-9-芴酮，0.015mol(6.59g)化合物m4，0.03mol(2.88g)叔丁醇鈉，10-4mol(0.073g)pd(dppf)cl2，180ml甲苯，加熱回流9小時，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，將濾液進(jìn)行柱層析，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.9％，收率78％；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c43h27n3o2)：理論值c,83.61；h,4.41；n,6.80；o,5.18；測試值：c,83.64；h,4.40；n,6.78；o,5.18；
hplc-ms：材料理論分子量為617.21，實(shí)際分子量617.39。
實(shí)施例5化合物63
250ml的三口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol(2.59g)3-溴-9-芴酮，0.015mol(6.09g)化合物m5，0.03mol(2.88g)叔丁醇鈉，10-4mol(0.073g)pd(dppf)cl2，180ml甲苯，加熱回流12小時，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，將濾液進(jìn)行柱層析，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.4％，收率77％；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c40h28n2os)：理論值c,82.16；h,4.83；n,4.79；o,2.74；s,5.48；測試值：c,82.15；h,4.81；n,4.81；o,2.73；s,5.50；
hplc-ms：材料理論分子量為584.19，實(shí)際分子量584.33。
實(shí)施例6化合物67
化合物67的制備方法同實(shí)施例5，不同之處在于采用原料m6替換m5；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c43h27n3os)：理論值c,81.49；h,4.29；n,6.63；o,2.52；s,5.06；測試值：c,81.47；h,4.26；n,6.64；o,2.55；s,5.07；
hplc-ms：材料理論分子量為633.19，實(shí)際分子量633.36。
實(shí)施例7化合物82
化合物82的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于采用原料m7替換m1；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c46h33n3o)：理論值c,85.82；h,5.17；n,6.53；o,2.49；測試值：c,85.83；h,5.15；n,6.55；o,2.49；
hplc-ms：材料理論分子量為643.26，實(shí)際分子量643.59。
實(shí)施例8化合物86
化合物86的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于采用原料m8替換m1；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c42h27no3)：理論值c,84.97；h,4.58；n,2.36；o,8.09；測試值：c,84.99；h,4.53；n,2.37；o,8.11；
hplc-ms：材料理論分子量為593.20，實(shí)際分子量593.56。
實(shí)施例9化合物89
化合物89的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于采用原料m9替換m1；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c49h29n3o3)：理論值c,83.15；h,4.13；n,5.94；o,6.78；測試值：c,83.11；h,4.11；n,5.98；o,6.80；
hplc-ms：材料理論分子量為707.22，實(shí)際分子量707.40。
實(shí)施例10化合物92
250ml的三口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol(2.59g)4-溴-9-芴酮，0.015mol(7.72g)化合物m10，0.03mol(2.88g)叔丁醇鈉，10-4mol(0.073g)pd(dppf)cl2，180ml甲苯，加熱回流14小時，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，將濾液進(jìn)行柱層析，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.5％，收率73％；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c49h32n4o)：理論值c,84.95；h,4.66；n,8.09；o,2.31；測試值：c,86.95；h,5.09；n,5.06；o,2.90；
hplc-ms：材料理論分子量為692.26，實(shí)際分子量692.35。
實(shí)施例11化合物95
化合物95的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于采用原料m11替換m1；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c43h27n3o)：理論值c,85.83；h,4.52；n,6.98；o,2.66；測試值：c,85.86；h,4.50；n,6.70；o,2.64；
hplc-ms：材料理論分子量為601.22，實(shí)際分子量601.49。
實(shí)施例12化合物96
化合物96的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于采用原料m12替換m1；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c40h28n2o)：理論值c,86.93；h,5.11；n,5.07；o,2.89；測試值：c,86.95；h,5.09；n,5.06；o,2.90；
hplc-ms：材料理論分子量為552.22，實(shí)際分子量552.19。
實(shí)施例13化合物99
化合物99的制備方法同實(shí)施例10，不同之處在于采用原料m13替換m10；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c46h33n3o)：理論值c,85.82；h,5.17；n,6.53；o,2.49；測試值：c,85.86；h,5.13；n,6.55；o,2.47；
hplc-ms：材料理論分子量為643.26，實(shí)際分子量643.15。
實(shí)施例14化合物128
化合物128的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于采用原料m14替換m1；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c40h25no3)：理論值c,84.64；h,4.44；n,2.47；o,8.46；測試值：c,84.66；h,4.41；n,2.45；o,8.49；
hplc-ms：材料理論分子量為567.18，實(shí)際分子量567.24。
實(shí)施例15化合物143
化合物143的制備方法同實(shí)施例4，不同之處在于采用原料m15替換m4；
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c44h30n2o2)：理論值c,85.41；h,4.89；n,4.53；o,5.17；測試值：c,85.43；h,4.91；n,4.50；o,5.16；
hplc-ms：材料理論分子量為618.23，實(shí)際分子量618.35。
實(shí)施例16化合物148
250ml的三口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol(2.68g)1-硼酸-9-芴酮，0.015mol(7.45g)化合物m16，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molna2co3水溶液(2m)，通氮?dú)鈹嚢?小時，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加熱回流10-24小時，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，hplc純度98.5％，收率66.00％。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c43h33no2)：理論值c,86.69；h,5.58；n,2.35；o,5.37；測試值：c,86.77；h,5.55；n,2.37；o,5.31；
hplc-ms：材料理論分子量為595.25，實(shí)際分子量595.30。
本發(fā)明化合物可以作為發(fā)光層材料使用，對本發(fā)明化合物118、現(xiàn)有材料cbp進(jìn)行熱性能、發(fā)光光譜及homo能級進(jìn)行測試，檢測結(jié)果如表1所示。
表1
注：玻璃化溫度tg由示差掃描量熱法(dsc，德國耐馳公司dsc204f1示差掃描量熱儀)測定，升溫速率10℃/min；熱失重溫度td是在氮?dú)鈿夥罩惺е?％的溫度，在日本島津公司的tga-50h熱重分析儀上進(jìn)行測定，氮?dú)饬髁繛?0ml/min；λpl是樣品溶液熒光發(fā)射波長，利用日本拓普康sr-3分光輻射度計測定；φf是固體粉末熒光量子效率(利用美國海洋光學(xué)的maya2000pro光纖光譜儀，美國藍(lán)菲公司的c-701積分球和海洋光學(xué)lls-led光源組成的測試固體熒光量子效率測試系統(tǒng)，參照文獻(xiàn)adv.mater.1997，9，230-232的方法進(jìn)行測定)；最高占據(jù)分子軌道homo能級是由光電子發(fā)射譜儀(ac-2型pesa)測定，測試為大氣環(huán)境。
由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明化合物具有合適的homo能級以及較高的熱穩(wěn)定性，適合作為發(fā)光層的主體材料；同時，本發(fā)明化合物具有合適的發(fā)光光譜，較高的φf，使得應(yīng)用本發(fā)明化合物作為摻雜材料的oled器件效率和壽命得到提升。
以下通過器件實(shí)施例1～16和器件比較例1詳細(xì)說明本發(fā)明化合物組合在器件中應(yīng)用效果。本發(fā)明所述器件實(shí)施例2～16、器件比較例1與器件實(shí)施例1相比所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，所不同的是，器件測層疊結(jié)構(gòu)、搭配材料及膜層厚度有所不同。器件疊層結(jié)構(gòu)如表2所示。所用關(guān)鍵原料的結(jié)構(gòu)式如表3所示。各實(shí)施例器件的性能測試結(jié)果如表4所示。
器件實(shí)施例1
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層4(厚度：190nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物26和rd1按重量比95：5混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。
具體制備過程如下：
對ito陽極層(膜厚為150nm)洗滌，依次進(jìn)行堿洗滌、純水洗滌、干燥后進(jìn)行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ito表面的有機(jī)殘留物。
在所述洗滌后的ito陽極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍空穴傳輸層4，空穴傳輸層材料使用ht6，膜厚為190nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的空穴傳輸層4；
在空穴傳輸層4上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍發(fā)光層6，發(fā)光層材料使用化合物26作為主體材料，rd1作為摻雜材料，摻雜質(zhì)量比例為95：5，發(fā)光層膜厚為40nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層6；
在發(fā)光層6上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍電子傳輸層8，電子傳輸層材料使用et2和ei1混合摻雜，摻雜質(zhì)量比為1:1，膜厚為35nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的電子傳輸層8；
在電子傳輸層8上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍陰極鋁(al)層，膜厚為100nm，此層為陰極反射電極層10使用；
如上所述地完成oled發(fā)光器件制作后，用公知的驅(qū)動電路將陽極和陰極連接起來，測量器件的壽命，發(fā)光光譜以及器件的電流-電壓特性。測試結(jié)果見表4。
器件實(shí)施例2
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：180nm，材料：ht2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物44和rd2按重量比96：4混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et02和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例3
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi2)/空穴傳輸層4(厚度：180nm，材料：ht4)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物56和rd2按重量比96：4混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lin3)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例4
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：160nm，材料：ht3)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物58和rd3按重量比96：4混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例5
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi3和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：140nm，材料：ht3)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物63和rd3按重量比96：4混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：li)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例6
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi4和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：140nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物67和rd4按重量比96：4混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et4和ei1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例7
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：160nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物82和rd4按重量比96：4混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：20nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：15nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例8
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：ht5)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb3)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物89和rd5按重量比94：6混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：cs2co3)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例9
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi6和ht4，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物92和rd6按重量比94：6混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例10
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht3)/電子阻擋層5(厚度：140nm，材料：eb1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物95和rd5按重量比94：6混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：25nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：10nm，材料：et5)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例11
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht6，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物96和rd4按重量比96：4混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：li2co3)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例12
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：140nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物99和rd6按重量比94：6混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et6)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：csf)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例13
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物128和rd2按重量比96：4混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：csn3)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例14
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物143、rh2和rd2按重量比78：18：4混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度15nm，材料：eb2)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例15
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht6，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：rh2和化合物79按重量比95：5混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：25nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：10nm，材料：et5)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。
器件實(shí)施例16
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：160nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：rh2和化合物86按重量比96：4混摻構(gòu)成))/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。
器件比較例1
器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：
ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層4(厚度：190nm，材料：hti)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：rh1和rd1按重量比95：5混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。
通過標(biāo)準(zhǔn)方法表征所述oled，從呈現(xiàn)郎伯發(fā)射特性的電流/電壓/發(fā)光密度特性線計算，和測量壽命。確定在1000cd/m2亮度下的電致發(fā)光光譜，計算ciex和y顏色坐標(biāo)，器件測試數(shù)據(jù)如表4所示。
表2
表3
表4
注：器件測試性能以比較例1作為參照，比較例1器件各項(xiàng)性能指標(biāo)設(shè)為1.0。比較例1的電流效率為11.2cd/a(@1000cd/m2)；驅(qū)動電壓為5.4v(@1000cd/m2)；3000亮度下lt95壽命衰減為8hr。
表4總結(jié)了所述oled器件在1000cd/m2亮度所需的電壓、達(dá)到的電流效率及電致發(fā)光光譜的色坐標(biāo)，以及在3000cd/m2亮度下lt95衰減壽命。
器件實(shí)施例1對比器件比較例1，更換本發(fā)明的發(fā)光層主體材料，并按本發(fā)明的材料組合成疊層器件后，器件電壓降低，電流效率提升20％，壽命提升5倍；實(shí)施例2-13按本發(fā)明設(shè)計的材料搭配和器件疊層組合，使得器件數(shù)據(jù)進(jìn)一步提升；如器件實(shí)施例14，本發(fā)明的單取代基-9-芴酮化合物作為混合主體材料時，進(jìn)一步的獲得了非常好的性能數(shù)據(jù)；如器件實(shí)施例15、16，本發(fā)明單取代基-9-芴酮化合物作為發(fā)光層摻雜材料使用時，同樣獲得了非常好的性能數(shù)據(jù)。
綜上，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。