本發(fā)明屬于超導(dǎo)磁體應(yīng)用領(lǐng)域，特別涉及一種基于ReBCO螺旋涂層導(dǎo)體片的傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體及制備。

背景技術(shù)：

近幾十年來，超導(dǎo)磁體技術(shù)發(fā)展迅速，在醫(yī)療器械、能源、工業(yè)、交通運(yùn)輸、電力工業(yè)和國防等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。超導(dǎo)磁體的經(jīng)濟(jì)性和運(yùn)行特性都勝過常規(guī)磁體，并且在有些情況下，必須使用超導(dǎo)磁體。超導(dǎo)磁體的電流密度比常規(guī)磁體高，體積也更緊湊；可以在一定空間達(dá)到很高的磁場梯度；能提供常規(guī)磁體所無法達(dá)到的磁場穩(wěn)定性。隨著高溫超導(dǎo)生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展，具有高電流密度的ReBCO(稀土系鋇銅氧，Re為Y、Sm或Nd)涂層導(dǎo)體的制備技術(shù)得到提高，這進(jìn)一步促進(jìn)了超導(dǎo)磁體的發(fā)展。因此，超導(dǎo)磁體在一些領(lǐng)域取代了或正在取代常規(guī)磁體，并且還開辟了常規(guī)磁體無法實(shí)現(xiàn)的新領(lǐng)域。

超導(dǎo)磁體的運(yùn)行需要穩(wěn)定的低溫環(huán)境來克服系統(tǒng)運(yùn)行產(chǎn)生的熱量。目前，超導(dǎo)磁體運(yùn)行的低溫環(huán)境主要有三種方式，分別是低溫液體浸泡冷卻、再冷凝式冷卻和制冷機(jī)傳導(dǎo)冷卻。其中，液體浸泡冷卻主要用液氦(4.2K)或液氮(77K)作為浸泡介質(zhì)，但這種方式需要專業(yè)的運(yùn)輸和充罐操作，增加了系統(tǒng)應(yīng)用的復(fù)雜性，并且受到國際氦資源限產(chǎn)等因素的影響，液氦價格持續(xù)上漲，使系統(tǒng)應(yīng)用成本增加。為了消除上述障礙，早在1983年Hoenig就提出了不用液氦，而用制冷機(jī)直接冷卻超導(dǎo)磁體的設(shè)想。隨著小型制冷機(jī)技術(shù)的突破和高溫超導(dǎo)電流引線的出現(xiàn)，近十來年傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體技術(shù)得到了快速發(fā)展。制冷機(jī)傳導(dǎo)冷卻系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單、操作方便、體積??；方向可調(diào)整，適應(yīng)性強(qiáng)；無需液體運(yùn)輸及灌注操作，且運(yùn)行成本低。目前在很多應(yīng)用領(lǐng)域，傳導(dǎo)冷卻磁體已經(jīng)或正在取代浸泡冷卻磁體。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種基于ReBCO螺旋涂層導(dǎo)體片的傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體及制備，具體技術(shù)方案為：

一種基于ReBCO螺旋涂層導(dǎo)體片的傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體，其主體結(jié)構(gòu)由超導(dǎo)片和導(dǎo)冷片交替疊加而成，每兩片超導(dǎo)片之間為一片導(dǎo)冷片；還包括電流引線和固定裝置；所述固定裝置包括法蘭盤、拉桿和固定孔；通過法蘭盤1、四個拉桿41和相應(yīng)的四個固定孔42對上述超導(dǎo)片、導(dǎo)冷片進(jìn)行固定；所述固定孔42位于法蘭盤1上；導(dǎo)冷片的連接頭5為L型結(jié)構(gòu)，連接頭5末端的定位孔4處于同一水平線，連接頭5與制冷機(jī)的冷卻板連接；從而實(shí)現(xiàn)磁體的冷卻。

所述超導(dǎo)片為圓環(huán)片結(jié)構(gòu)，內(nèi)半徑為r₁，外半徑為r₂，由下至上依次為襯底、緩沖層、ReBCO薄膜和保護(hù)層，其中，緩沖層、ReBCO薄膜和保護(hù)層形成超導(dǎo)面；在內(nèi)半徑和外半徑之間，以超導(dǎo)片圓心為中心點(diǎn)，以r₁為底面半徑，以r₂為頂面半徑，超導(dǎo)面經(jīng)激光切割出圈數(shù)為N的螺旋型凹槽，襯底結(jié)構(gòu)不經(jīng)過切割；螺旋型凹槽的寬度為n mm。所述超導(dǎo)片還具有內(nèi)端部13和外端部12。

r₁和r₂的取值范圍均為幾十毫米到幾百毫米，且r₁＜r₂。N的取值為幾圈到數(shù)十圈，n為幾毫米。

導(dǎo)冷片宜采用熱導(dǎo)率高的材料，在熱導(dǎo)率高的同時，電阻率高的材料最為理想，可采用銅、鋁等材料。本設(shè)計采用銅作為傳導(dǎo)冷卻材料，在其圓環(huán)上下表面涂絕緣漆，如聚酰亞胺，作為冷卻片的絕緣層，兼顧冷卻和絕緣。(導(dǎo)冷片的r₁到r₂上下區(qū)域涂絕緣漆，縫隙6處涂絕緣漆；導(dǎo)冷片內(nèi)開口21和連接頭5均不涂絕緣漆。)

導(dǎo)冷片為圓環(huán)片狀結(jié)構(gòu)，內(nèi)外半徑與均超導(dǎo)片相同，在外半徑邊緣帶有矩形的連接頭5，在連接頭5的一端有四個定位孔4；包括導(dǎo)冷片Ⅰ、導(dǎo)冷片Ⅱ。每片導(dǎo)冷片的連接頭5的寬度相同，長度不同，下層導(dǎo)冷片比上層導(dǎo)冷片稍長，以保證連接頭末端的定位孔4處于同一水平線。此外，為了防止環(huán)流，在導(dǎo)冷片的表面沿徑向切割一條幾毫米寬的縫隙6。

導(dǎo)冷片Ⅰ在半徑r₁邊緣開角度為K度的扇形缺口，扇形的弧長和內(nèi)端部13的弧長相同，稱為導(dǎo)冷片內(nèi)開口21，徑向深度與超導(dǎo)片內(nèi)端部13的寬度相同；導(dǎo)冷片Ⅱ在半徑r₂邊緣開角度為K度的扇形缺口，扇形的弧長和外端部12的弧長相同，稱為導(dǎo)冷片外開口31，徑向深度與超導(dǎo)片外端部12的寬度相同；導(dǎo)冷片內(nèi)開口21、導(dǎo)冷片外開口31分別與連接頭5在同一直線上。

第一電流引線71與最上面一片超導(dǎo)片的外端部相連，第二電流引線72與最下面一片超導(dǎo)片的外端部相連。

如上所述的一種基于ReBCO螺旋涂層導(dǎo)體片的傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體的制備方法：超導(dǎo)磁體的焊接是把相鄰兩片超導(dǎo)片進(jìn)行焊接，使電流能沿著螺旋狀的超導(dǎo)面不間斷的傳輸?？紤]到超導(dǎo)片的襯底及緩沖層的電阻較大，所以在焊接時要“面對面”焊接，即焊接時將含有ReBCO涂層的面之間進(jìn)行焊接。第一片超導(dǎo)片的超導(dǎo)面向下，第二片超導(dǎo)片的超導(dǎo)面向上，兩片超導(dǎo)片之間為一片導(dǎo)冷片Ⅰ；第一片超導(dǎo)片的外端部與第一電流引線用焊錫焊接，內(nèi)端部與第二片超導(dǎo)片的內(nèi)端部用焊錫焊接，兩者的焊接位置為導(dǎo)冷片Ⅰ的導(dǎo)冷片內(nèi)開口處；第三片超導(dǎo)片的超導(dǎo)面向下，第二片超導(dǎo)片與第三片超導(dǎo)片之間為一片導(dǎo)冷片Ⅱ；第二片超導(dǎo)片的外端部與第三片超導(dǎo)片的外端部用焊錫焊接，兩者的焊接位置為導(dǎo)冷片Ⅱ的導(dǎo)冷片外開口處；以此類推，最后一片超導(dǎo)片的外端部與第二電流引線用焊錫焊接；其中，第一電流引線與連接頭位置相對；通過以上焊接方式，保證每一片超導(dǎo)片上的電流方向相同，以使它們產(chǎn)生的磁場在一個方向上。

成百上千的超導(dǎo)片與導(dǎo)冷片疊加好后，用上下法蘭盤對其進(jìn)行固定，然后用拉桿41穿過上下法蘭盤的固定孔42，用螺栓擰緊，從而實(shí)現(xiàn)對磁體的固定；用螺栓固定連接頭5，然后采用軟連接的方法將冷卻片的連接頭5連接到制冷機(jī)的冷卻板上。

其中，超導(dǎo)片的制備方法為先制備ReBCO薄膜再切割；具體為：首先把第二代高溫超導(dǎo)體的襯底切割成圓環(huán)片，內(nèi)半徑為r₁，外半徑為r₂，襯底可選用鎳及其合金、Ag、Cu、Pt、Pd等。然后現(xiàn)有的離子束輔助沉積技術(shù)(IBAD)、傾斜基底沉積技術(shù)(ISD)、表面氧化外延(SOE)、脈沖激光沉積法(PLD)或?yàn)R射法(Sputtering)等技術(shù)在圓環(huán)片襯底上制備出緩沖層，緩沖層常用的材料有Y₂O₃、CeO₂、MgO、SrTiO₃、YSZ、Gd₂O₃、Eu₂O₃等；接下來利用化學(xué)氣相沉積(CVD)、金屬有機(jī)沉積(MOD)、化學(xué)溶液沉積(CSD)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、溶膠-凝膠法(Sol-Gel)、噴涂分解法(Spray Pyrolysis)等技術(shù)在緩沖層上鍍上ReBCO薄膜，然后再鍍銀、銅薄膜保護(hù)層，形成超導(dǎo)面。在r₁與r₂之間，以圓環(huán)片圓心為中心點(diǎn)，以r₁為底面半徑，以r₂為頂面半徑，用激光在襯底上切割出圈數(shù)為N的螺旋型凹槽11，切割的深度為剛好把ReBCO層切斷，從而把圓環(huán)片r₁與r₂之間表面分割成螺旋帶狀結(jié)構(gòu)，凹槽寬度為n mm，然后在凹槽11內(nèi)填充環(huán)氧樹脂以保證絕緣。

因?yàn)槁菪龓?nèi)外端部的寬度太窄，不方便超導(dǎo)片之間的焊接，也為了保證螺旋帶的寬度均勻，所以要對內(nèi)外端部進(jìn)行重新設(shè)計。

在最內(nèi)側(cè)一圈螺旋帶尾部用激光沿徑向切割寬度為n mm的凹槽，深度為把襯底切透，作為內(nèi)端部起始位置131；然后從內(nèi)端部起始位置131開始，沿著螺旋帶旋轉(zhuǎn)方向，以與內(nèi)端部起始位置夾角為K度的位置作為內(nèi)端部終止位置132，內(nèi)端部終止位置132不切割，僅作為一個標(biāo)記；在起始位置131和終止位置132之間，切割第二圈螺旋帶的最外側(cè)螺旋型凹槽，切割的深度為把襯底切割透。K的取值根據(jù)焊接的長度來定，從而形成內(nèi)端部13；

對最外側(cè)一圈螺旋帶，在螺旋帶寬度便于焊接的位置，用激光沿徑向切割寬度為n mm的凹槽，深度為把襯底切透，作為外端部起始位置121；然后從外端部起始位置121開始，逆著螺旋帶旋轉(zhuǎn)方向，以與外端部起始位置121夾角為K度的位置作為外端部終止位置122，外端部終止位置122不切割，僅作為一個標(biāo)記；然后在起始位置121和終止位置122之間，切割最外層螺旋帶的內(nèi)側(cè)螺旋型凹槽，切割的深度為把襯底切割透。K的取值根據(jù)焊接的長度來定，從而形成外端部12。

至此，超導(dǎo)片的制作完成。

本發(fā)明的原理為：用激光把超導(dǎo)片的超導(dǎo)面切割為螺旋帶狀結(jié)構(gòu)，然后根據(jù)“面對面”焊接的原則對超導(dǎo)片的端部進(jìn)行焊接，使電流沿同一方向傳遞下去，保證了每片超導(dǎo)片產(chǎn)生的磁場方向相同，通過每一片超導(dǎo)片產(chǎn)生磁場的疊加，產(chǎn)生符合要求的磁場。在超導(dǎo)片之間疊加兼有絕緣和制冷作用的導(dǎo)冷片，導(dǎo)冷片的連接頭與制冷機(jī)的冷卻板相連，制冷機(jī)冷卻導(dǎo)冷片，導(dǎo)冷片再冷卻超導(dǎo)片，從而提供磁體運(yùn)行所需要的穩(wěn)定低溫環(huán)境。

本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明提出一種基于ReBCO螺旋涂層導(dǎo)體片的傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體的方案，采用ReBCO涂層材料制作超導(dǎo)片材，拓展了高溫超導(dǎo)材料的應(yīng)用范圍；超導(dǎo)片的超導(dǎo)面進(jìn)行了切割，能避免磁通跳躍。采用在超導(dǎo)片之間疊加導(dǎo)冷片的方式對磁體進(jìn)行直接冷卻，冷卻溫度可以連續(xù)調(diào)節(jié)，并且提高了冷卻的效率，成本低。

附圖說明

圖1為超導(dǎo)片的制備過程示意圖；

圖2為導(dǎo)冷片Ⅰ的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為導(dǎo)冷片Ⅱ的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為超導(dǎo)片與導(dǎo)冷片的疊加示意圖；

圖5為傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體的整體示意圖；

其中，1-法蘭盤，2-第一超導(dǎo)片，3-第一導(dǎo)冷片Ⅰ，4-定位孔，5-連接頭，6-縫隙，7-第二超導(dǎo)片，8-第一導(dǎo)冷片Ⅱ，9-第三超導(dǎo)片，10-第二導(dǎo)冷片Ⅰ，14-第四超導(dǎo)片，15-第二導(dǎo)冷片Ⅱ，16-第五超導(dǎo)片，17-第三導(dǎo)冷片Ⅰ，18-第六超導(dǎo)片，71-第一電流引線，72-第二電流引線，41-拉桿，42-固定孔，11-凹槽，12-外端部，121-外端部起始位置，122-外端部終止位置，13-內(nèi)端部，131-內(nèi)端部起始位置，132-內(nèi)端部終止位置，21-導(dǎo)冷片內(nèi)開口，31-導(dǎo)冷片外開口。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

實(shí)施例1：超導(dǎo)片的制備過程

圖1為超導(dǎo)片的制備過程示意圖；其中a-d為超導(dǎo)片的具體加工過程。

a：把第二代高溫超導(dǎo)體的襯底切割成圓環(huán)片，內(nèi)半徑為r₁，外半徑為r₂；襯底可選用鎳及其合金、Ag、Cu、Pt、Pd等。

b：用現(xiàn)有的離子束輔助沉積技術(shù)(IBAD)、傾斜基底沉積技術(shù)(ISD)、表面氧化外延(SOE)、脈沖激光沉積法(PLD)或?yàn)R射法(Sputtering)等技術(shù)在圓環(huán)片襯底上制備出緩沖層，緩沖層常用的材料有Y₂O₃、CeO₂、MgO、SrTiO₃、YSZ、Gd₂O₃、Eu₂O₃等；接下來利用化學(xué)氣相沉積(CVD)、金屬有機(jī)沉積(MOD)、化學(xué)溶液沉積(CSD)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、溶膠-凝膠法(Sol-Gel)、噴涂分解法(Spray Pyrolysis)等技術(shù)在緩沖層上鍍上ReBCO薄膜，然后再鍍銀、銅薄膜保護(hù)層。

c：切割螺旋凹槽：在r₁與r₂之間，以圓環(huán)片圓心為中心點(diǎn)，以r₁為底面半徑，以r₂為頂面半徑，用激光切割出圈數(shù)為N的螺旋型凹槽11，切割的深度為剛好把ReBCO層切斷，從而把圓環(huán)片表面分割成螺旋帶狀結(jié)構(gòu)，凹槽寬度為n mm，然后在凹槽11填充環(huán)氧樹脂以保證絕緣。

d：切割內(nèi)外端部：

在最內(nèi)側(cè)一圈螺旋帶尾部用激光沿徑向切割寬度為n mm的凹槽，深度為把襯底切透，作為內(nèi)端部起始位置131；然后從內(nèi)端部起始位置131開始，沿著螺旋帶旋轉(zhuǎn)方向，以與內(nèi)端部起始位置夾角為K度的位置作為內(nèi)端部終止位置132，內(nèi)端部終止位置132不切割，僅作為一個標(biāo)記；在起始位置131和終止位置132之間，切割第二圈螺旋帶的最外側(cè)螺旋型凹槽，切割的深度為把襯底切割透。K的取值根據(jù)焊接的長度來定，從而形成內(nèi)端部13；

對最外側(cè)一圈螺旋帶，在螺旋帶寬度便于焊接的位置，用激光沿徑向切割寬度為n mm的凹槽，深度為把襯底切透，作為外端部起始位置121；然后從外端部起始位置121開始，逆著螺旋帶旋轉(zhuǎn)方向，以與外端部起始位置121夾角為K度的位置作為外端部終止位置122，外端部終止位置122不切割，僅作為一個標(biāo)記；然后在起始位置121和終止位置122之間，切割最外層螺旋帶的內(nèi)側(cè)螺旋型凹槽，切割的深度為把襯底切割透。K的取值根據(jù)焊接的長度來定，從而形成外端部12。

至此，超導(dǎo)片的制作完成。

實(shí)施例2：導(dǎo)冷片Ⅰ、導(dǎo)冷片Ⅱ的結(jié)構(gòu)示意圖

圖2為導(dǎo)冷片Ⅰ的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為導(dǎo)冷片Ⅱ的結(jié)構(gòu)示意圖；

導(dǎo)冷片為圓環(huán)片狀結(jié)構(gòu)，內(nèi)外半徑與均超導(dǎo)片相同，在外半徑邊緣帶有矩形的連接頭5，在連接頭5的一端有四個定位孔4；包括導(dǎo)冷片Ⅰ、導(dǎo)冷片Ⅱ。每片導(dǎo)冷片的連接頭5的寬度相同，長度不同，下層導(dǎo)冷片比上層導(dǎo)冷片稍長，以保證連接頭末端的定位孔4處于同一水平線。此外，為了防止環(huán)流，在導(dǎo)冷片的表面沿徑向切割一條幾毫米寬的縫隙6。

其中，導(dǎo)冷片Ⅰ在半徑r₁邊緣開角度為K度的扇形缺口，扇形的弧長和內(nèi)端部13的弧長相同，稱為導(dǎo)冷片內(nèi)開口21，徑向深度與超導(dǎo)片內(nèi)端部13的寬度相同。

導(dǎo)冷片Ⅱ在半徑r₂邊緣開角度為K度的扇形缺口，扇形的弧長和外端部12的弧長相同，稱為導(dǎo)冷片外開口31，徑向深度與超導(dǎo)片外端部12的寬度相同；導(dǎo)冷片內(nèi)開口21、導(dǎo)冷片外開口31分別與連接頭5在同一直線上。

導(dǎo)冷片的制備過程為：

a：將銅片切割成內(nèi)半徑為r₁，外半徑為r₂的圓環(huán)片，在r₂邊緣帶有一長度為x，寬度為y的矩形連接頭5，其中每一片導(dǎo)冷片的y相同，x不同，并在連接頭5的端部打四個固定孔4，沿圓環(huán)片徑向方向切割一條縫隙6，寬度為幾毫米，導(dǎo)冷片Ⅰ在內(nèi)半徑r₁邊緣開角度為K度的扇形缺口，K的取值同超導(dǎo)片，徑向深度與超導(dǎo)片內(nèi)端部13的寬度相同；導(dǎo)冷片Ⅱ在外半徑r₂邊緣開角度為K度的扇形缺口，徑向深度與超導(dǎo)片外端部12的寬度相同；

b：在圓環(huán)片上下表面涂絕緣漆，如聚酰亞胺，冷卻片連接頭部分、內(nèi)開口21及外開口31處不涂絕緣漆，導(dǎo)冷片的其余部分(包括縫隙6)均涂絕緣漆。

實(shí)施例3：超導(dǎo)磁體的焊接以及超導(dǎo)片與導(dǎo)冷片的疊加

圖4為超導(dǎo)片與導(dǎo)冷片的疊加示意圖。

超導(dǎo)磁體的焊接是把相鄰兩片超導(dǎo)片進(jìn)行焊接，使電流能沿著螺旋狀的超導(dǎo)面不間斷的傳輸?？紤]到超導(dǎo)片的襯底及緩沖層的電阻較大，所以在焊接時要“面對面”焊接，即焊接時將含有ReBCO涂層的面之間進(jìn)行焊接。

以圖中的電流i的流向?yàn)槔?，第一片超?dǎo)片的超導(dǎo)面向下，第二片超導(dǎo)片的超導(dǎo)面向上，兩片超導(dǎo)片之間為一片導(dǎo)冷片Ⅰ(在所有導(dǎo)冷片中，最上面這一片導(dǎo)冷片連接頭的長度x最小)；第一片超導(dǎo)片的外端部與第一電流引線71用焊錫焊接，內(nèi)端部與第二片超導(dǎo)片的內(nèi)端部用焊錫“面對面”焊接，兩者的焊接位置為導(dǎo)冷片Ⅰ的導(dǎo)冷片內(nèi)開口21處；第三片超導(dǎo)片的超導(dǎo)面向下，第二片超導(dǎo)片與第三片超導(dǎo)片之間為一片導(dǎo)冷片Ⅱ(這片導(dǎo)冷片連接頭的長度x比第一片導(dǎo)冷片連接頭的長度稍長)；第二片超導(dǎo)片的外端部12與第三片超導(dǎo)片的外端部用焊錫“面對面”焊接，兩者的焊接位置為導(dǎo)冷片Ⅱ的導(dǎo)冷片外開口31處；以此類推，最后一片超導(dǎo)片的外端部與第二電流引線72用焊錫焊接；第一電流引線與連接頭位置相對。通過以上焊接方式，保證每一片超導(dǎo)片上的電流方向相同，以使它們產(chǎn)生的磁場在一個方向上。實(shí)施例4：傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體的整體結(jié)構(gòu)

圖5為傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體的整體示意圖。傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體的主體結(jié)構(gòu)由超導(dǎo)片和導(dǎo)冷片交替疊加而成，每兩片超導(dǎo)片之間為一片導(dǎo)冷片；還包括電流引線和固定裝置；所述固定裝置包括法蘭盤、拉桿和固定孔；通過法蘭盤1、四個拉桿41和相應(yīng)的四個固定孔42對上述超導(dǎo)片、導(dǎo)冷片進(jìn)行固定；所述固定孔42位于法蘭盤1上；導(dǎo)冷片的連接頭5為L型結(jié)構(gòu)，連接頭5末端的定位孔4處于同一水平線，連接頭5與制冷機(jī)的冷卻板連接；從而實(shí)現(xiàn)磁體的冷卻。

成百上千的超導(dǎo)片與導(dǎo)冷片疊加好后，用上下法蘭盤對其進(jìn)行固定，然后用拉桿41穿過上下法蘭盤的固定孔42，用螺栓擰緊，從而實(shí)現(xiàn)對磁體的固定；用螺栓固定連接頭5，然后采用軟連接的方法將冷卻片的連接頭連接到制冷機(jī)的冷卻板上。其中最上邊一片超導(dǎo)片和最下邊一片超導(dǎo)片的外端部與電流引線相連，實(shí)現(xiàn)電流的引入和導(dǎo)出。至此，傳導(dǎo)冷卻超導(dǎo)磁體制作完成。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。