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      一種平坦的LED倒裝高壓芯片的制作方法

      文檔序號(hào):12474035閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種平坦的LED倒裝高壓芯片,包括襯底(1),所述襯底(1)上表面設(shè)置有多個(gè)間隔設(shè)置的芯片單元(2),所述芯片單元(2)上部設(shè)置有電極(21),所述芯片單元(21)之間的電極通過第一金屬層(22)串聯(lián)連接,所述LED倒裝高壓芯片上還設(shè)置有用于引出電極(21)的第二金屬層(23),其特征在于:所述LED倒裝高壓芯片上設(shè)置有由流質(zhì)固化而成的平坦化絕緣層(3)。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平坦的LED倒裝高壓芯片,其特征在于:所述平坦化絕緣層(3)設(shè)置在襯底(1)與第一金屬層(22)之間。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平坦的LED倒裝高壓芯片,其特征在于:所述平坦化絕緣層(3)設(shè)置在第一金屬層(22)與第二金屬層(23)之間。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平坦的LED倒裝高壓芯片,其特征在于:所述平坦化絕緣層(3)同時(shí)設(shè)置在襯底(1)與第一金屬層(22)之間、第一金屬層(22)與第二金屬層(23)之間。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的一種平坦的LED倒裝高壓芯片,其特征在于:所述平坦化絕緣層(3)為樹脂、光刻膠、旋圖玻璃、無機(jī)透明氧化物。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種平坦的LED倒裝高壓芯片,其特征在于:所述無機(jī)透明氧化物為SiO2、Al2O3、Si3N4。

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