本發(fā)明涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種Si基大功率激光器及其制備方法。

背景技術(shù)：

硅基半導(dǎo)體是現(xiàn)代微電子產(chǎn)業(yè)的基石，但其發(fā)展已接近極限。而光電子技術(shù)則正處在高速發(fā)展階段，現(xiàn)在的半導(dǎo)體發(fā)光器件多利用化合物材料制備，但與硅微電子工藝不兼容，因此，將光子技術(shù)和微電子技術(shù)集合起來(lái)，發(fā)展硅基光電子科學(xué)和技術(shù)意義重大。近年來(lái)，硅基光電子的研究在國(guó)內(nèi)外不斷取得引人注目的重要突破，世界各發(fā)達(dá)國(guó)家都把硅基光電子作為長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展目標(biāo)。隨著硅基光子集成電路的日益發(fā)展與逐步商業(yè)化，將InP基大功率激光器代替硅基激光器與硅基光子芯片集成在一起具有很大的應(yīng)用前景。由于硅為間接帶隙半導(dǎo)體，發(fā)光效率極低，硅基光源一直是很難突破的瓶頸。因此在Si基上外延高質(zhì)量的InP材料是制備Si基大功率1310nm DFB激光器的前提。但是由于InP和Si的晶格失配比較大(8％)，在材料的外延過(guò)程中，晶格失配會(huì)導(dǎo)致高密度的失配位錯(cuò)和穿透位錯(cuò)，形成非輻射復(fù)合中心，降低外延片的發(fā)光性能；InP和Si熱失配也很大(Si：2.59×10^-6K^-1，InP:4.75×10^-6K^-1)，這將導(dǎo)致外延片中出現(xiàn)新的應(yīng)力。當(dāng)應(yīng)力的積累超過(guò)某個(gè)臨界值后，外延片中會(huì)產(chǎn)生新的位錯(cuò)，甚至由于應(yīng)力過(guò)大而出現(xiàn)裂紋；另一方面，Si是非極性半導(dǎo)體，而III-V族化合物半導(dǎo)體都是極性半導(dǎo)體。在非極性半導(dǎo)體上外延極性半導(dǎo)體，會(huì)面臨反相疇的問(wèn)題。反相疇的存在，為III-V族化合物半導(dǎo)體引入了缺陷。作為非輻射復(fù)合中心，它將極大地降低材料的發(fā)光效率。并且，反相疇并不會(huì)隨著材料外延厚度的增加而消失，而是貫穿整個(gè)外延層。

鑒于此，克服該現(xiàn)有技術(shù)所存在的缺陷是本技術(shù)領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是在非極性半導(dǎo)體上外延極性半導(dǎo)體，會(huì)面臨反相疇的問(wèn)題。反相疇的存在，為III-V族化合物半導(dǎo)體引入了缺陷。作為非輻射復(fù)合中心，它將極大地降低材料的發(fā)光效率。并且，反相疇并不會(huì)隨著材料外延厚度的增加而消失，而是貫穿整個(gè)外延層。

本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供了一種Si基大功率激光器的制備方法，所述方法包括：

在Si襯底上刻蝕出溝槽；

在溝槽中依次生長(zhǎng)第一InP緩沖層和第二InP緩沖層，其中，第一緩沖層和第二緩沖層厚度總和超過(guò)溝槽深度；

在第二InP緩沖層上生長(zhǎng)第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層和第四InP頂層緩沖層；

在第四InP頂層上依次生長(zhǎng)下限制層、多量子阱和上限制層，完成激光器外延工藝。

優(yōu)選的，在所述Si襯底為電阻率大于2000Ω·cm的N型高阻硅，其溝槽深度為400-500nm，則所述在溝槽中依次生長(zhǎng)第一InP緩沖層和第二InP緩沖層，具體包括：

設(shè)置生長(zhǎng)溫度為450℃-550℃，生長(zhǎng)速率為0.2-0.4nm/s，完成第一InP緩沖層生長(zhǎng)，使其厚度滿足100-300nm；

設(shè)置生長(zhǎng)溫度為550℃-650℃，生長(zhǎng)速率為1.0-1.5nm/s，完成第二InP緩沖層生長(zhǎng)，使其厚度滿足300-400nm；

其中，第一緩沖層和第二緩沖層厚度總和超過(guò)溝槽深度。

優(yōu)選的，所述在第二InP緩沖層上生長(zhǎng)第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層和第四InP頂層緩沖層，具體包括：

第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層中InP厚度為10nm，InGaAsP厚度為8nm；

第四InP頂層緩沖層的厚度為400-600nm，采用SiH₄摻雜，摻雜濃度為1-5×10¹⁸cm^-3。

優(yōu)選的，在制作的激光器為DFB激光器時(shí)，所述完成激光器外延工藝，具體包括：

在上限制層生長(zhǎng)光柵層；

采用全系曝光法制作光柵；

掩埋所述光柵，并在所述光柵層上生長(zhǎng)p型接觸層。

優(yōu)選的，刻蝕技術(shù)將激光器結(jié)構(gòu)刻蝕出脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，所述脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的脊柱由量子阱層和電極接觸層構(gòu)成。

第二方面，本發(fā)明提供了一種Si基大功率激光器，包括：

Si基上分布有周期性分布的溝槽；

所述溝槽上生長(zhǎng)有InP緩沖層；

在所述InP緩沖層上生長(zhǎng)有量子阱層和電極接觸層。

優(yōu)選的，在所述激光器為DFB激光器時(shí)，所述量子阱層由下到上依次包括：下限制層、多量子阱、上限制層，則在所述量子阱層和電極接觸層之間還包括：光柵層，所述光柵層的光柵周期根據(jù)所要制備的激光器波長(zhǎng)設(shè)定。

優(yōu)選的，所述量子阱層和電極接觸層具體為脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，由所述量子阱層和電極接觸層在所述InP緩沖層上形成一條或者多條脊柱。

優(yōu)選的，所述InP緩沖層具體包括：

第一InP緩沖層、第二InP緩沖層、第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層和第四InP頂層緩沖層；

其中，第一InP緩沖層位于溝槽內(nèi)，所述第二InP緩沖層生長(zhǎng)與所述第一InP緩沖層之上，且覆蓋溝槽頂部。

優(yōu)選的，所述第一InP緩沖層的生長(zhǎng)溫度為450℃-550℃之間，生長(zhǎng)速率為0.2-0.4nm/s,生長(zhǎng)厚度為200-300nm；

第二InP緩沖層的生長(zhǎng)溫度為550℃-650℃，生長(zhǎng)速率為1.0-1.5nm/s，生長(zhǎng)厚度為300-400nm；

第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層中InP厚度為10nm，InGaAsP厚度為8nm，包括15-20對(duì)超晶格；

第四InP頂層緩沖層厚度為400-600nm，采用SiH₄摻雜，摻雜濃度為1-5×18cm^-3。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種新型的Si基大功率激光器的制備方法，采用圖形溝槽襯底、高深寬比限制和低溫低壓生長(zhǎng)多層緩沖層結(jié)構(gòu)，有效的解決了Si/InP的晶格失配位錯(cuò)的產(chǎn)生和反相疇在垂直方向上向外延層的延伸，從而得到高質(zhì)量的InP外延層和激光器結(jié)構(gòu)。

【附圖說(shuō)明】

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Si基大功率激光器的制備方法流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Si基大功率激光器的部分結(jié)構(gòu)程示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Si基大功率激光器的制備方法子流程示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Si基大功率激光器的制備方法子流程示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Si基大功率激光器的部分結(jié)構(gòu)程示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Si基大功率激光器的制備方法子流程示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Si基大功率激光器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Si基大功率激光器的制備方法流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

在本發(fā)明的描述中，術(shù)語(yǔ)“內(nèi)”、“外”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不應(yīng)當(dāng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

實(shí)施例1:

本發(fā)明實(shí)施例1提供了一種Si基大功率激光器的制備方法，如圖1所示，所述方法包括：

在步驟201中，在Si襯底1上刻蝕出溝槽2；

在通常實(shí)現(xiàn)方式中，所述刻蝕方法可以采用全息曝光或者電子束曝光，并利用反應(yīng)離子刻蝕(Reactive Ion Etching，簡(jiǎn)寫為：RIE)實(shí)現(xiàn)。

在步驟202中，在溝槽中依次生長(zhǎng)第一InP緩沖層3和第二InP緩沖層4。

其中，第一InP緩沖層3和第二InP緩沖層4厚度總和超過(guò)溝槽深度，其效果圖如圖2所示。

在步驟203中，在第二InP緩沖層4上生長(zhǎng)第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層和第四InP頂層緩沖層。

在步驟204中，在第四InP頂層上依次生長(zhǎng)下限制層9、多量子阱10和上限制層11，完成激光器外延工藝。完成后激光器效果圖可參照?qǐng)D7所示。

本發(fā)明實(shí)施例設(shè)計(jì)了一種新型的Si基大功率激光器的制備方法，采用圖形溝槽襯底、高深寬比限制和低溫低壓生長(zhǎng)多層緩沖層結(jié)構(gòu)，有效的解決了Si/InP的晶格失配位錯(cuò)的產(chǎn)生和反相疇在垂直方向上向外延層的延伸，從而得到高質(zhì)量的InP外延層和激光器結(jié)構(gòu)。

結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例1中完成一種Si基大功率激光器的制備方法，接下來(lái)就應(yīng)用于一具體場(chǎng)景，提供了具體的實(shí)現(xiàn)方式，尤其是在確定了Si基材料結(jié)構(gòu)后，對(duì)于溝槽和各層InP緩沖層的制作給予了具體的實(shí)現(xiàn)手段。在所述Si襯底為電阻率大于2000Ω·cm的N型高阻硅，其溝槽深度為400-500nm，通常溝槽的寬度會(huì)取200-300nm，則所述在溝槽中依次生長(zhǎng)第一InP緩沖層3和第二InP緩沖層4，如圖3所示，具體包括：

在步驟2021中，設(shè)置生長(zhǎng)溫度為450℃-550℃，生長(zhǎng)速率為0.2-0.4nm/s，完成第一InP緩沖層3生長(zhǎng)，使其厚度滿足100-300nm。

在步驟2022中，設(shè)置生長(zhǎng)溫度為550℃-650℃，生長(zhǎng)速率為1.0-1.5nm/s，完成第二InP緩沖層4生長(zhǎng)，使其厚度滿足300-400nm。

其中，第一緩沖層和第二緩沖層厚度總和超過(guò)溝槽深度，其效果圖如圖2所示。

首先在較低的溫度下(450C-550C之間)，在溝槽內(nèi)生長(zhǎng)第一InP緩沖層，第一InP緩沖層主要是形成成核層，另一方面也是釋放體系能量，減小Si襯底和InP外延層的界面自由能；然后在接著生長(zhǎng)第二InP緩沖層，采用MOCVD方法，在Si溝槽中，外延InP是沿著<311>和<111>晶族組成的晶面經(jīng)行生長(zhǎng)的，而Si/InP界面出的失配位錯(cuò)和反相疇一般是沿著外延層的生長(zhǎng)方向延伸的，這樣，當(dāng)這些失配位錯(cuò)和反相疇遇到Si壁時(shí)就受到阻擋，不能延伸到表面InP層，有效減小了InP外延層中的缺陷，同時(shí)，當(dāng)InP層生長(zhǎng)達(dá)到Si溝槽高度后就開(kāi)始側(cè)向生長(zhǎng)，直到兩側(cè)側(cè)向生長(zhǎng)合并成薄膜，這樣，生長(zhǎng)初期形成的穿透位錯(cuò)也會(huì)終止在第二InP緩沖層上。

結(jié)合上述具體實(shí)現(xiàn)方案，在所述Si襯底為電阻率大于2000Ω·cm的N型高阻硅，其溝槽深度為400-500nm，所述在第二InP緩沖層4上生長(zhǎng)第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層和第四InP頂層緩沖層，如圖4所示，具體包括：

在步驟2031中，第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層中InP厚度為10nm，InGaAsP厚度為8nm。

在步驟2032中，第四InP頂層緩沖層的厚度為400-600nm，采用SiH₄摻雜，摻雜濃度為1-5×10¹⁸cm^-3。

在第二InP緩沖層上生長(zhǎng)超晶格緩沖層，超晶格緩沖層主要是為了進(jìn)一步減少外延層與Si之間的失配位錯(cuò)，最后在第三超晶格緩沖層上生長(zhǎng)第四InP頂層緩沖層，第四InP頂層緩沖層主要是為了便于后面的拋光和清洗，其結(jié)構(gòu)效果圖如圖5所示。

結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例1，還提供了一種步驟204中完成激光器外延工藝在具體芯片類型為DFB激光器時(shí)的完成方法，所述完成激光器外延工藝，如圖6所示，具體包括：

在步驟2041中，在上限制層生長(zhǎng)光柵層。

在步驟2042中，采用全系曝光法制作光柵。

在步驟2043中，掩埋所述光柵，并在所述光柵層上生長(zhǎng)p型接觸層。

與上述步驟2021-2022，以及步驟2031-2032一起，可以實(shí)現(xiàn)大功率1310nm DFB激光器的制備。

綜合上述各具體操作步驟，進(jìn)一步的還可以與脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)組合，例如：刻蝕技術(shù)將激光器結(jié)構(gòu)刻蝕出脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，所述脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的脊柱由量子阱層和電極接觸層構(gòu)成。

通過(guò)激光器脊波導(dǎo)工藝，制作了大功率1310nm DFB芯片，激光器輸出功率在-40℃-85℃的溫度條件下，輸出功率大于20mW，并且SMSR在該溫度范圍內(nèi)大于35dB。

實(shí)施例2:

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種Si基大功率激光器，如圖7所示，包括：

Si基1上分布有周期性分布的溝槽2；

所述溝槽上生長(zhǎng)有InP緩沖層21；

在所述InP緩沖層21上生長(zhǎng)有量子阱層31和電極接觸層14。

目前有專利中采用在Si上沉積一層SiO₂做溝槽，相比于直接用Si材料做溝槽，一方面由于SiO₂是多晶材料，而Si是單晶材料，采用Si材料會(huì)減少失配位錯(cuò)，降低位錯(cuò)密度。另一方面，InP和SiO₂熱失配也更大：SiO₂：0.55×10^-6K^-1，InP:4.75×10^-6K^-1，而Si的熱膨脹系數(shù)為2.59×10^-6K^-1，相比SiO₂來(lái)說(shuō)，Si與InP的熱失配減少。再則，采用Si材料做溝槽，減少了一步SiO₂的沉積，簡(jiǎn)化了工藝步驟。

結(jié)合本實(shí)施例，在所述激光器為DFB激光器時(shí)，所述量子阱層31由下到上依次包括：下限制層9、多量子阱10、上限制層11，則在所述量子阱層31和電極接觸層14之間還包括：光柵層，所述光柵層的光柵周期根據(jù)所要制備的激光器波長(zhǎng)設(shè)定。

結(jié)合本實(shí)施例，存在一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方案，所述量子阱層31和電極接觸層14具體為脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，由所述量子阱層31和電極接觸層14在所述InP緩沖層21上形成一條或者多條脊柱。

結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，依照實(shí)施例1中方法所述制造工藝，相對(duì)應(yīng)的在本實(shí)施例中存在對(duì)應(yīng)的優(yōu)選實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)，具體的如圖7所示，所述InP緩沖層21具體包括：

第一InP緩沖層3、第二InP緩沖層4、第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層和第四InP頂層緩沖層；

其中，第一InP緩沖層3位于溝槽內(nèi)，所述第二InP緩沖層4生長(zhǎng)與所述第一InP緩沖層3之上，且覆蓋溝槽頂部。

其中，所述Si襯底為電阻率大于2000Ω·cm的N型高阻硅，其溝槽深度為400-500nm時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例中在制造所述第一InP緩沖層3的生長(zhǎng)溫度為450℃-550℃之間，生長(zhǎng)速率為0.2-0.4nm/s,生長(zhǎng)厚度為200-300nm；

第二InP緩沖層4的生長(zhǎng)溫度為550℃-650℃，生長(zhǎng)速率為1.0-1.5nm/s，生長(zhǎng)厚度為300-400nm；

第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層中InP厚度為10nm，InGaAsP厚度為8nm，包括15-20對(duì)超晶格；

第四InP頂層緩沖層厚度為400-600nm，采用SiH₄摻雜，摻雜濃度為1-5×18cm^-3。

在較低的溫度下(450C-550C之間)，在溝槽內(nèi)生長(zhǎng)第一InP緩沖層，第一InP緩沖層主要是形成成核層，另一方面也是釋放體系能量，減小Si襯底和InP外延層的界面自由能；然后在接著生長(zhǎng)第二InP緩沖層，采用MOCVD方法，在Si溝槽中，外延InP是沿著<311>和<111>晶族組成的晶面經(jīng)行生長(zhǎng)的，而Si/InP界面出的失配位錯(cuò)和反相疇一般是沿著外延層的生長(zhǎng)方向延伸的，這樣，當(dāng)這些失配位錯(cuò)和反相疇遇到Si壁時(shí)就受到阻擋，不能延伸到表面InP層，有效減小了InP外延層中的缺陷，同時(shí)，當(dāng)InP層生長(zhǎng)達(dá)到Si溝槽高度后就開(kāi)始側(cè)向生長(zhǎng)，直到兩側(cè)側(cè)向生長(zhǎng)合并成薄膜，這樣，生長(zhǎng)初期形成的穿透位錯(cuò)也會(huì)終止在第二InP緩沖層上。在第二InP緩沖層上生長(zhǎng)超晶格緩沖層，超晶格緩沖層主要是為了進(jìn)一步減少外延層與Si之間的失配位錯(cuò)，最后在第三超晶格緩沖層上生長(zhǎng)第四InP頂層緩沖層，第四InP頂層緩沖層主要是為了便于后面的拋光和清洗。

實(shí)施例3:

本實(shí)施例基于上述實(shí)施例1和實(shí)施例2基礎(chǔ)上，將就如何制備一大功率1310nm DFB激光器，結(jié)合具體的操作流程給予具體的闡述，如圖8所示，參考圖7所示結(jié)構(gòu)圖，包括以下執(zhí)行步驟：

在步驟301中，在一Si基襯底1上，采用全息曝光(電子束曝光)和RIE方法，沿著Si襯底的<110>方向刻蝕出溝槽2，其中Si基襯底1為電阻率大于2000歐姆·厘米的N型高阻<001>硅，溝槽2深度為400-500nm。

在步驟302中，采用piranha，SC₂，HF和去離子水清洗溝槽2。

在步驟303中，在Si溝槽2中采用MOCVD方法，低溫低速生長(zhǎng)第一InP緩沖層3和第二InP緩沖層4，其高度超過(guò)Si溝槽2的高度；第一InP緩沖層3的生長(zhǎng)溫度為450℃-550℃之間，生長(zhǎng)速率為0.2-0.4nm/s,生長(zhǎng)厚度為200-300nm，第二InP緩沖層的生長(zhǎng)溫度為550℃-650℃，生長(zhǎng)速率為1.0-1.5nm/s，生長(zhǎng)厚度為300-400nm。

在步驟304中，在第二InP緩沖層4上生長(zhǎng)第三InP/InGaAsP超晶格緩沖層5，超晶格中InP厚度為10nm，InGaAsP厚度為8nm，15-20對(duì)超晶格。

在步驟305中，在第三超晶格緩沖層5上生長(zhǎng)第四InP頂層緩沖層6，第四InP頂層緩沖層6的厚度為400-600nm，采用SiH₄摻雜，摻雜濃度為1-5×18cm^-3。

在步驟306中，采用機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光法，將第四InP頂層緩沖層6拋光，清洗。

在步驟307中，在拋光后的第四InP頂層緩沖層6上生長(zhǎng)第五InP緩沖層7，厚度為300-500nm。

在步驟308中，在第五InP緩沖層7上生長(zhǎng)Si摻雜的N-InP層8，厚度為1um，其摻雜濃度為5×18cm^-3。

在步驟309中，在N-InP層8上依次生長(zhǎng)下限制層9、多量子阱10，上限制層11和光柵層12，然后制作光柵，在光柵層上掩埋生長(zhǎng)InP層13和p型接觸層14。

在步驟310中，采用脊波導(dǎo)工藝，通過(guò)光刻，刻蝕技術(shù)將激光器結(jié)構(gòu)刻蝕出脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，脊寬1.8-2.2um。

在步驟311中，采用PECVD，在激光器表面生長(zhǎng)一層SiO₂絕緣層；采用RIE方法，除去脊上的SiO₂絕緣層，在脊上開(kāi)窗口。

在步驟312中，制作P電極和N電極，退火完成激光器芯片。

本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種新型的Si基大功率1310nm DFB激光器的制備方法，采用圖形溝槽襯底、高深寬比限制技術(shù)和低溫低壓生長(zhǎng)多層緩沖層結(jié)構(gòu)，有效的解決了Si/InP的晶格失配位錯(cuò)的產(chǎn)生和反相疇在垂直方向上向外延層的延伸，從而得到高質(zhì)量的InP外延層和激光器結(jié)構(gòu)；通過(guò)激光器脊波導(dǎo)工藝，制作了大功率1310nm DFB芯片，激光器輸出功率在-40℃-85℃的溫度條件下，輸出功率大于20mW，并且SMSR在該溫度范圍內(nèi)大于35dB。

值得說(shuō)明的是，上述裝置和系統(tǒng)內(nèi)的模塊、單元之間的信息交互、執(zhí)行過(guò)程等內(nèi)容，由于與本發(fā)明的處理方法實(shí)施例基于同一構(gòu)思，具體內(nèi)容可參見(jiàn)本發(fā)明方法實(shí)施例中的敘述，此處不再贅述。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，該程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括：只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。