技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種具有寬譜廣角特性的錯位膜層減反結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體基底、第一錯位膜層和第二錯位膜層，所述半導(dǎo)體基底為具有納米柱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基底，所述第一錯位膜層為覆蓋在半導(dǎo)體基底上方的膜層，所述第二錯位膜層為覆蓋在第一錯位膜層上方的膜層。所述錯位膜層指的是由于半導(dǎo)體基底納米柱結(jié)構(gòu)頂部與基底表面具有高度差而形成錯位的、具有相同材料、相同厚度、垂直覆蓋在其它同種材料上方的膜層。該結(jié)構(gòu)在廣角度及寬光譜入射下具有很好的減反射效果，且結(jié)構(gòu)簡單，易于加工。

技術(shù)研發(fā)人員：宣益民;鄭立凱
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京航空航天大學(xué)
文檔號碼：201610793539
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.30
技術(shù)公布日：2017.02.15