本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體激光芯片及其制造方法、半導(dǎo)體激光裝置。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體激光裝置是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件，具有體積小、重量輕、驅(qū)動(dòng)功率和電流低、效率高、工作壽命長(zhǎng)且易于與各種光電子器件實(shí)現(xiàn)光電子集成等優(yōu)點(diǎn)，因而獲得了廣泛的應(yīng)用。其中，半導(dǎo)體激光芯片(半導(dǎo)體激光器)是半導(dǎo)體激光裝置的重要部件，半導(dǎo)體激光裝置一般包括半導(dǎo)體激光芯片驅(qū)動(dòng)電路、溫控、光控電路和熱沉等，半導(dǎo)體激光芯片位于熱沉上。

現(xiàn)有的半導(dǎo)體激光芯片一般包括襯底、光限制層、有源層、包層、接觸層，鈍化層以及電極等，其中，與有源層對(duì)應(yīng)的位置用于發(fā)光。通常情況下，半導(dǎo)體激光芯片的兩端均可出射光線，但為了提高輸出功率，僅需要半導(dǎo)體激光芯片一端用于出光，用于出射光線的端面為出光面，與出光面相對(duì)的端面需要對(duì)光線實(shí)現(xiàn)反射，減少出光，該端面為背光面。為了增加輸出功率輸出效果，并且防止端面氧化，通常需要在半導(dǎo)體激光芯片兩端面鍍膜，其中，出光面鍍低反射膜(AR)，提高透光率，減小對(duì)出射光線的削弱，而后端面則鍍高反射膜(HR)，減少漏光，以提高輸出功率。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了實(shí)現(xiàn)鍍膜，通常需要將形成有多個(gè)半導(dǎo)體激光芯片的晶圓進(jìn)行解理，拆分成含有多個(gè)半導(dǎo)體激光芯片的巴條，再將各個(gè)巴條進(jìn)行排列和固定，隨后利用鍍膜機(jī)對(duì)半導(dǎo)體激光芯片的兩端分別鍍高反射膜和低反射膜。但此過程中需要使用夾具，并需要反轉(zhuǎn)巴條端面位置，且需要人工操作才能實(shí)現(xiàn)，生產(chǎn)效率較低，且容易造成半導(dǎo)體激光芯片破損。同時(shí)，在現(xiàn)有技術(shù)中，還可以在解理前，在晶圓上與半導(dǎo)體激光芯片的出光面和背光面對(duì)應(yīng)的位置分別形成凹槽，對(duì)晶圓分別進(jìn)行兩次鍍膜，最終使出光面上形成低反射膜，使背光面形成高反射膜。但此種方式中，為了避免在出光面或背光面形成兩層不同的膜，需要進(jìn)行鍍膜、光刻、腐蝕、再鍍膜等過程，工藝復(fù)雜，效率較低，且膜厚較高，導(dǎo)致光面和背光面的表面處理較難，并使應(yīng)力增加，不利于提高產(chǎn)品質(zhì)量。因此，如何提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量是亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的半導(dǎo)體激光芯片及其制造方法、半導(dǎo)體激光裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種半導(dǎo)體激光芯片，包括芯片單元和形成于所述芯片單元上的電極，所述芯片單元包括有源層，所述芯片單元一端形成有凹槽，所述凹槽的側(cè)壁上形成有第一膜層，所述芯片單元上與所述凹槽的側(cè)壁相對(duì)的表面上形成有第二膜層，且所述第一膜層和所述第二膜層的反射率不同。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種半導(dǎo)體激光裝置，包括熱沉，還包括上述半導(dǎo)體激光芯片，所述半導(dǎo)體激光芯片設(shè)于所述熱沉上。

根據(jù)本發(fā)明的再一方面，一種半導(dǎo)體激光芯片的制造方法，包括以下步驟：

提供一基體，所述基體包括形成于其內(nèi)部的有源層；

在所述基體上形成多個(gè)凹槽，所述凹槽將所述有源層隔斷；

在所述基體上形成有所述凹槽的表面上形成第一膜層，且所述第一膜層覆蓋所述凹槽的側(cè)壁；

在所述第一膜層上形成多個(gè)電極，且任一所述凹槽的兩側(cè)均形成有所述電極；

分別沿多個(gè)所述凹槽的長(zhǎng)度方向?qū)λ龌w進(jìn)行解理，并按照預(yù)定尺寸將所述基體解理成包括多個(gè)芯片單元的巴條；

在各個(gè)所述巴條上與所述凹槽的側(cè)壁相對(duì)的表面上形成第二膜層，且所述第一膜層和所述第二膜層的反射率不同；

對(duì)各個(gè)所述巴條進(jìn)行解理，形成多個(gè)芯片單元。

由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明具備以下優(yōu)點(diǎn)和積極效果中的至少之一：

由于在所述基體被解理成多個(gè)所述芯片單元之前就已經(jīng)在所述凹槽的側(cè)壁形成了所述第一膜層，從而可同時(shí)為多個(gè)所述芯片單元形成第一膜層。在此過程中，避免了使用其他輔助裝置，減少了人工安裝、調(diào)節(jié)和固定的操作，有利于提高生產(chǎn)效率，并有利于防止半導(dǎo)體激光芯片在安裝、調(diào)節(jié)等過程中出現(xiàn)破損，有利于提高產(chǎn)品質(zhì)量。同時(shí)，在形成所述電極后，將所述基體解理成包括多個(gè)所述芯片單元的巴條，然后在與所述凹槽的側(cè)壁相對(duì)的表面形成第二膜層，而不用在所述基體上形成多層膜，有利于減小膜厚和應(yīng)力，工藝簡(jiǎn)單，有利于提高效率和產(chǎn)品質(zhì)量，對(duì)所述巴條解理后可形成多個(gè)芯片單元。此外，所述第一膜層覆蓋所述基體形成有所述凹槽的表面上，同時(shí)可作為表面鈍化層，起到保護(hù)表面的作用。另，所述第一膜層和所述第二膜層的反射率不同，因而二者間反射率較高所在的表面可為背光面，反射率較低的所在的表面即為出光面，提高輸出功率，由此，可提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施方式，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。

圖1是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第一種實(shí)施方式的流程圖；

圖2-圖6是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第一種實(shí)施方式中與步驟S1至步驟S5對(duì)應(yīng)的剖面圖；

圖7是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的第一種實(shí)施方式的剖面圖；

圖8是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第二種實(shí)施方式的流程圖；

圖9-圖13是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第二種實(shí)施方式中與驟S1a至步驟S5a對(duì)應(yīng)的剖面圖；

圖14是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的第二種實(shí)施方式的剖面圖。

圖中：1-基體；101-凹槽；11-芯片單元；2-有源層；3-第一膜層；4-電極；5-第二膜層；

1a-基體；101a-凹槽；11a-芯片單元；2a-有源層；3a-第一膜層；4a-電極；5a-第二膜層。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它們的詳細(xì)描述。

所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中，如有可能，各實(shí)施例中所討論的特征是可互換的。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本發(fā)明的技術(shù)方案而沒有所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組件、材料等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本發(fā)明的各方面。

雖然本說明書中使用相對(duì)性的用語，例如“上”“下”來描述圖標(biāo)的一個(gè)組件對(duì)于另一組件的相對(duì)關(guān)系，但是這些術(shù)語用于本說明書中僅出于方便，例如根據(jù)附圖中所述的示例的方向。能理解的是，如果將圖標(biāo)的裝置翻轉(zhuǎn)使其上下顛倒，則所敘述在“上”的組件將會(huì)成為在“下”的組件。其他相對(duì)性的用語，例如“高”“低”“頂”“底”“前”“后”“左”“右”等也作具有類似含義。當(dāng)某結(jié)構(gòu)在其它結(jié)構(gòu)“上”時(shí)，有可能是指某結(jié)構(gòu)一體形成于其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)“直接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)通過另一結(jié)構(gòu)“間接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上。

用語“一”、“該”、“所述”和“至少一個(gè)”用以表示存在一個(gè)或多個(gè)要素/組成部分/等；用語“包括”和“具有”用以表示開放式的包括在內(nèi)的意思并且是指除了列出的要素/組成部分/等之外還可存在另外的要素/組成部分/等；用語“第一”、“第二”等僅作為標(biāo)記使用，不是對(duì)其對(duì)象的數(shù)量限制。

本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的第一種實(shí)施方式：

如圖7所示，如圖7是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的第一種實(shí)施方式的剖視圖。本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體激光芯片，包括芯片單元11和形成于芯片單元11上的電極4，芯片單元11包括有源層2，芯片單元11一端形成有凹槽101，凹槽101的側(cè)壁上形成有第一膜層3，芯片單元11上與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)的表面上形成有第二膜層5，即第二膜層5形成于芯片單元11上與凹槽101相對(duì)一端的端面上，第一膜層3可采用反射率小于1％的低反射膜，有利于提高光線的透過率，第二膜層5可采用反射率大于90％的高反射膜，以提高輸出功率，減小漏光。

本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體激光芯片，可在基體被解理成多個(gè)芯片單元11之前就在凹槽101的側(cè)壁形成第一膜層3，從而可同時(shí)為多個(gè)芯片單元11形成第一膜層3。在此過程中，避免了使用其他輔助裝置，減少了人工安裝、調(diào)節(jié)和固定的操作，有利于提高生產(chǎn)效率，并有利于防止半導(dǎo)體激光芯片在安裝、調(diào)節(jié)等過程中出現(xiàn)破損，有利于提高產(chǎn)品質(zhì)量。同時(shí)，在形成電極4后，將基體解理成含有多個(gè)芯片單元11的巴條，然后可在芯片單元11上與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)的表面形成第二膜層5，而不用在基體上形成多層膜，有利于減小膜厚和應(yīng)力，工藝簡(jiǎn)單，有利于提高效率和產(chǎn)品質(zhì)量，對(duì)所述巴條解理后可形成多個(gè)芯片單元11。此外，第一膜層3覆蓋基體形成有凹槽101的表面上，可起到保護(hù)的作用。

在本實(shí)施方式中，芯片單元11上與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)的表面為基體解理成多個(gè)巴條后形成的斷面，且凹槽101的側(cè)壁以及芯片單元11上與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)的表面為相互平行的平面，平面結(jié)構(gòu)便于形成膜層，有利于降低工藝難度，便于制造。

在本實(shí)施方式中，第一膜層3也可采用反射率大于1％的低反射膜，第二膜層5也可采用反射率小于90％的高反射膜，只要保證第一膜層3的反射率小于第二膜層5的反射率即可。

在本實(shí)施方式中，第一膜層3可為單層Si₃N₄結(jié)構(gòu)或者多層Si3N4/SiO2結(jié)構(gòu)；第二膜層5可為SiO2、TiO2、Ti2O3、Al2O3等材料任選組合的多層結(jié)構(gòu)，但不以此為限。

在本實(shí)施方式中，第一膜層3同時(shí)覆蓋凹槽101的側(cè)壁和芯片單元11上形成有凹槽101的表面，電極4形成于第一膜層3上，第一膜層3可作為鈍化層，除了保護(hù)凹槽101側(cè)壁，還可保護(hù)芯片單元11的表面。

在本實(shí)施方式中，凹槽101底面可低于有源層2，使凹槽101底面低于有源層2，便于避免光線照射至凹槽101的底面，從而降低凹槽101底面對(duì)出射光線的反射作用，有利于提高出光效果。

在本實(shí)施方式中，凹槽101的兩側(cè)壁均垂直于凹槽101的底面，提高端面反射。

在本實(shí)施方式中，凹槽101的側(cè)壁大于有源層2的可發(fā)光的區(qū)域，保證光線從凹槽101的側(cè)壁出射。

在本實(shí)施方式中，凹槽101深度可大于10μm。

本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的第二種實(shí)施方式：

如圖14所示，圖14是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的第二種實(shí)施方式的剖視圖。本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體激光芯片，包括芯片單元11a和形成于芯片單元11a上的電極4a，芯片單元11a包括有源層2a，芯片單元11a一端形成有凹槽101a，凹槽101a的側(cè)壁上形成有第一膜層3a，芯片單元11a上與凹槽101a的側(cè)壁相對(duì)的表面上形成有第二膜層5a，第一膜層3a可采用反射率大于90％的高反射膜，第二膜層5a可采用反射率小于1％的低反射膜。

所述半導(dǎo)體激光芯片的第二種實(shí)施方式的有益效果可參考半導(dǎo)體激光芯片的第一種實(shí)施方式的有益效果，在此不再贅述。

在本實(shí)施方式中，芯片單元11a上與凹槽101a的側(cè)壁相對(duì)的表面為基體解理成多個(gè)巴條后形成的斷面，且凹槽101a的側(cè)壁以及芯片單元11a上與凹槽101a的側(cè)壁相對(duì)的表面為相互平行的平面，平面結(jié)構(gòu)便于形成膜層，有利于降低工藝難度，便于制造。

在本實(shí)施方式中，第一膜層3a也可采用反射率小于90％的高反射膜，第二膜層5a也可采用反射率大于1％的低反射膜，以達(dá)到提高激光器性能的目的需求。但需要保證第一膜層3a的反射率大于第二膜層5a的反射率。

在本實(shí)施方式中，第二膜層5a可為SiO2、TiO2、Ti2O3、Al2O3等材料任選組合的多層的結(jié)構(gòu)；第一膜層3a可為SiO2、TiO2、Ti2O3、Al2O3以及SiO₂/Si3N₄等材料任選組合的多層結(jié)構(gòu)，但不以此為限。

在本實(shí)施方式中，第一膜層3a同時(shí)覆蓋凹槽101a的側(cè)壁和芯片單元11a上形成有凹槽101a的表面，電極4a形成于第一膜層3a上，第一膜層3a可作為鈍化層，除了保護(hù)凹槽101a側(cè)壁，還可保護(hù)芯片單元11a的表面。

在本實(shí)施方式中，凹槽101a底面可低于有源層2a，使凹槽101a底面低于有源層2a，便于避免光線照射至凹槽101a的底面，從而降低凹槽101a底面對(duì)出射光線的反射作用。

在本實(shí)施方式中，凹槽101a的兩側(cè)壁均垂直于凹槽101a的底面。

在本實(shí)施方式中，凹槽101a的側(cè)壁大于有源層2a的可發(fā)光的區(qū)域。

在本實(shí)施方式中，凹槽101a深度可大于10μm。

本發(fā)明的各實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體激光芯片的其它構(gòu)成以為公知技術(shù)，在此不再贅述。

本發(fā)明半導(dǎo)體激光裝置的一種實(shí)施方式：

本實(shí)施方式所述半導(dǎo)體激光裝置，包括熱沉(圖中未示出)和上述任一實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體激光芯片，所述半導(dǎo)體激光芯片設(shè)于所述熱沉上。由于本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體激光裝置采用的半導(dǎo)體激光芯片可為上述任一實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體激光芯片，因此二者能夠解決相同的技術(shù)問題，并達(dá)到相同的預(yù)期效果。

本實(shí)施方式中的所述半導(dǎo)體激光裝置的其它構(gòu)成以為公知技術(shù)，在此不再贅述。

本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第一種實(shí)施方式：

如圖1所示，圖1是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第一種實(shí)施方式的流程圖。本實(shí)施方式所述半導(dǎo)體激光芯片的制造方法，包括以下步驟：

S1、提供一基體1，基體1包括形成于其內(nèi)部的有源層2，且基體1可用于形成多個(gè)半導(dǎo)體激光芯片，如圖2所示；

S2、在基體1上形成多個(gè)凹槽101，凹槽101將有源層2隔斷，也就是說，有源層2的端部與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)，使得光線可從凹槽101的側(cè)壁出射，如圖3所示；

S3、在基體1上形成有凹槽101的表面上形成第一膜層3，使第一膜層3覆蓋基體1，且第一膜層3覆蓋凹槽101的側(cè)壁，如圖4所示；

S4、在第一膜層3上形成多個(gè)半導(dǎo)體激光芯片所需的電極4，且任一凹槽101的兩側(cè)壁均形成有電極4，即電極4不覆蓋凹槽101，如圖5所示；

S5、分別沿多個(gè)凹槽101的長(zhǎng)度方向?qū)w1進(jìn)行解理，并按照預(yù)定尺寸將基體1解理成包括多個(gè)芯片單元11的巴條，解理后，凹槽101被截?cái)?，如圖6所示；

S6、在各個(gè)巴條上與凹槽101的側(cè)壁的相對(duì)的表面上形成第二膜層5，且第一膜層3可采用反射率小于1％的低反射膜，第二膜層可采用反射率大于90％的高反射膜，以提高輸出功率，減小漏光，凹槽101的側(cè)壁作為出光面，芯片單元11上與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)的表面則為背光面；

S7、對(duì)各個(gè)所述巴條進(jìn)行解理，形成多個(gè)芯片單元11，如圖7所示。

需要說明的是：基體1還可包括襯底、波導(dǎo)等，因此，制造基體1的方法包括形成波導(dǎo)的步驟，但由于制造基體1的方法已為公知技術(shù)，在此不再贅述。

本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體激光芯片制造方法，由于在基體1被解理成多個(gè)芯片單元11之前就已經(jīng)在凹槽101的側(cè)壁形成了第一膜層3，從而可同時(shí)為多個(gè)芯片單元11形成第一膜層3。在此過程中，避免了使用其他輔助裝置，減少了人工安裝、調(diào)節(jié)和固定的操作，有利于提高生產(chǎn)效率，并有利于防止半導(dǎo)體激光芯片在安裝、調(diào)節(jié)等過程中出現(xiàn)破損，有利于提高產(chǎn)品質(zhì)量。同時(shí)，在形成電極4后，將基體1解理成含有多個(gè)芯片單元11的巴條，然后在與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)的表面形成第二膜層5，而不用在基體1上形成多層膜，有利于減小膜厚和應(yīng)力，工藝簡(jiǎn)單，有利于提高效率和產(chǎn)品質(zhì)量，對(duì)所述巴條解理后可形成多個(gè)芯片單元11。此外，第一膜層3覆蓋基體形成有凹槽101的表面上，可起到保護(hù)的作用。由此，可提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

在本實(shí)施方式中，第一膜層3也可采用反射率大于1％的低反射膜，第二膜層5也可采用反射率小于90％的高反射膜，第一膜層3的反射率小于第二膜層5的反射率即可，以滿足半導(dǎo)體激光芯片的功率要求。但為了滿足激光器縱模特性要求，以及提高輸出功率，第一膜層3可優(yōu)選采用反射率小于1％的低反射膜，第二膜層5可優(yōu)選采用反射率大于90％的高反射膜。

在本實(shí)施方式中，第一膜層3可為單層Si₃N₄結(jié)構(gòu)或者多層SiO₂/Si3N₄結(jié)構(gòu)，或者SiO2、TiO2、Ti2O3和Al2O3等材料任選組合的多層結(jié)構(gòu)，只要反射率達(dá)到設(shè)計(jì)要求；第二膜層5可為SiO2、TiO2、Ti2O3和Al2O3等材料任選組合的多層結(jié)構(gòu)，只要反射率達(dá)到設(shè)計(jì)要求，但不以此為限。

在本實(shí)施方式中，光線從有源層2相應(yīng)的位置射出時(shí)具有一定的發(fā)散角，為了降低凹槽101底面出射光線的反射造成的影響，可使凹槽101底面低于有源層2，便于避免光線照射至凹槽101的底面，從而降低凹槽101底面對(duì)出射光線的反射作用，有利于提高出光效果。

在本實(shí)施方式中，可采用濕法刻蝕或干法刻蝕等工藝在基體1上形成多個(gè)凹槽101，但由于凹槽101的側(cè)壁需要作為出光面，因此，需要保持平整。而用干法刻蝕工藝的能實(shí)現(xiàn)各向同性刻蝕，有利于保證凹槽101表面平整，因此，步驟S1可包括：利用干法刻蝕工藝在基體1表面形成凹槽101，具體可采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝，但不以此為限。

在本實(shí)施方式中，所述在基體1上形成有凹槽101的表面上形成第一膜層3，即步驟S2包括：利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，或者鍍膜機(jī)在基體1表面形成第一膜層3，具體可采用電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)，但不限于此。

在本實(shí)施方式中，所述在各個(gè)所述巴條上與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)的表面形成第二膜層5，即步驟S6包括：

將多個(gè)所述巴條層疊設(shè)置并使各個(gè)巴條上與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)的表面對(duì)齊；

利用鍍膜機(jī)在所述巴條上與凹槽101的側(cè)壁相對(duì)的表面上鍍第二膜層5，可一次為多個(gè)芯片單元11鍍膜，有利于提高生產(chǎn)效率。

本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第二種實(shí)施方式：

如圖8所示，圖8是本發(fā)明半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第二種實(shí)施方式的流程圖。本實(shí)施方式所述半導(dǎo)體激光芯片的制造方法包括以下步驟：

S1a、提供一基體1a，基體1a包括形成于其內(nèi)部的有源層2a，基體1a還可包括襯底、限制層和波導(dǎo)層等，且基體1a可用于形成多個(gè)半導(dǎo)體激光芯片，如圖9所示；

S2a、在基體1a上形成多個(gè)凹槽101a，凹槽101a將有源層2a隔斷，如圖10所示；

S3a、在基體1a上形成有凹槽101a的表面上形成第一膜層3a，使第一膜層3a覆蓋基體1a，且第一膜層3a覆蓋凹槽101a的側(cè)壁，如圖11所示；

S4a、在第一膜層3a上形成多個(gè)半導(dǎo)體激光芯片所需的電極4a，且任一凹槽101a的兩側(cè)壁均形成有電極4a，即電極4a不覆蓋凹槽101a，如圖12所示；

S5a、分別沿多個(gè)凹槽101a的長(zhǎng)度方向?qū)w1a進(jìn)行解理，并按照預(yù)定尺寸將基體1a解理成多個(gè)包括多個(gè)芯片單元11a的巴條，解理后，凹槽101a被截?cái)啵鐖D13所示；

S6a、在各個(gè)所述巴條上與凹槽101a的側(cè)壁的相對(duì)的表面上形成第二膜層5a，且第一膜層3a可采用反射率大于90％的高反射膜，第二膜層5a可采用反射率小于1％的低反射膜，所述巴條上與凹槽101a的側(cè)壁相對(duì)的表面可作為出光面，凹槽101a的側(cè)壁可為背光面。

S7a、對(duì)各個(gè)所述巴條進(jìn)行解理，形成多個(gè)芯片單元11a，如圖14所示。

所述半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第二種實(shí)施方式的有益效果可參考半導(dǎo)體激光芯片的制造方法的第一種實(shí)施方式的有益效果，在此不再贅述。

在本實(shí)施方式中，第一膜層3a也可采用反射率小于90％的高反射膜，第二膜層5a也可采用反射率大于1％的低反射膜，以滿足激光器功率和其他性能要求。

在本實(shí)施方式中，第一膜層3a可為多層SiO₂/Si3N₄結(jié)構(gòu)，以及Al2O3、TiO2、Ti2O3和SiO₂等材料任選組成的多層結(jié)構(gòu)，第二膜層5a可為Al2O3、TiO2、Ti2O3和SiO₂等材料中任選組成，只要反射率達(dá)到設(shè)計(jì)要求，但不以此為限。

在本實(shí)施方式中，步驟S1a可包括：利用干法刻蝕工藝在基體1a表面形成凹槽101a，有利于保證凹槽101a表面平整，具體可采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝，但不以此為限。

在本實(shí)施方式中，所述在基體1a表面形成第一膜層3a，即步驟S2a包括：利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或鍍膜機(jī)在基體1a表面形成所述第一膜層3a，具體可采用電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)，但不限于此。

在本實(shí)施方式中，所述在基體1a表面形成第一膜層3a，即步驟S2a包括：利用鍍膜機(jī)在基體1a表面形成第一膜層3a。在本實(shí)施方式中，步驟S6a包括：將多個(gè)所述巴條層疊設(shè)置并使各個(gè)所述巴條上與凹槽101a的側(cè)壁相對(duì)的表面對(duì)齊，利用鍍膜機(jī)在所述巴條上與凹槽101a的側(cè)壁相對(duì)的表面上鍍第二膜層5a，從而可一次為多個(gè)芯片單元11a鍍膜。

本發(fā)明的各實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體激光芯片及其制造方法、半導(dǎo)體激光裝置，由于在基體被解理成多個(gè)芯片單元之前就已經(jīng)在凹槽的側(cè)壁形成了第一膜層，從而可同時(shí)為多個(gè)芯片單元形成第一膜層。在此過程中，避免了使用其他輔助裝置，減少了人工安裝、調(diào)節(jié)和固定的操作，有利于提高生產(chǎn)效率，并有利于防止半導(dǎo)體激光芯片在安裝、調(diào)節(jié)等過程中出現(xiàn)破損，有利于提高產(chǎn)品質(zhì)量。同時(shí)，在形成電極后，將基體解理成含有多個(gè)芯片單元的巴條，然后在與凹槽的側(cè)壁相對(duì)的表面形成第二膜層，而不用在基體上形成多層膜，有利于減小膜厚和應(yīng)力，工藝簡(jiǎn)單，有利于提高效率和產(chǎn)品質(zhì)量，對(duì)所述巴條解理后可形成多個(gè)芯片單元。此外，第一膜層覆蓋基體形成有凹槽的表面上，可起到保護(hù)的作用。另，第一膜層和第二膜層的反射率不同，因而二者間反射率較高所在的表面即為背光面，反射率較低的所在的表面即為出光面，提高輸出功率，由此，可提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

應(yīng)可理解的是，本發(fā)明不將其應(yīng)用限制到本說明書提出的部件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和布置方式。本發(fā)明能夠具有其他實(shí)施方式，并且能夠以多種方式實(shí)現(xiàn)并且執(zhí)行。前述變形形式和修改形式落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。應(yīng)可理解的是，本說明書公開和限定的本發(fā)明延伸到文中和/或附圖中提到或明顯的兩個(gè)或兩個(gè)以上單獨(dú)特征的所有可替代組合。所有這些不同的組合構(gòu)成本發(fā)明的多個(gè)可替代方面。本說明書所述的實(shí)施方式說明了已知用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳方式，并且將使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠利用本發(fā)明。