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      一種基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制系統(tǒng)及方法與流程

      文檔序號(hào):11869011閱讀:485來(lái)源:國(guó)知局
      一種基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制系統(tǒng)及方法與流程

      本發(fā)明涉及永磁斷路器控制領(lǐng)域,尤其涉及一種基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制系統(tǒng)及方法。



      背景技術(shù):

      近年來(lái),隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和人民生活水平的提高,以及電力相關(guān)技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)的頒布,對(duì)配電網(wǎng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和智能化的要求越來(lái)越高,而永磁技術(shù)的實(shí)現(xiàn)以及現(xiàn)代電力電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展使得配電網(wǎng)智能化得到突破性發(fā)展。永磁斷路器作為智能斷路器中優(yōu)秀的一員,其高可靠性、免維護(hù)、分合閘速度快、開(kāi)斷能力強(qiáng)等特點(diǎn)得到了大家的一致認(rèn)可。目前國(guó)內(nèi)外有數(shù)十家廠商和科研機(jī)構(gòu)投入了大量的資源在研究永磁機(jī)構(gòu)相關(guān)的產(chǎn)品和技術(shù),國(guó)外有ABB、西門(mén)子、施耐德等,國(guó)內(nèi)有四方、北京科銳、揚(yáng)州新概念等等,而且已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一系列產(chǎn)品和技術(shù),并取得不錯(cuò)的成效,但是隨著永磁技術(shù)的產(chǎn)品越來(lái)越多,以及應(yīng)用范圍越來(lái)越廣,其局限性也逐步體現(xiàn)了出來(lái),例如永磁機(jī)構(gòu)的電壓等級(jí)各有不同造成其控制器匹配的復(fù)雜性,驅(qū)動(dòng)分合閘的方式不同所取得的效果也不一樣,驅(qū)動(dòng)電源如何合理利用等等。

      現(xiàn)有永磁機(jī)構(gòu)斷路器驅(qū)動(dòng)電源上的選擇是一致的,即采用大容量的鋁電解電容給分合閘線圈釋放大電流,產(chǎn)生磁場(chǎng)從而進(jìn)行分合閘。相比較而言,采用蓄電池作為驅(qū)動(dòng)電源則需要定期維護(hù),采用超級(jí)電容模組作為驅(qū)動(dòng)電源的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于大容量的電解電容。目前主要的控制方法與驅(qū)動(dòng)單元主要有以下幾大方向:

      (1)由控制器直接固定輸出分合閘脈沖時(shí)間的,并且采用給電容器設(shè)定一個(gè)欠壓點(diǎn)的模式,一旦低于欠壓點(diǎn)便閉鎖分合閘脈沖輸出。該方式的優(yōu)點(diǎn)是可靠,但是缺點(diǎn)非常明顯,由于無(wú)法得知分合閘是否到位,為了保障斷路器分合閘成功,其固定的輸出比真正需要輸出時(shí)間長(zhǎng)得多,這樣不僅無(wú)法體現(xiàn)分合閘速度快的優(yōu)點(diǎn),而且損耗大量能量,根據(jù)實(shí)際分合閘電容電壓跌落測(cè)試,一般容量的電容器操作一次后,電壓跌落較大,基本會(huì)造成電容欠壓,無(wú)法再進(jìn)行下一步操作。

      (2)采用位置傳感器采集位置信息并參與分合閘脈沖的輸出邏輯,同樣采用一個(gè)欠壓點(diǎn)的模式,該方式優(yōu)點(diǎn)是信號(hào)靈敏,且分合閘所需能量相對(duì)較少。但是該方式的難點(diǎn)在于位置傳感器的安裝位置要求較為苛刻,容易出現(xiàn)過(guò)早感應(yīng)到位置變化導(dǎo)致分合閘不成功,甚至因同時(shí)感應(yīng)到多個(gè)位置信號(hào)導(dǎo)致斷路器拒動(dòng)的現(xiàn)象發(fā)生。而且采用一個(gè)欠壓點(diǎn)的模式,仍然需要一個(gè)容量非常大的電容器才能實(shí)現(xiàn)第二次操作。

      (3)采用雙線圈的機(jī)構(gòu),并且分合閘輸出分別采用一個(gè)電容器,互不干擾,仍然采用一個(gè)欠壓點(diǎn)的模式,該方式的優(yōu)點(diǎn)是操作一次后仍然可以操作第二次,缺點(diǎn)是仍然需要大容量電容才可實(shí)現(xiàn)重合閘,而且分合閘分開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)的方式實(shí)現(xiàn)起來(lái)比較復(fù)雜,而且成本較高。

      (4)驅(qū)動(dòng)單元采用單個(gè)IGBT或者其他大功率場(chǎng)效應(yīng)管的,該方式優(yōu)點(diǎn)是電路簡(jiǎn)單,元器件較少,缺點(diǎn)是單個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管承受的最大電壓較大,在較大電流和電壓沖擊下,容易發(fā)生元器件損壞的現(xiàn)象。

      (5)目前控制器中大多采用與永磁機(jī)構(gòu)電壓等級(jí)一對(duì)一的方式,該方式的優(yōu)點(diǎn)是有針對(duì)性,缺點(diǎn)是碰到不同的電壓等級(jí)的機(jī)構(gòu)時(shí),需要更換控制器,適應(yīng)性不強(qiáng)。

      綜上所述,目前現(xiàn)有技術(shù)中采用一個(gè)欠壓點(diǎn)的模式,不利于操作電源的利用,采用單個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng),不利于元器件的保護(hù),除此之外由于永磁機(jī)構(gòu)電壓等級(jí)的多樣性造成控制器的多樣性。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的其中一個(gè)目是提供一種實(shí)現(xiàn)方式簡(jiǎn)單且可合理利用驅(qū)動(dòng)電源能量的基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制系統(tǒng),其使永磁斷路器能夠可靠、快速地進(jìn)行分合閘,節(jié)約能耗,并能延長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)電路中元器件的使用壽命,提高控制器的適應(yīng)性。

      本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為:

      一種基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制系統(tǒng),其特征在于:包括測(cè)控單元、驅(qū)動(dòng)單元、電容電壓檢測(cè)單元和永磁斷路器,所述測(cè)控單元輸入端分別連接有位置傳感器和電容電壓檢測(cè)單元,所述測(cè)控單元輸出端與驅(qū)動(dòng)單元連接;所述驅(qū)動(dòng)單元輸入端連接有電容器,所述驅(qū)動(dòng)單元輸出端與永磁斷路器連接;

      所述電容電壓檢測(cè)單元,用于檢測(cè)電容欠壓信號(hào);

      所述位置傳感器,用于采集永磁斷路器的分合閘位置信號(hào)并傳遞給測(cè)控單元;

      所述測(cè)控單元,用于采集電容器欠壓信號(hào)和位置傳感器的信號(hào),判斷電容器是否欠壓再向驅(qū)動(dòng)單元輸出分合閘脈沖;

      所述驅(qū)動(dòng)單元,用于接收到分合閘脈沖并驅(qū)動(dòng)永磁斷路器分合閘動(dòng)作。

      作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述測(cè)控單元包括第一控制單元和第二控制單元,所述第一控制單元與第二控制單元連接,所述第二控制單元,用于完成信號(hào)判斷的步驟并向第一控制單元輸出判斷結(jié)果;所述第一控制單元控制第二控制單元向驅(qū)動(dòng)單元輸出分合閘脈沖。

      作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),第一控制單元采用DSP,第二控制單元采用CPLD。

      作為上述單欠壓技術(shù)方案的改進(jìn),所述電容電壓檢測(cè)單元可分別設(shè)置有分閘欠壓點(diǎn)和合閘欠壓點(diǎn),根據(jù)分合閘能量分別設(shè)置分合閘欠壓門(mén)限值,所述電容電壓檢測(cè)單元包括依次連接的分閘欠壓點(diǎn)和合閘欠壓點(diǎn)設(shè)置電路、分壓電路、比較器電路以及光耦隔離回路,所述光耦隔離回路輸出端連接測(cè)控單元。

      作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述驅(qū)動(dòng)單元包括依次連接的IGBT驅(qū)動(dòng)回路和IGBT全橋電路,所述永磁斷路器線圈并接于IGBT全橋電路兩橋臂之間,所述電容器與IGBT全橋電路的兩端連接。

      作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述IGBT驅(qū)動(dòng)回路包括依次連接的隔離回路和功率放大器電路,所述隔離回路輸入端連接測(cè)控單元,所述功率放大器輸出端連接IGBT全橋電路。

      作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述IGBT全橋電路包括4個(gè)IGBT回路。

      為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種實(shí)現(xiàn)方式簡(jiǎn)單且可合理利用驅(qū)動(dòng)電源能量的基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制方法,其使永磁斷路器能夠可靠、快速地進(jìn)行分合閘,節(jié)約能耗,并能延長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)電路中元器件的使用壽命,提高控制器的適應(yīng)性。

      本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為:

      一種基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制方法,其特征在于:包括如下步驟:

      1)信號(hào)采集:電容電壓檢測(cè)單元檢測(cè)電容器的電壓,并將檢測(cè)到的電容器電壓與設(shè)定的欠壓點(diǎn)門(mén)限值進(jìn)行比較判斷,輸出比較判斷結(jié)果給測(cè)控單元,同時(shí)測(cè)控單元通過(guò)位置傳感器采集永磁斷路器的分合閘位置信號(hào);

      2)欠壓信號(hào)判斷:電容電壓檢測(cè)單元將檢測(cè)到的電容器電壓與設(shè)定的欠壓點(diǎn)門(mén)限值進(jìn)行比較判斷:若電容器電壓低于分閘欠壓點(diǎn)的門(mén)限值就傳送測(cè)控單元分閘欠壓信號(hào);若電容器電壓低于合閘欠壓點(diǎn)且高于分閘欠壓電的門(mén)限值就傳送測(cè)控單元合閘欠壓信號(hào);若電容器電壓高于合閘欠壓點(diǎn),則上送不欠壓信號(hào)。

      3)分合閘驅(qū)動(dòng)控制:根據(jù)當(dāng)前的位置信號(hào),當(dāng)電容器欠壓信號(hào)不存在時(shí),測(cè)控單元向驅(qū)動(dòng)單元輸出分合閘脈沖,否則閉鎖分合閘脈沖輸出。

      作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述電容電壓檢測(cè)單元可分別設(shè)置有分閘欠壓點(diǎn)和合閘欠壓點(diǎn),根據(jù)分合閘能量分別設(shè)置分合閘欠壓門(mén)限值,所述電容電壓檢測(cè)單元包括依次連接的分閘欠壓點(diǎn)和合閘欠壓點(diǎn)設(shè)置電路、分壓電路、比較器電路以及光耦隔離回路,所述步驟2) 中電容電壓檢測(cè)單元判斷電容器是否處于欠壓具體步驟為:電容器電壓經(jīng)過(guò)分壓電路后,電壓信號(hào)進(jìn)入比較器電路與設(shè)定的欠壓點(diǎn)門(mén)限值進(jìn)行比較,比較器電路輸出高低電平信號(hào)經(jīng)過(guò)光耦隔離回路后進(jìn)入測(cè)控單元,測(cè)控單元根據(jù)接收到的電平信號(hào)判斷是否出現(xiàn)分閘欠壓或者合閘欠壓,若出現(xiàn)分閘欠壓則閉鎖分閘脈沖信號(hào)輸出,若出現(xiàn)合閘欠壓則閉鎖合閘脈沖信號(hào)輸出,并將相應(yīng)欠壓信號(hào)發(fā)送至控制單元判斷。

      作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述步驟中3)測(cè)控單元向驅(qū)動(dòng)單元輸出相應(yīng)的分合閘脈沖具體步驟為:所述測(cè)控單元接收到分合閘信號(hào)時(shí),判斷當(dāng)前電容器是否欠壓,若不欠壓,則輸出相應(yīng)的分合閘脈沖信號(hào),所述分合閘脈沖信號(hào)經(jīng)過(guò)光藕隔離回路后進(jìn)入功率放大電路,在經(jīng)過(guò)功率放大后,驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)入IGBT全橋電路,驅(qū)動(dòng)IGBT導(dǎo)通,電容器放電。

      本發(fā)明的有益效果有:

      本發(fā)明一種基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制系統(tǒng)及方法,通過(guò)利用單穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)分閘有分閘彈簧協(xié)助所需能量小且分閘時(shí)間穩(wěn)定,合閘所需能量大的特點(diǎn),分閘采用固定時(shí)長(zhǎng)輸出,合閘根據(jù)位置信號(hào)輸出脈沖并延時(shí)一定時(shí)長(zhǎng),無(wú)位置信號(hào)時(shí)固定時(shí)長(zhǎng)輸出,實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單,可以避免合閘脈沖的無(wú)謂持續(xù)輸出,節(jié)約電容器能量,并可保證合閘的可靠性;同時(shí)根據(jù)分合閘所需不同的能量大小,以及電力標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)規(guī)定分別設(shè)定適合分閘的電容欠壓點(diǎn)門(mén)限值以及合閘的電容欠壓點(diǎn)門(mén)限值,這樣電容充滿電時(shí)分閘不會(huì)出現(xiàn)合閘電容欠壓信號(hào),合閘后仍可分閘,從而有效利用電容器的能量。而且合于故障線路時(shí)可立即分閘,防止前端變電站出口斷路器跳閘,保護(hù)線路安全。

      本發(fā)明采用IGBT全橋模式的控制方式,降低每個(gè)IGBT上承受的最大電壓,延長(zhǎng)使用壽命,分合閘可共用一個(gè)電容器,節(jié)省成本,并且該控制方法可以把斷路器驅(qū)動(dòng)單元3做成可替換的模塊,針對(duì)不同電壓等級(jí)的永磁機(jī)構(gòu)可以替換相應(yīng)等級(jí)的模塊。

      附圖說(shuō)明

      下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明,其中:

      圖1是本發(fā)明實(shí)施例的原理示意圖;

      圖2是本發(fā)明實(shí)施例的分合閘欠壓點(diǎn)設(shè)置電路框圖;

      圖3是本發(fā)明實(shí)施例的電容電壓變化曲線與欠壓信號(hào)關(guān)系圖;

      圖4是本發(fā)明實(shí)施例的欠壓判斷工作原理圖;

      圖5是本發(fā)明實(shí)施例的分合閘驅(qū)動(dòng)控制的波形圖。

      具體實(shí)施方式

      參照?qǐng)D1,本發(fā)明具體實(shí)施例提供一種基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制系統(tǒng),包括測(cè)控單元2、驅(qū)動(dòng)單元3、電容電壓檢測(cè)單元1和永磁斷路器5,所述測(cè)控單元2輸入端分別連接有位置傳感器4和電容電壓檢測(cè)單元5,所述測(cè)控單元2輸出端與驅(qū)動(dòng)單元2連接;所述驅(qū)動(dòng)單元2輸入端連接有電容器6,所述驅(qū)動(dòng)單元2輸出端與永磁斷路器5連接;

      所述電容電壓檢測(cè)單元1,用于檢測(cè)電容欠壓信號(hào);所述位置傳感器4,用于采集永磁斷路器的分合閘位置信號(hào)并傳遞給測(cè)控單元;所述測(cè)控單元2,用于采集電容器欠壓信號(hào)和位置傳感器的信號(hào),判斷電容器是否欠壓再向驅(qū)動(dòng)單元輸出分合閘脈沖;所述驅(qū)動(dòng)單元3,用于接收到分合閘脈沖并驅(qū)動(dòng)永磁斷路器分合閘動(dòng)作。

      為了健全測(cè)控單元的可靠性,所述測(cè)控單元2包括第一控制單元21和第二控制單元22,所述第一控制單元21與第二控制單元22連接,所述第二控制單元22,用于完成信號(hào)判斷的步驟并向第一控制單元21輸出判斷結(jié)果;所述第一控制單元21控制第二控制單元22向驅(qū)動(dòng)單元輸出分合閘脈沖。優(yōu)選,第一控制單元21采用DSP,第二控制單元22采用CPLD。優(yōu)選的是,第二控制單元CPLD22除了可以完成脈沖輸出時(shí)間判斷、分合閘位置信號(hào)判斷、分合閘脈沖輸出等功能外,還可以完成電容欠壓采集判斷、遙控分合閘判斷、手動(dòng)分合閘判斷等功能。

      與設(shè)置一個(gè)欠壓點(diǎn)比較,所述電容電壓檢測(cè)單元可分別設(shè)置有分閘欠壓點(diǎn)和合閘欠壓點(diǎn),根據(jù)分合閘能量分別設(shè)置分合閘欠壓門(mén)限值,這樣電容充滿電時(shí)分閘不會(huì)出現(xiàn)合閘電容欠壓信號(hào),合閘后仍可分閘,從而有效利用電容器的能量。所述電容電壓檢測(cè)單元1包括依次連接的分閘欠壓點(diǎn)和合閘欠壓點(diǎn)設(shè)置電路11、分壓電路12、比較器電路13以及光耦隔離回路14,所述光耦隔離回路14輸出端連接測(cè)控單元2。電容電壓檢測(cè)單元采集欠壓信號(hào)工作過(guò)程為:測(cè)控單元2的第二控制單元CPLD22對(duì)驅(qū)動(dòng)單元3上送的電容欠壓信號(hào)進(jìn)行采集,并識(shí)別是合閘欠壓還是分閘欠壓信號(hào),斷路器驅(qū)動(dòng)單元3監(jiān)測(cè)電容器5的電壓并根據(jù)設(shè)定的合閘欠壓點(diǎn)和分閘欠壓點(diǎn)進(jìn)行比較,若電容電壓低于分閘欠壓點(diǎn)則向測(cè)控單元2發(fā)送分閘欠壓信號(hào),若電容電壓高于分閘欠壓點(diǎn),低于合閘欠壓點(diǎn),則輸出合閘欠壓,若電容電壓高于合閘欠壓點(diǎn),則不輸出欠壓信號(hào),并經(jīng)過(guò)處理后上送給第一控制單元DSP21,除此之外測(cè)控單元2還采集位置傳感器4上送的位置信號(hào),測(cè)控單元2首先判斷永磁斷路器1分合閘位置信號(hào)是否有效,為了保證位置檢測(cè)信號(hào)的準(zhǔn)確,位置傳感器4所采集的分合閘位置信息在判斷前需要經(jīng)過(guò)消抖濾波處理。

      所述驅(qū)動(dòng)單元3包括依次連接的IGBT驅(qū)動(dòng)回路31和IGBT全橋電路32,所述IGBT全橋電路32包括4個(gè)IGBT回路,所述所述永磁斷路器線圈并接于IGBT全橋電路32兩橋臂之間,所述電容器6與IGBT全橋電路32的兩端連接。所述IGBT驅(qū)動(dòng)回路31包括依次連接的隔離回路311和功率放大器電路312,所述隔離回路311輸入端連接測(cè)控單元2,所述功率放大器312輸出端連接IGBT全橋電路32。驅(qū)動(dòng)單元3采用IGBT全橋控制方式,當(dāng)測(cè)控單元2發(fā)出分合閘驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí),IGBT全橋電路32中相應(yīng)的IGBT導(dǎo)通輸出電流操作斷路器的分合閘。在測(cè)控單元2輸出分合閘脈沖信號(hào)前需要判斷當(dāng)前的位置信號(hào)以及電容是否欠壓,若不滿足這兩個(gè)條件則閉鎖分合閘脈沖信號(hào)的輸出。

      位置傳感器4用于對(duì)斷路器分合閘位置進(jìn)行監(jiān)測(cè),實(shí)現(xiàn)時(shí)此位置。傳感器4一般采用接近開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)。電容器5用于給分合閘提供大的輸出電流,產(chǎn)生磁場(chǎng)推動(dòng)永磁斷路器內(nèi)部的動(dòng)鐵心分閘或合閘。

      該控制系統(tǒng)可以把驅(qū)動(dòng)單元3做成可替換的模塊,針對(duì)不同電壓等級(jí)的永磁斷路器可以替換相應(yīng)等級(jí)的模塊。只需將驅(qū)動(dòng)模塊中的電壓轉(zhuǎn)換部分變更電壓等級(jí),并相應(yīng)的調(diào)節(jié)欠壓點(diǎn)的門(mén)限值即可升級(jí)為新的電壓等級(jí)的驅(qū)動(dòng)單元,而且更換模塊不影響欠壓信號(hào)的采集,以及分合閘驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸出。

      下面舉具體的實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的控制過(guò)程:

      如圖2和圖3所示,以分閘過(guò)程為例說(shuō)明,驅(qū)動(dòng)單元3首先檢測(cè)當(dāng)前電容器6的電壓并與兩個(gè)欠壓點(diǎn)比較,若電容電壓高于分閘欠壓點(diǎn),則無(wú)分閘欠壓信息上送,測(cè)控單元2采集當(dāng)前位置信號(hào),若處于合閘位置,且無(wú)分閘欠壓信號(hào)則通過(guò)測(cè)控單元2發(fā)出分閘脈沖信號(hào),經(jīng)過(guò)IGBT驅(qū)動(dòng)回路31后轉(zhuǎn)化為驅(qū)動(dòng)信號(hào),以高電平為有效,分閘過(guò)程中,IGBT驅(qū)動(dòng)信號(hào)2和3均輸出一段時(shí)間為T(mén)1的脈沖信號(hào),IGBT驅(qū)動(dòng)信號(hào)1和4無(wú)高電平脈沖輸出,所示相應(yīng)的兩個(gè)IGBT導(dǎo)通,電容器5對(duì)永磁斷路器的線圈進(jìn)行放電,操作斷路器進(jìn)行分閘,分閘的電流信號(hào)波形圖如圖5所示,在T1時(shí)間內(nèi)電流逐漸升高,T1時(shí)間后,IGBT信號(hào)2和3脈沖結(jié)束,IGBT關(guān)斷電容輸出,電流快速下降,分閘過(guò)程結(jié)束。

      參考圖2和圖4,一種基于雙欠壓信息的永磁斷路器控制方法,其特征在于:包括如下步驟:

      1)信號(hào)采集:電容電壓檢測(cè)單元檢測(cè)電容器的電壓,并將檢測(cè)到的電容器電壓與設(shè)定的欠壓點(diǎn)門(mén)限值進(jìn)行比較判斷,輸出比較判斷結(jié)果給測(cè)控單元,同時(shí)測(cè)控單元通過(guò)位置傳感器采集永磁斷路器的分合閘位置信號(hào);

      2)欠壓信號(hào)判斷:電容電壓檢測(cè)單元將檢測(cè)到的電容器電壓與設(shè)定的欠壓點(diǎn)門(mén)限值進(jìn)行比較判斷:若電容器電壓低于分閘欠壓點(diǎn)的門(mén)限值就傳送測(cè)控單元分閘欠壓信號(hào);若電容器電壓低于合閘欠壓點(diǎn)且高于分閘欠壓電的門(mén)限值就傳送測(cè)控單元合閘欠壓信號(hào);

      3)分合閘驅(qū)動(dòng)控制:根據(jù)當(dāng)前的位置信號(hào),當(dāng)電容器欠壓信號(hào)不存在時(shí),測(cè)控單元向驅(qū)動(dòng)單元輸出分合閘脈沖,否則閉鎖分合閘脈沖輸出。

      進(jìn)一步,所述電容電壓檢測(cè)單元可分別設(shè)置有分閘欠壓點(diǎn)和合閘欠壓點(diǎn),根據(jù)分合閘能量分別設(shè)置分合閘欠壓門(mén)限值,所述電容電壓檢測(cè)單元包括依次連接的分閘欠壓點(diǎn)和合閘欠壓點(diǎn)設(shè)置電路、分壓電路、比較器電路以及光耦隔離回路,所述步驟2) 中電容電壓檢測(cè)單元判斷電容器是否處于欠壓具體步驟為:電容器電壓經(jīng)過(guò)分壓電路后,電壓信號(hào)進(jìn)入比較器電路與設(shè)定的欠壓點(diǎn)門(mén)限值進(jìn)行比較,比較器電路輸出高低電平信號(hào)經(jīng)過(guò)光耦隔離回路后進(jìn)入測(cè)控單元,測(cè)控單元根據(jù)接收到的電平信號(hào)判斷是否出現(xiàn)分閘欠壓或者合閘欠壓,若出現(xiàn)分閘欠壓則閉鎖分閘脈沖信號(hào)輸出,若出現(xiàn)合閘欠壓則閉鎖合閘脈沖信號(hào)輸出,并將相應(yīng)欠壓信號(hào)發(fā)送至控制單元判斷。

      進(jìn)一步,所述步驟中3)測(cè)控單元向驅(qū)動(dòng)單元輸出相應(yīng)的分合閘脈沖具體步驟為:所述測(cè)控單元單元接收到分合閘信號(hào)時(shí),判斷當(dāng)前電容器是否欠壓,若不欠壓,則輸出相應(yīng)的分合閘脈沖信號(hào),所述分合閘脈沖信號(hào)經(jīng)過(guò)光藕隔離回路后進(jìn)入功率放大電路,在經(jīng)過(guò)功率放大后,驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)入IGBT全橋電路,驅(qū)動(dòng)IGBT導(dǎo)通,電容器放電。

      本發(fā)明在保證永磁斷路器可靠分合閘的同時(shí)減少了能量的輸出,實(shí)現(xiàn)了斷路器的重合閘,并且延長(zhǎng)了分合閘操作回路的使用壽命,增強(qiáng)了控制器的適應(yīng)性,基于此控制方法的產(chǎn)品可以應(yīng)用于主干線或重大分支線路上。另外,當(dāng)測(cè)控單元采用第一控制單元和第二控制單元互相配合實(shí)現(xiàn)時(shí),這種分層組合控制的方式能夠進(jìn)一步健全控制的可靠性。

      以上所述,只是本發(fā)明的較佳實(shí)施方式而已,但本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例,只要其以任何相同或相似手段達(dá)到本發(fā)明的技術(shù)效果,都應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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