本公開涉及一種制造可拉伸導(dǎo)線的方法，以及一種制造可拉伸集成電路的方法。

背景技術(shù)：

即使當(dāng)基板由于從外部施加的應(yīng)力而膨脹時(shí)，可拉伸電子設(shè)備需要保持電氣功能。可拉伸電子設(shè)備超出了簡單可彎曲和/或柔性設(shè)備的極限，并且在各種領(lǐng)域中有適用性，這些領(lǐng)域例如是機(jī)器人的傳感器皮膚、可穿戴通信設(shè)備，身體可嵌入/可附接生物設(shè)備、下一代顯示器，以及類似領(lǐng)域。

為制造柔性電子設(shè)備，存在用于在基板(在其上將形成電路)中形成褶皺的技術(shù)，以確保設(shè)備的可拉伸性，存在使用具有導(dǎo)電性的、可拉伸且有機(jī)的導(dǎo)電材料來取代金屬導(dǎo)線的技術(shù)，或者將金屬導(dǎo)線圖案化為可拉伸且二維的平面彈簧類型的技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開提供一種制造可拉伸導(dǎo)線以及可拉伸集成電路的方法，所述可拉伸導(dǎo)線以及可拉伸集成電路具有可拉伸且為液相的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

本公開所解決的問題不局限于上文描述的那些問題，且從下面的描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將可以清楚地理解上文未提及的其他問題。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供一種制造可拉伸導(dǎo)線的方法。所述方法包含：在基板上移除光致抗蝕劑層的一部分，以形成包含至少一個(gè)圖案狹縫的光致抗蝕劑圖案；在光致抗蝕劑圖案上施加液相導(dǎo)電材料，以在圖案狹縫中形成液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；在移除光致抗蝕劑圖案后，在液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成可拉伸的第一絕緣層；以及將液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一絕緣層從基板分離。

在實(shí)施例中，圖案狹縫可以包含面向彼此的側(cè)壁，并且側(cè)壁與基板成銳角。

在實(shí)施例中，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以具有與側(cè)壁間的最短分離距離相對(duì)應(yīng)的寬度。

在實(shí)施例中，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以沿圖案狹縫延伸。

在實(shí)施例中，所述方法還可以包含：在從基板分離的液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的下部部分上形成可拉伸的第二絕緣層。

在實(shí)施例中，液相導(dǎo)電材料可以包含液相金屬。

在實(shí)施例中，液相金屬可以包含含有鎵(Ga)和銦(In)的合金。

在實(shí)施例中，可拉伸的第一絕緣層可以包含彈性體。

在實(shí)施例中，彈性體可以包含聚二甲基硅氧烷(PDMS)或聚氨酯。

在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，一種制造可拉伸集成電路的方法包含：在上面設(shè)置有至少兩個(gè)彼此分離的電子設(shè)備的基板上形成光致抗蝕劑層；移除光致抗蝕劑層的一部分，以形成包含至少一個(gè)圖案狹縫的光致抗蝕劑圖案；在光致抗蝕劑圖案上施加液相導(dǎo)電材料，以在圖案狹縫中形成液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；在移除光致抗蝕劑圖案后，在液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備上形成可拉伸的第一絕緣層；以及將液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和第一絕緣層從基板上分離。

在實(shí)施例中，圖案狹縫可以包含面向彼此的側(cè)壁，并且側(cè)壁與基板成銳角。

在實(shí)施例中，側(cè)壁之間的最短分離距離可以形成為大于電子設(shè)備之間的分離距離。

在實(shí)施例中，液相導(dǎo)電材料可以包含液相金屬。

在實(shí)施例中，液相金屬可以包含含有鎵(Ga)和銦(In)的合金。

在實(shí)施例中，所述方法還可以包含在從基板分離的液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備，以及第一絕緣層的下部部分上形成可拉伸的第二絕緣層。

在實(shí)施例中，液相導(dǎo)電材料可以連接彼此分離的電子設(shè)備。

附圖說明

包含附圖以提供本發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，并且附圖被并入以構(gòu)成本說明書的一部分。附圖圖示了本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，并且與說明書一起用以解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。在附圖中：

圖1是圖示了電子設(shè)備通過根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的可拉伸導(dǎo)線而連接的平面圖；

圖2是沿圖1的線I-I’剖取的截面圖；

圖3至12是按順序圖示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的可拉伸導(dǎo)線的制造工藝的附圖；

圖13是圖示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的可拉伸集成電路的平面圖；

圖14是沿圖13的線II-II’剖取的截面圖；以及

圖15至22是按順序圖示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的可拉伸集成電路的制造工藝的附圖。

具體實(shí)施方式

將參考后面詳細(xì)描述的示范性實(shí)施例以及附圖來說明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征，以及用于實(shí)現(xiàn)它們的方法。然而，本發(fā)明不局限于下面的示范性實(shí)施例，而是以各種形式實(shí)現(xiàn)。換言之，提出多個(gè)這些示范性實(shí)施例僅為了完整地公開本發(fā)明，并且使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解本發(fā)明的范圍。本發(fā)明應(yīng)當(dāng)僅由隨附的權(quán)利要求的范圍來限定。整個(gè)說明書中，相似的編號(hào)指代相似的元件。

下面的說明書和權(quán)利要求中所使用的術(shù)語和詞匯是為了描述實(shí)施例，而非局限發(fā)明構(gòu)思。如本文所使用的，單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“所述”也意圖包含復(fù)數(shù)形式，除非語境明顯表示相反的意思。還應(yīng)理解的是，本文使用的術(shù)語“包含”和/或“包括”指定所述部件、操作和/或元件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他部件、操作和/或元件的存在或附加。

除非相反地限定，本文使用的全部術(shù)語(包含技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有屬于本發(fā)明技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)的人員所理解的相同的意義。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是，術(shù)語(比如那些在常用詞典中定義的術(shù)語)應(yīng)被解讀為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的語境中的意義一致的意義，而不應(yīng)被解讀為理想化的或過于正式的意義，除非本文明顯地如此限定。

在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，以解釋可拉伸導(dǎo)線和可拉伸集成電路的制造方法。

圖1是圖示了電子設(shè)備通過根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的可拉伸導(dǎo)線而連接的平面圖。圖2是沿圖1的線I-I’剖取的截面圖。

參考圖1和圖2，多個(gè)電子設(shè)備E1和E2可以彼此分離地設(shè)置?？衫鞂?dǎo)線1可以連接到多個(gè)電子設(shè)備E1和E2中的每一個(gè)。例如，兩個(gè)電子設(shè)備E1和E2中的每一個(gè)可以與可拉伸導(dǎo)線1的兩端都連接。

可拉伸導(dǎo)線1在至少一個(gè)方向上是可拉伸的，以用于可穿戴通信設(shè)備，或者身體可嵌入/可附接的生物設(shè)備等。在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，可拉伸導(dǎo)線1可以延長地(lengthily)形成?？衫鞂?dǎo)線1可以在至少一個(gè)方向上拉伸。例如，可拉伸導(dǎo)線1可以在縱向方向上拉伸或收縮。相應(yīng)地，可拉伸導(dǎo)線1可以自由地彎曲。與此不同的是，其他可拉伸導(dǎo)線可能在全部方向上拉伸或收縮。

可拉伸導(dǎo)線1可以包含液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10以及絕緣層30和絕緣層40。可拉伸導(dǎo)線1可以包含至少一個(gè)液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10。在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，可拉伸導(dǎo)線1可以包含一個(gè)液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10，但不局限于此，且也可以包含兩個(gè)或更多個(gè)液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以設(shè)置在絕緣層30和絕緣層40中。例如，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以設(shè)置在稍后將描述的第一絕緣層30和第二絕緣層40之間。相應(yīng)地，可以通過絕緣層30和絕緣層40，使液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10與外部環(huán)境隔離。

在使用可拉伸導(dǎo)線1的溫度下，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以保持液相狀態(tài)。例如，當(dāng)在室溫下使用可拉伸導(dǎo)線1時(shí)，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以在室溫下保持液相狀態(tài)。

液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以包含具有導(dǎo)電性的液相金屬。液相金屬包含含有鎵(Ga)和銦(In)的合金，該合金在室溫下保持液相，但不局限于此。與此不同的是，在另一實(shí)施例中，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以包含液相聚合物材料，該液相聚合物材料在使用可拉伸導(dǎo)線1的溫度下保持液相。

液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以形成為直線圖案。與此不同的是，在另一實(shí)施例中，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以形成為各種圖案，例如鋸齒圖案、曲線圖案、網(wǎng)格圖案，以及類似圖案。

絕緣層30和絕緣層40可以圍繞液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10。相應(yīng)地，絕緣層30和絕緣層40可以保護(hù)液相導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)10免受外部環(huán)境。

絕緣層30和絕緣層40可以包含可拉伸的彈性體。彈性體可以包含聚二甲硅氧烷(PDMS)或聚氨酯。相應(yīng)地，絕緣層30和絕緣層40可以通過外力在至少一個(gè)方向上被拉伸。

在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，絕緣層30和絕緣層40可以包含第一絕緣層30和第二絕緣層40。第一絕緣層30和第二絕緣層40可以形成為薄的。相應(yīng)地，第一絕緣層30和第二絕緣層40可以被外力輕易地拉伸。

第一絕緣層30可以設(shè)置在液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的頂部部分上。例如，第一絕緣層30可以設(shè)置為覆蓋液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的頂部部分。

第二絕緣層40可以設(shè)置在液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的下部部分上。相應(yīng)地，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以設(shè)置在第一絕緣層30和第二絕緣層40之間。換言之，第一絕緣層30和第二絕緣層40可以形成用于圍繞液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的夾層結(jié)構(gòu)，以使液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10與外部環(huán)境隔離。

第一絕緣層30和第二絕緣層40可以由相同的材料形成。相應(yīng)地，第一絕緣層30和第二絕緣層40可以具有相同的彈性模量。換言之，第一絕緣層30和第二絕緣層40可以通過外力彼此對(duì)應(yīng)地拉伸。與此不同的是，在另一實(shí)施例中，第一絕緣層30和第二絕緣層40可以由不同的材料形成。

第一絕緣層30和第二絕緣層40可以具有彼此對(duì)應(yīng)的形狀。在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，第一絕緣層30和第二絕緣層40可以具有四邊形的截面。與此不同的是，在另一實(shí)施例中，第一絕緣層30和第二絕緣層40的截面可以具有各種形狀，例如半圓形、三角形，以及類似形狀。

第一絕緣層30和第二絕緣層40可以在至少一個(gè)方向上拉伸和收縮。例如，第一絕緣層30和第二絕緣層40可以在可拉伸導(dǎo)線1的縱向方向上拉伸。

可拉伸導(dǎo)線1還可以包含在第一絕緣層30和第二絕緣層40之間和/或在液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10和第二絕緣層40之間的接合層(未示出)。接合層可以增強(qiáng)第一絕緣層30和第二絕緣層40之間的接合強(qiáng)度和/或液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10和第二絕緣層40之間的接合強(qiáng)度。

圖3至13是按順序圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的可拉伸導(dǎo)線的制造工藝的附圖。

參考圖3，可以在基板50上形成犧牲層55。例如，可以通過執(zhí)行化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積或原子層沉積，將犧牲層55形成在基板50上。

基板50可以具有平坦的頂部部分，犧牲層形成在該頂部部分上。與此不同的是，在另一實(shí)施例中，基板可以具有曲面的頂部部分。基板50可以是硅基板、玻璃基板、絕緣基板和聚合物基板中的任意一個(gè)。由于基板50在后續(xù)的工藝中被移除，因此材料并不受局限。

犧牲層55可以是硅氧化物(例如SiO₂)層、硅氮化物(例如Si₃N₄)層、鋁氧化物(例如Al₂O₃)層、或者有機(jī)物層。當(dāng)基板50是硅基板時(shí)，硅基板的頂部部分自然地氧化形成犧牲層55。

參考圖4，可以在基板50上形成光致抗蝕劑層60。例如，可以通過旋轉(zhuǎn)涂布法將光致抗蝕劑施加到形成在基板50上的犧牲層55之上，以形成光致抗蝕劑層60。

在下文中，“形成在基板上”可以意味著包含設(shè)置并接觸基板50的頂部部分，以及形成在犧牲層55上以與基板50分離地設(shè)置兩種情況。

參考圖5，可以將光掩模70設(shè)置在光致抗蝕劑層60上。光掩模70可以包含至少一個(gè)狹縫71。在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，光掩?？梢园瑑蓚€(gè)狹縫71。通過光掩模70的狹縫71，光致抗蝕劑層60可以暴露于光L。

光致抗蝕劑層可以是聚合物材料，當(dāng)暴露于光L時(shí)，所述聚合物材料對(duì)藥品的耐受性變化。光致抗蝕劑可以包含當(dāng)暴露于光L時(shí)不可溶于藥品的負(fù)性類型以及可溶于藥品的正性類型。

在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，光致抗蝕劑可以是負(fù)性類型。因此，暴露于光L的光致抗蝕劑層60(在下文中被稱為暴露區(qū)域)可以保留，而未暴露于光L的光致抗蝕劑層60(在下文中被稱為未暴露區(qū)域)可以被移除。相應(yīng)地，在光致抗蝕劑層60中，可以通過光掩模70的狹縫71在未暴露于光L的區(qū)域中形成圖案狹縫65(見圖6)。

入射到光致抗蝕劑層60的光L可以被折射而聚集在光致抗蝕劑層60上。相應(yīng)地，入射到暴露區(qū)域和未暴露區(qū)域之間的光L被折射以與基板50形成銳角，并且稍后將描述的圖案狹縫65(見圖7)可以包含與基板50形成銳角θ₁和銳角θ₂的側(cè)壁65a和側(cè)壁65b(見圖7)。

圖6是圖示在圖5的光刻工藝中形成的光致抗蝕劑圖案的平面圖。圖7是沿圖6的線I-I’剖取的截面圖。

參考圖6和圖7，可以移除光致抗蝕劑層60的一部分。相應(yīng)地，光致抗蝕劑圖案60’可以包含至少一個(gè)圖案狹縫65，以暴露基板50上的犧牲層55的一部分。

在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，可以通過光刻工藝在光致抗蝕劑圖案60’中形成圖案狹縫65。圖案狹縫65可以暴露基板50上犧牲層55的一部分。

光致抗蝕劑圖案60’中的圖案狹縫65可以包含面向彼此的側(cè)壁65a和側(cè)壁65b。側(cè)壁65a和側(cè)壁65b可以與基板50成銳角θ₁和銳角θ₂。換言之，側(cè)壁65a和側(cè)壁65b可以具有相反的斜面結(jié)構(gòu)。相反的斜面結(jié)構(gòu)可以意味著隨著側(cè)壁65a和側(cè)壁65b離開基板50，它們之間的分離距離持續(xù)地減小。相應(yīng)地，在將液相導(dǎo)電材料施加到光致抗蝕劑圖案60’和被圖案狹縫65暴露的部分的后續(xù)的工藝中，可以不在側(cè)壁65a和側(cè)壁65b上施加液相材料。

在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，圖案狹縫65可以形成為直線圖案。與此不同的是，在另一實(shí)施例中，可以通過光掩模70(見圖5)的狹縫71(見圖5)，使圖案狹縫65形成為各種圖案，例如鋸齒圖案、曲線圖案、網(wǎng)格圖案，以及類似圖案。

參考圖8，在光致抗蝕劑圖案60’中形成圖案狹縫65之后，可以將液相導(dǎo)電材料施加到光致抗蝕劑圖案60’以及被圖案狹縫65暴露的部分。

在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，可以通過輥?zhàn)訉⒁合鄬?dǎo)電材料施加到光致抗蝕劑層60’和被圖案狹縫65暴露的犧牲層55上。相應(yīng)地，可以在光致抗蝕劑圖案60’上形成液相導(dǎo)電材料層20。此外，可以在圖案狹縫65中形成液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10。例如，可以在被圖案狹縫65暴露的犧牲層55上形成液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10。

液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以具有與側(cè)壁65a和側(cè)壁65b之間的最短分離距離D相對(duì)應(yīng)的寬度。換言之，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以具有寬度，所述寬度在側(cè)壁65a和側(cè)壁65b之間的最短分離距離D的誤差范圍之內(nèi)。相應(yīng)地，可拉伸導(dǎo)線1(見圖1)可以通過光蝕刻工藝調(diào)整側(cè)壁65a和側(cè)壁65b之間的最短分離距離D，以實(shí)現(xiàn)液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的精細(xì)寬度W。此處，所述誤差范圍與液相導(dǎo)電材料的粘度相關(guān)。相應(yīng)地，當(dāng)液相導(dǎo)電材料的粘度高時(shí)，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的寬度W可能細(xì)微地小于側(cè)壁65a和側(cè)壁65b之間的最短分離距離D。然而，當(dāng)液相導(dǎo)電材料的粘度低時(shí)，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的寬度W可能細(xì)微地大于側(cè)壁65a和側(cè)壁65b之間的最短分離距離D。

圖9是圖示了在形成液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)后，移除光致抗蝕劑圖案和液相導(dǎo)電材料層的平面圖。圖10是沿圖9的線I-I’剖取的截面圖。

參考圖9和圖10，可以從基板50移除光致抗蝕劑圖案60’(見圖8)上的液相導(dǎo)電材料層20(見圖8)和光致抗蝕劑圖案60’。例如，將其上堆疊有光致抗蝕劑圖案60’和液相導(dǎo)電材料層20的基板50浸入光致抗蝕劑剝離溶液一定時(shí)間，可以將光致抗蝕劑圖案60’和液相導(dǎo)電材料層20從基板50移除。當(dāng)犧牲層55是有機(jī)層時(shí)，可以執(zhí)行附加的工藝，以使?fàn)奚鼘?5不與光致抗蝕劑圖案60’一起被移除。

液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以具有與圖案狹縫65(見圖7)的平面形狀相對(duì)應(yīng)的圖案。相應(yīng)地，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以沿圖案狹縫65延伸。例如，當(dāng)圖案狹縫65具有鋸齒圖案時(shí)，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以具有鋸齒圖案。當(dāng)通過光蝕刻工藝在復(fù)雜且精細(xì)的圖案中形成圖案狹縫65時(shí)，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以實(shí)現(xiàn)為復(fù)雜且精細(xì)的圖案。

參考圖11，可以在液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10和基板50上形成第一絕緣層30。例如，可以在移除光致抗蝕劑圖案60’(見圖8)和液相導(dǎo)電材料層20(見圖8)之后，通過在基板50和液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10上施加絕緣材料來形成第一絕緣層30。如上面描述的，第一絕緣層30可以包含PDMS或聚氨酯的彈性體。

參考圖12，可以通過外力使第一絕緣層30和液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10從基板50的犧牲層55分離。相應(yīng)地，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的下部部分可能不被保護(hù)免受外部環(huán)境，而造成危險(xiǎn)，例如短路。

再次參考圖1和圖2，可以在從基板50分離的第一絕緣層20的下部部分和液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的下部部分上形成可拉伸的第二絕緣層40。換言之，第一絕緣層30和第二絕緣層40可以形成圍繞液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的夾層結(jié)構(gòu)。相應(yīng)地，可以保護(hù)液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10免受外部環(huán)境。如上面描述的，第二絕緣層40可以包含PDMS或聚氨酯的彈性體。相應(yīng)地，可以在電連接多個(gè)電子設(shè)備E1和E2的同時(shí)制造可拉伸導(dǎo)線1。

圖13是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的可拉伸集成電路的平面圖。圖4是沿圖13的線II-II’剖取的截面圖。為了解釋的簡潔，將省略與關(guān)于圖1中描述的例子中的諸部件實(shí)質(zhì)上相同的部件的描述。

參考圖13和圖14，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的可拉伸集成電路2可以包含電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2、液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10以及絕緣層30和絕緣層40。可拉伸集成電路2可以在至少一個(gè)方向上拉伸。相應(yīng)地，可拉伸集成電路2可以自由的彎曲。與此不同的是，其他可拉伸集成電路可能在全部方向上拉伸或收縮。

可以彼此分離地設(shè)置多個(gè)電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2中的至少兩個(gè)。

電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2可以分別包含至少一個(gè)電極G1和電極G2。在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2中的每一個(gè)可以包含三個(gè)電極G1和三個(gè)電極G2。電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2可以通過電極G1和電極G2接收電源或傳輸或接收數(shù)據(jù)信號(hào)。例如，電極G1和G2可以是源極電極和/或漏極電極。電子設(shè)備可以設(shè)置在絕緣層30和絕緣層40中。

液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以電連接彼此分離地設(shè)置的至少兩個(gè)電子設(shè)備。例如，可以將液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10連接到電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2的電極G1和電極G2，以電連接分離的電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2。液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以具有直線形狀，和具有各種形狀，例如鋸齒形狀和曲線形狀，但不局限于此。

液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的一端可以覆蓋第一電子設(shè)備E1的一部分。相應(yīng)地，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以電連接到第一電子設(shè)備E1的電極G1。此外，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的另一端可以覆蓋第二電子設(shè)備E2的一部分。相應(yīng)地，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以電連接到第二電子設(shè)備E2的電極G2。

液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以包含具有導(dǎo)電性的液相金屬。液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以設(shè)置在絕緣層30和絕緣層40中。

絕緣層30和絕緣層40可以圍繞電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2，以及液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10。相應(yīng)地，絕緣層30和絕緣層40可以保護(hù)電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2以及液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10免受外部環(huán)境。絕緣層30和絕緣層40可以包含可拉伸的彈性體。

圖15至22是按順序圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的可拉伸集成電路的制造工藝的附圖。為了解釋的簡潔，將省略與關(guān)于圖3至12中描述的例子中的諸部件實(shí)質(zhì)上相同的部件的描述。

參考圖15，可以在基板50上分離地設(shè)置至少兩個(gè)電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2。例如，可以在犧牲層55上分離地設(shè)置電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中的可拉伸集成電路2可以包含設(shè)置在基板50的第一區(qū)域A中的第一電子設(shè)備E1，以及設(shè)置在基板50的第二區(qū)域B中、并且與第一電子設(shè)備E1分離的第二電子設(shè)備E2。此處，基板50可以包含其中設(shè)置有第一電子設(shè)備E1的第一區(qū)域A，以及其中設(shè)置有第二電子設(shè)備E2的第二區(qū)域B。此外，基板50可以包含在第一電子設(shè)備E1和第二電子設(shè)備E2之間的區(qū)域C。

參考圖16，可以在基板50上施加光致抗蝕劑，其中所述基板上設(shè)置有彼此分離的至少兩個(gè)電子設(shè)備E1和E2。相應(yīng)地，可以在基板50以及電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2上設(shè)置光致抗蝕劑層60。

參考圖17和圖18，可以移除光致抗蝕劑層60的一部分。相應(yīng)地，在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，光致抗蝕劑圖案60’可以包含至少一個(gè)圖案狹縫65，以暴露基板50上的犧牲層55的一部分以及電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2的一部分。與此不同的是，在本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例中，光致抗蝕劑圖案60’可以包含至少一個(gè)圖案狹縫65，以暴露基板50的一部分以及電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2的一部分。

在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，可以通過光蝕刻工藝，在光致抗蝕劑圖案60’中形成圖案狹縫65。圖案狹縫65可以包含面向彼此的側(cè)壁65a和側(cè)壁65b。側(cè)壁65a和側(cè)壁65b可以與基板50形成銳角θ₁和銳角θ₂。換言之，側(cè)壁65a和側(cè)壁65b可以具有相反的斜面結(jié)構(gòu)。

側(cè)壁65a和側(cè)壁65b之間的最短分離距離D1可以形成為大于比彼此分離的電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2之間的分離距離D2。相應(yīng)地，圖案狹縫65可以外部地暴露與基板50的第三區(qū)域C相對(duì)應(yīng)的犧牲層55、第一電子設(shè)備E1的一部分，以及第二電子設(shè)備E2的一部分。

參考圖19，在光致抗蝕劑圖案60’中形成圖案狹縫65之后，可以將液相導(dǎo)電材料施加到光致抗蝕劑圖案60’上和被圖案狹縫65暴露的一部分上。相應(yīng)地，可以在光致抗蝕劑圖案60’上形成液相導(dǎo)電材料層20。此外，可以在圖案狹縫65中形成液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10。例如，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以形成在被圖案狹縫65暴露的犧牲層55、第一電子設(shè)備E1的一部分，以及第二電子設(shè)備E2的一部分上。此處，被圖案狹縫65暴露的犧牲層55可以意味著與基板50的第三區(qū)域C相對(duì)應(yīng)的犧牲層55的一部分。

相應(yīng)地，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以形成為使得其一端覆蓋第一電子設(shè)備E1的頂部部分的一部分，而其另一端覆蓋第二電子設(shè)備E2的頂部部分的一部分。彼此分離的電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2可以分別電連接至液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10的兩端。

液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以具有與圖案狹縫65的平面形狀相對(duì)應(yīng)的圖案。相應(yīng)地，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以沿圖案狹縫65延伸。例如，當(dāng)圖案狹縫65具有鋸齒圖案時(shí)，液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10可以具有鋸齒圖案。液相導(dǎo)電材料可以包含含有鎵(Ga)和銦(In)的合金的液相金屬。

參考圖20，可以從基板50移除液相導(dǎo)電材料層20(見圖19)和光致抗蝕劑圖案60’(見圖19)。

參考圖21，可以在電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2，以及液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10上形成第一絕緣層30?？梢栽诨?0或犧牲層55上形成第一絕緣層30。第一絕緣層30可以包含PDMS或聚氨酯的彈性體。

參考圖22，可以通過外力從基板50的犧牲層55分離第一絕緣層30、液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10，以及電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2。

再次參考圖13和圖14，可以在從基板50分離的電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2的下部部分、第一絕緣層30，以及液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)10上形成可拉伸的第二絕緣層40。相應(yīng)地，可以完成可拉伸集成電路2。第二絕緣層40可以包含PDMS或聚氨酯的彈性體。相應(yīng)地，電子設(shè)備E1和電子設(shè)備E2中的每一個(gè)可以被電連接以制造可拉伸集成電路。

根據(jù)可拉伸導(dǎo)線和可拉伸集成電路的制造方法，可以形成具有精細(xì)寬度的液相導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以獲得具有復(fù)雜且精細(xì)圖案的導(dǎo)線。此外，通過使用具有復(fù)雜且精細(xì)圖案的導(dǎo)線來連接多個(gè)電子設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)集成化。

本公開的效果不局限于上面提及的效果，且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過權(quán)利要求清楚地理解上面未提及的其他效果。

盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，但應(yīng)理解的是，本發(fā)明不應(yīng)局限于這些示范性實(shí)施例，而本領(lǐng)域普通技術(shù)的人員可以在如本文所要求保護(hù)的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變和修飾。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

此美國非臨時(shí)專利申請(qǐng)要求提交于2015年8月21日，專利申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0118196的韓國專利申請(qǐng)、以及提交于2016年1月22日，專利申請(qǐng)?zhí)枮?0-2016-0008220的韓國專利申請(qǐng)?jiān)赨.S.C.§119下的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于本文。