1.一種具有寬譜廣角特性的錯(cuò)位膜層減反結(jié)構(gòu)，其特征在于：由半導(dǎo)體基底(1)和覆蓋其上的錯(cuò)位膜層組成，所述半導(dǎo)體基底(1)上表面具有凸出的納米柱結(jié)構(gòu)，所述納米柱結(jié)構(gòu)的頂部高于所述半導(dǎo)體基底(1)表面，形成錯(cuò)位高度差；所述錯(cuò)位膜層沿所述半導(dǎo)體基底(1)表面和所述納米柱結(jié)構(gòu)頂部鋪設(shè)覆蓋至少一層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有寬譜廣角特性的錯(cuò)位膜層減反結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述錯(cuò)位膜層依次由第一錯(cuò)位膜層(2)和第二錯(cuò)位膜層(3)組成，所述第一錯(cuò)位膜層(2)覆蓋在所述半導(dǎo)體基底(1)上方，所述第二錯(cuò)位膜層(3)覆蓋在第一錯(cuò)位膜層(2)上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有寬譜廣角特性的錯(cuò)位膜層減反結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述錯(cuò)位膜層的同一層的厚度均勻、材料相同；所述錯(cuò)位膜層相鄰之間各層的材料不同，位于上層的所述錯(cuò)位膜層的折射率小于位于下層的所述錯(cuò)位膜層的折射率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有寬譜廣角特性的錯(cuò)位膜層減反結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述錯(cuò)位膜層可根據(jù)材料折射率不同而設(shè)置不同的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有寬譜廣角特性的錯(cuò)位膜層減反結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體基底(1)及其所具有的納米柱結(jié)構(gòu)的材料相同，均由硅材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有寬譜廣角特性的錯(cuò)位膜層減反結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的半導(dǎo)體基底(1)所具有的納米柱結(jié)構(gòu)具有一定排列方式，可以是六方陣列排列，周期陣列排列或者隨機(jī)排列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有寬譜廣角特性的錯(cuò)位膜層減反結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述納米柱結(jié)構(gòu)中的納米柱間距為300～600nm，納米柱直徑與間距的比值為0.5～0.7，納米柱高度與間距的比值為0.5～0.8。