本發(fā)明涉及LED芯片領(lǐng)域，具體涉及一種平坦的LED倒裝高壓芯片。

背景技術(shù)：

目前，隨著科技的發(fā)展，LED芯片應(yīng)用越來越廣泛，其中倒裝的LED芯片由于可避免對(duì)發(fā)光造成干擾，愈來愈受到人們的青睞，但是，LED倒裝高壓芯片由于其結(jié)構(gòu)中包括多個(gè)串聯(lián)連接的芯片單元，制作時(shí)需在芯片單元間做深刻蝕，而做了深刻蝕以后，LED倒裝高壓芯片表面存在深達(dá)6-7um的高度差，這對(duì)錫膏焊來說極易產(chǎn)生焊接缺陷。所以急需一種方法使LED倒裝高壓芯片制備成為一種表面平坦的芯片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為此，本發(fā)明提出一種平坦的LED倒裝高壓芯片。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種平坦的LED倒裝高壓芯片，包括襯底，所述襯底上表面設(shè)置有多個(gè)間隔設(shè)置的芯片單元，所述芯片單元上部設(shè)置有電極，所述芯片單元之間的電極通過第一金屬層串聯(lián)連接，所述LED倒裝高壓芯片上還設(shè)置有用于引出電極的第二金屬層，所述LED倒裝高壓芯片上設(shè)置有由流質(zhì)固化而成的平坦化絕緣層。

進(jìn)一步的，所述平坦化絕緣層設(shè)置在襯底與第一金屬層之間。

進(jìn)一步的，所述平坦化絕緣層設(shè)置在第一金屬層與第二金屬層之間。

進(jìn)一步的，所述平坦化絕緣層同時(shí)設(shè)置在襯底與第一金屬層之間、第一金屬層與第二金屬層之間。

進(jìn)一步的，所述平坦化絕緣層為樹脂、光刻膠、旋圖玻璃、無機(jī)透明氧化物。

進(jìn)一步的，所述無機(jī)透明氧化物為SiO2、Al2O3、Si3N4。

本發(fā)明的有益效果是：對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的LED倒裝高壓芯片通過由流質(zhì)固化而成的平坦化絕緣層，平坦芯片表面高度差，增加焊接良率；同時(shí)由于對(duì)LED倒裝高壓芯片平坦化，深刻蝕角度可以做成直角，減少被刻蝕外延面積，增大發(fā)光有效面積；另外平坦化的LED倒裝高壓芯片可以不用考慮之前深刻蝕處絕緣性能不良導(dǎo)致的漏電問題，以及斜坡處的電極厚度過薄造成的電壓高等問題。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。

圖1是本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)倒裝高壓芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖

圖4是本發(fā)明實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合圖1至圖4，分別對(duì)本發(fā)明的三個(gè)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的介紹。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種LED倒裝高壓芯片。參照?qǐng)D1，現(xiàn)有的LED倒裝高壓芯片包括襯底1，所述襯底1上依次設(shè)置有外延層、反射層，所述外延層和反射層通過刻蝕形成多個(gè)獨(dú)立的芯片單元2，所述芯片單元2上分別設(shè)置有電極21。刻蝕后的LED倒裝高壓芯片表面凹凸不平，存在6-7um的高度差，LED倒裝高壓芯片表面再通過蒸鍍工藝依次設(shè)置有第一絕緣層4、第一金屬層22、第二絕緣層5和第二金屬層23，其中，芯片單元2上的電極通過第一金屬層21串聯(lián)連接，第二金屬層23為L(zhǎng)ED倒裝高壓芯片的引出電極。但是，通過蒸鍍工藝設(shè)置的絕緣層或金屬層無法消除LED倒裝高壓芯片表面的高度差問題，這對(duì)錫膏焊來說極易產(chǎn)生焊接缺陷，同時(shí)，由于高度差的存在也影響作為電極的金屬層的性能，容易造成漏電或電壓高等問題。

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例一附圖。參照?qǐng)D2，本發(fā)明的LED倒裝高壓芯片包括襯底1，所述襯底1上表面設(shè)置有多個(gè)間隔設(shè)置的芯片單元2，所述芯片單元2上部設(shè)置有電極21，所述芯片單元2之間的電極通過第一金屬層22串聯(lián)連接，所述LED倒裝高壓芯片上還設(shè)置有用于引出電極的第二金屬層23，在本實(shí)施例中，所述襯底1與第一金屬層22之間、第一金屬層22與第二金屬層23之間分別設(shè)置有由流質(zhì)固化而成的平坦化絕緣層3，取代現(xiàn)有技術(shù)中通過蒸鍍形成的第一絕緣層4和第二絕緣層5，利用液態(tài)材料的流動(dòng)特性填補(bǔ)LED倒裝高壓芯片表面的不平，消除高度差及短路問題。進(jìn)一步的，所述平坦化絕緣層3可以是樹脂、光刻膠、旋圖玻璃、無機(jī)透明氧化物等物質(zhì)，其中，所述樹脂不吸光，耐高溫，制備后需做一次光刻做出圖形；所述光刻膠不吸光，耐高溫，形貌為正梯形；所述旋圖玻璃旋圖在芯片表面后，需對(duì)所述旋圖玻璃平坦化后，再對(duì)所述旋圖玻璃做一次光刻做出圖形；所述無機(jī)透明氧化物絕緣性能良好，可以為SiO2、Al2O3、Si3N4，所述無機(jī)透明氧化物，最低厚度需達(dá)到反射層高度，所述無機(jī)透明氧化物制備好后，需對(duì)所述無機(jī)透明氧化物平坦化后，再對(duì)所述無機(jī)透明氧化物做一次光刻做出圖形。

圖3為本發(fā)明的實(shí)施例二附圖。參照?qǐng)D3，所述LED倒裝芯片包括襯底1，所述襯底1上表面設(shè)置有多個(gè)間隔設(shè)置的芯片單元2，所述芯片單元2上部設(shè)置有電極21，所述芯片單元2之間的電極21通過第一金屬層22串聯(lián)連接，所述LED倒裝高壓芯片上還設(shè)置有用于引出電極21的第二金屬層23，在本實(shí)施例中，所述襯底1與第一金屬層22之間設(shè)置有由流質(zhì)固化而成的平坦化絕緣層3，取代現(xiàn)有技術(shù)中通過蒸鍍形成的第一絕緣層4，利用液態(tài)材料的流動(dòng)特性填補(bǔ)LED倒裝高壓芯片表面的不平，消除第一金屬層22與芯片單元2之間易短路的問題。

圖4為本發(fā)明的實(shí)施例二附圖。參照?qǐng)D4，所述LED倒裝芯片包括襯底1，所述襯底1上表面設(shè)置有多個(gè)間隔設(shè)置的芯片單元2，所述芯片單元2上部設(shè)置有電極21，所述芯片單元2之間的電極21通過第一金屬層22串聯(lián)連接，所述LED倒裝高壓芯片上還設(shè)置有用于引出電極21的第二金屬層23，在本實(shí)施例中，所述第一金屬層22與第二金屬層23之間設(shè)置有由流質(zhì)固化而成的平坦化絕緣層3，取代現(xiàn)有技術(shù)中通過蒸鍍形成的第二絕緣層5，利用液態(tài)材料的流動(dòng)特性填補(bǔ)LED倒裝高壓芯片表面的不平，消除第一金屬層22與第二金屬層23之間易短路及表面的高度差問題。

對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的LED倒裝高壓芯片通過由流質(zhì)固化而成的平坦化絕緣層3，平坦芯片表面高度差，增加焊接良率；同時(shí)由于對(duì)LED倒裝高壓芯片平坦化，深刻蝕角度可以做成直角，減少被刻蝕外延面積，增大發(fā)光有效面積；另外平坦化的LED倒裝高壓芯片可以不用考慮之前深刻蝕處絕緣性能不良導(dǎo)致的漏電問題，以及斜坡處的電極21厚度過薄造成的電壓高等問題。

本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了相互排斥的特征和 / 或步驟以外，均可以以任何方式組合，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換，即，除非特別敘述，每個(gè)特征只是一系列等效或類似特征中的一個(gè)實(shí)施例而已。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。