本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于移送發(fā)光二極管的裝置及方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(led；lightemittingdiode)是一種如下的半導(dǎo)體元件：當(dāng)把電壓正向施加于pn結(jié)二極管時(shí)，空穴和電子將得到注入，而且使隨著該空穴與電子的重新結(jié)合而生成的能量轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽堋?/p>

發(fā)光二極管由無(wú)機(jī)發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光二極管構(gòu)成，且包括液晶顯示tv的背光單元、照明設(shè)備、電光板在內(nèi)，從手機(jī)之類的小型電子設(shè)備到大型tv，均使用發(fā)光二極管。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

由于襯底基板上的發(fā)光二極管的發(fā)光效率存在偏差，因此在將發(fā)光二極管移送到顯示基板之后制造出的顯示裝置中存在出現(xiàn)斑點(diǎn)的問(wèn)題。本發(fā)明的實(shí)施例的目的在于提供一種可使襯底基板上的發(fā)光二極管的發(fā)光效率偏差所引起的影響最小化的移送裝置及方法。

根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管移送器，包括：頭主體部，能夠旋轉(zhuǎn)，并具有用于拾取襯底基板上的發(fā)光二極管的至少一個(gè)拾取部；檢測(cè)部，與所述頭主體部相隔，并具有對(duì)應(yīng)于所述拾取部的位置處的接觸部和相鄰于所述接觸部的光檢測(cè)元件；線性驅(qū)動(dòng)部，用于使所述頭主體部和所述檢測(cè)部中的至少一個(gè)進(jìn)行線性移動(dòng)，以使貼附于所述拾取部的所述發(fā)光二極管接觸于所述接觸部；控制器，基于與所述發(fā)光二極管發(fā)射的光強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的所述光檢測(cè)元件的輸出而測(cè)量所述發(fā)光二極管的光特性，并根據(jù)測(cè)量出的所述光特性而計(jì)算即將布置所述發(fā)光二極管的顯示基板上的坐標(biāo)。

在本實(shí)施例中，所述拾取部可配備多個(gè)，所述多個(gè)拾取部可沿所述頭主體部的長(zhǎng)度方向相隔布置。

在本實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管移送器還可以包括：旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部，連接于所述頭主體部而使所述頭主體部旋轉(zhuǎn)。

在本實(shí)施例中，當(dāng)所述發(fā)光二極管的測(cè)量光特性與所述襯底基板中匹配于所述發(fā)光二極管的坐標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)光特性一致時(shí)，所述控制器提取出所述發(fā)光二極管中已設(shè)定的所述顯示基板中的坐標(biāo)；當(dāng)所述發(fā)光二極管的測(cè)量光特性與所述襯底基板中匹配于所述發(fā)光二極管的坐標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)光特性不一致時(shí)，所述控制器計(jì)算出所述發(fā)光二極管的所述顯示基板中的新坐標(biāo)。

在本實(shí)施例中，所述拾取部可包括第一布線，所述接觸部可包括第二布線。

在本實(shí)施例中，所述第二布線可包括一對(duì)電極。

在本實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管可具有：第一電極墊；第二電極墊，與所述第一電極墊對(duì)向，其中，所述發(fā)光二極管的第一電極墊可接觸于所述第二布線，所述第二電極墊可接觸于所述第一布線。

在本實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管可具有朝相同方向布置的第一電極墊和第二電極墊，所述發(fā)光二極管的第一電極墊和第二電極墊可分別與所述第二布線接觸。

在本實(shí)施例中，所述頭主體部還可以包括：光源，相鄰布置于所述拾取部。

在本實(shí)施例中，所述控制器通過(guò)比較所述發(fā)光二極管的測(cè)量光特性與標(biāo)準(zhǔn)光特性而判斷所述發(fā)光二極管的不良與否，如果所述發(fā)光二極管正常，則所述控制器在所述發(fā)光二極管被置于所述顯示基板上時(shí)開啟所述光源，如果所述發(fā)光二極管不良，則所述控制器在所述發(fā)光二極管被置于所述顯示基板上時(shí)關(guān)閉所述光源。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種通過(guò)利用移送器而將發(fā)光二極管從襯底基板移送到顯示基板的方法，其中，所述移送器包括：頭主體部，能夠旋轉(zhuǎn)，并具有至少一個(gè)拾取部；檢測(cè)部，與所述頭主體部相隔，并具有對(duì)應(yīng)于所述拾取部的位置處的接觸部和相鄰于所述接觸部的光檢測(cè)元件，所述移送方法包括如下步驟：借助于所述頭主體部的拾取部而從所述襯底基板中拾取所述發(fā)光二極管；使所述頭主體部旋轉(zhuǎn)，并使所述頭主體部和所述檢測(cè)部中的至少一個(gè)進(jìn)行線性移動(dòng)，從而使貼附于所述拾取部的所述發(fā)光二極管接觸于所述接觸部；使所述發(fā)光二極管發(fā)光；基于與所述發(fā)光二極管發(fā)射的光強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的所述光檢測(cè)元件的輸出而測(cè)量所述發(fā)光二極管的光特性；根據(jù)測(cè)量出的所述光特性而計(jì)算即將布置所述發(fā)光二極管的所述顯示基板上的坐標(biāo)。

在本實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管可具有：第一電極墊；第二電極墊，與所述第一電極墊對(duì)向，其中，所述發(fā)光二極管發(fā)光步驟可包括如下步驟：對(duì)所述發(fā)光二極管的所述第一電極墊所接觸的所述接觸部和所述第二電極墊所接觸的所述拾取部分別施加電壓或電流。

在本實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管可具有朝相同方向布置的第一電極墊和第二電極墊，其中，所述發(fā)光二極管發(fā)光步驟可包括如下步驟：對(duì)所述發(fā)光二極管的第一電極墊和第二電極墊所接觸的所述接觸部的一對(duì)電極分別施加電壓或電流。

在本實(shí)施例中，所述坐標(biāo)計(jì)算步驟可包括如下步驟：當(dāng)所述發(fā)光二極管的測(cè)量光特性與所述襯底基板中匹配于所述發(fā)光二極管的坐標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)光特性一致時(shí)，提取出所述發(fā)光二極管中已設(shè)定的所述顯示基板中的坐標(biāo)；當(dāng)所述發(fā)光二極管的測(cè)量光特性與所述襯底基板中匹配于所述發(fā)光二極管的坐標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)光特性不一致時(shí)，計(jì)算出所述發(fā)光二極管的所述顯示基板中的新坐標(biāo)。

在本實(shí)施例中，所述移送方法還可以包括如下步驟：使所述頭主體部和所述檢測(cè)部中的至少一個(gè)進(jìn)行線性移動(dòng)，從而使所述發(fā)光二極管從所述接觸部隔置；將所述發(fā)光二極管置于所述顯示基板的計(jì)算出的坐標(biāo)的導(dǎo)電層上。

在本實(shí)施例中，所述移送方法還可以包括如下步驟：通過(guò)比較所述發(fā)光二極管的測(cè)量光特性與標(biāo)準(zhǔn)光特性而判斷所述發(fā)光二極管的不良與否；將所述發(fā)光二極管置于所述顯示基板上的計(jì)算出的坐標(biāo)的導(dǎo)電層上；當(dāng)所述發(fā)光二極管正常時(shí)，對(duì)包圍所述正常發(fā)光二極管的粘接層照射所述光，并將所述發(fā)光二極管從所述拾取部釋放；當(dāng)所述發(fā)光二極管不良時(shí)，對(duì)包圍所述不良發(fā)光二極管的粘接層不予照射所述光，并將所述發(fā)光二極管從所述顯示基板中拾取。

本發(fā)明的實(shí)施例可通過(guò)減少顯示裝置中的斑點(diǎn)不良而提高顯示品質(zhì)。

附圖說(shuō)明

圖1為表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管移送器的正視圖。

圖2為表示圖1所示發(fā)光二極管移送器的側(cè)視圖。

圖3為表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1所示發(fā)光二極管移送器的頭部的立體圖。

圖4為表示圖3所示頭部的檢測(cè)部的一個(gè)表面的圖。

圖5為表示利用圖1所示發(fā)光二極管移送器而制造顯示裝置的工藝的示例圖。

圖6是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管的移送方法的流程圖。

圖7a至圖7d是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的垂直型發(fā)光二極管的光特性測(cè)量方法的頭部的示例性剖視圖。

圖8a至圖8d是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的水平型發(fā)光二極管的光特性測(cè)量方法的頭部的示例性剖視圖。

圖9為表示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的圖1所示發(fā)光二極管移送器的頭部的立體圖。

圖10是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管移送方法的流程圖。

圖11a至圖11c是用于說(shuō)明圖10所示發(fā)光二極管移送方法的頭部的示例性剖視圖。

圖12為概略地表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例而制造的顯示裝置的平面圖。

圖13和圖14為概略地表示圖12所示顯示裝置的a-a′剖面之一例的剖視圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明可施加多樣的變換，并可具有多種實(shí)施例，即將在附圖中舉例示出特定實(shí)施例并在說(shuō)明書中詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的技術(shù)效果、特征及用于達(dá)到目的之方法可通過(guò)參考結(jié)合附圖詳細(xì)闡述的實(shí)施例而清楚地了解。然而本發(fā)明并不局限于以下公開的實(shí)施例，其可以由多樣的形態(tài)實(shí)現(xiàn)。

以下，參考附圖而詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，在參考附圖進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，對(duì)相同或?qū)?yīng)的構(gòu)成要素賦予相同的附圖標(biāo)記并省略與之相關(guān)的重復(fù)說(shuō)明。

在以下的實(shí)施例中，第一、第二等術(shù)語(yǔ)并非具有限定性含義，而且用于將一個(gè)構(gòu)成要素與其他構(gòu)成要素加以區(qū)分。

在以下的實(shí)施例中，除非在文脈上明確表示其他含義，單數(shù)型表述包含復(fù)數(shù)型含義。

在以下的實(shí)施例中，“包括”或“具有”等術(shù)語(yǔ)用于表示說(shuō)明書中記載的特征或構(gòu)成要素的存在，其并不預(yù)先排除一個(gè)以上的其他特征或構(gòu)成要素的可附加性。

在以下的實(shí)施例中，當(dāng)提到膜、區(qū)域、構(gòu)成要素等部分位于其他部分上方或上面時(shí)，不僅包括與其他部分緊鄰而位于上方的情形，而且還包括中間夾設(shè)有其他膜、區(qū)域、構(gòu)成要素等的情形。

附圖中為了便于說(shuō)明而可能將構(gòu)成要素的大小放大或縮小而示出。例如，圖中所示的各個(gè)構(gòu)成要素的大小和厚度被任意表示以便于說(shuō)明。本發(fā)明并不局限于圖示情形。

在以下的實(shí)施例中，x軸、y軸、z軸并不局限于正交坐標(biāo)系上的三個(gè)軸，而是可以解釋為包含這種情形的廣義的含義。例如，x軸、y軸、z軸固然可以相互正交，然而也可以指代互不正交的不同方向。

當(dāng)某些實(shí)施例能夠以不同方式實(shí)現(xiàn)時(shí)，特定的工藝順序可以與說(shuō)明情形不同地執(zhí)行。例如，連續(xù)說(shuō)明的兩個(gè)工序既可以實(shí)質(zhì)上同時(shí)執(zhí)行，也可以按照與說(shuō)明順序相反的順序執(zhí)行。

圖1為表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管移送器(transfer)的正視圖。圖2為表示圖1所示發(fā)光二極管移送器的側(cè)視圖。

參考圖1和圖2，發(fā)光二極管移送器(以下，稱為“移送器”)100可包括基臺(tái)110、移動(dòng)部120、頭部130、視景部140以及控制器150。發(fā)光二極管移送器100可設(shè)置于腔室(未圖示)的內(nèi)部空間。腔室內(nèi)部的壓力可多樣地營(yíng)造。例如，腔室內(nèi)部的壓力可營(yíng)造為即將下述的工藝進(jìn)行的時(shí)段內(nèi)相同或相似于大氣壓或真空。

基臺(tái)110可處于固定在腔室內(nèi)部的狀態(tài)?；_(tái)110可形成為板形態(tài)。此時(shí)，基臺(tái)110的一個(gè)表面可安置顯示基板200和襯底基板1。襯底基板1可以是直接形成有發(fā)光二極管20的晶圓，或者是發(fā)光二極管20從晶圓處一次移送而重新排列的臨時(shí)基板。

移動(dòng)部120可滑動(dòng)地結(jié)合于基臺(tái)110。此時(shí)，移動(dòng)部120可設(shè)置于基臺(tái)110的側(cè)部而沿著一個(gè)方向(x軸方向)線性運(yùn)動(dòng)。

頭部130可線性運(yùn)動(dòng)地設(shè)置于移動(dòng)部120。此時(shí)，頭部130可相對(duì)于移動(dòng)部120而沿著荷重方向(z軸方向)進(jìn)行線性運(yùn)動(dòng)。而且，頭部130可相對(duì)于移動(dòng)部120而沿著y軸方向進(jìn)行線性運(yùn)動(dòng)?；蛘撸@示基板200和襯底基板1可相對(duì)于頭部130而沿著y軸方向進(jìn)行線性運(yùn)動(dòng)?；蛘撸@示基板200及襯底基板1和頭部130可彼此沿著y軸的相反方向進(jìn)行線性運(yùn)動(dòng)。

視景部140可包含攝像機(jī)，從而拍攝頭部130、襯底基板1以及顯示基板200中的至少一個(gè)的位置。可根據(jù)由視景部140拍攝的圖像而調(diào)節(jié)頭部130的位置。視景部140可設(shè)置于移動(dòng)部120，然而并不局限于此，可設(shè)置于多樣的位置。

控制器150可控制移送器100的全局性驅(qū)動(dòng)。

控制器150可在發(fā)光二極管20從襯底基板1處得到拾取而被移送到顯示基板200之前測(cè)量發(fā)光二極管20的光特性，并根據(jù)測(cè)量光特性而計(jì)算出即將用于布置發(fā)光二極管20的顯示基板200上的坐標(biāo)。并且，控制器150可根據(jù)測(cè)量光特性而判斷發(fā)光二極管20的不良與否，并以如下方式控制光源的啟閉：使正常發(fā)光二極管布置于顯示基板200上的相關(guān)坐標(biāo)，并防止不良發(fā)光二極管布置于顯示基板200上。

圖3為表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1所示發(fā)光二極管移送器的頭部的立體圖。圖4為表示圖3所示頭部的檢測(cè)部的一個(gè)表面的圖。

參考圖3和圖4，頭部130可包括頭主體部160、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部170、檢測(cè)部180以及線性驅(qū)動(dòng)部190。

頭主體部160可形成為立體形狀。頭主體部160可形成為多樣的形態(tài)。例如，頭主體部160可形成為多棱柱、圓柱形態(tài)。

頭主體部160的表面可布置有拾取部161。拾取部161可將發(fā)光二極管20從襯底基板1分離而移送到顯示基板200。此時(shí)，拾取部161可利用靜電力或粘接力而貼附發(fā)光二極管20。拾取部161并不局限于上述情形，其可以包含能夠貼附發(fā)光二極管20的所有裝置及所有結(jié)構(gòu)。拾取部161可配備多個(gè)。多個(gè)拾取部161可沿著頭主體部160的長(zhǎng)度方向(y軸方向)而相隔布置。在頭主體部160為多邊形的情況下，多個(gè)拾取部161可以以單列排列于多邊形的各個(gè)表面。在頭主體部160為圓柱形態(tài)的情況下，多個(gè)拾取部161可以隔開預(yù)定間距而相隔排列于頭主體部160的表面。

拾取部161可包括第一布線162。第一布線162既可以由一個(gè)電極構(gòu)成，也可以由相互隔開并絕緣的一對(duì)電極構(gòu)成。圖3中示出由一對(duì)電極構(gòu)成的第一布線162。當(dāng)發(fā)光二極管20為垂直型時(shí)，發(fā)光二極管20的對(duì)向的兩個(gè)電極墊中的一個(gè)電極墊可貼附于拾取部161而與第一布線162接觸。當(dāng)發(fā)光二極管20為水平型或倒置型時(shí)，拾取部161中可貼附未形成電極墊的發(fā)光二極管20的一側(cè)。

發(fā)光二極管20可以是微型led。其中，微型可表示1至100μm的大小，然而本發(fā)明的實(shí)施例并不局限于此，也可以應(yīng)用于大小與之相比更大或更小的發(fā)光二極管。

旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部170可以與頭主體部160連接而使頭主體部160旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部170可將頭主體部160的長(zhǎng)度方向(y軸方向)作為旋轉(zhuǎn)軸而使頭主體部160旋轉(zhuǎn)。

旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部170可包括以貫穿頭主體部160的方式設(shè)置的旋轉(zhuǎn)軸172以及與旋轉(zhuǎn)軸172連接的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)171。此時(shí)，旋轉(zhuǎn)馬達(dá)171與旋轉(zhuǎn)軸172之間的連接方式可有多樣方式。例如，旋轉(zhuǎn)馬達(dá)171與旋轉(zhuǎn)軸172可通過(guò)分別設(shè)置于旋轉(zhuǎn)軸172和旋轉(zhuǎn)馬達(dá)171的滾輪及用于連接滾輪的傳送帶而實(shí)現(xiàn)連接。作為另一實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)馬達(dá)171和旋轉(zhuǎn)軸172可分別設(shè)置有齒輪單元，從而使各個(gè)齒輪單元相互連接。作為又一實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)馬達(dá)171與旋轉(zhuǎn)軸172還可以彼此直接連接。

檢測(cè)部180可以與頭主體部160相似地由立體形狀形成。此時(shí)，檢測(cè)部180可形成為多樣的形態(tài)。例如，檢測(cè)部180可形成為多棱柱、圓柱形態(tài)。檢測(cè)部180可以以與頭主體部160相隔的方式布置在頭主體部160的上部。

檢測(cè)部180可在與頭主體部160對(duì)向的表面180a具有接觸部181和光檢測(cè)元件185。

接觸部181可在與頭主體部160的拾取部161對(duì)應(yīng)的位置處以與拾取部161對(duì)向的方式配備。接觸部181可包括第二布線182。第二布線182可由相互隔置并絕緣的一對(duì)電極構(gòu)成。通過(guò)使第二布線182包括一對(duì)電極，可對(duì)垂直型發(fā)光二極管以及水平型/倒置型發(fā)光二極管的移送均合適。一對(duì)電極之間的絕緣體183可以是空氣或絕緣物質(zhì)。作為一個(gè)實(shí)施例，接觸部181可配備于檢測(cè)部180的表面上形成的槽。作為另一實(shí)施例，接觸部181可形成于檢測(cè)部180的平整的表面，從而被配備成從檢測(cè)部180的表面突出。

當(dāng)發(fā)光二極管20為垂直型時(shí)，與貼附于拾取部161的電極墊對(duì)向的發(fā)光二極管20的電極墊可接觸于接觸部181的第二布線182。當(dāng)發(fā)光二極管20為水平型或倒置型時(shí)，發(fā)光二極管20的一對(duì)電極墊可分別與接觸部181的第二布線182的一對(duì)電極接觸。

光檢測(cè)元件185可配備于接觸部181的周圍。光檢測(cè)元件185可以是光傳感器。光檢測(cè)元件185可以與接觸部181相鄰地配備一個(gè)或一個(gè)以上。光檢測(cè)元件185可接收與拾取部161和接觸部181連接的發(fā)光二極管20發(fā)射的光，并檢測(cè)所接收到的光的光強(qiáng)度(光量)，且可以輸出對(duì)應(yīng)于光強(qiáng)度的感測(cè)值。

線性驅(qū)動(dòng)部190可連接于頭主體部160和檢測(cè)部180而使頭主體部160與檢測(cè)部180中的至少一個(gè)進(jìn)行線性運(yùn)動(dòng)。借助于線性驅(qū)動(dòng)部190，貼附于頭主體部160的拾取部161的發(fā)光二極管20可接觸于檢測(cè)部180的接觸部181。

線性驅(qū)動(dòng)部190包括第一部件191和第二部件192，從而可借助于第一部件191與第二部件192的相互驅(qū)動(dòng)而使頭主體部160和檢測(cè)部180中的至少一個(gè)沿著荷重方向(z軸方向)進(jìn)行線性運(yùn)動(dòng)。線性驅(qū)動(dòng)部190并不局限于前述結(jié)構(gòu)而可以包括多樣的裝置及結(jié)構(gòu)。例如，線性驅(qū)動(dòng)部190可包括具有位置可變的軸的氣缸。作為另一實(shí)施例，線性驅(qū)動(dòng)部190可包括直線馬達(dá)。作為又一實(shí)施例，線性驅(qū)動(dòng)部190可包括馬達(dá)及連接于馬達(dá)的滾珠螺桿。作為又一實(shí)施例，線性驅(qū)動(dòng)部190可包括馬達(dá)及連接于馬達(dá)的齒輪單元。線性驅(qū)動(dòng)部190并不局限于前述實(shí)施例，其可以包括設(shè)置于頭主體部160與檢測(cè)部180之間而使頭主體部160和檢測(cè)部180中的至少一個(gè)沿著一個(gè)方向進(jìn)行線性運(yùn)動(dòng)的所有裝置及結(jié)構(gòu)。

圖5為表示利用圖1所示發(fā)光二極管移送器而制造顯示裝置的工藝的示例圖。

參考圖5，移送器100可通過(guò)將襯底基板1上的發(fā)光二極管20移送到顯示基板200而制造顯示裝置。

移送器100可將移動(dòng)部120布置于襯底基板1上之后，使頭部130下降而布置于襯底基板1上的已設(shè)定位置。此時(shí)，可根據(jù)視景部(參考圖2)140所拍攝的圖像而掌握頭部130和襯底基板1的位置，并改變頭部130的位置。

如果頭部130被布置于已設(shè)定位置，則移送器100使頭部130下降之后拾取發(fā)光二極管20。

移送器100可以使頭部130上升。而且，通過(guò)啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部170而使頭主體部160旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度。因頭主體部160的旋轉(zhuǎn)，未貼附有發(fā)光二極管20的表面的拾取部161可再次與襯底基板1對(duì)向地布置。

移送器100可再次使頭主體部160下降而使發(fā)光二極管20貼附于拾取部161。上述作業(yè)可直至頭主體部160的所有拾取部161均貼附有發(fā)光二極管20為止反復(fù)執(zhí)行。

當(dāng)發(fā)光二極管20貼附于頭主體部160的所有拾取部161時(shí)，移送器100可使移動(dòng)部120從襯底基板1朝顯示基板200(沿x軸方向)移動(dòng)。

移送器100可在移動(dòng)過(guò)程中或者移動(dòng)之前啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部170，從而使頭主體部160旋轉(zhuǎn)，以使貼附有想要檢測(cè)特性的發(fā)光二極管20的頭主體部160的表面與檢測(cè)部180的底面180a對(duì)向。

然后，移送器100啟動(dòng)線性驅(qū)動(dòng)部190，從而可借助于頭主體部160的上升和/或檢測(cè)部180的下降而使貼附于拾取部161的發(fā)光二極管20接觸于檢測(cè)部180的接觸部181。

控制器150可從電源部(未圖示)向拾取部161和接觸部181施加電壓或電流，從而使發(fā)光二極管20發(fā)光。光檢測(cè)元件185可接收發(fā)光二極管20發(fā)射的光，并輸出對(duì)應(yīng)于光強(qiáng)度的感測(cè)值。

控制器150可基于光檢測(cè)元件185輸出的感測(cè)值來(lái)測(cè)量發(fā)光二極管20的光特性。光特性可包括發(fā)光二極管20的發(fā)光效率。控制器150可將發(fā)光二極管20的發(fā)光效率與標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光效率進(jìn)行比較而計(jì)算出發(fā)光二極管20的不良與否和/或即將布置于顯示基板200的坐標(biāo)(位置)。

移送器100可再次啟動(dòng)線性驅(qū)動(dòng)部190，從而借助于頭主體部160的下降和/或檢測(cè)部180的上升而使貼附于拾取部161的發(fā)光二極管20從檢測(cè)部180的接觸部181隔開。

上述作業(yè)可直至貼附于頭主體部160的所有拾取部161的發(fā)光二極管20的光特性均得到測(cè)量為止反復(fù)執(zhí)行。

移送器100可以使移動(dòng)部120向顯示基板200移動(dòng)。此時(shí)，視景部140可拍攝顯示基板200和頭主體部160的位置，并基于拍攝結(jié)果而調(diào)節(jié)頭主體部160的位置。

如果頭主體部160的位置來(lái)到設(shè)定位置，則移送器100可通過(guò)使頭主體部160下降而將發(fā)光二極管20布置于顯示基板200的相關(guān)坐標(biāo)處。

當(dāng)頭主體部160的所有拾取部161的發(fā)光二極管20的移送完畢時(shí)，移送器100可將移動(dòng)部120布置于襯底基板1，并反復(fù)執(zhí)行如上所述的作業(yè)。

如果上述過(guò)程完畢，則發(fā)光二極管20得到移送的顯示基板200被移送到腔室外部，并可通過(guò)后續(xù)工序而制造顯示裝置。

圖6為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管的移送方法的流程圖。圖7a至圖7d為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的垂直型發(fā)光二極管的光特性測(cè)量方法的頭部的示例性剖視圖。圖8a至圖8d為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的水平型發(fā)光二極管的光特性測(cè)量方法的頭部的示例性剖視圖。以下，以檢測(cè)部180的接觸部181配備于檢測(cè)部180表面的槽的情形為例進(jìn)行說(shuō)明，然而也同樣可以應(yīng)用于如圖4所示的接觸部181從檢測(cè)部180的表面突出地配備的示例。

移送器100可借助于頭主體部160的拾取部161而拾取襯底基板1上的發(fā)光二極管20(s61)。發(fā)光二極管20可以是垂直型發(fā)光二極管20a或者水平型或倒置型發(fā)光二極管(以下，統(tǒng)稱為“水平型發(fā)光二極管”)20b。

作為一個(gè)實(shí)施例，如圖7a所示，移送器100可借助于頭主體部160的拾取部161而拾取襯底基板1上的垂直型發(fā)光二極管20a。此時(shí)，垂直型發(fā)光二極管20a的第二電極墊237a可以與拾取部161的第一布線162接觸。作為另一實(shí)施例，如圖8a所述，移送器100可借助于頭主體部160的拾取部161而拾取襯底基板1上的水平型發(fā)光二極管20b。此時(shí)，水平型發(fā)光二極管20b的沒(méi)有電極墊的一側(cè)可貼附于拾取部161。

移送器100可測(cè)量被拾取的發(fā)光二極管20的光特性(s63)。為此，如圖7b和圖8b所示，移送器100可通過(guò)啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部170而使頭主體部160旋轉(zhuǎn)180度。頭主體部160的拾取部161與檢測(cè)部180的接觸部181對(duì)向。另外，如圖7c和圖8c所示，移送器100可通過(guò)啟動(dòng)線性驅(qū)動(dòng)部190而使頭主體部160上升。作為另一例，可以使檢測(cè)部180下降，或者使檢測(cè)部180的下降與頭主體部160的上升同時(shí)操作。貼附在頭主體部160的拾取部161的圖7c所示的垂直型發(fā)光二極管20a的第一電極墊235a可接觸于檢測(cè)部180的接觸部181的第二布線182，圖8c所示的水平型發(fā)光二極管20b的第一電極墊235b和第二電極墊237b可分別與檢測(cè)部180的接觸部181的第二布線182的一對(duì)電極接觸。

對(duì)于垂直型發(fā)光二極管20a而言，移送器100可通過(guò)將電壓或電流分別施加于拾取部161的第一布線162和接觸部181的第二布線182而使垂直型發(fā)光二極管20a發(fā)光。對(duì)于水平型發(fā)光二極管20b而言，移送器100并不給拾取部161的第一布線162施加電壓或電流而只給接觸部181的第二布線182施加電壓或電流，由此使水平型發(fā)光二極管20b發(fā)光。第一布線162可被施加與施加到第二布線182的電壓或電流不同的電壓或電流。

移送器100可通過(guò)發(fā)光二極管20的發(fā)光而測(cè)量光特性，并計(jì)算出即將布置發(fā)光二極管20的顯示基板200上的坐標(biāo)(s65)。光檢測(cè)元件185可測(cè)量發(fā)光二極管20的光強(qiáng)度，并輸出與之對(duì)應(yīng)的感測(cè)值?？刂破?50可基于光檢測(cè)元件185的感測(cè)值而測(cè)量發(fā)光二極管20的光特性?？刂破?50可將測(cè)量的光特性與標(biāo)準(zhǔn)光特性進(jìn)行比較?？刂破?50可將襯底基板1的按坐標(biāo)的發(fā)光二極管20的光特性作為標(biāo)準(zhǔn)光特性而預(yù)先存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)單元。控制器150可將襯底基板1的按坐標(biāo)的發(fā)光二極管20的光特性累計(jì)值作為標(biāo)準(zhǔn)光特性?？刂破?50可基于測(cè)量光特性而更新標(biāo)準(zhǔn)光特性?？刂破?50可將匹配于襯底基板1的坐標(biāo)的顯示基板200的坐標(biāo)一并預(yù)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)單元。控制器150可在測(cè)量光特性與標(biāo)準(zhǔn)光特性一致的情況下，將與發(fā)光二極管20的襯底基板1的坐標(biāo)相匹配的顯示基板200的坐標(biāo)從存儲(chǔ)單元中提取?？刂破?50可在測(cè)量光特性與標(biāo)準(zhǔn)光特性并不一致的情況下，重新計(jì)算出即將布置于顯示基板200的坐標(biāo)?？刂破?50為了避免顯示基板200上出現(xiàn)圖像斑點(diǎn)，將測(cè)量光特性作為基礎(chǔ)而以發(fā)光二極管20分組化方式計(jì)算出坐標(biāo)，從而可以使組之間的發(fā)光偏差最小化。

在計(jì)算出發(fā)光二極管20的坐標(biāo)的情況下，移送器100可通過(guò)啟動(dòng)線性驅(qū)動(dòng)部190而使頭主體部160下降，并通過(guò)啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部170而使頭主體部160旋轉(zhuǎn)180度。

如圖7d和圖8d所示，移送器100可將發(fā)光二極管20顯示于顯示基板200上的確定的坐標(biāo)處(s67)。移送器100將發(fā)光二極管20從拾取部161釋放，從而可以將發(fā)光二極管20移送到顯示基板200(s69)。顯示基板200上可具有第一電極211、第二電極213、第一電極211與第二電極213周圍的岸狀(bank)層206、岸狀層206之間的粘接層207′。粘接層207′可以是因熱量或紫外線等而固化的液態(tài)絕緣物質(zhì)。發(fā)光二極管20可以與第一電極211和第二電極213接觸。

圖9為表示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的圖1所示發(fā)光二極管移送器的頭部的立體圖。

圖9所示頭部130′不同于圖3所示頭部130之處在于，在頭主體部160附加有光源165。以下，以區(qū)別于圖3之處為中心而進(jìn)行說(shuō)明。

頭主體部160可在拾取部161的周圍配備光源165。光源165可輸出能夠使顯示基板200上的粘接層207′固化的波長(zhǎng)的光。例如，光源165可發(fā)射紫外線波段的光。

圖10為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管移送方法的流程圖。圖11a至圖11c為用于說(shuō)明圖10所示發(fā)光二極管移送方法的頭部的示例剖視圖。以下，對(duì)與圖1至圖8重復(fù)的內(nèi)容予以省略。

如圖7a和圖8a所示，移送器100可借助于頭主體部160的拾取部161而拾取襯底基板1上的發(fā)光二極管20(s101)。

如圖7b、7c及圖8b、8c所示，移送器100可測(cè)量被拾取的發(fā)光二極管20的光特性(s103)。

移送器100可以使發(fā)光二極管20發(fā)光，并測(cè)量發(fā)光二極管20的光特性，且可以判斷發(fā)光二極管20的不良與否(s105)。光檢測(cè)元件185可測(cè)量發(fā)光二極管20的光強(qiáng)度，并輸出與之對(duì)應(yīng)的感測(cè)值?？刂破?50可基于光檢測(cè)元件185的感測(cè)值而測(cè)量發(fā)光二極管20的光特性?？刂破?50可將測(cè)量的光特性與標(biāo)準(zhǔn)光特性進(jìn)行比較?？刂破?50可將襯底基板1的按坐標(biāo)的發(fā)光二極管20的光特性作為標(biāo)準(zhǔn)光特性而預(yù)先存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)單元?？刂破?50可在測(cè)量光特性為標(biāo)準(zhǔn)光特性以上的情況下，將發(fā)光二極管20判斷為正常。控制器150可在測(cè)量光特性不足標(biāo)準(zhǔn)光特性的情況下(包括不發(fā)光情形)，將發(fā)光二極管20判斷為不良。

如圖11a所示，移送器100可將判斷為正?；虿涣嫉陌l(fā)光二極管20置于顯示基板200上的確定坐標(biāo)處(s111、s121)。

移送器100可將正常的發(fā)光二極管20周圍的光源815開啟(turnon)，從而對(duì)包圍正常的發(fā)光二極管20的粘接層207′照射光而執(zhí)行固化，而且可將不良的發(fā)光二極管20周圍的光源815關(guān)閉(turnoff)，從而對(duì)包圍不良的發(fā)光二極管20的粘接層207′并不照射光(s113、s123)。

移送器100可將正常的發(fā)光二極管20從拾取部161釋放，從而將發(fā)光二極管20移送到顯示基板200(s115)。粘接層207′因光的照射而固化，從而將發(fā)光二極管20結(jié)合于顯示基板200，并可以使發(fā)光二極管20遺留在顯示基板200。

相反，如圖11b所示，移送器100對(duì)不良的發(fā)光二極管20則并不從拾取部161釋放而是拾取，從而可以將發(fā)光二極管20從顯示基板200分離(s125)。包圍不良的發(fā)光二極管20的粘接層207′并不被照射光，因此得不到固化，所以可借助于拾取部161的貼附力而將不良的發(fā)光二極管20從顯示基板200分離。

如圖11c所示，移送器100可將不良的發(fā)光二極管20釋放到形成有粘接層310的虛設(shè)板300，從而廢棄不良發(fā)光二極管20。

圖11a至圖11c中以垂直型發(fā)光二極管為例進(jìn)行了說(shuō)明，然而當(dāng)然也同樣可以應(yīng)用于水平型發(fā)光二極管。

圖12為概略地表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例而制造的顯示裝置的平面圖。圖13和圖14為概略地表示圖12所示顯示裝置的a-a′截面的一例的剖視圖。

參考圖12和圖13，顯示裝置10可包括顯示基板200以及位于顯示基板200上的發(fā)光二極管20a。發(fā)光二極管20a為垂直型發(fā)光二極管。

顯示基板200可包括基板201、位于基板201上的薄膜晶體管(tft)、位于薄膜晶體管(tft)上的平坦化層205，平坦化層205上可形成有通過(guò)通孔而與薄膜晶體管(tft)連接的第一電極211。而且，顯示基板200可包括以覆蓋第一電極211的一部分的方式布置的岸狀層206。

基板201上可被定義有顯示區(qū)域da以及位于顯示區(qū)域da的外輪廓的非顯示區(qū)域na。顯示區(qū)域da可布置有發(fā)光二極管20a，非顯示區(qū)域na可布置有電源布線等。并且，非顯示區(qū)域na可布置有墊(pad)部250。

基板201可包括多樣的素材。例如，基板201可由將二氧化硅(sio2)作為主成分的透明玻璃材料構(gòu)成。然而，基板201并不局限于此，也可以由透明的塑料材質(zhì)構(gòu)成而具備可撓性。塑料材質(zhì)可以是從由如下的絕緣性有機(jī)物構(gòu)成的組中選擇的有機(jī)物：聚醚砜(pes；polyethersulphone)、聚丙烯酸酯(par；polyacrylate)、聚醚酰亞胺(pei；polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen；polyethyelenennapthalate)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet；polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(pps；polyphenylenesulfide)、聚芳酯(polyallylate)、聚酰亞胺(polyimide)、聚碳酸酯(pc)、三醋酸纖維素(tac)、醋酸丙酸纖維素(cap；celluloseacetatepropionate)。

基板201上可形成緩沖層202。緩沖層202可對(duì)基板201的上部提供平坦面，并可阻斷異物或濕氣通過(guò)基板201而滲透。例如，緩沖層202可包含：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦等無(wú)機(jī)物；或者聚酰亞胺、聚酯、亞克力等有機(jī)物，并可由舉例列舉的材料中的多個(gè)材料的層疊體構(gòu)成。

薄膜晶體管(tft)可包括活性層217、柵極218、源極219a以及漏極219b。

以下，以薄膜晶體管(tft)為活性層217、柵極218、源極219a、漏極219b依次層疊而成的頂柵型(topgatetype)的情形為例進(jìn)行說(shuō)明。然而本實(shí)施例并不局限于此，也可以采用底柵型(bottomgatetype)等多種類型的薄膜晶體管(tft)。

活性層217可包括半導(dǎo)體物質(zhì)，例如可包括非晶態(tài)硅(amorphoussilicon)或多晶硅(polycrystallinesilicon)。然而本實(shí)施例并不局限于此，活性層217可包含有多樣的物質(zhì)。作為選擇性實(shí)施例，活性層217可包含有機(jī)半導(dǎo)體物質(zhì)、氧化物半導(dǎo)體物質(zhì)等。

柵絕緣膜203形成于活性層217上。柵絕緣膜203起到將活性層217與柵極218絕緣的作用。柵絕緣膜203可如下形成：由氧化硅和/或氮化硅等無(wú)機(jī)物構(gòu)成的膜形成為多層或單層。

柵極218形成于柵絕緣膜203的上部。柵極218可以與用于將啟閉信號(hào)施加到薄膜晶體管(tft)的柵線(未圖示)連接。柵極218可由低電阻金屬材料構(gòu)成?？紤]到與相鄰層之間的密接性、層疊而成的層的表面平坦性以及加工性等，柵極218例如可以由如下物質(zhì)中的一種以上的物質(zhì)以單層或多層的方式形成：鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)、鉬(mo)、鈦(ti)、鎢(w)、銅(cu)。

柵極218上形成層間絕緣膜204。層間絕緣膜204用于將源極219a、漏極219b與柵極218絕緣。層間絕緣膜204可如下形成：由無(wú)機(jī)物構(gòu)成的膜形成為多層或單層。例如，無(wú)機(jī)物可以是金屬氧化物或金屬氮化物，具體而言，無(wú)機(jī)物可包括二氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化鋁(al2o3)、二氧化鈦(tio2)、五氧化二鉭(ta2o5)、二氧化鉿(hfo2)或氧化鋅(znox)等。

層間絕緣膜204上形成有源極219a和漏極219b。源極219a和漏極219b可由如下物質(zhì)中的一種以上的物質(zhì)以單層或多層的方式形成：鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)、鉬(mo)、鈦(ti)、鎢(w)、銅(cu)。源極219a和漏極219b形成為分別與活性層217的源極區(qū)域和漏極區(qū)域接觸。

平坦化層205形成于薄膜晶體管(tft)上。平坦化層205形成為覆蓋薄膜晶體管(tft)，從而消除從薄膜晶體管(tft)始出現(xiàn)的落差并可以使上表面平坦化。平坦化層205可由有機(jī)物構(gòu)成的單層或多層的膜形成。有機(jī)物可包括聚甲基丙烯酸甲酯(pmma；polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(ps)之類的通用聚合物、具有酚系基團(tuán)的高分子衍生物、亞克力系高分子、酰亞胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、對(duì)二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子及其混合物等。并且，平坦化層205還可以由無(wú)機(jī)絕緣膜與有機(jī)絕緣膜的復(fù)合層疊體形成。

平坦化層205上可布置有第一電極211和岸狀層206。

第一電極211可以與薄膜晶體管(tft)電連接。具體而言，第一電極211可通過(guò)形成于平坦化層205的通孔而與漏極219b電連接。第一電極211可具有多樣的形態(tài)，例如可圖案化為島嶼形態(tài)而形成。

岸狀層206可布置于第一電極211和平坦化層205上而定義像素區(qū)域。岸狀層206可形成用于布置發(fā)光二極管20a的空間(開口)。此時(shí)，岸狀層206可由如下的材料形成：聚碳酸酯(pc)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚醚砜、聚乙烯醇縮丁醛、聚苯醚、聚酰胺、聚醚酰亞胺、降冰片烯系(norbornenesystem)樹脂、甲基丙烯酸甲酯樹脂、環(huán)狀聚烯烴系等熱可塑性樹脂；環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、亞克力樹脂、乙烯酯樹脂、酰亞胺系樹脂、聚氨酯系樹脂、尿素(urea)樹脂、三聚氰胺(melamine)樹脂等熱固性樹脂；或者聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚碳酸酯等有機(jī)絕緣物質(zhì)。然而，并不局限于此。而且，作為另一實(shí)施例，岸狀層206可由siox、sinx、sinxoy、alox、tiox、taox、znox等無(wú)機(jī)氧化物、無(wú)機(jī)氮化物之類的無(wú)機(jī)絕緣材料構(gòu)成，然而并不局限于此。作為又一實(shí)施例，岸狀層206可由黑色矩陣(blackmatrix)材料之類的非透明材料構(gòu)成。作為示例性絕緣黑色矩陣材料，可包括有機(jī)樹脂、玻璃漿料(glasspaste)、含黑色顏料的樹脂或漿料、金屬顆粒(例如鎳、鋁、鉬及其合金)、金屬氧化物顆粒(例如氧化鉻)或者金屬氮化物顆粒(例如氮化鉻)。岸狀層206并不局限于上述物質(zhì)，可根據(jù)發(fā)光二極管20的結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管20與電極的連接等而由多樣的材料構(gòu)成。

岸狀層206之間的空間可布置有專門的鈍化層207。粘接層207′被光照射而固化，從而可形成鈍化層207。鈍化層207可布置于發(fā)光二極管20與岸狀層206之間，從而防止第二電極212與第一電極211接觸。

鈍化層207可對(duì)可見光透明或半透明，從而可以避免所完成的系統(tǒng)的光提取效率顯著劣化。鈍化層207可由多樣的材料構(gòu)成，例如可由環(huán)氧材料、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、苯并環(huán)丁烯(bcb)、聚酰亞胺、聚酯構(gòu)成，然而并不局限于此。在一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層207可在發(fā)光二極管230的周圍通過(guò)噴墨處理而形成。

發(fā)光二極管20a可發(fā)射紅色、綠色或藍(lán)色的光，而且通過(guò)采用熒光物質(zhì)或者將顏色進(jìn)行組合，還可以實(shí)現(xiàn)白色光。發(fā)光二極管20a可包括：第一半導(dǎo)體層231、第二半導(dǎo)體層232、第一半導(dǎo)體層231與第二半導(dǎo)體層232之間的中間層233。

第一半導(dǎo)體層231例如可以由p型半導(dǎo)體層構(gòu)成。p型半導(dǎo)體層可從組成式為inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料中選擇，例如可從gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan、alinn等中選擇，并可摻雜有mg、zn、ca、sr、ba等p型摻雜劑。

第二半導(dǎo)體層232例如可包含n型半導(dǎo)體層而構(gòu)成。n型半導(dǎo)體層可從組成式為inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料中選擇，例如可從gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan、alinn等中選擇，并可摻雜有si、ge、sn等n型摻雜劑。

然而本發(fā)明并不局限于此，也可以使第一半導(dǎo)體層231包含n型半導(dǎo)體層而第二半導(dǎo)體層232包含p型半導(dǎo)體層。

中間層233為電子與空穴重新結(jié)合的區(qū)域，隨著電子與空穴重新結(jié)合，發(fā)生向低能級(jí)的躍遷，并可生成具有與之相應(yīng)的波長(zhǎng)的光。中間層233例如可包含組成式為inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料而構(gòu)成，并可形成為單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。而且，還可以包括量子線(quantumwire)結(jié)構(gòu)或量子點(diǎn)(quantumdot)結(jié)構(gòu)。

第一半導(dǎo)體層231可形成有第一電極墊235a，第二半導(dǎo)體層232可形成有第二電極墊237。第一電極墊235可以與第一電極211接觸。并且，當(dāng)發(fā)光二極管230具有垂直型結(jié)構(gòu)時(shí)，第二電極墊237可位于第一電極墊235的相反側(cè)，并與第二電極接觸212。

第一電極211可具有：由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及其化合物構(gòu)成的反射膜；以及形成于反射膜上的透明或半透明電極層。透明或半透明電極層可具有從包含如下物質(zhì)的組中選擇的至少一種物質(zhì)：氧化銦錫(ito；indiumtinoxide)、氧化銦鋅(izo；indiumzincoxide)、氧化鋅(zno；zincoxide)、氧化銦(in2o3；indiumoxide)、氧化銦鎵(igo；indiumgalliumoxide)、氧化鋅鋁(azo；aluminumzincoxide)。

第二電極212可在發(fā)光二極管20a上整體形成。第二電極212可以是透明或半透明電極，并可由包含li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg及其化合物的功函數(shù)低的金屬薄膜構(gòu)成。而且，金屬薄膜上還可以由ito、izo、zno或in2o3等透明電極形成用物質(zhì)形成輔助電極層或總線電極。于是，第二電極212可以使從發(fā)光二極管20a發(fā)射出的光透射。

本實(shí)施例的顯示裝置10并不局限于正面發(fā)光型，也可以是發(fā)光二極管20a發(fā)射出的光朝向基板201側(cè)發(fā)射的背面發(fā)光型。在此情況下，第一電極211可由透明或半透明電極構(gòu)成，第二電極212可由反射電極構(gòu)成。并且，本實(shí)施例的顯示裝置10也可以是朝向正面和背面這兩個(gè)方向發(fā)射光的雙面發(fā)光型。

另外，圖13中對(duì)第一電極墊235與第二電極墊237位于相反側(cè)的垂直型發(fā)光二極管20a進(jìn)行了說(shuō)明，然而本發(fā)明并不局限于此。即，發(fā)光二極管20b還可以是第一電極墊235b與第二電極墊237b朝向相同方向得到布置的水平型結(jié)構(gòu)或倒置型結(jié)構(gòu)。

參考圖14，水平型發(fā)光二極管20b包括第一半導(dǎo)體層231、第二半導(dǎo)體層232以及位于第一半導(dǎo)體層231與第二半導(dǎo)體層232間的中間層233，第一半導(dǎo)體層231形成有第一電極墊235，第二半導(dǎo)體層232形成有第二電極墊237，第一電極墊235與第二電極墊237可布置為均朝向相同方向。

接觸于第二電極墊237的第二電極213也與第一電極211相同地可形成于平坦化層205上。第二電極213可在與第一電極211相隔的位置處形成為與第一電極211電分離，并可形成于與第一電極211相同的層。

另外，為了將發(fā)光二極管20a、20b從氧氣、水分的環(huán)境中隔離，可設(shè)置專門的封固部214。此時(shí)，封固部214可包括：封固基板，由與基板201相同或相似的材料構(gòu)成；或者薄膜，包括有機(jī)層和無(wú)機(jī)層中的至少一層。

對(duì)于上述本發(fā)明的實(shí)施例而言，當(dāng)把發(fā)光二極管從襯底基板向顯示基板移送時(shí)，通過(guò)測(cè)量發(fā)光二極管的光特性而計(jì)算即將布置于顯示基板的坐標(biāo)，據(jù)此可實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管的光特性偏差引起的顯示品質(zhì)劣化的最小化。

并且，本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)測(cè)量發(fā)光二極管的光特性而判斷不良與否，從而區(qū)分出不發(fā)光或者發(fā)光效率低的發(fā)光二極管，并只將正常發(fā)光二極管移送到顯示基板，據(jù)此可以提高顯示品質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光二極管移送器可實(shí)現(xiàn)光特性測(cè)量及光照射，從而可在沒(méi)有專門裝置的情況下有效地將發(fā)光二極管移送到顯示基板。

以上，已參考如圖所示的一個(gè)實(shí)施例而說(shuō)明了本發(fā)明，然而這只是示例性的，只要是本領(lǐng)域中具有基本知識(shí)的人員就能夠由此實(shí)現(xiàn)多樣的變形和實(shí)施例的更改。因此，應(yīng)當(dāng)根據(jù)權(quán)利要求書的技術(shù)思想確定本發(fā)明的真正的技術(shù)保護(hù)范圍。