半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法
本申請要求于2015年6月17日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2015-0086020的優(yōu)先權(quán)，通過引用方式將該韓國專利申請的公開并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
示例實施例提供的設(shè)備涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)是這樣的裝置，其中材料響應(yīng)于向其施加的電能而發(fā)射光，并且在半導(dǎo)體結(jié)中通過電子和空穴的復(fù)合而產(chǎn)生能量。LED廣泛用作照明設(shè)備的光源和/或大型液晶顯示器(LCD)的背光設(shè)備，因此持續(xù)進行LED的開發(fā)。
近來，LED的應(yīng)用范圍逐漸變寬以包括大電流和大功率應(yīng)用中的光源。因此，期望開發(fā)出光提取效率提高的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
一個或多個示例實施例可提供具有提高的光提取效率的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
根據(jù)示例實施例的一方面，一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置可包括：發(fā)光堆疊件，其具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層和布置在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層之間的有源層；波長轉(zhuǎn)換層，其布置在發(fā)光堆疊件上，并且被構(gòu)造為將從有源層發(fā)射的具有第一波長的光中的至少一部分轉(zhuǎn)換為具有第二波長的光；以及光控制層，其布置在發(fā)光堆疊件與波長轉(zhuǎn)換層之間，并且被構(gòu)造為增大從發(fā)光堆疊件發(fā)射并且朝向波長轉(zhuǎn)換層入射的具有第一波長的光的透射比以及增大從波長轉(zhuǎn)換層發(fā)射并且朝向發(fā)光堆疊件入射的光的反射比。
在一些示例實施例中，光控制層可包括折射率比發(fā)光堆疊件的折射率更低的第一絕緣層和折射率比第一絕緣層的折射率高0.5或更多的第二絕緣層。
在一些示例實施例中，第一絕緣層的折射率可在1.4至1.8的范圍內(nèi)，第二絕緣層的折射率可在2.2至2.5的范圍內(nèi)。
在一些示例實施例中，第一絕緣層布置在發(fā)光堆疊件上并且第二絕緣層布置在第一絕緣層上。
在一些示例實施例中，光控制層可具有其中多個第一絕緣層與多個第二絕緣層交替并重復(fù)地堆疊的多層結(jié)構(gòu)。
在一些示例實施例中，第一絕緣層可包括SiO2、MgF2和Al2O3中的至少一種，第二絕緣層可包括ZrO2、NbO2、Ta2O3、TiO2、CeO2和Si3N4中的至少一種。
在一些示例實施例中，第一絕緣層的厚度可在1nm至96nm的范圍內(nèi)，第二絕緣層的厚度可在64nm至180nm的范圍內(nèi)。
在一些示例實施例中，第一絕緣層可包括SiO2并且其厚度在2nm至70nm的范圍內(nèi)，并且第二絕緣層可包括TiO2并且其厚度在105nm至135nm的范圍內(nèi)。
在一些示例實施例中，發(fā)光堆疊件的發(fā)光表面可具有凹凸結(jié)構(gòu)，并且光控制層可布置在所述凹凸結(jié)構(gòu)上。
在一些示例實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可包括布置在光控制層與波長轉(zhuǎn)換層之間的微透鏡單元，并且微透鏡單元包括朝著波長轉(zhuǎn)換層凸出的突起部分。
在一些示例實施例中，微透鏡單元的折射率可高于波長轉(zhuǎn)換層的折射率。
在一些示例實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可包括布置在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層上的透明電極層。光控制層可布置在透明電極層上。
根據(jù)另一示例實施例的一方面，一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置可包括：襯底，其包括第一表面和與第一表面相對的第二表面；發(fā)光堆疊件，其布置在襯底的第一表面上；波長轉(zhuǎn)換層，其布置在襯底的第二表面上，并且被構(gòu)造為將從發(fā)光堆疊件發(fā)射的具有第一波長的光中的至少一部分轉(zhuǎn)換為具有第二波長的光；以及光控制層，其布置在襯底與波長轉(zhuǎn)換層之間，并且包括折射率比發(fā)光堆疊件的折射率更低的第一絕緣層和折射率比第一絕緣層的折射率高0.5或更多的第二絕緣層。
在一些示例實施例中，第一絕緣層可與襯底接觸。
在一些示例實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可包括微透鏡單元，其布置在光控制層與波長轉(zhuǎn)換層之間，并且包括朝著波長轉(zhuǎn)換層凸出的突起部分。
在一些示例實施例中，微透鏡單元的折射率可高于波長轉(zhuǎn)換層的折射率。
在一些示例實施例中，發(fā)光堆疊件可為其中第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體納米芯、有源層和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層按次序堆疊的發(fā)光納米結(jié)構(gòu)。
根據(jù)另一示例實施例的一方面，一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置可包括：發(fā)光堆疊件，其被構(gòu)造為發(fā)光并且包括凹凸部分；光控制層，其布置在發(fā)光堆疊件的凹凸部分上或上方，并且包括第一材料層和第二材料層，第一材料層的折射率與第二材料層的折射率不同。第一材料層的厚度可在1nm至96nm的范圍內(nèi)，并且第二材料層的厚度可在64nm至180nm的范圍內(nèi)。
在一些示例實施例中，第一材料層的折射率可比發(fā)光堆疊件的折射率更低，并且第二材料層的折射率可比第一材料層的折射率高0.5或更多。
在一些示例實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可包括襯底，發(fā)光堆疊件布置在襯底上，其中凹凸部分與襯底接觸。
附圖說明
通過結(jié)合附圖來詳細描述某些示例實施例，將更容易理解以上和其它方面，其中：
圖1是根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖；
圖2A至圖2C示出了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的模擬結(jié)果；
圖3至圖8是根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖；
圖9和圖10是根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖；
圖11和圖12是示出包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的剖視圖；
圖13A和圖13B是示出采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的白光源模塊的示意圖；
圖14是為了示出根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件中可用的波長轉(zhuǎn)換材料而提供的CIE 1931色空間色度圖；
圖15是根據(jù)本示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件中可采用的量子點的剖視圖；
圖16是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的背光單元的透視圖；
圖17是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的直下式背光單元的剖視圖；
圖18是示出采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的直下式背光單元的光源的排列方式的剖視圖；
圖19是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的直下式背光單元的剖視圖；
圖20是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的平板照明設(shè)備的透視圖；
圖21是包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件和通信模塊的燈的分解透視圖；
圖22是包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件和通信模塊的燈的分解透視圖；
圖23是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的桿狀燈的分解透視圖；以及
圖24是示出采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的室內(nèi)照明控制網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的示意圖。
具體實施方式
下文中，將參照附圖詳細描述示例實施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可按照許多不同形式例示，并且不應(yīng)理解為限于本文闡述的特定實施例。提供這些實施例以使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明構(gòu)思的范圍完全傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，可夸大元件的形狀和尺寸。
應(yīng)該理解，當元件或?qū)颖环Q作“位于”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接至”或“耦接至”另一元件或?qū)訒r，其可直接位于所述另一元件或?qū)由?、連接至或耦接至所述另一元件或?qū)?，或者可存在中間元件或?qū)印Ｏ喾?，當元件被稱作“直接位于”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接至”或“直接耦接至”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或?qū)?。在下面的解釋中，相同的附圖標記在說明書中始終指代相同的組件。這里，術(shù)語“和/或”包括一個或多個指示物的任何和所有組合。
應(yīng)該理解，雖然本文中可使用術(shù)語第一、第二等來描述多個元件、組件、區(qū)、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組件、區(qū)、層或部分與另一元件、組件、區(qū)、層或部分區(qū)分開。因此，下面討論的第一元件、組件、區(qū)、層或部分可被稱作第二元件、組件、區(qū)、層或部分，而不脫離本公開的教導(dǎo)。
為了方便描述，本文中可使用諸如“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……之上”、“上”等的空間相對術(shù)語，以描述附圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解，空間相對術(shù)語旨在涵蓋使用或操作中的裝置的除圖中所示的取向之外的不同取向。例如，如果圖中的裝置顛倒，則被描述為“在其它元件或特征之下”或“在其它元件或特征下方”的元件將因此被取向為“在其它元件或特征之上”。因此，示例性術(shù)語“在……之下”可涵蓋在……之上和在……之下這兩個取向。裝置可按照其它方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或位于其它取向)，并且本文所用的空間相對描述語將相應(yīng)地解釋。
本文所用的術(shù)語僅是為了描述特定實施例，并且不旨在限制本公開。如本文所用，除非上下文清楚地指明了不是這樣，否則單數(shù)形式“一個”、“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解，術(shù)語“包含”、“包含……的”、“包括”和/或“包括……的”當用于本申請中時，指明存在所列特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如本文所用，術(shù)語“和/或”包括涉及的項中的至少一個的各個和所有的組合。
本文參照作為理想實施例的示意圖的剖視圖、平面圖和框圖來描述示例實施例。這樣，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，可以預(yù)見圖中的形狀的變化。因此，實施例不應(yīng)理解為限于本文示出的區(qū)的具體形狀，而是包括例如由制造工藝導(dǎo)致的形狀的偏差。
下文中描述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置可具有各種構(gòu)造，并且僅描述某些組件。然而，示例實施例不限于此。
圖1是根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。
圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置10可包括導(dǎo)電支承襯底140、鍵合層130、發(fā)光堆疊件S、光控制層120和波長轉(zhuǎn)換層155。半導(dǎo)體發(fā)光裝置10還可包括透明電極層134和第一電極150。
發(fā)光堆疊件S可包括按次序堆疊在導(dǎo)電支承襯底140上的第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層104、有源層103和第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層102。
第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層102可為滿足n型InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，并且0≤x+y＜1)的氮化物半導(dǎo)體，并且n型雜質(zhì)可為Si。第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層104可為滿足p型InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，并且0≤x+y＜1)的氮化物半導(dǎo)體層，并且p型雜質(zhì)可為Mg。有源層103可具有其中量子阱層與量子勢壘層交替地堆疊的多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。例如，量子阱層和量子勢壘層可為具有不同組成的InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)層。在一些示例實施例中，量子阱層可為InxGa1-xN(0＜x≤1)，而量子勢壘層可為GaN或AlGaN。
鍵合層130可介于導(dǎo)電支承襯底140與第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層104之間。鍵合層130可包括共晶溫度為約200℃或更高的合金。例如，鍵合層130可包括AuSn合金(共晶溫度：約280℃)、AuGe合金(共晶溫度：約350℃)、AuSi合金(共晶溫度：約380℃)或類似合金。
導(dǎo)電支承襯底140可包括Si、SiAl、SiC、GaP、InP、AlN和石墨之一。
光控制層120可布置在發(fā)光堆疊件S上。在示例實施例中，可將第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層102的一個表面設(shè)為主發(fā)光表面，并且該發(fā)光表面可包括凹凸結(jié)構(gòu)P。例如，凹凸結(jié)構(gòu)P可具有棱錐形、圓錐形或者半球形。光控制層120可布置在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層102的凹凸結(jié)構(gòu)P上。另外，將從有源層103發(fā)射的光中的至少一些轉(zhuǎn)換為具有不同波長的光的波長轉(zhuǎn)換層155可布置在發(fā)光堆疊件S上。根據(jù)示例實施例的波長轉(zhuǎn)換層155可包括諸如磷光體或者量子點之類的波長轉(zhuǎn)換材料。稍后將詳細描述波長轉(zhuǎn)換材料。
形成在發(fā)光表面上的凹凸結(jié)構(gòu)P可減少全內(nèi)反射和有效地提取從有源層103向外發(fā)射的光L11。然而，由于擴大的表面區(qū)域，通過波長轉(zhuǎn)換層155中的磷光體或量子點轉(zhuǎn)換的光L21可再入射至發(fā)光堆疊件S的內(nèi)側(cè)，并且在發(fā)光堆疊件S中消散。因此，期望增大通過發(fā)光堆疊件S的發(fā)光表面向外發(fā)射的光的透射比以及增大從波長轉(zhuǎn)換層155再入射的光的反射比。
根據(jù)示例實施例，光控制層120可布置在發(fā)光堆疊件S與波長轉(zhuǎn)換層155之間，并且可增大具有第一波長(例如，峰值波長為450nm的藍光)并且從發(fā)光堆疊件S發(fā)射(也就是說，從有源層103發(fā)射并入射至波長轉(zhuǎn)換層155)的光的透射比，以及增大具有大于第一波長的第二波長(例如，波長為500nm或更大的綠光、黃光、橙光或紅光)并且從波長轉(zhuǎn)換層155發(fā)射并入射至發(fā)光堆疊件S的光的反射比。
光控制層120可包括折射率比發(fā)光堆疊件S的折射率更低的第一絕緣層120a以及折射率比第一絕緣層120a的折射率高0.5或更多的第二絕緣層120b。第一絕緣層120a的折射率可在1.4至1.8的范圍內(nèi)，而第二絕緣層120b的折射率可在2.2至2.5的范圍內(nèi)。
光控制層120可具有其中第一絕緣層120a布置在發(fā)光堆疊件S上并且第二絕緣層120b布置在第一絕緣層120a上的雙層結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，光控制層120可具有其中第一絕緣層120a布置在發(fā)光堆疊件S上然后第一絕緣層120a與第二絕緣層120b交替并重復(fù)地堆疊的多層結(jié)構(gòu)。
第一絕緣層120a可包括SiO2、MgF2或Al2O3，并且第二絕緣層120b可包括ZrO2、NbO2、Ta2O3、TiO2、CeO2或Si3N4。然而，第一絕緣層120a和第二絕緣層120b不限于上面列出的材料，并且可使用任何材料，只要滿足所述折射率條件和透光比特性即可。
第一絕緣層120a的厚度可在1nm至96nm的范圍內(nèi)，并且第二絕緣層120b的厚度可在64nm至180nm的范圍內(nèi)。
在一些示例實施例中，第一絕緣層120a可包括SiO2，并且第二絕緣層120b可包括TiO2。在這種情況下，第一絕緣層120a的厚度可在2nm至70nm的范圍內(nèi)，并且第二絕緣層120b的厚度可在105nm至135nm的范圍內(nèi)。
例如，可利用模擬來設(shè)計第一絕緣層120a和第二絕緣層120b的厚度范圍。
圖2A至圖2C示出了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的模擬結(jié)果。與在發(fā)光堆疊件S上不包括具有SiO2/TiO2雙層結(jié)構(gòu)的光控制層120的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相比，對于包括具有SiO2/TiO2雙層結(jié)構(gòu)的光控制層120的半導(dǎo)體發(fā)光裝置執(zhí)行對藍光(峰值波長為450nm)的透射比和對綠光(峰值波長為535nm或更大)的反射比的模擬。
圖2A示出了根據(jù)SiO2和TiO2的厚度，具有高透射比的區(qū)H1和具有低透射比的區(qū)L1。圖2B示出了根據(jù)SiO2和TiO2的厚度，具有高反射比的區(qū)H2和具有低反射比的區(qū)L2。圖2C示出了具有高透射比和高反射比二者的區(qū)H3，也就是說，圖2A的區(qū)H1和圖2B的區(qū)H2的重疊區(qū)，以及示出了不包括區(qū)H3在內(nèi)的區(qū)L3。如圖2A至圖2C所示，與不包括具有SiO2/TiO2雙層結(jié)構(gòu)的光控制層120的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相比，當SiO2層的厚度在2nm至70nm的范圍內(nèi)并且TiO2層的厚度在105nm至135nm的范圍內(nèi)時，包括具有SiO2/TiO2雙層結(jié)構(gòu)的光控制層120的半導(dǎo)體發(fā)光裝置可具有更高的透射比和更高的反射比。
通過上述模擬，可按照與不具有光控制層120的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相比包括光控制層120的半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有更高的透射比和更高的反射比的方式確定第一絕緣層120a和第二絕緣層120b的厚度范圍?？紤]到滿足所述折射率條件的不同材料的組合，第一絕緣層120a的厚度可在1nm至96nm的范圍內(nèi)，并且第二絕緣層120b的厚度可在64nm至180nm的范圍內(nèi)。
在圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置10中，還可在光控制層120與發(fā)光堆疊件S之間(更具體地說，在光控制層120與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層102之間)包括透明電極層134。根據(jù)示例實施例，可選擇性地包括透明電極層134。透明電極層134可與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層102形成歐姆接觸，并且透射從發(fā)光堆疊件S發(fā)射的光。透明電極層134可包括與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層102形成歐姆接觸的歐姆接觸材料。歐姆接觸材料可包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt和Au中的至少一個，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。另外，透明電極層134可為透明導(dǎo)電材料層和氮化物層中的至少一種。例如，透明電極層134可為選自銦錫氧化物(ITO)、摻有鋅的銦錫氧化物(ZITO)、鋅銦氧化物(ZIO)、鎵銦氧化物(GIO)、鋅錫氧化物(ZTO)、摻有氟的氧化錫(FTO)、摻有鋁的氧化鋅(AZO)、摻有鎵的氧化鋅(GZO)、In4Sn3O12和鋅鎂氧化物(Zn(1-x)MgxO，0≤x≤1)組成的組中的至少一個。在示例實施例中，透明電極層134可包括石墨烯。
布置在透明電極層134上的第一電極150可包括Ag、Ni、Al、Cr、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或類似材料，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
光控制層120可應(yīng)用于根據(jù)示例實施例的各種半導(dǎo)體發(fā)光裝置的芯片結(jié)構(gòu)。
圖3是根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。
圖3所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置20可包括生長襯底201、發(fā)光堆疊件S、光控制層220和波長轉(zhuǎn)換層255。半導(dǎo)體發(fā)光裝置20可包括透明電極層234、第一電極250和第二電極240。
生長襯底201可為藍寶石、SiC、Si、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2或GaN。可在生長襯底201的上表面上形成凹凸圖案Ps。凹凸圖案Ps可用于提高光提取效率和提高將在其上生長的單晶的質(zhì)量。
發(fā)光堆疊件S可包括按次序布置在生長襯底201上的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層202、有源層203和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層204。緩沖層可布置在生長襯底201與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層202之間。
緩沖層可為InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1并且0≤y≤1)。例如，緩沖層可在500℃至600℃范圍的低溫下形成，并且可為非故意摻雜的GaN、AlN、AlGaN或InGaN。在示例實施例中，緩沖層可通過組合多個層來形成或者可具有分級組成。
第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層202可為滿足n型InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，并且0≤x+y＜1)的氮化物半導(dǎo)體，并且n型雜質(zhì)可為Si。第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層204可為滿足p型InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，并且0≤x+y＜1)的氮化物半導(dǎo)體層，并且p型雜質(zhì)可為Mg。有源層203可具有其中量子阱層與量子勢壘層交替地堆疊的MQW結(jié)構(gòu)。例如，量子阱層和量子勢壘層可為具有不同組成的InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)層。在一些示例實施例中，量子阱層可為InxGa1-xN(0＜x≤1)，并且量子勢壘層可為GaN或AlGaN。
第一電極250和第二電極240可分別布置在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層202的臺面蝕刻區(qū)域和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層204上，以位于相同側(cè)。例如，第一電極250可包括Ag、Ni、Al、Cr、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt或Au，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。第二電極240可包括Al、Au、Cr、Ni、Ti和Sn中的至少一個。
光控制層220可介于波長轉(zhuǎn)換層255與第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層204之間。根據(jù)示例實施例，可在第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層204的上表面上選擇性地形成凹凸結(jié)構(gòu)P。在一些示例實施例中，可不在第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層204的上表面上形成凹凸結(jié)構(gòu)P。透明電極層234可布置在第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層204與光控制層220之間。
光控制層220和透明電極層234可分別包括與參照圖1描述的光控制層120和透明電極層134的材料相同的材料。
圖4是根據(jù)另一示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。
圖4所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30可包括透光襯底201、發(fā)光堆疊件S、光控制層220'和波長轉(zhuǎn)換層255'。半導(dǎo)體發(fā)光裝置30可包括第一電極250和第二電極240。
透光襯底201可提供主光提取表面。透光襯底201可為諸如藍寶石之類的絕緣襯底，但不限于此。例如，透光襯底201還可為具有透光特性的導(dǎo)電襯底或者半導(dǎo)電襯底?？稍谝r底201上形成凹凸圖案Ps。凹凸圖案Ps可用于提高光提取效率和提高將在其上生長的單晶的質(zhì)量。
發(fā)光堆疊件S可包括按次序布置在透光襯底201上的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層202、有源層203和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層204。緩沖層可布置在透光襯底201與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層202之間。
與圖3所示的光控制層220不同，光控制層220'可布置在透光襯底201與波長轉(zhuǎn)換層255'之間。光控制層220'可包括與參照圖1描述的光控制層120的材料相同的材料。
第一電極250可包括Ag、Ni、Al、Cr、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或類似材料，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
第二電極240可具有反射電極結(jié)構(gòu)。第二電極240可包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Sn或類似材料，并且可具有諸如Ni/Ag、Zn/Ag、Ni/Al、Zn/Al、Pd/Ag、Pd/Al、Ir/Ag、Ir/Au、Pt/Ag、Pt/Al、Ni/Ag/Pt或類似結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)。
圖5是根據(jù)另一示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。
參照圖5，根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40可包括其中按次序堆疊有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302、有源層303和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304的發(fā)光堆疊件S和形成在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302的提供主發(fā)光表面的表面上的凹凸結(jié)構(gòu)P。半導(dǎo)體發(fā)光裝置40還可包括布置在凹凸結(jié)構(gòu)P上的光控制層320和波長轉(zhuǎn)換層355。光控制層320可包括與參照圖1描述的光控制層120的材料相同的材料。
另外，半導(dǎo)體發(fā)光裝置40還可包括連接至第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302的第一電極317和連接至第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304的第二電極318。
發(fā)光堆疊件S可包括III族氮化物半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302可為滿足n型AlxInyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，并且0≤x+y＜1)的氮化物半導(dǎo)體，并且n型雜質(zhì)可為Si。例如，第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302可為n型GaN。有源層303可通過電子與空穴的復(fù)合而發(fā)射具有預(yù)定波長的光，并且可具有其中量子阱層與量子勢壘層交替地堆疊的MQW結(jié)構(gòu)。例如，有源層303可具有GaN/InGaN結(jié)構(gòu)。可替代地，有源層303可具有單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304可為滿足p型AlxInyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，并且0≤x+y＜1)的氮化物半導(dǎo)體層，并且p型雜質(zhì)可為Mg。例如，第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304可為p型GaN。
為了減少溢出進入第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304中的電子，可在有源層303與第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304之間布置電子阻擋層。電子阻擋層的能帶隙可大于有源層303的最后一個量子勢壘層的能帶隙。例如，電子阻擋層可包括AlrGa1-rN(0＜r≤1)。
第一電極317可穿過第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304和有源層303，以連接至第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302，并且第一電極317可具有由穿過第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304和有源層303并且暴露出第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302的一部分的至少一個孔提供的至少一個第一接觸區(qū)域。第一接觸區(qū)域可指其中第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302與第一接觸電極311接觸的區(qū)域。第一電極317可包括布置在第一接觸區(qū)域中的第一接觸電極311和連接至第一接觸電極311的第一焊盤電極315。可布置多個第一接觸電極311以降低與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302的接觸電阻以及散布發(fā)光裝置的電流。第一接觸電極311的數(shù)量不限于此。
第二電極318可包括布置在第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304的第二接觸區(qū)域中的第二接觸電極313和連接至第二接觸電極313的第二焊盤電極316。第二接觸區(qū)域可指其中第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304與第二接觸電極313接觸的區(qū)域。第二接觸電極313可包括一個連接的導(dǎo)電層。
第一接觸電極311可包括與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302形成歐姆接觸的材料。第一接觸電極311可包括(但不限于)Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt或Au，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，第一接觸電極311可包括Cr/Au或者Cr/Au/Pt。在一個示例實施例中，可在第一接觸電極311上額外形成阻擋層。第二接觸電極313可包括與第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304形成歐姆接觸的材料。例如，第二接觸電極313可包括Ag或者Ag/Ni。在一個示例實施例中，可在第二接觸電極313上額外形成阻擋層。阻擋層可為選自Ni、Al、Cu、Cr、Ti和它們的組合所組成的組中的至少一個。第一焊盤電極315和第二焊盤電極316可包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt或Au，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
第一電極317和第二電極318可通過鈍化層306彼此電分離。鈍化層306可包括第一絕緣層和第二絕緣層，并且第一絕緣層和第二絕緣層可包括SiO2、SiN或者SiON。
圖6是根據(jù)另一示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。
圖6所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50可包括透光襯底301、發(fā)光堆疊件S、光控制層320'和波長轉(zhuǎn)換層355'。半導(dǎo)體發(fā)光裝置50可包括第一電極317和第二電極318。
透光襯底301可提供主光提取層。透光襯底301可為諸如藍寶石之類的絕緣襯底，但不限于此。例如，透光襯底301還可為具有透光特性的導(dǎo)電襯底或者半導(dǎo)電襯底?？稍谕腹庖r底301上形成凹凸圖案Ps。凹凸圖案Ps可用于提高光提取效率，以及同時提高將在其上生長的發(fā)光堆疊件S的晶體質(zhì)量。
發(fā)光堆疊件S可包括按次序布置在透光襯底301上的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302、有源層303和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304。可在透光襯底301與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302之間布置緩沖層。
第一電極317穿過第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304和有源層303以連接至第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層302，并且第二電極318連接至第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層304。
與參照圖5描述的光控制層320不同的是，光控制層320'可布置在透光襯底301與波長轉(zhuǎn)換層355'之間。光控制層320'可包括參照圖1描述的光控制層120。
圖7是根據(jù)另一示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。
參照圖7，根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置60可包括其中按次序堆疊有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402、有源層403和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404的發(fā)光堆疊件S和形成在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402的提供主發(fā)光表面的表面上的凹凸結(jié)構(gòu)P。半導(dǎo)體發(fā)光裝置60還可包括布置在凹凸結(jié)構(gòu)P上的光控制層420和波長轉(zhuǎn)換層455。光控制層420和波長轉(zhuǎn)換層455可覆蓋發(fā)光堆疊件S的側(cè)表面。光控制層420可包括與參照圖1描述的光控制層120的材料相同的材料。
另外，根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置60還可包括連接至第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402的第一電極416、連接至第一電極416的支承襯底441、連接至第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404的第二電極417和連接至第二電極417的鍵合電極438。
發(fā)光堆疊件S可包括III族氮化物半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402可為滿足n型AlxInyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，并且0≤x+y＜1)的氮化物半導(dǎo)體，并且n型雜質(zhì)可為Si。例如，第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402可為n型GaN。有源層403可通過電子和空穴的復(fù)合而發(fā)射具有預(yù)定波長的光，并且可具有其中量子阱層與量子勢壘層交替地堆疊的MQW結(jié)構(gòu)。例如，有源層403可具有GaN/InGaN結(jié)構(gòu)?？商鎿Q地，有源層403可具有SQW結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404可為滿足p型AlxInyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，并且0≤x+y＜1)的氮化物半導(dǎo)體層，并且p型雜質(zhì)可為Mg。例如，第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404可為p型GaN。
為了減少溢出進入第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404中的電子，可在有源層403與第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404之間布置電子阻擋層。電子阻擋層的能帶隙可大于有源層403的最后一個量子勢壘層的能帶隙。例如，電子阻擋層可包括AlrGa1-rN(0＜r≤1)。
第一電極416可穿過第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404和有源層403以連接至第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402，并且第一電極416可具有由穿過第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404和有源層403并且暴露出第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402的一部分的至少一個孔提供的至少一個第一接觸區(qū)域。第一接觸區(qū)域可指其中第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402與第一接觸電極416a接觸的區(qū)域。第一電極416可包括布置在第一接觸區(qū)域中的第一接觸電極416a和連接至第一接觸電極416a的第一連接電極416b?？刹贾枚鄠€第一接觸電極416a以降低與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402的接觸電阻以及散布發(fā)光裝置的電流。第一接觸電極416a的數(shù)量不限于此。
第二電極417可包括布置在第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404的第二接觸區(qū)域中的第二接觸電極417a和連接至第二接觸電極417a的第二連接電極417b。第二接觸區(qū)域可指其中第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404與第二接觸電極417a接觸的區(qū)域。第二接觸電極417a可包括一個連接的導(dǎo)電層。
第一接觸電極416a可包括與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層402形成歐姆接觸的材料。第一接觸電極416a可包括(但不限于)Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt或Au，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，第一接觸電極416a可包括Cr/Au或者Cr/Au/Pt。在示例實施例中，可在第一接觸電極416a上額外形成阻擋層。第二接觸電極417a可包括與第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層404形成歐姆接觸的材料。例如，第二接觸電極417a可包括Ag或者Ag/Ni。在示例實施例中，可在第二接觸電極417a上額外形成阻擋層。阻擋層可為選自Ni、Al、Cu、Cr、Ti和它們的組合所組成的組中的至少一個。第一連接電極416b和第二連接電極417b可包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt或Au，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
第一電極416和第二電極417可通過鈍化層415彼此電分離。鈍化層415可包括第一絕緣層415a和第二絕緣層415b，并且第一絕緣層415a和第二絕緣層415b可包括SiO2、SiN或SiON。
連接至第一電極416的支承襯底441可為導(dǎo)電襯底，并且可通過鍵合金屬層鍵合至第一電極416(或布置在第一電極416上)。支承襯底441可包括Au、Ni、Al、Cu、W、Si、SiAl和GaAs之一。
圖8是根據(jù)另一示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。
圖8所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置70可包括透光襯底501、形成在透光襯底501的第一表面上的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基層511和形成在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基層511上的多個發(fā)光納米結(jié)構(gòu)S'。另外，半導(dǎo)體發(fā)光裝置70可包括形成在透光襯底501的設(shè)為發(fā)光表面的第二表面上的光控制層520和布置在光控制層520上的波長轉(zhuǎn)換層555。光控制層520可包括與參照圖1描述的光控制層120的材料相同的材料。
另外，半導(dǎo)體發(fā)光裝置70還可包括絕緣層502、填充層503、第一電極507和第二電極508。
透光襯底501可提供主光提取表面。透光襯底501可為諸如藍寶石之類的絕緣襯底，但不限于此。例如，透光襯底501還可為具有透光特性的導(dǎo)電襯底或者半導(dǎo)電襯底。
發(fā)光納米結(jié)構(gòu)S'可包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體納米芯504以及在納米芯504的表面上按次序形成作為皮層的有源層505和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層506。
在圖8的示例實施例中，例如，發(fā)光納米結(jié)構(gòu)S'可具有桿狀芯-皮結(jié)構(gòu)，但不限于此。例如，發(fā)光納米結(jié)構(gòu)S'可具有諸如棱錐形的另一結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基層511可為提供用于生長第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體納米芯504的晶體表面的一層。絕緣層502可提供用于生長第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體納米芯504的敞開區(qū)域，并且可為諸如SiO2或SiNx的電介質(zhì)材料。
填充層503可用于在結(jié)構(gòu)上保護發(fā)光納米結(jié)構(gòu)S'，并且透射或者反射光。當填充層503包括透光材料時，填充層503可包括諸如SiO2、SiNx、硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚合物或塑料之類的透明材料。在示例實施例中，當填充層503包括反射材料時，填充層503可包括諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)之類的其中散布有具有高反射比的金屬粉末或陶瓷粉末的聚合物材料。可使用選自TiO2、Al2O3、Nb2O5、Al2O3和ZnO所組成的組中的至少一個作為具有高反射比的陶瓷粉末?？墒褂弥T如Al粉末或Ag粉末之類的金屬粉末作為具有高反射比的金屬粉末。
第一電極507和第二電極508可布置在發(fā)光納米結(jié)構(gòu)S'的下表面上。第一電極507可布置在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基層511的暴露的下表面上，并且第二電極508可包括形成在發(fā)光納米結(jié)構(gòu)S'和填充層503下方的反射性歐姆接觸層508a和電極焊盤508b。
圖9和圖10是根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。
參照圖9，半導(dǎo)體發(fā)光裝置80還可包括按照與圖5所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40的不同方式布置在光控制層320與波長轉(zhuǎn)換層355之間的微透鏡單元330。
布置在光控制層320上的微透鏡單元330可包括具有朝著波長轉(zhuǎn)換層355凸出的凸曲率的突起部分ML。突起部分ML可布置在微透鏡單元330的表面上，同時形成按照間隔排列的陣列?？蓪⑿纬申嚵械耐黄鸩糠諱L稱作微透鏡陣列。由于突起部分ML具有凸曲率，因此入射至波長轉(zhuǎn)換層355的內(nèi)部的光的量可增加。突起部分ML可形成為幾um的大小。為了通過折射率之間的差減少全反射，微透鏡單元330的折射率可低于發(fā)光堆疊件S的折射率并且可高于波長轉(zhuǎn)換層355的折射率。
在示例實施例中采用的微透鏡單元330可提高通過發(fā)光堆疊件S發(fā)射的光的提取效率。
參照圖10，半導(dǎo)體發(fā)光裝置90還可包括按照與圖6所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50的不同方式布置在光控制層320'與波長轉(zhuǎn)換層355'之間的微透鏡單元330'。
布置在光控制層320'上的微透鏡單元330'可包括具有朝著波長轉(zhuǎn)換層355'凸出的凸曲率的突起部分ML。突起部分ML可布置在微透鏡單元330'的表面上，同時形成按照間隔排列的陣列?？蓪⑿纬申嚵械耐黄鸩糠諱L稱作微透鏡陣列。由于突起部分ML具有凸曲率，因此入射至波長轉(zhuǎn)換層355'的內(nèi)部的光的量可增加。突起部分ML可形成為幾um的大小。為了通過折射率之間的差減少全反射，微透鏡部分330'的折射率可低于發(fā)光堆疊件S的折射率并且可高于波長轉(zhuǎn)換層355'的折射率。
在示例實施例中采用的微透鏡單元330'可提高從發(fā)光堆疊件S發(fā)射的光的提取效率。
在圖9和圖10中采用的微透鏡單元330和330'也可用于圖1、圖3、圖4和圖7的其它示例實施例中。
圖11是示出包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的剖視圖。
在圖11所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件中，安裝了半導(dǎo)體發(fā)光裝置20'。半導(dǎo)體發(fā)光裝置20'具有與圖3所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置20的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，不同的是在半導(dǎo)體發(fā)光裝置20'中未設(shè)置波長轉(zhuǎn)換層255。在一些示例實施例中，與圖11不同，可不在第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層204的上表面上形成凹凸結(jié)構(gòu)。
參照圖11，半導(dǎo)體發(fā)光裝置20'可安裝在引線框270上，并且其各個電極可通過導(dǎo)線W電連接至引線框270。在示例實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置20'可安裝在半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的除引線框270之外的另一部分上，例如，安裝在封裝件體260上。另外，封裝件體260可具有用于提高光反射效率的杯形凹槽，并且包括透光材料的包封件265可形成在所述凹槽上，以包封半導(dǎo)體發(fā)光裝置20'和導(dǎo)線W。包封件265可包括諸如磷光體和/或量子點之類的波長轉(zhuǎn)換材料。稍后將進一步詳細描述波長轉(zhuǎn)換材料。
光控制層220可用于提高從發(fā)光堆疊件S發(fā)射的光的透射比，以及提高其波長通過包封件265中的磷光體轉(zhuǎn)換并且再入射至發(fā)光堆疊件S的光的反射比。
在示例實施例中，還可在光控制層220上布置以上參照圖9描述的微透鏡單元330。
圖12是示出包括根據(jù)示例實施例的倒裝芯片式半導(dǎo)體發(fā)光裝置的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的剖視圖。
圖12所示的封裝件包括電路板331和安裝在電路板331上的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40'。半導(dǎo)體發(fā)光裝置40'可具有與圖5所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，不同的是在半導(dǎo)體發(fā)光裝置40'中未設(shè)置波長轉(zhuǎn)換層355。
電路板331可包括第一互連電極335a和第二互連電極335b。第一互連電極335a和第二互連電極335b可分別包括布置在電路板331的上表面上的第一上電極332a和第二上電極332b、布置在電路板331的下表面上的第一下電極334a和第二下電極334b、將第一上電極332a連接至第一下電極334a的第一穿通電極333a和將第二上電極332b連接至第二下電極334b的第二穿通電極333b。在示例實施例中描述的電路板331僅是示出性的，并且可按照各種形式應(yīng)用。例如，電路板331可為印刷電路板(PCB)襯底，諸如金屬芯PCB(MCPCB)襯底、金屬基PCB(MPCB)襯底或者柔性PCB(FPCB)襯底，或者為諸如AlN和Al2O3之類的陶瓷襯底，并且可設(shè)為其上固定有引線框的襯底。
半導(dǎo)體發(fā)光裝置40'可按照倒裝芯片鍵合方法安裝在電路板331上。也就是說，半導(dǎo)體發(fā)光裝置40'可按照第一焊盤電極315和第二焊盤電極316面對電路板331的方式安裝在電路板331上。第一焊盤電極315和第二焊盤電極316可包括在其上的諸如共晶金屬層之類的鍵合層，并且可利用鍵合層鍵合至第一上電極332a和第二上電極332b(或布置在第一上電極332a和第二上電極332b上)。可替換地，可使用諸如共晶金屬層或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂之類的額外鍵合層將第一焊盤電極315和第二焊盤電極316分別與第一上電極332a和第二上電極332b鍵合。
如圖12所示，可在半導(dǎo)體發(fā)光裝置40'的表面上布置用于將從有源層303發(fā)射的光的波長轉(zhuǎn)換為不同波長的波長轉(zhuǎn)換層365。在示例實施例中采用的波長轉(zhuǎn)換層365可為包括諸如磷光體或量子點之類的波長轉(zhuǎn)換材料的樹脂層。稍后將詳細描述波長轉(zhuǎn)換材料。
光控制層320可用于提高從發(fā)光堆疊件S發(fā)射的光的透射比，并且提高其波長通過波長轉(zhuǎn)換層365中的磷光體轉(zhuǎn)換并且再入射至發(fā)光堆疊件S的光的反射比。
在示例實施例中，還可在光控制層320上布置上面參照圖9描述的微透鏡單元330。
圖13A和圖13B是示出采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的白光源模塊的示意圖。
參照圖13A和圖13B，光源模塊可包括多個發(fā)光裝置封裝件，每個發(fā)光裝置封裝件安裝在電路板上。安裝在單個光源模塊上的所述多個發(fā)光裝置封裝件可通過產(chǎn)生相同波長的光的相同類型的封裝件來構(gòu)造，或者如示例實施例所示的那樣，可通過產(chǎn)生不同波長的光的不同類型的封裝件來構(gòu)造。
參照圖13A，可通過將色溫為4000K的白光發(fā)射裝置封裝件與色溫為3000K的紅光發(fā)射裝置封裝件組合來形成白光源模塊。白光源模塊可提供色溫被控制在3000K至4000K的范圍內(nèi)并且顯色指數(shù)Ra在85至100的范圍內(nèi)的白光。
參照圖13B，白光源模塊可通過白光發(fā)射裝置封裝件形成，一些白光發(fā)射裝置封裝件可發(fā)射具有不同色溫的白光。例如，通過將色溫為2700K的白光發(fā)射裝置封裝件與色溫為5000K的白光發(fā)射裝置封裝件組合，可提供色溫被控制在2700K至5000K的范圍內(nèi)并且顯色指數(shù)Ra在85至99的范圍內(nèi)的白光。
這里，例如，可根據(jù)默認色溫的設(shè)定值改變具有特定色溫的發(fā)光裝置封裝件的數(shù)量。例如，當照明設(shè)備的默認色溫的設(shè)定值為約4000K時，對應(yīng)于4000K的色溫的發(fā)光裝置封裝件的數(shù)量可大于對應(yīng)于3000K的色溫的發(fā)光裝置封裝件的數(shù)量或者紅光發(fā)射裝置封裝件的數(shù)量。
按照這種方式，可通過以下步驟來控制白光的色溫和顯色指數(shù)(下文中稱為CRI)，所述步驟即，構(gòu)造異構(gòu)發(fā)光裝置封裝件，該異構(gòu)發(fā)光裝置封裝件包括發(fā)射白光的發(fā)光裝置，其中該白光通過將黃色磷光體、綠色磷光體、紅色磷光體或橙色磷光體與藍光發(fā)射裝置以及紫光發(fā)射裝置、藍光發(fā)射裝置、綠光發(fā)射裝置、紅光發(fā)射裝置和紅外光發(fā)射裝置中的至少一個組合而發(fā)射。
上述白光源模塊可用作燈泡式照明設(shè)備的光源模塊4240(參照圖22或圖23)。
在單個發(fā)光裝置封裝件中，可根據(jù)LED芯片(也就是說，發(fā)光裝置)的波長和磷光體的類型和混合比來確定期望的顏色的光。另外，可控制白光的色溫和CRI。
例如，當LED芯片發(fā)射藍光時，包括黃色磷光體、綠色磷光體和紅色磷光體中的至少一個的發(fā)光裝置封裝件可根據(jù)磷光體的混合比而發(fā)射具有多種色溫的白光?？商鎿Q地，包括藍色LED芯片以及綠色磷光體和紅色磷光體的發(fā)光裝置封裝件可發(fā)射綠光或紅光。按照這種方式，可通過將發(fā)射白光的發(fā)光裝置封裝件與發(fā)射綠光或紅光的發(fā)光裝置封裝件組合來控制白光的色溫和CRI。另外，發(fā)光裝置封裝件可被構(gòu)造為包括發(fā)射紫光、藍光、綠光、紅光或紅外光的至少一個發(fā)光裝置。
在這種情況下，可控制照明設(shè)備以具有從鈉(Na)燈的等級至日光等級的范圍內(nèi)的CRI，并且照明設(shè)備可產(chǎn)生具有1500K至20000K的范圍內(nèi)的多種等級的色溫的白光。另外，由于照明設(shè)備可發(fā)射紫色、藍色、綠色、紅色或橙色的可見光或者紅外光，因此可根據(jù)環(huán)境或心情來控制照明設(shè)備的顏色。另外，照明設(shè)備可發(fā)射特定波長的光以刺激植物生長。
圖14是為了示出可用于根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置或者半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件中的波長轉(zhuǎn)換材料而提供的CIE 1931色空間色度圖。
參照圖14所示的CIE 1931色空間色度圖，通過UV或者藍色LED與黃色磷光體、綠色磷光體和紅色磷光體和/或綠色LED和紅色LED的組合形成的白光可具有兩個或更多個峰值波長，并且可位于CIE1931色空間色度圖中的連接(x，y)坐標(0.4476，0.4074)、(0.3484，0.3516)、(0.3101，0.3162)、(0.3128，0.3292)、(0.3333，0.3333)的線上。另外，白光可位于由所述線和黑體輻射光譜包圍的區(qū)中。白光的色溫可對應(yīng)于2000K至20000K。
作為用于轉(zhuǎn)換從半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射的光的波長的材料，可使用諸如磷光體和/或量子點之類的各種材料。在圖14中，位于黑體輻射光譜下方的坐標E(0.3333，0.3333)周圍的白光可為其中基于黃色的光的組分相對弱的光，并且可用作向裸眼提供更加生動或新鮮的感覺的照明光源。因此，利用位于黑體輻射光譜下方的坐標E(0.3333，0.3333)周圍的白光的照明產(chǎn)品可有效地用作售賣雜貨、衣物等的商店的照明。
作為用于轉(zhuǎn)換從半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射的光的波長的材料，可使用諸如磷光體和/或量子點的各種材料。
磷光體可具有以下組成式和顏色。
*氧化物組：黃色和綠色Y3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce
*硅酸鹽組：黃色和綠色(Ba,Sr)2SiO4:Eu、黃色和橙色(Ba,Sr)3SiO5:Ce
*氮化物組：綠色β-SiAlON:Eu、黃色La3Si6N11:Ce、橙色α-SiAlON:Eu、紅色CaAlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、SrSiAl4N7:Eu、SrLiAl3N4:Eu、Ln4-x(EuzM1-z)xSi12-yAlyO3+x+yN18-x-y(0.5≤x≤3，0＜z＜0.3，并且0＜y≤4)---式(1)
(在式(1)中，Ln為選自IIIa族元素和稀土元素所組成的組中的至少一個元素，M為選自Ca、Ba、Sr和Mg所組成的組中的至少一個元素)
*氟化物組：基于KSF的紅色K2SiF6:Mn4+、K2TiF6:Mn4+、NaYF4:Mn4+、NaGdF4:Mn4+
基本上，磷光體的組成可符合化學(xué)計算法，并且各個元素可由周期表上的對應(yīng)族中的另一元素置換。例如，鍶(Sr)可由堿土(II)族的Ba、Ca、Mg或其它元素置換，并且Y可由鑭系族的Tb、Lu、Sc、Gd或其它元素置換。另外，根據(jù)期望的能級，作為活化劑的Eu等可由Ce、Tb、Pr、Er、Yb或其它元素置換?？蓡为毷褂没罨瘎?，或者可額外包括共活化劑來改變磷光體的特征。
具體地說，基于氟化物的紅色磷光體可涂布有不含Mn的氟化物，或者可將不含Mn的紅色磷光體的表面或氟化物的表面進一步涂布有機材料，以提高高溫/高濕度環(huán)境下的可靠性。與其它磷光體不同，基于氟化物的紅色磷光體可實現(xiàn)40nm或更小的窄的半最大值全寬度(FWHM)，因此可用于諸如超高清(UHD)TV之類的高清TV中。
下表1示出了通過應(yīng)用列出的利用藍色LED芯片(具有440nm至460nm的波長)或者UV LED芯片(具有380nm至440nm的波長)的白光發(fā)射裝置的各種磷光體。
[表1]
另外，波長轉(zhuǎn)換層可為包括諸如量子點(QD)之類的波長轉(zhuǎn)換材料，以替代磷光體或者與磷光體混合。
圖15是可在根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置或半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件中采用的量子點的剖視圖。
參照圖15，量子點(QD)可具有由II-VI族或III-V族化合物半導(dǎo)體形成的核-殼結(jié)構(gòu)。例如，量子點可包括諸如CdSe或InP之類的核以及諸如ZnS或ZnSe之類的殼。另外，量子點還可包括用于穩(wěn)定核以及殼的配體。例如，核的直徑可在1nm至30nm的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選地但不限于為3nm至10nm。殼的厚度可在0.1nm至20nm的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選地但不限于為0.5nm至2nm。
量子點可根據(jù)其大小實現(xiàn)各種顏色。具體地說，當使用量子點作為磷光體的替代材料時，量子點可用作紅色磷光體或綠色磷光體。當使用量子點時，可實現(xiàn)FWHM(例如約35nm)。
波長轉(zhuǎn)換材料可被設(shè)置為包括在包封件中。可替換地，可預(yù)先將波長轉(zhuǎn)換材料制備為膜，以附于LED芯片或諸如導(dǎo)光板之類的光學(xué)結(jié)構(gòu)的表面。在這種情況下，波長轉(zhuǎn)換材料可具有將被容易地應(yīng)用于目標區(qū)域的均勻厚度。
圖16是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的背光單元的透視圖。
參照圖16，背光單元2000可包括導(dǎo)光板2040和布置在導(dǎo)光板2040的各個側(cè)部上的光源模塊2010。另外，背光單元2000還可包括布置在導(dǎo)光板2040下方的反射器2020。根據(jù)示例實施例的背光單元2000可為側(cè)光式背光單元。
在一些示例實施例中，光源模塊2010可僅設(shè)置在導(dǎo)光板2040的一側(cè)上，或者可額外設(shè)置在導(dǎo)光板2040的另一側(cè)上。光源模塊2010可包括印刷電路板(PCB)2001和安裝在PCB 2001上的多個光源2005。這里，所述多個光源2005可包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
圖17是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的直下式背光單元的剖視圖。
參照圖17，背光單元2100可包括光漫射板2140和布置在光漫射板2140下方的光源模塊2110。另外，背光單元2100還可包括布置在光漫射板2140下方并且容納光源模塊2110的底部外殼2160。根據(jù)示例實施例的背光單元2100可為直下式背光單元。
光源模塊2110可包括PCB 2101和安裝在PCB 2101上的多個光源2105。這里，所述多個光源2105可包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
圖18是示出采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的直下式背光單元的光源的排列方式的剖視圖。
根據(jù)示例實施例的直下式背光單元2200可包括排列在襯底2201上的多個光源2205。這里，光源2205可包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
光源2205可具有按照多行多列排列的矩陣結(jié)構(gòu)，其中所述行和列中的每一個具有z字圖案。也就是說，第二矩陣可具有與第一矩陣的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，并且按照直線排列為多行和多列的多個光源2205中的每一個可布置在第一矩陣的光源的各行和各列之間?？梢赃@樣理解，將屬于第二矩陣的光源2205布置在由屬于第一矩陣的四個鄰近光源2205限定的區(qū)域之內(nèi)。
然而，第一矩陣和第二矩陣可按照不同結(jié)構(gòu)和以不同間隔排列，以提高直下式背光單元中的亮度均勻性和光效率。除了調(diào)節(jié)所述多個光源的排列結(jié)構(gòu)之外，可確定鄰近的光源之間的距離S1和S2，以確保亮度均勻性。
按照這種方式，光源2205的多行多列可按照z字形的方式排列，因此，相對于相同的發(fā)光面積，光源2205的數(shù)量可減少約15％至約25％。
圖19是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的直下式背光單元的剖視圖。
參照圖19，背光單元2400可包括安裝在電路板2401上的光源2405和布置在光源2405上方的一個或多個光學(xué)片材2406。光源2405可包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
在示例實施例中采用的電路板2401可包括：第一平面部分2401a，其對應(yīng)于電路板2401的主要部分；傾斜部分2401b，其至少一部分成一定角度設(shè)置，布置在第一平面部分2401a周圍；以及第二平面部分2401c，其布置在電路板2401的拐角中，也就是說，布置在傾斜部分2401b以外。光源2405在第一平面部分2401a上可按照第一距離d1排列，并且一個或多個光源2405在傾斜部分2401b上還可按照第二距離d2排列。第一距離d1可與第二距離d2相等。傾斜部分2401b的寬度(或者剖視圖中的長度)可比第一平面部分2401a的寬度更窄，并且大于第二平面部分2401c的寬度。另外，可根據(jù)實施例在第二平面部分2401c上排列至少一個光源2405。
傾斜部分2401b相對于第一平面部分2401a的斜度可大于0°且小于90°。通過具有該結(jié)構(gòu)，電路板2401即使在光學(xué)片材2406的邊緣附近也可保持實質(zhì)上均勻的亮度。
圖20是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的平板照明設(shè)備的透視圖。
參照圖20，平板照明設(shè)備4100可包括光源模塊4110、電源4120和殼體4130。根據(jù)示例實施例，光源模塊4110可包括作為光源的發(fā)光裝置陣列，并且電源4120可包括發(fā)光裝置驅(qū)動器。
光源模塊4110可包括發(fā)光裝置陣列，并且具有整體平面形狀。根據(jù)示例實施例，發(fā)光裝置陣列可包括發(fā)光裝置和存儲發(fā)光裝置的驅(qū)動信息的控制器。發(fā)光裝置可為根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
電源4120可被構(gòu)造為向光源模塊4110供電。殼體4130可包括用于容納光源模塊4110和電源4120的容納空間。另外，殼體4130可形成為具有一側(cè)敞開的六面體形狀，但不限于此。光源模塊4110可布置為發(fā)射光以通過殼體4130的敞開側(cè)。
圖21是包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件和通信模塊的燈的分解透視圖。
參照圖21，照明設(shè)備4200可包括插孔4210、電源4220、散熱器4230、光源模塊4240和光學(xué)單元4250。根據(jù)示例實施例，光源模塊4240可包括發(fā)光裝置陣列，并且電源4220可包括發(fā)光裝置驅(qū)動器。
插孔4210可通過正常照明設(shè)備代替。向照明設(shè)備4200供應(yīng)的功率可通過插孔4210施加。如圖21所示，電源4220可分為第一電源4221和第二電源4222。散熱器4230可包括內(nèi)部散熱器4231和外部散熱器4232。內(nèi)部散熱器4231可直接連接至光源模塊4240和/或電源4220，并且可將熱傳輸至外部散熱器4232。光學(xué)單元4250可包括內(nèi)部光學(xué)單元(未示出)和外部光學(xué)單元(未示出)，并且可被構(gòu)造為均勻地分布從光源模塊4240發(fā)射的光。
光源模塊4240可從電源4220接收功率并且將光發(fā)射至光學(xué)單元4250。光源模塊4240可包括一個或多個發(fā)光裝置4241、電路板4242和控制器4243?？刂破?243可存儲發(fā)光裝置4241的驅(qū)動信息。發(fā)光裝置4241可為根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
圖22是包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件和通信模塊的燈的分解透視圖。
參照圖22，與圖21所示的照明設(shè)備4200相比，根據(jù)示例實施例的照明設(shè)備4300可包括在光源模塊4240上的反射器4310。反射器4310可用于將來自光源的光沿著橫向和/或向后的方向均勻地分布以減少眩光。
通信模塊4320可安裝在反射器4310上，并且可通過通信模塊4320執(zhí)行家庭網(wǎng)絡(luò)通信。例如，通信模塊4320可為利用無線保真(Wi-Fi)或光保真(Li-Fi)的無線通信模塊。通信模塊4320可通過利用智能電話或無線控制器來控制諸如內(nèi)部燈和/或外部燈的通電/斷電或亮度調(diào)整之類的功能。另外，通信模塊4320可利用安裝在家中和/或周圍的照明設(shè)備的可見光波長通過利用Li-Fi通信模塊來控制家中和周圍的諸如電視機(TV)、冰箱、空調(diào)、門鎖或車輛之類的電器和車輛系統(tǒng)。
反射器4310和通信模塊4320可由蓋子4330覆蓋。
圖23是采用了根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的桿狀燈的分解透視圖。
參照圖23，照明設(shè)備4400可包括散熱構(gòu)件4410、蓋子4441、光源模塊4450、第一插孔4460和第二插孔4470。多個散熱片4420和4431可布置在脊狀的散熱構(gòu)件4410的內(nèi)表面和/或外表面上，并且可將散熱片4420和4431設(shè)計為具有各種形狀和在它們之間具有各種距離。懸掛式支承件4432可形成在散熱構(gòu)件4410的內(nèi)側(cè)。光源模塊4450可緊固在支承件4432上。緊固突起4433可形成在散熱構(gòu)件4410的各個端部。
緊固凹槽4442可形成在蓋子4441上，并且散熱構(gòu)件4410的緊固突起4433可按照鉤耦合方式與緊固凹槽4442耦合。緊固凹槽4442和緊固突起4433的位置可互換。
光源模塊4450可包括發(fā)光裝置陣列。光源模塊4450可包括PCB4451、光源4452和控制器4453。如上所述，控制器4453可存儲光源4452的驅(qū)動信息。可在PCB 4451上形成用于操作光源4452的電路互連部分。另外，PCB 4451還可包括其它組件以操作光源4452。光源4452可包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
第一插孔4460和第二插孔4470可為一對插孔，并且可具有與包括散熱構(gòu)件4410和蓋子4441在內(nèi)的圓筒形蓋單元的兩端部分結(jié)合的結(jié)構(gòu)。例如，第一插孔4460可包括電極端子4461和電源裝置4462，第二插孔4470可包括偽端子4471。另外，可將光學(xué)傳感器和/或通信模塊嵌入第一插孔4460和第二插孔4470之一中。例如，可將光學(xué)傳感器和/或通信模塊嵌入包括偽端子4471的第二插孔4470中。作為另一示例，可將光學(xué)傳感器和/或通信模塊嵌入包括電極端子4461的第一插孔4460中。
圖24是示出采用了根據(jù)本示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝件的室內(nèi)照明控制網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的示意圖。
根據(jù)示例實施例的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000可為其中將利用諸如LED之類的發(fā)光裝置的照明技術(shù)與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)技術(shù)、無線通信技術(shù)或類似技術(shù)相結(jié)合的復(fù)合智能光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000可利用各種照明設(shè)備和有線/無線通信設(shè)備實現(xiàn)。網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000可通過傳感器、控制器、通信裝置、用于網(wǎng)絡(luò)控制和維護的軟件或類似組件來實現(xiàn)。
網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000可在諸如公園或街道之類的敞開區(qū)域以及諸如限定在建筑中的家或辦公室之類的封閉空間中應(yīng)用?？苫贗oT環(huán)境實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000，以收集和/或處理各種信息和向用戶提供所述信息。這里，包括在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000中的LED燈5200不僅可通過從網(wǎng)關(guān)5100接收關(guān)于周圍環(huán)境的信息來控制照明功能，而且還基于例如LED燈5200的可見光通信功能來控制屬于IoT環(huán)境的其它設(shè)備5300至5800的操作。
參照圖24，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000可包括：網(wǎng)關(guān)5100，其處理根據(jù)不同通信協(xié)議發(fā)送和接收的數(shù)據(jù)；LED燈5200，其連接至網(wǎng)關(guān)5100以實現(xiàn)通信并且包括發(fā)光裝置；以及多個設(shè)備5300至5800，它們根據(jù)各種無線通信系統(tǒng)連接至網(wǎng)關(guān)5100以實現(xiàn)通信。為了實現(xiàn)基于IoT環(huán)境的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000，LED燈5200和設(shè)備5300至5800中的每一個可包括至少一個通信模塊。在一些示例實施例中，LED燈5200可通過諸如Wi-Fi、或Li-Fi之類的無線通信協(xié)議連接至網(wǎng)關(guān)5100以實現(xiàn)通信。這樣，LED燈5200可包括至少一個燈通信模塊5210。LED燈5200可包括根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
如上所述，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000可用于諸如公園或街道之類的敞開區(qū)域中以及諸如限定在建筑中的家或辦公室之類的封閉空間中。當網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000用于家中時，所述多個設(shè)備5300至5800可包括家用電器5300(包括電視5310或冰箱5320)、數(shù)字門鎖5400、車庫門鎖5500、壁裝照明開關(guān)5600、用于無線網(wǎng)絡(luò)中繼的路由器5700或者諸如智能電話、平板或筆記本計算機之類的移動設(shè)備5800，并且所述多個設(shè)備5300至5800可連接至網(wǎng)關(guān)5100以執(zhí)行基于IoT技術(shù)的通信。
在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000中，LED燈5200可通過利用無線通信網(wǎng)絡(luò)(例如，Wi-Fi、或Li-Fi)來檢查多個設(shè)備5300至5800的操作狀態(tài)，或者可根據(jù)周圍環(huán)境和/或條件自動地控制LED燈5200的強度。另外，LED燈5200可利用從LED燈5200發(fā)射的可見光通過利用Li-Fi通信來控制屬于網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000的設(shè)備5300至5800。
例如，LED燈5200可基于通過燈通信模塊5210從網(wǎng)關(guān)5100發(fā)送或者從安裝在LED燈5200中的傳感器收集的關(guān)于周圍環(huán)境的信息，來自動地控制其強度。例如，可根據(jù)在電視5310上播送的節(jié)目類型或者屏幕亮度來自動地控制LED燈5200的強度。為此，LED燈5200可從連接至網(wǎng)關(guān)5100的燈通信模塊5210接收電視5310的操作信息。燈通信模塊5210可與包括在LED燈5200中的傳感器和/或控制器一體化和模塊化。
例如，當在電視5310上播送的節(jié)目是戲劇時，LED燈5200的色溫可根據(jù)預(yù)設(shè)值降至12000K或更低(例如，6000K)，并且可調(diào)整LED燈5200的色調(diào)以創(chuàng)造舒適氣氛。另一方面，當廣播節(jié)目是喜劇時，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000可被構(gòu)造為根據(jù)預(yù)設(shè)值將LED燈5200的色溫增至6000K或更高，并且調(diào)整LED燈5200以發(fā)射基于藍色的白光。
另外，當在沒人在家時鎖上數(shù)字門鎖5400之后過去一時間段時，可將所有點亮的LED燈5200關(guān)閉來防止浪費電。另外，在通過移動裝置5800設(shè)置安全模式并且在沒人在家的情況下鎖上數(shù)字門鎖5400時，LED燈5200可保持打開狀態(tài)。
可根據(jù)通過連接至網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000的各個傳感器收集的周圍環(huán)境來控制LED燈5200的操作。例如，當在建筑中實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)5000時，可將建筑中的燈、位置傳感器和通信模塊組合，可通過收集關(guān)于建筑中的人的位置的信息來打開或關(guān)閉燈，或者可實時提供收集的信息，以能夠進行有效設(shè)備管理或者有效利用閑置空間。正常情況下，諸如LED燈5200的照明設(shè)備可布置在建筑的每一層的所有空間中，可通過與LED燈5200集成的傳感器收集各種信息，并且收集的信息可用于設(shè)備管理或閑置空間的利用。
LED燈5200可與圖像傳感器、存儲裝置、燈通信模塊5210或類似組件組合以用作維持建筑安全或檢測并應(yīng)對緊急情況的設(shè)備。例如，當將煙或溫度傳感器附著于LED燈5200時，可迅速檢測火災(zāi)的發(fā)生，以最小化損失。另外，可通過考慮室外天氣或日光來調(diào)整燈的亮度以節(jié)能和提供舒適的照明環(huán)境。
如上所述，根據(jù)示例實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置可通過在其主發(fā)光表面上引入光控制層而增加從半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射的光的透射比，以及增加從波長轉(zhuǎn)換層再入射至半導(dǎo)體發(fā)光裝置的光的反射比。因此，半導(dǎo)體發(fā)光裝置的光提取效率可提高。
雖然只示出并描述了少量的實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，在不脫離本公開的原理和精神的情況下，可對上述示例實施例進行修改，并且本公開的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物來限定。
- 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊！