技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種表面安裝器件(SMD)電感器，更具體地講，涉及一種在100MHz或更高的高頻帶中使用的電感器。
背景技術(shù)：
：表面安裝器件(SMD)電感器組件通常安裝在電路板上。在100MHz或更高的高頻帶下使用的這樣的產(chǎn)品稱作高頻電感器。高頻電感器通常用在用于阻抗匹配的LC電路中。例如，被構(gòu)造為用于在各種頻率下無線通信的多頻帶裝置可包括這樣的阻抗匹配電路，隨著用于多頻帶裝置的市場的發(fā)展，匹配電路的數(shù)量在使用時顯著地增加。結(jié)果，對高頻電感器的需求也已增加。高頻電感器方面的重要的技術(shù)趨勢為高Q因數(shù)裝置的實現(xiàn)。這里，Q可被評估為wL/R(Q＝wL/R)。也就是說，Q值為給定的頻帶中的電感(L)與電阻(R)的比的函數(shù)。由于針對電子組件的小型化的趨勢，使得在減小元件的尺寸的同時，也努力地增大電感器的Q值。如上所述，高頻電感器用在阻抗匹配電路中，這樣的高頻電感器可被制造為適用于特定的公稱電感(L)。此外，為了實現(xiàn)高Q因數(shù)組件，通常需要將組件制造為在恒定的公稱電感L時具有較高的Q值。然而，參照等式Q＝wL/R，為了在保持相同的電感的同時增大Q，應(yīng)減小使用頻帶中的電阻(R)。這樣，在主要使用高頻電感器的大約100MHz至5GHz的高頻區(qū)域內(nèi)，需要減小電阻。為了減小電阻，可增大電路線圈圖案的厚度或線寬。在增大線寬的情況下，磁通量流經(jīng)其的內(nèi)芯的區(qū)域會減小，作為負面效果，電感L會減小。因此，反而更優(yōu)選的是：可在增大線圈圖案的厚度的同時，通過減小線圈之間的層間距來減小電阻。然而，在技術(shù)上難以增大線圈圖案的厚度，由于將要堆疊的每個層的其上存在線圈的部分與其上不存在線圈的部分之間由于線圈的厚度而存在高度差，因此會需要用于減小高度差的特定方法。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，通常使用多層陶瓷技術(shù)來制造高頻電感器。也就是說，已通過如下步驟來制造電感器：使用鐵氧體或電介質(zhì)粉末、玻璃陶瓷材料來制備漿料，以制造片；使用由銀(Ag)成分形成的導(dǎo)電材料和絲網(wǎng)印刷方法來形成電路線圈圖案，以制造每個層；同時堆疊制成的層；對堆疊的層進行燒結(jié)；然后，在燒結(jié)后的堆疊的層上形成外部端電極。在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的陶瓷電感器中，已通過絲網(wǎng)印刷方法來形成電路線圈圖案。結(jié)果，在印刷電路線圈圖案時，對增大電路線圈圖案的厚度的研究受到限制，并且在燒結(jié)的過程中，線的厚度會減小，從而難以增大電路線圈圖案的厚度。此外，即使在增大了電路線圈圖案的厚度的情況下，在同時堆疊每個層時，也會形成臺階部。然而，在使用陶瓷片、單獨的工藝和材料的現(xiàn)有技術(shù)中，需要諸如印刷非電路部、臺階部吸收片等，以解決如上所述的臺階部問題，但是這種單獨的工藝會使制造產(chǎn)量和生產(chǎn)率劣化。技術(shù)實現(xiàn)要素：本公開涉及一種電感器，更具體地講，涉及一種高頻電感器。如上所述，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的多層陶瓷技術(shù)中，難以增大電路線圈圖案的厚度和減小臺階部。本公開的一方面提供一種電感器，具體地講，提供一種能夠解決諸如增大電路圖案的厚度、減小臺階部等的技術(shù)問題的高頻電感器。與通常使用的多層陶瓷技術(shù)不同，本公開還提供一種使用有機絕緣體的方法。根據(jù)本公開的一方面，一種電感器可包括具有有機材料和設(shè)置在主體中的線圈部的主體，其中，線圈部包括導(dǎo)電圖案和導(dǎo)電過孔，導(dǎo)電過孔包含作為金屬成分的錫(Sn)或錫(Sn)基金屬間化合物(IMC)。IMC可形成在導(dǎo)電過孔中或形成在線圈部與過孔之間的界面處，并且可 以為Cu3Sn、Cu6Sn5、Ag3Sn等。根據(jù)本公開的另一方面，一種電感器包括：主體，具有有機材料和設(shè)置在主體中的線圈部；外電極，設(shè)置在主體的外表面上并連接到線圈部。線圈部包括導(dǎo)電圖案和導(dǎo)電過孔，導(dǎo)電圖案與導(dǎo)電過孔之間設(shè)置有粘合層，粘合層由與導(dǎo)電圖案和導(dǎo)電過孔的材料不同的材料形成。此外，本公開的另一方面提供一種電感器，所述電感器包括：主體，包括光敏有機材料、設(shè)置在主體內(nèi)的線圈部；兩個外電極，設(shè)置在主體的外表面上，并且電連接到線圈部的相應(yīng)的端部。此外，本公開的另一方面提供一種電感器，所述電感器包括：主體；線圈部，設(shè)置在主體中，并且包括：導(dǎo)電圖案；多個過孔，使導(dǎo)電圖案的部分互相連接，其中，過孔包含有機材料和金屬的混合物。此外，本公開的另一方面提供一種用于形成電感器的方法，所述方法包括：設(shè)置多個介電膜，其中，介電膜具有形成在介電膜的一個表面上的導(dǎo)電圖案和延伸穿過介電膜并連接到導(dǎo)電圖案的過孔導(dǎo)體；堆疊所述多個介電膜并對所述多個介電膜進行壓制，以形成電感器，其中，設(shè)置具有導(dǎo)電圖案和過孔導(dǎo)體的多個介電膜的步驟就每個單獨的介電膜而言包括：形成延伸穿過單獨的介電膜的過孔；在單獨的介電膜的一個表面上形成導(dǎo)電圖案，其中，導(dǎo)電圖案在所述一個表面上延伸至過孔導(dǎo)體的位置。附圖說明通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，本公開的以上和其它方面、特征以及優(yōu)點將更易于理解，在附圖中：圖1是示出根據(jù)示例性實施例的電感器的內(nèi)部的透視圖；圖2是示出根據(jù)另一示例性實施例的電感器的內(nèi)部的透視圖；圖3是示出根據(jù)另一示例性實施例的電感器的內(nèi)部的透視圖；圖4是示出根據(jù)另一示例性實施例的電感器的內(nèi)部的透視圖；圖5A至圖5G示出了根據(jù)發(fā)明示例1的用于電感器的制造工藝的順序性步驟；圖6A至圖6K示出了根據(jù)發(fā)明示例2的用于電感器的制造工藝的順序性步驟；圖7A至圖7L示出了根據(jù)發(fā)明示例3的用于電感器的制造工藝的順序性 步驟；圖8A至圖8M示出了根據(jù)發(fā)明示例4的用于電感器的制造工藝的順序性步驟；圖9A至圖9M示出了根據(jù)發(fā)明示例5的用于電感器的制造工藝的順序性步驟；圖10A至圖10M示出了根據(jù)發(fā)明示例6的用于電感器的制造工藝的順序性步驟。具體實施方式在下文中，將參照附圖在下面描述本公開的實施例。然而，本公開可按照許多不同的形式來舉例說明，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的特定實施例。更確切地說，提供這些實施例，以使本公開將是徹底的和完整的，并將本公開的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在整個說明書中，將理解的是，當諸如層、區(qū)域或晶圓(基板)的元件被稱為“在”另一元件“上”、“連接到”另一元件或“結(jié)合到”另一元件時，所述元件可直接“在”另一元件“上”、直接“連接到”另一元件或直接“結(jié)合到”另一元件，或者可存在介于它們之間的其它元件。相比之下，當元件被稱為“直接在”另一元件“上”、“直接連接到”另一元件或“直接結(jié)合到”另一元件時，可不存在介于它們之間的其它元件或?qū)印Ｏ嗤臉颂柺冀K指示相同的元件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)聯(lián)的所列項目中的任何以及全部組合。將明顯的是，雖然可在此使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分與另一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離示例實施例的教導(dǎo)的情況下，下面描述的第一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分可稱作第二構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分。為了描述的方便，可在此使用空間相關(guān)的術(shù)語(例如，“在……之上”、“上面的”、“在……之下”和“下面的”等)，以描述如圖中示出的一個元件與其它元件的位置關(guān)系。將理解的是，除了圖中示出的方位之外， 空間相關(guān)的位置術(shù)語意在包括裝置在使用或操作時的不同方位。例如，如果圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為相對于其它元件或特征“在”其它元件或特征“之上”的元件或“上面的”元件將被定位為相對于其它元件或特征“在”所述其它元件或特征“之下”或“下面”。因此，術(shù)語“在……之上”可根據(jù)附圖和/或裝置的特定方向而包含“在……之上”和“在……之下”的兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，并可對在此使用的空間相關(guān)的描述符做出相應(yīng)解釋。在此使用的術(shù)語僅用于描述特定實施例，并且無意限制本公開。除非上下文中另外清楚地指明，否則如在此使用的單數(shù)形式也意在包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當在本說明書中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時，列舉存在所述的特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、元件和/或組，而并不排除存在或增加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、元件和/或組。在下文中，將參照示出本公開的實施例的示意圖來描述本公開的實施例。在附圖中，例如，由于制造技術(shù)和/或公差，可估計出所示出的形狀的修改。因此，本公開的實施例不應(yīng)被解釋為受限于在此示出的區(qū)域的特定形狀，而是應(yīng)更普遍地被解釋為包括由于制造工藝造成的形狀的改變。以下的實施例也可由一個或它們的組合而構(gòu)成。下面描述的本公開的內(nèi)容可具有多種構(gòu)造，在此僅示出并描述了示例性構(gòu)造。發(fā)明構(gòu)思不應(yīng)被解釋為局限于這些示例性構(gòu)造。圖1是示出根據(jù)示例性實施例的電感器的內(nèi)部的透視圖。圖2是示出根據(jù)另一示例性實施例的電感器的內(nèi)部的透視圖。圖3是示出根據(jù)另一示例性實施例的電感器的內(nèi)部的透視圖。參照圖1，根據(jù)示例性實施例的電感器可包括：主體10，包括有機材料和線圈部20；外電極31和32，設(shè)置在主體10的兩端上。此外，線圈部20可包括導(dǎo)電圖案21以及一個或更多個導(dǎo)電過孔41。主體10可包含具有有機成分的有機材料。有機材料可以為具有B階段的熱固性有機材料或同時具有紫外線(UV)固化機理和熱固化機理的光敏有機材料。主體10還可包含諸如SiO2/Al2O3/BaSO4/云母等的有機成分作為填料成分。相比之下，由于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電感器的主體由諸如玻璃陶瓷、Al2O3、 鐵氧體等的陶瓷材料在800℃或更高溫度下進行燒結(jié)而形成，因此主體大體上不包含有機成分。同時，導(dǎo)電圖案21由銅(Cu)線形成。提供了使用銅(Cu)箔蝕刻的遮蔽方法、使用鍍銅(Cu)的半加成工藝(SAP)方法、模擬半加成工藝(MSAP)等作為形成線電路的方法，根據(jù)本公開，可使用任何這樣的方法。導(dǎo)電過孔41可由有機材料和金屬彼此混合的膏而形成或由金屬通過鍍覆方法形成，并且可包含Sn或Sn基金屬間化合物(IMC)作為金屬成分。根據(jù)本公開的示例性實施例，粘合層可形成在導(dǎo)電圖案21與導(dǎo)電過孔41之間，形成粘合層的材料可與導(dǎo)電圖案21和導(dǎo)電過孔41的材料不同。粘合層可由具有比導(dǎo)電圖案21和導(dǎo)電過孔41的材料的熔點低的熔點的材料形成。導(dǎo)電圖案21和導(dǎo)電過孔41可包含銅(Cu)，粘合層可包含錫(Sn)。例如，Sn基金屬間化合物(IMC)可形成在導(dǎo)電圖案21與導(dǎo)電過孔41之間的界面處。Sn基IMC的示例可包括Cu3Sn、Cu6Sn5、Ag3Sn等。雖然Sn基金屬間化合物形成在導(dǎo)體圖案21與導(dǎo)電過孔41之間的界面處，但是也可形成在導(dǎo)電過孔41中，或也可不形成在導(dǎo)電過孔41中。在現(xiàn)有技術(shù)中，使用陶瓷技術(shù)的電感器中的導(dǎo)電圖案可形成為由銀/銅(Ag/Cu)形成的燒結(jié)體，與導(dǎo)電圖案相似，導(dǎo)電過孔也可形成為由銀/銅(Ag/Cu)形成的燒結(jié)體。在現(xiàn)有技術(shù)中，導(dǎo)電過孔和導(dǎo)電圖案的成分會由于燒結(jié)助劑等而稍有改變，但是主要成分(80wt％或更多)為金屬燒結(jié)體。由于在通過燒結(jié)形成金屬燒結(jié)體時，有機材料會燃燒，從而被去除，因此導(dǎo)電過孔和導(dǎo)電圖案大體上不包含有機材料。相比之下，根據(jù)示例性實施例的導(dǎo)電過孔41不是金屬電極，而是可由包含有機材料的金屬膏形成，或可以為使用鍍覆方法形成的金屬柱狀物。導(dǎo)電過孔41可包含Sn或Sn基金屬間化合物(IMC)作為金屬成分。根據(jù)示例性實施例，導(dǎo)電圖案21可形成為通過鍍覆方法、旋轉(zhuǎn)方法(rollingmethod)制成的銅(Cu)布線圖案，而導(dǎo)電過孔41可由有機材料和金屬彼此混合的膏而形成或通過鍍覆方法形成。所述膏可包含體積比為大約20％至80％的有機材料。此外，通過鍍覆方法形成的導(dǎo)電過孔41大體上可以為純金屬。更具體地 講，在導(dǎo)電過孔由有機-金屬復(fù)合材料形成的情況以及導(dǎo)電過孔通過鍍覆方法形成的情況下，金屬可包括錫(Sn)或錫(Sn)基混合金屬。根據(jù)示例性實施例，導(dǎo)電圖案21和導(dǎo)電過孔41可通過同時堆疊而彼此直接接觸，金屬間化合物層可形成在它們之間的界面處。為了容易形成金屬間化合物層，可從同時堆疊起(以及之后)單獨地執(zhí)行熱處理。在諸如現(xiàn)有技術(shù)中使用的普通積層型印刷電路板技術(shù)中，由于導(dǎo)電過孔由與導(dǎo)電圖案的材料相同的材料形成，因此不形成IMC層。相比之下，在描述于此的示例性實施例中，與普通的堆積方法不同，導(dǎo)電圖案21和導(dǎo)電過孔41可使用一種新穎的方法來彼此連接。詳細地講，導(dǎo)電圖案21和導(dǎo)電過孔41可通過形成導(dǎo)電圖案21的金屬與形成導(dǎo)電過孔41的金屬之間的擴散結(jié)合而彼此電連接。根據(jù)示例性實施例，導(dǎo)電過孔41可包含用于形成導(dǎo)電圖案21與導(dǎo)電過孔41之間的電連接的錫(Sn)。導(dǎo)電過孔41可包含錫(Sn)，從而可通過與用作導(dǎo)電圖案21的主要成分的銅(Cu)反應(yīng)而容易地形成金屬間化合物。導(dǎo)電過孔41與導(dǎo)電圖案21之間的接觸可通過使金屬間化合物形成在它們之間而改變?yōu)橥ㄟ^化學(xué)結(jié)合的接觸，而不是簡單的物理接觸。整個導(dǎo)電過孔41可包含錫?？蛇x地，導(dǎo)電過孔41可僅在位于導(dǎo)電過孔41與導(dǎo)電圖案21在同時堆疊過程中彼此接觸處的界面的附近的區(qū)域中包含錫。在僅于導(dǎo)電過孔41的位于導(dǎo)電過孔41和導(dǎo)電圖案21在同時堆疊的過程中彼此接觸處的界面的附近的部分中設(shè)置錫的情況下，可使用鍍(Sn)鍍覆僅在界面的附近中設(shè)置錫(Sn)層。包含錫(Sn)和銅(Cu)的化合物可形成在導(dǎo)電圖案21與粘合層之間，包含錫(Sn)和銅(Cu)的化合物可形成在導(dǎo)電過孔41與粘合層之間。根據(jù)示例性實施例，與印刷電路板(PCB)或嵌在PCB中的電感器不同，外電極31和32可設(shè)置在主體10的兩端。外電極31和32可形成為一對，并且可沿主體10的長度方向設(shè)置在彼此相對的位置。更詳細地講，外電極31和32的最外層可以為錫(Sn)鍍層，鎳(Ni)鍍層可設(shè)置在錫(Sn)鍍層之下。參照圖1，在根據(jù)示例性實施例的電感器中，外電極31和32可均呈圍繞主體10的拐角延伸的“L”形。也就是說，外電極31和32可沿主體10的長度方向彼此對稱地形成在主體10上，并且分別從主體10的相應(yīng)的端表面延伸到主體10的下表面。在外電極31和32呈如上所述的“L”形(圖1中示出)的情況下，與如常見的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電感器中外電極設(shè)置在主體10的長度方向上的兩個端表面以及其上表面和下表面上的情況相比，可顯著地減少寄生電容的產(chǎn)生。外電極31和32的減小的寄生電容能夠提供較高的Q因數(shù)。此外，與以下將要描述的圖2中的外電極的形狀相比，在將電感器安裝在板上時，可增大焊料涂敷區(qū)域，從而在將電感器安裝在板上時，可提高電感器的粘合強度。參照圖2，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的電感器中，外電極31'和32'可設(shè)置在主體10的下表面上(例如，外電極31'和32'可僅設(shè)置在主體10的下表面上)。在如上所述的外電極31'和32'設(shè)置在主體10的下表面上的情況下，與外電極設(shè)置在主體的長度方向上的兩個端表面以及其上表面和下表面上的情況(例如，如常見的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電感器)相比，可顯著地減少寄生電容的產(chǎn)生。與外電極呈“L”形的情況(如圖1中示出的外電極)相比，還可減小寄生電容。寄生電容的減小能夠提供較高的Q因數(shù)。參照圖3，在根據(jù)另一示例性實施例的電感器中，外電極31”和32”設(shè)置在包括主體10的長度方向上的兩個端表面并包括主體10的上表面和下表面的區(qū)域上。同時，參照圖1至圖3，線圈部20可被設(shè)置為垂直于電感器的安裝表面。例如，線圈部20的每個線圈可大體上平坦，并且可被設(shè)置為與主體10的下表面垂直地延伸，其中，主體10的下表面用作安裝表面。根據(jù)示例性實施例，主體10可通過堆疊包含有機材料的多個層而形成。主體10與由兩個或更少層構(gòu)成、包括單獨的芯層并且具有堆疊在芯層上的積層的薄膜型功率電感器或薄膜型共模濾波器(CMF)(芯層和積層由彼此不同的介電材料形成)不同。具體地講，根據(jù)示例性實施例的電感器的主體10可僅由包含有機材料的多個層構(gòu)成，主體不具有與芯層對應(yīng)的部分。更具體地講，多個層中的單個層的厚度可以為50μm或更小。此外，包含有機材料的多個層可彼此接觸。根據(jù)示例性實施例，主體10還可包含無機材料，無機材料的含量可小于有機材料的含量。與示例性實施例相比，現(xiàn)有技術(shù)中的電感器的主體通常由諸如玻璃陶瓷、Al2O3、鐵氧體等的陶瓷材料形成，主體大體上不包含有機成分。導(dǎo)電過孔41的截面形狀可以為四邊形，但不一定限制于此。在使用普通的堆積方法通過順序地堆疊而制成的電感器中，導(dǎo)電過孔的截面形狀為梯形，但在根據(jù)描述于此的示例性實施例的電感器中，導(dǎo)電過孔的截面形狀可以為四方形。根據(jù)示例性實施例，錫(Sn)層還可設(shè)置在導(dǎo)電圖案21與導(dǎo)電過孔41之間。錫(Sn)層可通過鍍覆形成，但不一定限制于此。錫(Sn)層可設(shè)置在導(dǎo)電圖案21與導(dǎo)電過孔41之間，用于導(dǎo)電圖案21與導(dǎo)電過孔41之間的粘合。圖4是示出根據(jù)另一示例性實施例的電感器的內(nèi)部的透視圖。參照圖4，在根據(jù)另一實施例的電感器中，包括導(dǎo)電圖案21和導(dǎo)電過孔41的線圈部20可以與電感器的板安裝表面平行地設(shè)置，電感器的其它特征可以與以上描述的根據(jù)示例性實施例的電感器的特征相同。在下文中，將描述用于制造根據(jù)示例性實施例的電感器的各個工藝。這些工藝為示例性的，電感器的制造方法不限于此。圖5A至圖5G示出了根據(jù)發(fā)明示例1的用于電感器的制造工藝的順序性步驟。圖6A至圖6K示出了根據(jù)發(fā)明示例2的用于電感器的制造工藝的順序性步驟。圖7A至圖7L示出了根據(jù)發(fā)明示例3的用于電感器的制造工藝的順序性步驟。圖8A至圖8M示出了根據(jù)發(fā)明示例4的用于電感器的制造工藝的順序性步驟。圖9A至圖9M示出了根據(jù)發(fā)明示例5的用于電感器的制造工藝的順序性步驟。圖10A至圖10M示出了根據(jù)發(fā)明示例6的用于電感器的制造工藝的順序 性步驟。發(fā)明示例11、使用載膜層壓半固化狀態(tài)的介電膜(S1)如圖5A所示，可將載膜110'粘合到介電膜111的兩個表面，其中，載膜110'為用于在每個工藝操作中處理和保護介電膜111的樹脂膜。載膜110'可由諸如聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等的樹脂材料形成，并且具有10至200μm的厚度。在本發(fā)明示例中，可使用厚度為50μm的PET膜。載膜110'可具有粘合力，但還可以容易分離。為此，可使用高溫發(fā)泡粘合劑、UV固化粘合劑等來調(diào)節(jié)粘合和分離。在本發(fā)明示例中，可使用被加熱至100℃時失去粘合力的高溫發(fā)泡粘合劑將載膜110'和介電膜111彼此粘合。介電膜111可由半固化狀態(tài)的熱固性樹脂材料形成。在本發(fā)明示例中，可使用BT(bismaleimide-triazine)樹脂。在層壓的過程中，介電膜111可以處于半固化狀態(tài)。為了實現(xiàn)半固化狀態(tài)，可使用熱固性樹脂材料或具有UV固化機理和熱固化機理這二者的材料。在本發(fā)明示例中，介電膜111的厚度可以為10μm。2、使用激光鉆孔形成通孔(S2)如圖5B所示，在使用載膜110'層壓介電膜111的同時，可通過激光鉆孔方法在介電膜111中形成通孔140。在激光鉆孔方法中，可使用任何的CO2激光器和固體激光器，通孔140的直徑可以在10至200μm的范圍內(nèi)。在本發(fā)明示例中，可使用固體UV激光器來形成直徑為40μm的通孔140。3、在通孔中填充金屬膏(S3)如圖5C所示，可使用膏印刷方法在通孔140中填充金屬膏來形成過孔導(dǎo)體141。金屬膏可以為導(dǎo)電金屬(例如，粉末形式)和有機粘合劑的分散物或混合物。在本發(fā)明示例中，可使用包含體積比為20vol％至80vol％的導(dǎo)電金屬的金屬膏。在金屬的比低的情況下，導(dǎo)電性會劣化，這會對電感器的電阻和Q因數(shù)產(chǎn)生負面的影響。另一方面，在金屬的比過高的情況下，會難以將金屬散開， 并且難以印刷金屬膏。4、去除載膜并層壓銅箔(S4)如圖5D所示，可去除載膜110'，并且可在介電膜111的兩個表面上層壓銅箔120。在通過于100℃下加熱達30秒去除發(fā)泡帶(foamabletape)的粘合力之后，可去除載膜110'。在去除載膜110'之后，可將銅箔120附著到介電膜。在這種情況下，銅箔120的厚度可以在3μm至50μm的范圍內(nèi)進行不同的調(diào)節(jié)。在本發(fā)明示例中，可使用厚度為8μm的銅箔120。5、使用圖案蝕刻方法形成電路圖案(S5)可使用干膜抗蝕劑來執(zhí)行曝光、顯影和蝕刻?？蓪⒇撔愿赡?negativedryfilm)附著到介電膜的其上附著有銅箔的兩個表面，然后進行曝光和顯影。最后，可通過從已去除干膜的一部分對銅箔進行蝕刻。在這種情況下，圖5E中示出的電路圖案121可形成為具有15μm的寬度。在形成電路圖案121時，形成在與電路圖案121和過孔導(dǎo)體141彼此連接的位置對應(yīng)的位置中的過孔墊121'可與電路圖案121一起形成。過孔墊121'的尺寸(例如，直徑)可以為50μm。6、堆疊每個單獨形成的層(S6)可將其中僅形成有過孔的偶數(shù)層111c和111e與其上形成有如上所述的電路圖案121的奇數(shù)層111b、111d和111f分開制造?？蓛H通過在步驟S4中去除載膜來容易地制造偶數(shù)層。在如圖5F所示的堆疊每個層時，包括最外層111a和111g，用于阻擋導(dǎo)體免受外部影響。最外層111a和111g可由絕緣體形成。在本發(fā)明示例中，可使用由與內(nèi)層介電膜的材料相同的材料形成的膜來制造覆蓋膜(例如，111a和111g)。覆蓋膜的厚度可以為30μm。如圖5G所示，可通過同時堆疊如上所述單獨地形成的每個層并且同時對堆疊的層進行壓制來制造形成有電路圖案121和過孔導(dǎo)體141的主體110?？蓤?zhí)行用于形成電感器的其它的工藝步驟，這些其它工藝步驟可與用于形成普通電感器的工藝步驟相似。詳細地講，可執(zhí)行切割、拋光、形成外電極以及對外電極的外邊緣鍍鎳/錫，最后，可另外執(zhí)行測量和包裝。發(fā)明示例21、在介電膜上層壓銅箔(S1)如圖6A所示，可在介電膜211上層壓銅箔220。銅箔220和介電膜211 可與發(fā)明示例1中的銅箔和介電膜相同。2、層壓載膜(S2)在本發(fā)明示例中，可使用厚度為20μm的PET膜作為載膜210'。如圖6B所示，與發(fā)明示例1相似，可使用具有能夠調(diào)節(jié)粘附力的機理的粘合劑來附著載膜210'。3、使用激光鉆孔形成通孔(S3)通孔240可具有與發(fā)明示例1中的通孔的直徑相同的直徑(40μm)。如圖6C所示，通孔240可與通孔140類似地形成，并且可形成為延伸穿過介電膜211和載膜210'。注意的是，通孔240可延伸但不穿過銅箔220。4、通過濺射形成種子層(S4)可使用濺射方法形成鈦(Ti)薄膜251。薄膜251可形成為具有1μm的厚度。如圖6D所示，薄膜251可形成在載膜210'的一個表面上，并且可形成在通孔240的內(nèi)部。5、去除載膜(S5)如圖6E所示，可使用與發(fā)明示例1相似的粘合調(diào)節(jié)機理來去除載膜210'。6、使用電鍍方法形成過孔導(dǎo)體如圖6F所示，可通過對通孔240使用銅(Cu)電鍍進行鍍覆來形成過孔導(dǎo)體241?？稍谖挥谕?40的內(nèi)部的薄膜251的表面上鍍覆過孔導(dǎo)體241。7、使用電鍍方法執(zhí)行鍍錫(Sn)(S7)如圖6G所示，可通過對過孔導(dǎo)體241執(zhí)行鍍錫(Sn)來形成錫鍍層261，以確保層間連接可靠性?？蓛H對稍后在同時堆疊層時將要與另一層接觸的界面執(zhí)行鍍錫。8、附著保護掩蔽膜270(S8)如圖6H所示，可在介電膜211的表面上形成保護掩蔽膜270，以覆蓋介電膜211和錫鍍層261。9、通過干膜抗蝕劑的附著/曝光/顯影/蝕刻來形成電路圖案221(S9)與電路圖案121相似，可通過干膜抗蝕劑的附著/曝光/顯影/蝕刻來形成電路圖案221，如圖6I所示。10、去除掩蔽膜并堆疊每個層(S10)在步驟S9之后，可去除掩蔽膜270，并且可如圖6J所示堆疊層211a至211f中的每個。由于需要形成用于過孔導(dǎo)體241的平穩(wěn)連接的Sn-Cu金屬間 化合物，因此可在230℃下執(zhí)行真空壓制達1小時?？赏ㄟ^加熱來形成金屬間化合物，同時，可使半固化狀態(tài)的樹脂完全固化。為了錫鍍層、電路層和鍍銅的過孔導(dǎo)體241的穩(wěn)固電連接，可單獨地執(zhí)行熱處理?？蓤?zhí)行熱處理(最高熱處理溫度：260℃)達1秒。如上所述可通過其它的熱處理來充分地形成錫鍍層與電路導(dǎo)體之間的金屬間化合物。如圖6K所示，可通過同時堆疊如上所述單獨形成的層211a至211f中的每個并且對同時堆疊的層進行壓制來制造可形成有電路圖案221和過孔導(dǎo)體241主體210。11、然后，外部端電極的形成可與普通電感器的制造工藝中的外部端電極的形成相似(S11)。發(fā)明示例31、粘合載膜和銅箔(S1)如圖7A所示，可將載膜310'粘合到銅箔320，其中，載膜310'為用于在每個工藝操作中處理和保護介電膜311的樹脂膜。載膜310'可由諸如聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等的樹脂材料形成，并且具有10至200μm的厚度。在本發(fā)明示例中，可使用厚度為50μm的PET載膜。載膜310'可具有粘合力，但在去除載膜310'時還可以容易分離。為此，可使用高溫發(fā)泡粘合劑、UV固化粘合劑等來調(diào)節(jié)粘合和分離。在本發(fā)明示例中，可使用被加熱至100℃時失去粘合力的高溫發(fā)泡粘合劑將載膜310'和銅箔320彼此粘合。由于與發(fā)明示例1和2不同，在本發(fā)明示例中，通過模擬半加成工藝(MSAP)來形成電路，因此可使用具有薄的厚度的銅箔320。在本發(fā)明示例中，可使用厚度為2μm的銅箔320。2、在銅箔上層壓DFR(PR)(S2)為了形成電路圖案，可在銅箔320上層壓干膜抗蝕劑(DFR)330，如圖7B所示。干膜抗蝕劑(DFR)330可以為用于曝光/顯影的輔助材料。3、顯影/曝光(S3)如圖7C所示，可通過DFR330的曝光/顯影來形成干膜圖案331。4、電鍍(S4)如圖7D所示，可通過電鍍(鍍Cu)來形成電路圖案321。電路圖案321由此可沉積在DFR330中的由干膜圖案331形成的間隙中。鍍覆厚度可以為8μm。5、分離干膜抗蝕劑(DFR)(S5)如圖7E所示，可通過去除干膜抗蝕劑(DFR)330來完成每個層上的電路圖案321。6、形成膏凸點(S6)如圖7F所示，可使用金屬掩模通過印刷方法來形成用于過孔的金屬膏凸點。在印刷之后，凸點341的直徑可以為30μm，凸點341的高度可以為20μm。所使用的膏中的金屬材料可以為50wt％的錫-鉍(Sn-Bi)合金和50wt％的銅(Cu)構(gòu)成的混合金屬，可使用環(huán)氧樹脂作為粘合劑。膏的粘度可以為200Pa·s(帕·秒)，在印刷之后，可通過在60℃下干燥達30分鐘來蒸發(fā)溶劑成分。7、層壓介電膜(S7)如圖7G所示，可在其上形成有凸點341的銅箔320上和電路圖案321上層壓介電膜311。可使用發(fā)明示例1中的BT樹脂，介電膜311可形成為具有20μm的厚度。8、附著保護掩蔽膜(S8)如圖7H所示，可附著保護掩蔽膜370。9、去除載膜(S9)如圖7I所示，可去除載膜310'?？赏ㄟ^與發(fā)明示例1中的方法相同的方法來去除與發(fā)明示例1中的膜相同的膜。10、蝕刻銅箔(S10)如圖7J所示，可通過蝕刻去除用作用于電鍍的種子層的銅箔320。可使用H2SO4+H2O2作為蝕刻溶液。11、同時堆疊(S11)可去除掩蔽膜370，可堆疊層311a至311g中的每個層，如圖7K所示。由于需要形成用于過孔的平穩(wěn)連接的Sn-Cu金屬間化合物，因此可在180℃下執(zhí)行真空壓制達1小時?？赏ㄟ^加熱來形成金屬間化合物，同時，可使介電 樹脂完全固化。由于使用具有低熔點的錫-鉍(Sn-Bi)合金，因此與發(fā)明示例2不同，用于形成金屬間化合物的溫度可以低，從而可在低溫下執(zhí)行壓制。如圖7L所示，可通過同時堆疊如上所述單獨形成的層311a至311g中的每個并且同時對堆疊的層進行壓制來制造形成有電路圖案321和凸點341的主體310。12、然后，外部端電極的形成可與普通電感器的制造工藝中的外部端電極的形成相似(S12)。發(fā)明示例41、粘合載膜和銅箔(S1)如圖8A所示，可按照與發(fā)明示例3中公開的方式相同的方式來將載膜410'和銅箔420彼此粘合。2、在銅箔上層壓DFR(PR)(S2)如圖8B所示，可按照與發(fā)明示例3中的方式相同的方式在銅箔420上層壓干膜抗蝕劑(DFR)(或光致抗蝕劑(PR))430。3、曝光/顯影(S3)如圖8C所示，可通過曝光/顯影來形成干膜圖案431。4、電鍍(S4)可通過電鍍(鍍Cu)來形成電路圖案421，如圖8D所示。鍍覆厚度可以為8μm。5、分離干膜抗蝕劑(DFR)(S5)如圖8E所示，可通過去除干膜抗蝕劑(DFR)來完成每個層上的電路圖案421。6、附著介電膜(S6)如圖8F所示，可層壓介電膜411?？蓪⒔殡娔?11層壓為覆蓋銅箔420的其上形成有電路圖案421的表面和電路圖案421。在本發(fā)明示例中，介電膜的高度可被設(shè)置為比電路圖案的最上端高平均7μm。可使用能夠被UV固化和顯影的材料作為介電材料。7、曝光/顯影(S7)如圖8G所示，在使用掩模來遮蔽將要形成過孔的部分之后，可通過曝光和顯影來形成通孔440。通孔的直徑可以為30μm。8、形成感光過孔(photovia)(金屬掩模印刷)(S8)如圖8H所示，可使用金屬掩模通過印刷方法來填充通孔440，以形成過孔441。9、附著保護掩蔽膜(S9)如圖8I所示，可附著保護掩蔽膜470。10、去除載膜(S10)如圖8J所示，可去除載膜410'?？赏ㄟ^與發(fā)明示例1中的方法相同的方法來去除與發(fā)明示例1中的膜相同的膜。11、蝕刻銅箔(S11)如圖8K所示，可通過蝕刻來去除用作用于電鍍的種子層的銅箔420。可使用H2SO4+H2O2作為蝕刻溶液。12、同時堆疊(S12)如圖8L所示，可按照與發(fā)明示例3中的方式相同的方式來執(zhí)行同時堆疊?？扇コ诒文?70，可堆疊層411a至411g中的每個。如圖8M所示，可通過同時堆疊如上所述單獨地形成的層411a至411g中的每個并且對同時堆疊的層進行壓制來制造設(shè)置有電路圖案421和過孔441的主體410。13、然后，外部端電極的形成可與普通電感器的制造工藝中的外部端電極的形成相似(S13)。發(fā)明示例51、粘合載膜和銅箔(S1)如圖9A所示，可按照與發(fā)明示例3中公開的方式相同的方式將載膜510'和銅箔520彼此粘合。雖然在本發(fā)明示例中將模擬半加成工藝(MSAP)用作電路形成方法，但是電路形成方法不一定限制于此。也就是說，可使用減成蝕刻方法。2、在銅箔上層壓DFR(PR)(S2)如圖9B所示，可按照與發(fā)明示例3中的方式相同的方式在銅箔520上層壓干膜抗蝕劑(DFR)(或光致抗蝕劑(PR))530。3、曝光/顯影(S3)如圖9C所示，可通過曝光/顯影來形成干膜圖案531。4、電鍍(S4)如圖9D所示，可通過電鍍(鍍Cu)來形成電路圖案521。鍍覆厚度可 以為8μm。5、分離干膜抗蝕劑(DFR)(S5)如圖9E所示，可通過去除干膜抗蝕劑(DFR)來完成每個層上的電路圖案521。6、附著介電層(S6)可層壓膜式介電層。在本發(fā)明示例中，可將介電層511層壓在電路圖案521上，如圖9F所示?？墒褂媚軌虮籙V固化和顯影的光敏介電材料作為介電材料。7、曝光/顯影(S7)如圖9G所示，在使用掩模來遮蔽將要形成過孔的部分之后，可通過執(zhí)行曝光和顯影來形成通孔540。在本發(fā)明示例中，通孔540的直徑可以為30μm，可執(zhí)行曝光和顯影，以使通孔540在介電膜511的曝光方向上的表面的周圍具有大約30μm的直徑，通孔540的整個截面形狀可呈錐形。8、對顯影后的通孔的內(nèi)部進行填Cu鍍覆(S8)可對顯影后的通孔540執(zhí)行填Cu鍍覆，以形成過孔541，如圖9H所示。在鍍覆之后，為了使鍍覆后的過孔的上表面平坦化，可對其執(zhí)行研磨、拋光等。9、對Cu填充鍍層進行鍍錫(Sn)(S9)如圖9I所示，可在形成于通孔上的Cu填充鍍層的上表面上形成錫(Sn)鍍層542。在這種情況下，錫(Sn)鍍層542的合適的厚度可以為1μm至10μm。在本發(fā)明示例中，錫(Sn)鍍層可形成為具有3μm的厚度。10、附著保護掩蔽膜(S10)如圖9J所示，可附著保護掩蔽膜570。11、去除載膜(S11)如圖9K所示，可去除載膜510'。可使用與發(fā)明示例1中的方法相同的方法來去除與發(fā)明示例1中的膜相同的膜。12、蝕刻銅箔(S12)如圖9L所示，可通過蝕刻來去除用作用于電鍍的種子層的銅箔520。可使用H2SO4+H2O2作為蝕刻溶液。13、同時堆疊(S13)如圖9M所示，在去除掩蔽膜570之后，可堆疊每個層。由于需要形成用 于過孔的平穩(wěn)連接的Sn-Cu金屬間化合物，因此可在200℃下執(zhí)行真空壓制達1小時?？赏ㄟ^加熱來形成金屬間化合物，同時，可使介電樹脂完全固化。由于對銅填充鍍層執(zhí)行鍍錫(Sn)，因此可在Sn-Cu界面處形成金屬間化合物543。在這種情況下，形成的金屬間化合物的示例可包括Cu6Sn5、Cu3Sn等。如圖9M所示，可通過同時堆疊如上所述單獨形成的每個層并且對同時堆疊的層進行壓制來制造設(shè)置有電路圖案521、過孔541、錫(Sn)鍍層542和形成在Sn-Cu界面上的金屬間化合物543的主體510。14、然后，外部端電極的形成可與普通電感器的制造工藝中的外部端電極的形成相似(S14)。發(fā)明示例61、粘合載膜和銅箔(S1)如圖10A所示，可按照與發(fā)明示例5中公開的方式相同的方式來將載膜610'和銅箔620彼此粘合。2、在銅箔上層壓DFR(PR)(S2)如圖10B所示，可按照與發(fā)明示例5中公開的方式相同的方式在銅箔620上層壓干膜抗蝕劑(DFR)(或光致抗蝕劑(PR))630。3、曝光/顯影(S3)如圖10C所示，可通過曝光/顯影來形成干膜圖案631。4、電鍍(S4)如圖10D所示，可通過電鍍(鍍Cu)來形成電路圖案621。鍍覆厚度可以為8μm。5、分離干膜抗蝕劑(DFR)(S5)如圖10E所示，可通過去除干膜抗蝕劑(DFR)來完成每個層上的電路圖案621。6、附著介電層(S6)如圖10F所示，可在電路圖案621上層壓介電層611?？墒褂媚軌蛲ㄟ^熱固化而處于半固化狀態(tài)的材料作為介電材料。介電膜可由具有半固化狀態(tài)的熱固性樹脂材料形成。這種材料的示例可包括半固化片、BT(bismaleimide-triazineresin)樹脂等。在本發(fā)明示例中，可使用BT樹脂。7、激光鉆孔(S7)如圖10G所示，可使用激光器來加工通孔640。在本發(fā)明示例中，通孔 的直徑可以為30μm。在激光鉆孔的方法中，可使用CO2激光器和固體激光器中的任意一種，通孔的直徑可以在10μm至200μm范圍內(nèi)。在本發(fā)明示例中，可使用CO2激光器形成具有30μm的直徑的通孔640。8、對通孔的內(nèi)部進行填Cu鍍覆(S8)如圖10H所示，可對通孔640的內(nèi)部執(zhí)行填Cu鍍覆，以形成過孔641。在鍍覆之后，為了使鍍覆后的過孔的上表面平坦化，可對其執(zhí)行研磨、拋光等。同時，在對通孔的內(nèi)部不執(zhí)行填Cu鍍覆的情況下，可僅通過對應(yīng)于后續(xù)工藝的鍍錫(Sn)來形成過孔導(dǎo)體。9、對Cu填充鍍層進行鍍錫(Sn)(S9)如圖10I所示，可在形成于通孔中的Cu填充鍍層的上表面上形成錫(Sn)鍍層642。在這種情況下，錫(Sn)鍍層642的合適的厚度可以為1μm至10μm。在本發(fā)明示例中，錫(Sn)鍍層642可形成為具有3μm的突出高度。10、附著保護掩蔽膜(S10)如圖10J所示，可附著保護掩蔽膜670。為了保護過孔641，可附著掩蔽膜670。11、去除載膜(S11)如圖10K所示，可去除載膜610'?？墒褂脽岚l(fā)泡膜(thermallyfoamablefilm)作為載膜，可通過在100℃下進行加熱來去除載膜。12、蝕刻銅箔(S12)如圖10L所示，可通過蝕刻來去除用作用于電鍍的種子層的銅箔620?？墒褂肏2SO4+H2O2作為蝕刻溶液。13、同時堆疊(S13)在去除掩蔽膜670之后，可堆疊每個層。由于需要形成用于過孔641的平穩(wěn)連接的Sn-Cu金屬間化合物，因此可在200℃下執(zhí)行真空壓制達1小時。可通過加熱來形成金屬間化合物，同時，可使介電樹脂完全固化。由于對銅填充鍍層執(zhí)行鍍錫(Sn)，因此可在Sn-Cu界面處形成金屬間化合物643。在這種情況下，形成的金屬間化合物的示例可包括Cu6Sn5、Cu3Sn等。與發(fā)明示例2和5相似，為了使錫鍍層、電路圖案和過孔641穩(wěn)固地電連接，可單獨地執(zhí)行熱處理?？蓤?zhí)行熱處理(最高熱處理溫度：260℃)達1秒。如上所述可通過熱處理來充分地形成錫鍍層與電路導(dǎo)體之間的金屬間化合物643。如圖10M所示，可通過同時堆疊如上所述單獨形成的每個層并且對同時堆疊的層進行壓制來制造設(shè)置有電路圖案621、過孔641、錫(Sn)鍍層642以及形成在Sn-Cu界面上的金屬間化合物643的主體610。14、然后，外部端電極的形成可與普通電感器的制造工藝中的外部端電極的形成相似(S14)。在下文中，將對發(fā)明示例1中制成的電感器和通過普通方法制成的電感器的Q值和電感進行模擬并將它們彼此進行比較。在根據(jù)發(fā)明示例1制成的電感器中，使用鍍銅(Cu)的電極，使用普通方法制成的對比示例的電感器被制造為使用燒結(jié)的銀(Ag)電極。[表1]對比示例發(fā)明示例1導(dǎo)體的比電阻(μΩ·cm)2.1(燒結(jié)的Ag)1.7(銅箔/鍍銅)過孔的比電阻(μΩ·cm)2.1(燒結(jié)的Ag)80(Sn基膏)線寬/厚度(μm)15/815/8絕緣距離(μm)77Q值(＠2.4GHz)29.2835.60電感(nH)15.0614.09參照表1，可了解的是，與通過普通方法使用燒結(jié)的銀(Ag)電極制成的電感器的對比示例相比，在使用鍍銅(Cu)的電極制成的電感器的發(fā)明示例1中，Q值顯著提高。在發(fā)明示例2中，由于過孔導(dǎo)體也由鍍銅(Cu)的電極形成，因此增大Q值的效果可以更優(yōu)良。如上所述，根據(jù)在此提出的示例性實施例，可通過使用鍍銅(Cu)的電極材料替代燒結(jié)的銀(Ag)電極材料來增大Q值。在純材料的比電阻方面，與燒結(jié)的銀(Ag)電極材料相比，鍍銅的電極存在優(yōu)勢。然而，與燒結(jié)的電極相比，在鍍覆的電極中，由于鍍覆的電極的特性使得電阻由于晶界而增大的小，因此鍍銅的電極比燒結(jié)的銀電極更具優(yōu)勢。通常，鍍銅的電極的比電阻為大于1.7μΩ·cm至1.8μΩ·cm，但多層陶瓷方法中使用的燒結(jié)的銀(Ag)電極的比電阻為大約2.0μΩ·cm至 2.2μΩ·cm。此外，根據(jù)本公開中提出的示例性實施例，由于通過鍍銅/銅箔蝕刻來形成電路圖案，因此可自由地調(diào)節(jié)線的厚度。存在掩蔽方法(使用Cu箔蝕刻)、半加成工藝(SAP)(使用鍍銅)、模擬半加成工藝(MSAP)等用作形成電路線圈圖案的方法。在示例性實施例中，在沒有具體的限制的情況下，可使用任何方法。由于在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的陶瓷電感器中使用絲網(wǎng)印刷方法來形成電路線圈圖案，因此現(xiàn)有技術(shù)中的電路線圈圖案在增大線的厚度方面受到限制，并且由于在燒結(jié)過程中所述厚度減小，因此難以增大線的厚度。相比之下，在提出于此的根據(jù)示例性實施例的形成電路線圈圖案的方法中，由于容易調(diào)節(jié)鍍覆厚度和銅箔的厚度，因此可通過自由地增大銅(Cu)電路線圈的厚度來減小電阻，因此可增大Q值。此外，根據(jù)示例性實施例，由于通過銅箔蝕刻來形成電路圖案，因此可自由地調(diào)節(jié)線的厚度。因此，可通過自由地增大線的厚度來減小電阻，從而可增大Q值。此外，根據(jù)示例性實施例，由于包含諸如聚合物等的有機材料的材料用作介電材料中的主要成分，因此可實現(xiàn)低的介電常數(shù)。此外，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的陶瓷電感器中通常使用的玻璃陶瓷材料的介電常數(shù)為大約5至10，鐵氧體材料的介電常數(shù)為大約15。然而，包含作為主要成分的有機材料的介電材料的介電常數(shù)通常為5或更小。因此，可減小自諧振現(xiàn)象(對Q因數(shù)具有負面影響)的影響。也就是說，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的陶瓷電感器相比，由于介電常數(shù)低，使得自諧振頻率(SRF)增大，因此還可減小幾個GHz的頻帶內(nèi)自諧振對電感器的影響，因此可實現(xiàn)穩(wěn)定的Q因數(shù)。此外，可通過使用有機絕緣材料有效地抑制在堆疊時形成臺階部，其中，與陶瓷片相比，有機絕緣材料中的無機材料的含量低且流動性好。本公開提出了兩種方法作為解決臺階部問題的方法。首先，提供一種通過在形成每個層時使用流動性的有機絕緣材料來形成層從而大體上不存在臺階部的方法。其次，提供一種通過在同時堆疊層時使用流動性的有機絕緣材料來減小臺階部的方法。在兩種方法中，可通過使用半固化狀態(tài)的流動性的有機絕緣材料來解 決臺階部問題?？墒褂镁哂蠦階段的熱固性樹脂材料(例如，半固化、BT(bismaleimide-triazine)樹脂等)或使用同時具有UV固化機理和/或熱固化機理的樹脂材料來實現(xiàn)半固化狀態(tài)。雖然以上已示出并描述了示例性實施例，但對本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可做出修改和變型。當前第1頁1 2 3