1.一種石墨烯薄膜和金屬納米結(jié)構(gòu)復(fù)合的導(dǎo)電材料，包括金屬納米結(jié)構(gòu)和附著在金屬納米結(jié)構(gòu)上的石墨烯薄膜，其特征在于，所述石墨烯薄膜通過碳偏析法附著在金屬納米結(jié)構(gòu)上或者包覆金屬納米結(jié)構(gòu)，所述石墨烯薄膜的層數(shù)為1-30層；
所述的石墨烯薄膜和金屬納米結(jié)構(gòu)復(fù)合的導(dǎo)電材料的制備方法，將金屬納米結(jié)構(gòu)加入純度高于80％的碳粉中經(jīng)加熱處理后在金屬納米結(jié)構(gòu)上形成石墨烯薄膜，制得石墨烯薄膜和金屬納米結(jié)構(gòu)復(fù)合的導(dǎo)電材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜和金屬納米結(jié)構(gòu)復(fù)合的導(dǎo)電材料，其特征在于，所述的金屬納米結(jié)構(gòu)為納米線、納米顆粒、納米管、納米樹枝結(jié)構(gòu)和納米網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨烯薄膜和金屬納米結(jié)構(gòu)復(fù)合的導(dǎo)電材料，其特征在于，所述的納米線、納米顆粒、納米管和納米樹枝的三維結(jié)構(gòu)上至少一維的尺寸不大于50μm，所述的納米網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格線寬度為2nm-5000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜和金屬納米結(jié)構(gòu)復(fù)合的導(dǎo)電材料，其特征在于，所述的金屬納米結(jié)構(gòu)為銅、銀、金、鉑、鎳、鋁、鎂、鎢、釕或者其合金組成的納米結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜和金屬納米結(jié)構(gòu)復(fù)合的導(dǎo)電材料，其特征在于，所述的石墨烯薄膜包含有異質(zhì)原子或分子，所述異質(zhì)原子或分子含有氮、硼、硫、氫、氧、氟、硅和磷元素中的至少一種。
6.一種如權(quán)利要求1～5任一所述的石墨烯薄膜和金屬納米結(jié)構(gòu)復(fù)合的導(dǎo)電材料的制備方法，其特征在于，將金屬納米結(jié)構(gòu)加入純度高于80％的碳粉中經(jīng)加熱處理后在金屬納米結(jié)構(gòu)上形成石墨烯薄膜，制得石墨烯薄膜和金屬納米結(jié)構(gòu)復(fù)合的導(dǎo)電材料。